「Beam Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the permissible range of the energy is narrow with the photosensitive material, such as the X-ray film 12, the formation of the dot pattern at the point of the time the transient period is past by the previous irradiation with the laser beam LB is extremely effective in forming the dot pattern of the adequate shape.例文帳に追加

Ｘレイフィルム１２等の感光材料では、エネルギーの許容範囲が狭いため、予めレーザービームＬＢを照射して過渡期を過ぎた時点でドットパターンを形成することは、適正な形状のドットパターンを形成する上で非常に有効である。 - 特許庁

A semiconductor laser array 10 has N pieces of semiconductor laser elements LD_1 to LDN each for outputting the laser beam, and a temperature providing unit 20 for forming a temperature gradient along the direction in which the N pieces of the laser elements LD_1 to LDN are arranged.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１０は、レーザ光を各々出力するＮ個の半導体レーザ素子ＬＤ_1〜ＬＤ_Nが配列されており、Ｎ個の半導体レーザ素子ＬＤ_1〜ＬＤ_Nが配列されている方向に沿って温度提供部２０が温度勾配を形成する。 - 特許庁

In reviewing the defects, by irradiating the primary electron beam on the testpiece in such a state that the deflection amount of the electrostatic deflector 12 is reduced than the detection time of defects, and by forming the secondary electron microscopic picture of the defect candidate of the testpiece 19, the three-dimensional SEM image is obtained.例文帳に追加

欠陥レビュー時には、静電偏向器１２の偏向量を欠陥検出時より低下させた状態で１次電子線を試料に照射して試料１９の欠陥欠陥候補の２次電子画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像が得られる。 - 特許庁

The laser beam printer 1 is provided with: the openable and closable opening/closing cover 50 which constitutes a downstream side part 17a of the paper ejection tray 17 and is used for replacing constituent parts of the image forming part; and the locking release lever 53 releasing the locking of an opening/closing mechanism for the opening/closing cover.例文帳に追加

レーザビームプリンタ１は、排紙トレイ１７の下流側部分１７ａを構成して画像形成部の構成部品を交換するため開閉可能な開閉カバー５０と、開閉カバーの開閉ロック機構のロックを解除するロック解除レバー５３とを備えている。 - 特許庁

This invention provides the organic EL element of an element structure having advanced operation stability of the element by reforming an element surface by radiating ion beam and forming a block layer for blocking external moisture and oxygen or the like to enter.例文帳に追加

本発明によれば、有機ＥＬ素子において、イオンビームを照射することで素子表面を改質させ、外界の水分、酸素等の進入を阻害するためのブロック層を形成することで、素子の高度に高い動作安定性を有する素子構造を提供できる。 - 特許庁

The original plate is obtained by forming a positive recording layer which contains a water-insoluble and alkali-soluble resin having a siloxane structure and an absorbent for IR rays and which increases its solubility with an alkali aqueous solution by exposure to IR laser beam on a supporting body.例文帳に追加

支持体上に、シロキサン構造を有する水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含み、赤外レーザの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大するポジ型記録層を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁

The exposure is carried out for forming a track in the peripheral direction on the substrate disk by converging the beam 106 for exposing a photoresist to the photoresist by an objective lens 117 while rotating the substrate disk 102 whereon the photoresist 101 is applied on the surface.例文帳に追加

表面にフォトレジスト１０１が塗布された基板ディスク１０２を回転させながら、フォトレジストを露光するためのビーム１０６を対物レンズ１１７によりフォトレジストに集光して、基板ディスク上に周方向のトラックを形成するための露光を行う。 - 特許庁

When the resolution D in the vertical scanning direction is 600 pdi, the number of the faces M of the polygon mirror is 5, and the number N of the light sources is 2, deviation ΔLv of the beam pitch in the vertical direction can be made to be 1μm or smaller, by forming the predetermined angle Δθ to be 1.5°.例文帳に追加

副走査方向の解像度Ｄが６００ｄｐｉ、ポリゴンミラーの面数Ｍが５、光源の個数Ｎが２である場合に、所定角度Δθを１．５°とすることにより、副走査方向のビームピッチのズレ量ΔＬｖを１μｍ以下とすることができる。 - 特許庁

To provide an optical scanner in which reflection light produced on a scanning lens caused by incidence of a light beam distributed to a face to be scanned is prevented from reaching other faces to be scanned, thus the occurrence of an image failure due to the reflection light is prevented, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

被走査面に配光されるビーム光の入射により走査レンズで発生する反射光が他の被走査面に到達することを防止し、反射光による画像不良の発生を防止可能な光学走査装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

When forming an objective fine pattern on a resist film using electron beam lithography, an auxiliary pattern, with due consideration to a pattern density, is formed simultaneously in the periphery of the objective fine pattern to suppress the change in the size of the fine pattern near the boundary thereof.例文帳に追加

目的とする微細パターンを、電子線リソグラフィーを用いてレジスト膜上に形成する際、目的とする微細パターン周辺に、パターン密度を考慮した補助パターンを同時に形成することにより、微細パターン境界近傍での寸法変化を抑制する。 - 特許庁

Measurement sections 1-41, 1-42 respectively measure the reception quality of the two sub beams, the receiver discriminates a moving direction of a user on the basis of a result of measurement, and a weight control section 1-5 outputs a weight value used for forming the main beam and the sub beams in the direction of the user.例文帳に追加

２つのサブビームの受信品質をそれぞれ測定部１−４１，１−４２で測定し、該測定結果を基にユーザの移動方向を判定し、ユーザ方向にメインビーム及びサブビームを形成するウェイト値をウェイト制御部１−５により出力する。 - 特許庁

To provide a scanning light control technique capable of inhibiting variation of density of an image due to reciprocity law failure in an image forming device equipped with so-called multi-beam scanning optical system capable of a plurality of scanning light beams simultaneously scanning to auxiliary scanning direction.例文帳に追加

副走査方向に同時に複数の走査光を走査可能な、いわゆるマルチビーム走査光学系を備える画像形成装置において相反則不軌に起因する画像の濃度変化を抑制することのできる走査光制御技術を提供する。 - 特許庁

This metal halide lamp for growing the plant has a spectral energy distribution resembled to the photosynthetic curve referred to the curve efficient for the growth of the plant by forming a reflector of the sealed beam- type metal halide lamp as a dichroic mirror, and laminating a thin film with selective permeability on a glass lens at a front face.例文帳に追加

シールドビーム型メタルハライドランプの反射鏡をダイクロイックミラーとし、前面ガラスレンズに選択透過薄膜を積層することによって、植物の生育に効率的とされる光合成作用曲線に近似した分光エネルギー分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

The condensing can be increased in comparison with the conventional device by forming a Fresnel lens pattern 18 for collimating the laser beam L3 from the light emitting parts of the semiconductor laser array 11 correspondingly to the laser emitting parts by etching.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１１の各レーザ発光部から出射されたレーザ光Ｌ３をコリメートするためのフレネルレンズパターン１８を、エッチングを用いて各レーザ発光部に対応して形成させることにより、従来よりも集光性能を高めることが可能になる。 - 特許庁

By etching an SOI wafer formed by sticking two silicon substrates 10 and 20 with an insulation layer 30, and by forming an opening 11 in the first silicon substrate 10, respective regions of a peripheral fixing part 12, a weight fixing part 13, a beam part 14 and a stopper part 15 are formed.例文帳に追加

２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯＩウエハをエッチングし、第１のシリコン基板１０に開口部１１を設けることによって、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域を形成する。 - 特許庁

To provide an electron gun structure capable of preventing deterioration of a breakdown voltage characteristic, forming a beam spot of an excellent shape on the whole surface of a phosphor screen with a comparatively simple structure, and applicable in a color picture tube for displaying an excellent picture image.例文帳に追加

耐電圧特性の劣化を防止しながら、比較的簡単な構造で蛍光体スクリーン上の全面に良好形状のビームスポットを形成し、良好な画像を表示するカラー受像管に適用される電子銃構体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain an optical scanner and an image forming device which have less optical side effects and compensate bend and inclination of scanning lines, which are caused by temporal variation including initial adjustment and temperature characteristics, without degrading a beam spot diameter or magnification errors.例文帳に追加

光学的な副作用が少なく、ビームスポット径の劣化や倍率誤差を劣化させることなしに初期調整と温度特性を含めた経時変動による走査線の曲がり及び傾きを補正することができる光走査装置および画像形成装置を得る。 - 特許庁

When forming a film of rare earth elements on a metal base 1 by using an electron beam deposition device 30, an insert crucible 37 is first put inside a recess formed on the upper part of a water cooled hearth 33 made of Cu, and a material 38 is put in the crucible 37.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置３０を用いて金属基材１に希土類金属膜を成膜するに際して、まず、Ｃｕからなる水冷ハース３３の上部に形成された凹部にインサート坩堝３７を嵌め込み、インサート坩堝３７に原料３８を収容する。 - 特許庁

To provide a method for forming an exposure pattern capable of detecting the connection failure of an exposure pattern unique to electron beam exposure technology with high accuracy in a Die to Die defect inspection just like a pattern failure caused by a process other than an exposure process.例文帳に追加

Die to Dieの欠陥検査において、電子線露光技術特有の露光パターンの接続不良を、露光プロセス以外のプロセスに起因するパターン不良と同様に精度良く検出することができる露光パターンの形成方法及び電子線露光装置の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming melt stuck spots by using electron beam technique to locally modify melting point and/or viscosity of a hot-melt polymer and obtain the hot-melt polymer specifically constituted for practising the method.例文帳に追加

本発明は、前記ホットメルトポリマーの融点および／又は粘性を局所的に改変させるために電子照射技術を使用して前記融着部を形成する方法を提供するとともに、この方法を実施するために特に構成されたホットメルトポリマーを提供する。 - 特許庁

This image forming device 10 is equipped with an optical scanner 12 scanning and exposing a photoreceptor drum 14 by emitting a light beam from an emitting port 24 covered with a transparent seal member 28, and a seal member soiling preventing means preventing the soiling of the member 28.例文帳に追加

画像形成装置１０は、透明なシール部材２８で覆われた出射口２４から光ビームを出射して感光体ドラム１４を走査露光する光走査装置１２と、シール部材２８の汚れを防止するシール汚れ防止手段とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises a step (A) of forming the first insulating film including silicon, a step (A) of laminating the second insulating film on the first insulating film, and a step (B) of irradiating an ultraviolet beam under a nonoxidizing atmosphere.例文帳に追加

ケイ素を含む第１の絶縁膜を形成する工程（Ａ）と、該第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜に積層する工程（Ａ）と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程（Ｂ）と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 特許庁

To enable proper recording on a recording layer by self tracking even when a spot displacement is generated by a play in a thread mechanism or disturbance and so on when forming a marking by irradiating a second light beam on a reference plane which has a reflection film having positional guide elements formed for servo control, and then irradiating a first light beam on the recording layer at a depth different from the reference plane.例文帳に追加

位置案内子が形成された反射膜を有する基準面にサーボ制御を行うための第２の光ビームを照射し、上記基準面とは異なる深さ位置に第１の光ビームを照射して記録層にマーク形成を行う場合において、スレッド機構のガタや外乱等によるスポット位置ずれが発生した際にも、上記記録層にてセルフトラッキングによる記録が適正に行われるようにする。 - 特許庁

A focus adjusting condition of each place in a scanning region at the time of scanning a charged particle beam to a sample forming in a semiconductor manufacturing process is calculated beforehand, the calculated focus adjusting condition is selectively applied to a pattern formed under the same manufacturing condition as the sample with the focus adjusting condition calculated, and a device carrying out charged particle beam scanning is provided.例文帳に追加

半導体製造工程中に形成される試料に対し、荷電粒子線を走査する際の走査領域内の各個所の焦点調整条件を予め求めておき、当該求められた焦点調整条件を、前記焦点調整条件を求めた試料と同じ製造条件にて形成されたパターンに選択的に適用して、前記荷電粒子線走査を行う装置を提案する。 - 特許庁

This extreme ultraviolet light source device includes: a target nozzle 4 for supplying a target substance; a laser oscillator 1 for generating plasma by irradiating the target substance supplied by the target nozzle with a laser beam; an EUV collection mirror 5 for collecting extreme ultraviolet light emitted from the plasma; and electromagnet coils 6 and 7 for forming an asymmetrical magnetic field at a position at which the target substance is irradiated with the laser beam.例文帳に追加

ターゲット物質を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質に対してレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ発振器１と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５と、ターゲット物質に対してレーザビームを照射する位置に非対称な磁場を形成する電磁石コイル６及び７とを有する。 - 特許庁

In the laser beam machining method for forming a laser beam machined groove along a division-scheduling line by irradiating pulse laser beams along the division-scheduling line formed on a work, the condensing spot of the pulse laser beams is formed elliptical, the major axis in the elliptical condensing spot is positioned along the division scheduling line, and the condensing spot and the work are relatively machine-fed along the division-scheduling line.例文帳に追加

被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され、該楕円形の集光スポットにおける長軸を分割予定ラインに沿って位置付け、集光スポットと被加工物とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする。 - 特許庁

The image forming apparatus is constituted so as not only to scan a recording region by a laser beam modulated corresponding to image data to form an image but also to alter the intensity of the laser beam corresponding to the shape of an image to especially output a character or a fine line properly.例文帳に追加

画像データに応じて変調されたレーザービームで記録領域を走査することにより画像形成を行う画像形成装置に於いて、画像の形状に応じて前記レーザービームの強度を変更することにより、入力された画像データの形状によらず適正な形状の画像出力が可能な画像形成装置、特に文字や細線を適正に出力することが可能な画像形成装置を実現することを特徴とする。 - 特許庁

The number of conventional dual damascene process steps is reduced by using an organic insulating material which is photosensitive to electron beam irradiation as an interlayer insulating film, performing pattern exposure corresponding to via holes and wiring grooves in two steps of electron beam irradiation conditions and then performing development at the same time for forming necessary via holes and wiring grooves, and Cu of low resistivity is used as a wiring material.例文帳に追加

層間絶縁膜として、電子線照射に感光する有機絶縁材料を用い、電子線照射条件を２段階で行うことによりビアホールと配線溝に相当するパターン露光をし、その後同時に現像を行い必要なビアホールと配線溝を形成することで、従来のデュアルダマシン工程の工程数を削減するとともに、配線材料として比抵抗の小さいＣｕを用いる。 - 特許庁

This method for forming the ultrasonic beam includes steps of: dividing an inputted ultrasonic signal into a plurality of areas on an observation space; calculating a weighted value of each area to each of the plurality of areas; calculating a pixel weighted value to each pixel by use of the weighted value of each area; and calculating a beam formation value by use of the pixel weighted values.例文帳に追加

本発明による超音波ビーム形成方法は、入力された超音波信号を観測空間上で複数の領域に分割するステップと、前記複数の領域各々に対する領域別の加重値を計算するステップと、前記領域別の加重値を利用して、それぞれの画素（ｐｉｘｅｌ）に対する画素加重値を計算するステップと、前記画素加重値を利用して、ビーム形成値を計算するステップとを有する。 - 特許庁

A drawing clock signal Bclk for determining timing of blanking an electron beam is generated based on a time calculated based on distances from a reference position to a drawing start position of starting the drawing of the pattern and a drawing finish position, and a speed of an irradiation position (or incident position) of the electron beam moving along a spiral track STr, when forming the pattern along the spiral track STr.例文帳に追加

スパイラルトラックＳＴｒに沿ってパターンを形成する場合に、基準位置からパターンの描画が開始される描画開始位置及び描画終了位置までの距離と、スパイラルトラックＳＴｒに沿って移動する電子線の照射位置（又は入射位置）の速度とに基づいて算出された時間に基づいて、電子線のブランキングのタイミングを決定する描画クロック信号Ｂｃｌｋを生成する。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor for obtaining excellent electrophotographic images even when repeatedly used by image exposure of a short wavelength laser beam or the like, while attaining compatibility between the short wavelength characteristics and wear resistance of the organic photoreceptor, and to provide a method of manufacturing the organic photoreceptor, and an image forming apparatus and an image forming method using the organic photoreceptor.例文帳に追加

本願発明の目的は、有機感光体の短波長特性と耐摩耗性を両立させ、短波長レーザー光等の像露光で、繰り返し使用しても良好な電子写真画像が得られる有機感光体、を提供することであり、該有機感光体の製造方法、該有機感光体を用いた画像形成装置及び画像形成方法を提供することである。 - 特許庁

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality.例文帳に追加

半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 - 特許庁

A package marking method for executing marking on a surface of a lid substrate formed in glass comprises a thin film forming process (S100) that forms a thin film on the surface of the lid substrate, and a marking process (S120) that executes marking on the surface of the lid substrate by radiating a laser beam to the thin film formed by the thin film forming process (S100) and by removing the thin film.例文帳に追加

ガラスにより形成されているリッド基板の表面に、マーキングを施すためのパッケージマーキング方法において、リッド基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程（Ｓ１００）と、薄膜形成工程により形成された薄膜にレーザ光を照射し、薄膜を除去することによりリッド基板の表面にマーキングを施すマーキング工程（Ｓ１２０）とを有する。 - 特許庁

The pixel electrode 12 for reflection is formed steps of forming a stopper layer 15 consisting of a conductive material over a substrate 40 so as to cover a pixel electrode for transmission 10, forming a conductive reflecting film on the surface of the stopper layer 15 and removing selectively the pertinent conductive reflecting film and the pertinent stopper layer 15 while irradiating the conductive reflecting film with the laser beam having a prescribed pattern.例文帳に追加

透過用画素電極１０を被覆するよう基板４０上に導電性材料からなるストッパ層１５を成膜し、このストッパ層１５の表面に導電性反射膜を成膜し、この導電性反射膜に所定パターンのレーザ光を照射し、当該導電性反射膜およびストッパ層１５を選択的に除去し、反射用画素電極１２を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added.例文帳に追加

成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of forming a polysilicon film 3 on an insulating film 2, irradiating the polysilicon film 3 with an inactive ion beam, introducing impurities into the polysilicon film 3, subjecting the polysilicon film 3 to a thermal treatment, and forming a polysilicon pattern 3a positioned on the insulating film 2 through a means of subjecting the polysilicon film 3 to pattern processing.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜２上にポリシリコン膜３を形成する工程と、ポリシリコン膜３に不活性イオンを照射する工程と、ポリシリコン膜３に不純物を導入する工程と、ポリシリコン膜３を熱処理する工程と、ポリシリコン膜３をパターニングすることにより、絶縁膜２上に位置するポリシリコンパターン３ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The pattern formation method comprises the steps of: forming a resist film on a semiconductor substrate; forming the antistatic film on the resist film; exposing an electron beam to the resist film; peeling the antistatic film by using peeling liquid with a temperature of 30°C or more and 35°C or less; and performing a development to the resist film to form predetermined patterns.例文帳に追加

パターン形成方法が、レジスト膜を半導体基板上に形成する工程、前記レジスト膜上に帯電防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に対して電子線を露光する工程、温度３０℃以上３５℃以下の剥離液を用いて前記帯電防止膜を剥離する工程、および前記レジスト膜に対して現像を行い所定のパターンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

This optical pickup device is provided with a ring forming lens group 14 for forming a laser beam applied to an optical disk DK having a plurality of recording layers into a ring shape, a condenser lens 35 for condensing a reflected light from the optical disk DK, and a pinhole plate 36 having a pinhole 36a formed with a size corresponding to the luminous flux diameter of the reflected light condensed by the condenser lens 35.例文帳に追加

光ピックアップ装置は、複数の記録層を有する光ディスクＤＫに照射するレーザ光をリング状に形成する輪帯形成レンズ群１４、光ディスクＤＫからの反射光を集光する集光レンズ３５および同集光レンズ３５によって集光される反射光の光束径に対応する大きさのピンホール３６ａが設けられたピンホール板３６を備える。 - 特許庁

Impurity elements having a low vacuum vapor pressure such as boron or the like are evaporated by melting the impurity elements by irradiating the silicon with an electron beam under a condition that a vacuum atmosphere of a low vacuum degree is established in a vacuum chamber 1 and introducing a compound forming material such as H_2O or the like forming an evaporable oxide by the reaction with boron or the like in the melted silicon.例文帳に追加

真空容器１内に低い真空度の真空雰囲気を確立した状態で電子ビームをシリコンに照射して溶融させると共に、溶融したシリコン内のボロン等と反応して蒸発可能な酸化物を生成するＨ_２Ｏ等の化合物生成物質を前記真空チャンバ内に導入して、ボロン等の真空蒸気圧の低い不純物元素を蒸発させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the change in a width of a line of a connecting part of a transferred pattern and effectively connecting a plurality of divided patterns in the case of forming the pattern of the semiconductor device, by transferring to a resist coating the wafer by using an electron beam exposure device by forming a plurality of the divided patterns on the mask.例文帳に追加

分割された複数のパターンをそれぞれのマスク上に形成し、ウエハ上に塗布したレジストに電子線露光装置を用いて転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The image forming apparatus for adding random noises to image data to perform image forming processing before performing exposure processing for a photosensitive drum 1 by a laser beam is provided with a control means 9 for controlling addition volume of random noises for each pixel of the image data by referring to noise addition volume, a frequency conversion table, and a density conversion table which are set in a parameter ROM 15.例文帳に追加

感光体ドラム１にレーザー光による露光処理を行う前に、画像データにランダムノイズを付加して画像形成処理を行う画像形成装置であって、パラメータＲＯＭ１５に設定されているノイズ付加量、周波数変換テーブル、濃度変換テーブルを参照して、画像データの個々の画素に対するランダムノイズの付加量を制御する制御手段９を備えた。 - 特許庁

The image forming apparatus provided with a photoreceptor drum 11, a process cartridge 2 integrating a developing part and a toner storing part 4 and a writing unit 1 containing laser diode 16, is characterized in that an arbitrary position in the range outside the image forming area of the photoreceptor drum 11 is irradiated with a laser beam when the residual amount of toner becomes below a stipulated value by the writing unit 1.例文帳に追加

感光体ドラム１１、現像およびトナー収納部４を一体化したプロセスカートリッジ２と、レーザダイオード１６を含む書き込みユニット１を備え、規定値以下のトナー残量に際して、前記書き込みユニット１が前記感光体ドラム１１の画像形成領域外となる領域の任意の位置をレーザ光照射することを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

The forming method of p-type group III nitride semiconductor regions has a process for forming group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto, and has a process for so projecting a neutron beam 53 on the group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto as to desorb hydrogen 55 and as to form activated p-type dopants 57.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法は、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７を形成する工程と、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７に中性子線５３を照射して水素５５を脱離させ、活性化されたｐ型ドーパント５７を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method for an ink-jet head for forming an electrode in a desired pattern by forming an insulated part by a laser process in a metallic film formed on a substrate surface comprising a head chip, the laser process is executed with a condition that a laser beam is directed at least twice to the same portion of a part to be processed.例文帳に追加

ヘッドチップを構成する基板表面に形成された金属膜にレーザー加工によって絶縁部を形成することにより所望パターンの電極形成を行うインクジェットヘッドの製造方法において、前記レーザー加工は、被加工部の同一個所に対して２回以上レーザー光が照射される場所が存在する条件で行うことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁