「5 Steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

When the signal level of an analog voltage signal is not changed over 5 seconds at the time of analog setting (ST8) or up and down switches are not depressed over 5 seconds at the time of digital setting (step ST15) or the DISP switch is depressed (steps ST9 and ST16), the control is returned to the step ST1 to display the V value.例文帳に追加

アナログ設定のときに５秒経過してもアナログ電圧信号の信号レベルが変化しなかったとき（ステップＳＴ８）、ディジタル設定のときに５秒間アップスイッチ、ダウンスイッチが押されなかったとき（ステップＳＴ１５）、又はＤＩＳＰスイッチが押されたとき（ステップＳＴ９，ＳＴ１６）はステップＳＴ１に戻り、Ｖ値を表示する。 - 特許庁

This method for manufacturing a laminate for a circuit board includes steps of: transferring an insulation layer 3' which is formed on a support 5 and contains electrical insulating resin 3a', an electrical insulating inorganic filler 3b and arbitrarily contains solvent from the support 5 to metal foil; and sticking the metal foil and a metal substrate together by sandwiching the insulation layer 3' between them.例文帳に追加

本発明の回路基板用積層板の製造方法は、支持体５上に形成され、電気絶縁性の樹脂３ａ’と電気絶縁性の無機充填材３ｂと任意に溶媒とを含有した絶縁層３’を、前記支持体５から金属箔上へと転写する工程と、前記絶縁層３’を間に挟んで前記金属箔と金属基板とを貼り合せる工程とを含んでいる。 - 特許庁

This DC-DC converter, which converts DC power inputted from a generator 10 into AC power by the first bridge circuit 2 and transforms the AC power by a transformer 4 and steps-down the transformed AC power by an inductor 5 and then, outputs it as DC power by the second bridge circuit 3, makes the inductance of the inductor 5 increase and decrease, thereby adjusting the output power.例文帳に追加

発電部１０から入力される直流電力を第一ブリッジ回路２により交流電力に変換し、その交流電力をトランス４により変圧し、変圧された交流電力をインダクタ５によって降圧した後、第二ブリッジ回路３により直流電力として出力するＤＣ−ＤＣコンバータであって、インダクタ５のインダクタンスを増減させて出力電力を調整する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant.例文帳に追加

１５０ｎｍよりも薄い反射防止膜５を半導体基板１の上に形成する工程と、前記反射防止膜５の上にレジスト６を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト６を露光する工程と、露光された前記レジスト６を現像する工程と、現像された前記レジスト６をマスクに使用して前記反射防止膜５を通して前記半導体基板１に不純物を注入する工程と、前記レジスト６と反射防止膜５を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上にポリシリコン層３を形成する工程と、ポリシリコン層３上にフォトレジストマスク５を形成する工程と、フォトレジストマスク５をマスクにしてポリシリコン層３をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を３ドライエッチングしている最中に生成される副生成物６を、フォトレジストマスク５の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。 - 特許庁

This method for catalytically producing 3-hydroxymethyl tetrahydrofuran of the formula IV includes hydroformylation as one of the key steps and comprises reacting 9-hydroxymethyl-7,12-dioxaspiro[5, 6]dodecane of the formula III with an alcohol in the presence of an acid catalyst and recovering the resultant 3-hydroxymethyl tetrahydrofuran therefrom.例文帳に追加

ヒドロホルミレーションをキーステップとして有する式IVの３−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランの触媒的製造方法であって、式IIIの９−ヒドロキシメチル−７，１２−ジオキサスピロ［５，６］ドデカンを、酸触媒の存在下で、アルコールと反応させて、得られた3−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランを回収することを含む方法。 - 特許庁

In addition, the preparation method of 7-carboxymethyloxy-3',4',5-trimethoxy flavone monohydrate reduces various steps in total synthesis, requires mild conditions for production of a compound because autoclave condition is not necessary for methylation and makes mass-production possible without any purification process such as recrystallization or column chromatography.例文帳に追加

また、本発明の7-カルボキシメチルオキシ-3',4',5-トリメトキシフラボン一水和物を製造する方法は、合成全体の様々な工程段階を短縮させることができ、メチル化反応を加圧条件下で行う必要がなく穏和な条件で化合物を製造でき、別途の再結晶またはクロマトグラフィーのような精製過程が必要ないので大量製造が可能である。 - 特許庁

A method for forming a resist pattern includes steps of: forming a resist layer containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene on a substrate; performing rendering or exposure of a predetermined pattern by irradiating the resist layer with an energy beam; and developing the rendered or exposed resist layer with a developer containing n-amyl acetate at ≤5°C.例文帳に追加

基板上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う工程と、酢酸−ｎ−アミルを含む５℃以下の現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the lead wire (lead member) 1 includes the steps of forming a composite coating layer 5 by applying a treatment liquid containing resin component including polyacrylic acid and polyacrylamide and a metal salt to a surface of a lead wire metal 2 by spraying, and adhering an insulator 6 to both sides of the lead wire metal 2.例文帳に追加

本発明のリード線（リード部材）１の製造方法は、リード線金属２の表面に、ポリアクリル酸及びポリアクリル酸アミドを含む樹脂成分と金属塩とを含む処理液を、噴霧することにより塗布して複合皮膜層５を形成し、リード線金属２の両面側から絶縁体６を貼り合わせる。 - 特許庁

A plurality of the cassette blocks 3, 4 are stacked on the case body 2 in two steps of upper and lower sides and locking parts 11 on which the cassette blocks 3, 4 are installed at positions where space S for accommodating the electric wires 5 of the upper side cassette block 3 is formed, are provided between cassette blocks 3, 4 stacked mutually.例文帳に追加

ケース本体２には、複数のカセットブロック３，４を上下２段に重ねて取り付けるとともに、互いに重ねられたカセットブロック３，４同士の間に上段側のカセットブロック３の電線５を収容する空間Ｓが形成される位置に当該カセットブロック３，４を取り付けるロック部１１が設けられている。 - 特許庁

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality.例文帳に追加

半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming a lamination support substrate 1; forming a laminated substrate 2; forming a lamination support substrate for epitaxial growth 3; forming a lamination support substrate for a device 4; forming a laminated wafer for a device 5; and forming a semiconductor device 7 including a transparent semiconductor layer laminated wafer 6.例文帳に追加

本半導体デバイスの製造方法は、積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合せ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体層積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 - 特許庁

In the steps (S5 and S7), formation of burrs from the wiring board 1 to the heat sink 5 and burrs in the opposite direction is suppressed, the blade 9 is made less in thickness than the blade 6, and the center 5c is shifted from the center 1c by the set distance SL in the direction X, thereby suppressing protrusion of burrs from the wiring board.例文帳に追加

本発明では、工程（Ｓ５、Ｓ７）により、配線基板１から放熱板５へのバリやその逆のバリの発生を抑えることができ、ブレード９の厚みをブレード６の厚みよりも薄くして、中心５ｃを中心１ｃに対して方向Ｘに設定距離ＳＬだけずらすことにより、配線基板からバリが突出するのを抑えることができる。 - 特許庁

The thermoelectric material is manufactured through steps of: melting a raw material of Fe_2VAl group Heusler-type compound; pulverizing the molten metal by rapidly solidifying using a gas atomizing method; and directly sintering a powder which is used as the thermoelectric material and contains 70% or more of the powder having an aspect ratio of 5 or less thus manufactured through the melting and pulverizing, without undergoing a further pulverizing process.例文帳に追加

Fe_２VAl基ホイスラー化合物の原料を溶解する溶解工程と、溶湯をガスアトマイズ法により急冷凝固させて粉末化する粉末化工程とを経て製造したアスペクト比が５以下の粉末を７０％以上含む熱電材料の粉末を、その後に粉砕処理することなく直接焼結を行って熱電材料を製造する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the substrate 2, made of a nitride-based semiconductor, which has principal surfaces parallel with a first direction (A direction) and a second direction (B direction) and where steps 2a extending in the first direction are formed, a base layer 3 formed on the substrate 2 and made of a nitride-based semiconductor, and a first semiconductor layer 4 and a second semiconductor layer 5.例文帳に追加

この半導体素子１は、第１方向（Ａ方向）および第２方向（Ｂ方向）に平行な主表面を有するとともに第１方向に沿って延びる段差部２ａが形成された窒化物系半導体からなる基板２と、基板２上に形成され、窒化物系半導体からなる下地層３、第１半導体層４および第２半導体層５とを備える。 - 特許庁

The method for producing the aluminum electrode material includes the steps of: anodizing an aluminum material 1 in such a state as to align the resin spheres 2 on the surface of the aluminum material 1; and exposing outside, the aluminum base material 5 of the fine recessed bottom in which the resin spheres have existed by sequentially or simultaneously removing the resin spheres 2 and the anodized film 3 after anodization and making a peripheral anodized film remain.例文帳に追加

アルミニウム材１の表面に樹脂球２を配列させた状態で陽極酸化処理する工程と、陽極酸化処理後、前記樹脂球２と陽極酸化皮膜３とを順次的にまたは同時に除去して、樹脂球が存在していた微細凹部の底部のアルミニウム素地５を露出させ、周囲の陽極酸化皮膜を残存させる工程と、を含む。 - 特許庁

Further, for the partial removal of the outermost copper foil layer 1 and insulating layer 4, an X-light irradiation unit used for the boring of the guide hole 6 for a through hole 5 boring device and a drill or end mill 7 for a guide hole 6 boring device employing an X light camera, are used, so that the processing is achieved with the minimum number of additional operation steps without preparing other facilities.例文帳に追加

また，この最外銅箔層１や絶縁層４の部分的除去には，スルーホール５穴あけ装置用のガイド穴６の穴あけ加工に使用する，Ｘ線照射手段及びＸ線カメラを採用しているガイド穴６穴あけ装置のドリル又はエンドミル７を用いるため，別途設備を準備する必要が無く，最小限の追加作業工数で加工することができる。 - 特許庁

The feeding action of the rotation feeder unit 11 is adjusted by at least three continuous connecting steps, i.e., a first step of adjusting the penetration of the supported plate 2, a second step of adjusting the friction welding between the supporting plate 1 and the shaft part, and a third step of applying the axial force of the connecting element 5 to the supporting plate 1 to complete the friction welding process.例文帳に追加

回転フィーダ部１１の送り動作が、被支持板２を貫通するように調整する第１の段階と、支持板１とシャフト部との摩擦溶接を調整する第２の段階と、接合要素５の軸方向の力を支持板１に加える第３の段階の少なくとも３つの連続した接合段階によって調整されて摩擦溶接プロセスを完了させる。 - 特許庁

In this method for producing propylene polymer, the process steps (II) and (III) are arranged after the process step (I), the content of the polymer component (A) in the propylene polymer is 55 to 85 wt.%, the content of the polymer component (B) is 5 to 15 wt.% and the content of the polymer component (C) is 10 to 30 wt.%.例文帳に追加

下記工程（Ｉ）以降に下記工程（II）および工程（III）を有し、プロピレン系重合体中の下記重合体成分（Ａ）の含有量が５５〜８５重量％、下記重合体成分（Ｂ）の含有量が５〜１５重量％、下記重合体成分（Ｃ）の含有量が１０〜３０重量％であるプロピレン系重合体の製造方法。 - 特許庁

This method includes the steps of cutting out a first lamella to form a first scleral valve 10, lifting the same toward the cornea 4 to make a first recessed part 11, cutting out a second lamella to form a second scleral valve 12, and lifting the same toward the first scleral valve 10, thereby pouring an extension medium into a serum tube 5 through an exposed part.例文帳に追加

第１層板を切開して第１強膜弁１０を形成し、それを角膜４方向に持ち上げ第１陥凹部１１を作り、そこで第２層板を切開して第２強膜弁１２を形成しそれを第１強膜弁１０方向に持ち上げ露出された部分を通じて拡張媒体をシュレム管５に注入する段階を含む方法を提供する。 - 特許庁

In the Japanese kana syllabary key arrayed part 10 where keys are arrayed in 5 steps of 10 columns, the Japanese kana syllabary arrayed part 10 is put into an array configuration that both the column directions and the step directions are arranged in tile pattern, and the keys allocated with each line of the Japanese kana syllabary by each column are provided in a keyboard main body 1 of a keyboard 100.例文帳に追加

１０列５段にキーが配列される、かなキー配列部１０において、そのかなキー配列部１０を列方向、段方向ともに整列した升目状の配列形態とするとともに、各列毎に、かな五十音の各行を割り付けたキーをキーボード１００のキーボード本体１に備える構成にした。 - 特許庁

The method for manufacturing the circuit substrate includes the steps of forming a plated resist layer 3 of predetermined thickness on the bump forming surface of a copper-clad of one or both surfaces, forming an opening for forming the bump and a register mark on the plated resist layer 3, and forming the bump 4 and the register mark 5 thick not protruding from this opening.例文帳に追加

片面あるいは両面の銅張り板のバンプ形成面に所定厚さのめっきレジスト層３を形成し、めっきレジスト層３にバンプおよび位置合わせ用ターゲット形成のための開口を形成し、この開口から突出しない厚さにバンプ４および位置合わせ用ターゲット５をめっきにより形成する。 - 特許庁

The method for charging a paste comprises the steps of fixing a film 3 formed with recess pattern grooves 4 on its surface onto a stage 2, then filling the paste 5 in the grooves 4 of the film 3 and thereafter sliding a squeegee 6 on the surface of the film 3 in a state in which the squeegee 6 is inclined to the grooves 4.例文帳に追加

そしてこの目的を達成するために本発明は表面に凹状のパターン溝４を形成したフィルム３をステージ２上に固定し、次に前記フィルム３のパターン溝４内にペースト５を充填し、その後前記フィルム３表面上に前記パターン溝４に対して傾斜した状態でスキージ６を摺動させるものである。 - 特許庁

In this method where boron is removed from a boron-containing sample (a step 5) by adding an aluminum compound as a coagulant and calcium hydroxide as a pH adjuster to the sample and reacting them with boron, calcium sulfate is made to occur in the sample (a step 2) before the addition of the aluminum compound and calcium hydroxide (steps 3, 4).例文帳に追加

ホウ素を含む試料に凝集剤としてのアルミニウム化合物とｐＨ調整剤としての水酸化カルシウムとを添加してホウ素と反応させて試料中からホウ素を除去（ステップ５）する方法において、アルミニウム化合物および水酸化カルシウムの添加（ステップ３，４）の前に試料に硫酸カルシウムを存在させておく（ステップ２）。 - 特許庁

The first selection arm 85a is to engage to any of the selection gate 81a, 82a, 83a for an forward speed change step in the selection operation range when selecting the forward speed change step of a change lever 65 and evacuate to the outside of a selection gate 63a for 5, 6 speed steps when operating to the selection position for the reverse speed step.例文帳に追加

第１セレクトアーム８５ａは、チェンジレバー６５の前進変速段選択時のセレクト操作範囲で前進変速段用セレクトゲート８１ａ，８２ａ，８３ａのいずれかに係合し、かつ後退速段用セレクト位置へ操作したときに５，６速段用セレクトゲート６３ａの外側へ退避する。 - 特許庁

This method for copper metallization of integrated circuit comprises the steps of (A) providing a substrate 1, (B) forming a tantalum layer on the substrate 1, (C) forming a tantalum nitride layer 7 on the tantalum layer 5, (D) forming a titanium nitride layer 9 on the tantalum nitride layer 7, and (E) forming a copper layer 11 on the titanium nitride layer 9.例文帳に追加

本発明の方法は、（Ａ）基板（１）を用意するステップと、（Ｂ）前記基板上にタンタル層（７）を形成するステップと、（Ｃ）前記タンタル層の上に窒化タンタル層（７）を形成するステップと、（Ｄ）前記窒化タンタル層の上に窒化チタン層（９）を形成するステップと、（Ｅ）前記窒化チタン層の上に銅層（１１）を形成するステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes the steps of acquiring a Raman spectrum, by having carbon nanotubes containing a material irradiated with a laser light of energy 1.9±0.1 eV and determining the degree of dispersion of single-layer carbon nanotubes in a carbon nanotube-containing material from the intensity of the peak (peak A) of the Raman shift 221±5 cm^-1 caused by the aggregate of single-layer nanotubes.例文帳に追加

本発明では、エネルギー１．９±０．１ｅＶのレーザ光をカーボンナノチューブ含有物に照射することによってラマンスペクトルを取得し、単層カーボンナノチューブの集合体に起因するラマンシフト２２１±５ｃｍ^-1のピーク（ピークＡ）の強度に基づき、カーボンナノチューブ含有物中での単層カーボンナノチューブの分散度を判定する。 - 特許庁

The distribution reservation method, including the steps of: detecting a download speed of a user terminal 5; computing distribution loading using the detected download speed and the size of a desired information content for distribution reservation; and contrasting the computed distribution loading with the reservation status of the day of choice of distribution reservation, and determining propriety of reservation.例文帳に追加

ユーザ端末５のダウンロード速度を検出するステップと、検出したダウンロード速度と配信予約を希望した情報コンテンツのサイズとを用いて配信負荷を算出するステップと、その算出した配信負荷と配信予約の希望日の予約状況とを対比して予約の可否を判定するステップとを備える配信予約方法。 - 特許庁

A method of manufacturing an electrode foil for an electrolytic capacitor comprises the steps of: applying a laser beam to the peripheral surface of the roll 11 of an electrode foil 8 at predetermined intervals to form trenches 5 on the peripheral surface 11 of the electrode foil 8; and cutting the electrode foil 8 along the trenches and rolling it at the same time to form electrode foil rolls each of which has a predetermined width.例文帳に追加

電極箔８のロール11を所定幅で複数に切断しながら巻回して所定幅の電極箔のロールを形成する電解コンデンサ用電極箔の製造方法において、電極箔８のロール11の周面に所定間隔でレーザ光を照射して、前記電極箔８のロール11の周面に溝５、15を形成し、この溝５、15内に沿って切断することにより所定幅の電極箔のロールを形成する。 - 特許庁

The method for forming a groove on a concrete structure includes steps for: arranging a rail body 10 in a narrow space 6 formed of a pair of mutually opposed surfaces along the direction for forming a groove 7 for installing an electrode for electric protection; and moving a cutting blade 62 along the rail body, thereby forming the groove on one opposed face 5 formed of concrete in the pair of opposed surfaces.例文帳に追加

互いに対向する一対の対向面で形成される狭隘なスペース内６に、電気防食用電極を設置する溝７を形成すべき方向に沿わせてレール体１０を配置し、該レール体に沿って切削刃６２を移動させることにより、前記一対の対向面のうち、コンクリートからなる一方の対向面５に溝を形成するコンクリート構造物への溝形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal has steps of forming an alignment layer 12, containing a dichroic compound on a substrate 11; and irradiating the substrate 11 with non-polarized light L and making the light L incident obliquely on the substrate 11, by using an optical element 5 provided on the incident side of the substrate 11, to impart anisotropy to alignment of molecules of the alignment layer 12.例文帳に追加

本発明の液晶装置の製造方法は、基板１１上に二色性化合物を含有する配向膜１２を形成する工程と、前記基板１１に対して非偏光な光Ｌを放射し、該光Ｌを前記基板１１の入射側に設けた光学素子５によって前記基板１１に対して斜めに入射させることにより前記配向膜１２の分子の配向に異方性を付与する工程と、を有する。 - 特許庁

The bayonet plug 1 has a rib-shape cord receptacle 10 for arranging a power supply cord 7 inside an insertion hole 9 formed at the base 2 on which plug blades 5, 6 are installed, and the cord receptacle 10 is formed in three steps so that it becomes higher gradually toward the inside from the insertion hole 9 in order to fix the power supply cords 7 having different diameters.例文帳に追加

差込プラグ１は栓刃５，６が突設されたベース２に形成された挿通口９の内側に電源コード７を配置するためのリブ状のコード受け部１０を形成し、コード受け部１０は直径の異なる電源コード７を固定するために挿通口９から内側方向に向けて段階的に高くなるように３段に形成する。 - 特許庁

By providing the hydraulic control means 6 with a line pressure control part for changing a line pressure according to the number of steps when a signal from the shift position switch 5 is switched from a neutral range to a drive range, a line pressure can be set according to the constituting step, whereby lengthening of an engaging time of a friction element and a shock due to engagement of the friction element are prevented.例文帳に追加

前述した油圧制御手段６に、シフト位置スイッチ５の信号がニュートラルレンジからドライブレンジに切換わった場合に、変速段数に応じてライン圧を変化させるライン圧制御部を設けたことにより、構成する変速段に応じてライン圧を設定できるため、摩擦要素の係合時間が長くなったり、摩擦要素の締結によるショックが無くなる。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by doping carbon in a chamber with a Czochralski method comprises the steps of disposing a silicon raw material S in a crucible 3, wherein a carbon dopant is disposed in a position apart from a crucible inner surface 3a by 5 cm or more, that is, in an area range K3, and after the disposition in this state, melting the silicon raw material S.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりチャンバ内において炭素をドープしてシリコン単結晶を製造する方法であって、ルツボ３内にシリコン原料Ｓを配置する工程において、炭素ドープ剤を、ルツボ内面３ａに対して５ｃｍ以上離れた位置、つまり、領域範囲Ｋ３内に配置し、この状態で配置工程後にシリコン原料Ｓを溶融する溶融工程をおこなう。 - 特許庁

The method comprises steps of further introducing a hydrogen halide from a second supply pipe 20 different from a supply pipe 30 of the hydrogen halide for forming a group III metal halide to a crystal growth furnace 1, leading it on a substrate 5 through a flow pipe 2 composed of a heat-resistant silica content material, and doping the silica element existent in the flow pipe 2 to a group III nitride semiconductor crystal 9.例文帳に追加

III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉１にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管２に通して基板５上に導き、流通管２に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶９にドープする。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated electronic component comprises steps of printing a conductive paste, which includes a conductive powder and a ceramic powder having a mean particle size of 0.1 μm or less on a dielectric green sheet 1 to form a plurality of rectangular conductor patterns 3 at a predetermined interval, pressurizing the patterns 3 to smoothen the patterns 3, and forming a ceramic pattern 5 between the patterns 3.例文帳に追加

誘電体グリーンシート１上に、平均粒径差が０．１μｍ以下の導電性粉末とセラミック粉末とを含有する導電性ペーストを印刷して矩形状の導体パターン３を所定間隔をおいて複数形成し、前記導体パターン３を加圧して平滑化するとともに、該導体パターン３間にセラミックパターン５を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

The objective process for producing a specific 2-substituted propionic acid comprises the following steps: the reaction of an adipic diester with an alkoxide M(OR)n (R is an alkyl of ≥5 carbon atoms, and M is an alkali or alkaline earth metal), the subsequent coupling reaction with 2-(halomethylphenyl)-propionic acid or an ester thereof and the decarboxylation or hydrolysis of the resultant intermediate.例文帳に追加

アジピン酸ジエステルをアルコキシド Ｍ(ＯＲ)_ｎ（Ｒは炭素数５以下のアルキル基、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属）と反応させた後、引き続き２−(ハロメチルフェニル)プロピオン酸またはそのエステルとカップリングさせて得た中間体を、さらに脱炭酸・加水分解することからなる特定の２−置換プロピオン酸の製造方法。 - 特許庁

In the multilayer DNA microarray 1, a plurality of DNA microarray units 2 in which a lead section 5 having conductivity and a detection section 4 in which nucleic acid is immobilized are formed in series on a substrate 3 having insulating properties are laminated in steps so that the surface of a detection section 4 is exposed without overlapping the substrate 3 of other DNA microarray units 2 on each detection section 4.例文帳に追加

本発明の多層ＤＮＡマイクロアレイ１は、絶縁性を有する基板３上に導電性を有するリード部５と核酸が固定化された検出部４とが直列に形成された複数のＤＮＡマイクロアレイユニット２が、各検出部４の上に他のＤＮＡマイクロアレイユニット２の基板３が重複せず検出部４の表面が露出するよう階段状に積層される。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing method comprises the steps of forming a first high-melting metal film 5 on a semiconductor substrate, forming a second high-melting metal film 6A having a reactant 7 of a high-melting metal nitride on the first high-melting metal film, and forming a silicon nitride film 8 on the second high-melting metal film.例文帳に追加

半導体基板上に第一の高融点金属膜５を形成する工程と、前記第一の高融点金属膜上に高融点金属窒化物の反応物７を持つ第二の高融点金属膜６Ａを形成する工程と、前記第二の高融点金属膜上にシリコン窒化膜８を形成する工程とからなる。 - 特許庁

In a sequence where processes from a first through a fourth are performed retaining a semiconductor substrate 3 in the chamber 5, the magnitude of the RF power is selected from P1-P4 according to each process treatment and the process treatments from the first to the fourth processes are performed in consecutive steps of 21A-21D.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、半導体基板３をプロセスチャンバ５内に保持したままで第１〜第４のプロセス処理を施す場合、それぞれのプロセス処理に応じてその都度高周波電力Ｐ１〜Ｐ４の大きさを切り替えて、第１〜第４のプロセス処理を連続した第１〜第４のステップ２１Ａ〜２１Ｄのステップで行う。 - 特許庁

A Ni-Cd battery 10 is formed through steps of: housing an electrode body in an armoring can 1; injecting an electrolyte in the armoring can 1 with the electrode body housed therein; and sealing the armoring can 1 with the electrolyte injected therein by using a sealing body 5 and caulking an opening-side end of the armoring can 1.例文帳に追加

外装缶１の内方に電極体を収納するステップと、電極体が収納された外装缶１の内方に電解液を注入するステップと、電解液が注入された外装缶１を封口体５を用い、外装缶１の開口側端部をカシメ加工することで封口するステップとを経て、Ｎｉ−Ｃｄ電池１０を形成する。 - 特許庁

In a method for regenerating used washing agents (5, 7) in gas physical washing (T1) and an apparatus therefor, most of one or more kinds of gas components are selectively removed from a gas mixture (1) to be refined in at least a first washing process of a continuous washing process with at least two steps.例文帳に追加

少なくとも２段階の連続的洗浄工程のうちの少なくとも最初の洗浄工程において精製すべきガス混合物（１）から１種以上のガス成分の大部分を選択的に除去するガス物理洗浄（Ｔ１）における使用済洗浄剤（５，７）を再生するための方法及び該方法を実施するための装置。 - 特許庁

The lid manufacturing method comprises steps of continuously feeding a base film 7, printing on the front side, forming a register mark, positioning by detecting the register mark by a detector 5, and coating a heat seal agent only on a part overlapping the opening edge of a container on the back side of the printing.例文帳に追加

基材フィルム７を連続的に送出し、表面側に印刷を施すとともにレジスターマークを設け、このレジスターマークを検出器５で検出することにより位置合わせをして前記印刷の裏面側にヒートシール剤を容器の開口縁部に重なる箇所にのみ塗布する工程を備えた蓋材の製造方法とした。 - 特許庁

Since output terminals of two PWM inverters 2A, 2B are connected in parallel through an interphase reactor 3, and a gate control signal delayed by ΔT to a gate control signal from a PWM command generator 4 can be obtained by using a delay device 5, composite output voltages of two inverters have waveforms changing in a plurality of steps.例文帳に追加

２台のＰＷＭインバータ２Ａ，２Ｂの出力端を相間リアクトル３で並列接続し、ＰＷＭ指令発生器４からのゲート制御信号に対して遅延器５によは時間ΔＴだけ遅らせたゲート制御信号を得ることにより、両インバータの合成出力電圧には複数段にステップ変化する波形を得る。 - 特許庁