「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a distribution ratio or the like can be switched by varying a variable resistance value or variable capacitance value corresponding to the level of power control, even when the power control width becomes great, the accuracy of power control can be made satisfactory at low level output.例文帳に追加

電力制御のレベルに応じて可変抵抗値または可変容量値を可変することにより分配比率等を切り替えることができるため、電力制御幅が大きくなった場合であっても、低レベル出力時において電力制御の精度を良好にすることができる。 - 特許庁

The PLL circuit regulates voltages of output voltages from a charge pump circuit 10 by voltage regulation circuits 20, 21, 22, and generates a predetermined frequency with the wide frequency range and a low phase-noise by reducing control sensitivity after a parallel combining of two or more variable capacitance elements 4010, 4011, 4012.例文帳に追加

チャージポンプ回路１０の出力電圧を、電圧調整回路２０，２１，２２によって電圧調整し、複数の可変容量素子４０１０，４０１１，４０１２の並列合成後の制御感度を低くして、広い周波数範囲で低位相雑音の所定周波数を生成する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit design method has: an input step for inputting layout data including one piece of wiring; and an output step for outputting a minimum value and a maximum value of the capacitance value and the resistance value of the one piece of wiring as a predicted value of variation statistics on the basis of the layout data.例文帳に追加

一の配線を含むレイアウトデータを入力する入力ステップと、レイアウトデータを基に一の配線の容量値及び抵抗値の最小値及び最大値をばらつき統計の予測値として出力する出力ステップとを有する半導体集積回路設計方法が提供される。 - 特許庁

This driving circuit has a charge/discharge circuit 21 for charging/discharging electric charges to a capacitance component of a display panel by using an inductance element 6, a capacitor 7, and switches 1, 2, 3 and 4, and the circuit is provided with an inductance element 6 for charging/ discharging, and an inductance element 12 for discharging.例文帳に追加

インダクタンス素子６とコンデンサ７とスイッチ素子１，２，３，４により表示パネルの静電容量成分に対して電荷を充放電する充放電回路２１を備え、前記回路に充放電用インダクタンス素子６と、放電用インダクタンス素子１２を設けたものである。 - 特許庁

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.例文帳に追加

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁

In the potting equipment 1 for coating the sealing portion of a substrate and an electronic component mounted to the substrate with a potting material 9 in a syringe 6, a capacitance sensor 8 is arranged outside the syringe 6 in correspondence with a liquid level when a predetermined amount of the potting material 9 remains in the syringe 6.例文帳に追加

基板とこの基板に実装された電子部品との封止部に、シリンジ６内のポッティング材９を塗付するポッティング装置１において、シリンジ６の外側に、シリンジ内のポッティング材９が所定残量のときの液面に対応させて静電容量センサ８を配設することとする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device retaining an opening ratio of a pixel by optimizing liquid crystal capacitance even when upsized, a thin film transistor display plate forming a stabilized multiple domain and a thin film transistor display plate having pixels which are easily designed even when upsized.例文帳に追加

大型化しても液晶容量を最適化して、画素の開口率を確保できる液晶表示装置、また、安定した多重ドメインを形成する薄膜トランジスタ表示板、さらに大型化しても容易に設計できる画素を有する薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。 - 特許庁

To provide image processing that can be achieved with low power consumption and reduced costs by economizing storage capacitance or bands of a buffer when producing a color image from a mosaic image, which is output from an imaging device including a single-plate type color filter, and performing image deformation processing thereon.例文帳に追加

単板式のカラーフィルタを有する撮像素子から出力されたモザイク画像から、カラー画像を生成すると共に画像変形処理を行う際に、バッファの記憶容量や帯域を節減して、低消費電力化及び低コスト化を実現できる画像処理を提供する。 - 特許庁

By this arrangement, the high luminance can be achieved as the common electrode is made of a transparent material, and also the ununiformity which is caused due to the asymmetry of the parasitic capacitance can be prevented, thereby manufacturing the array substrate of in-plane switching mode liquid crystal display device that achieves high picture quality.例文帳に追加

このようにすると、共通電極が透明な材質であるので、高輝度を具現化でき、また寄生容量の非対称によって発生する不均一を防げるので、高画質を具現化可能な横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a thin film transistor in which a gate electrode is formed on the under layer side of a gate insulation film and a drain electrode and a source electrode are formed on the above layer side of the gate insulation film; and an auxiliary capacitance electrode formed on the same layer as the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の下層側にゲート電極が形成されるとともに、ゲート絶縁膜の上層側にドレイン電極及びソース電極が形成された薄膜トランジスタと、ゲート電極と同一層に形成された補助容量電極とを備えた液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor capable of covering an imaging region with an interlayer insulating film excellent in film thickness accuracy, suppressing sufficiently parasitic capacitance between wiring on the interlayer insulating film and a lower layer at a peripheral circuit region, and thus improving an imaging property.例文帳に追加

膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit arrangement and a belonging method in which a varactor can be easily controlled, which can be obtained at a low cost, and in which the capacitance fluctuation width of the varactor is utilized to guarantee ensured data transmission in the phase modulation circuit arrangement for a back scatter-based transponder.例文帳に追加

本発明の課題は、後方散乱ベースのトランスポンダのための位相変調回路装置において、バラクタを簡単に制御でき、低コストで実現可能であり、バラクタのキャパシタンス変動幅を利用して確実なデータ伝送を保証する回路装置および所属の方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing device having a voltage impression current measuring function shortening a testing time by preventing lowering of a response rate while maintaining the minimum phase margin even if a bypass capacitor having any capacitance value is connected to a power source pin of a device to be measured.例文帳に追加

被測定デバイスの電源ピンにバイパスコンデンサとしてどのような容量値のものが接続されたとしても、最低限の位相余裕を確保しつつ応答速度の低下を防止し、テスト時間を短縮することができる電圧印加電流測定機能を備えた半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device main part 12 comprises a tunnel oxide film 2 laminated on the surface of the P well 9, a floating gate 3, a capacitance insulating film 5 and a control gate 4, and a drain diffused layer 6 and a source diffused layer 7 formed in the surface of the P well 9 in both side positions thereof.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置主部１２は、Ｐウエル９の表面に積層したトンネル酸化膜２、浮遊ゲート３、容量絶縁膜５および制御ゲート４と、これらの両側位置でＰウエル９の表面に形成したドレイン拡散層６およびソース拡散層７とからなる。 - 特許庁

In preparation for future system changes, connection terminals are provided for the leakage current relay in advance to connect another capacitor to change the capacitance of the filter capacitor as the high frequency noise increases or its band is lowered when another inverter is added or the number of the inverters is increased in the future.例文帳に追加

将来のシステム変更に備え、漏洩電流継電器に付加的にコンデンサを接続可能な接続端子を予め設け、インバータの追加・台数増加による高周波ノイズ帯域およびノイズ量の変化に応じて、高周波ノイズ抑制のフイルタのコンデンサ容量を変更することを可能にする。 - 特許庁

The resonance frequency of each of serial resonance circuit is set to almost the double or triple central frequency of the passing band of the element as a frequency of a basic wave, the double or triple fundamental wave is attenuated and the element is operated as a matched capacitance in the fundamental wave frequency.例文帳に追加

各直列共振回路の共振周波数は、基本波の周波数である素子の通過帯域の中心周波数の略２倍および略３倍に設定されて基本波の２倍波，３倍波を減衰させ、基本波周波数においては整合容量として作用する。 - 特許庁

A MOS type capacity element 28 having the other end connected to a reference voltage is connected to a gate of the driver TFT 22, the MOS type capacity element 28 is in an on state before a fall of the pulse drive line and becomes an OFF state during the fall and a capacitance changes at the switching of ON state to the OFF state.例文帳に追加

駆動ＴＦＴ２２のゲートには、他端がリファレンス電圧に接続されるＭＯＳ型容量素子２８が接続されており、ＭＯＳ型容量素子２８は、パルス駆動ラインの立ち下がり前はオン、立ち下がる途中でオフとなり、その切り替わりで容量値が変化する。 - 特許庁

The existence of contacts between the first wirings 3a-3k and the second wirings 4a-4k is evaluated by irradiating the first wirings 3a-3k with charge particles and detecting the difference in the quantity of emission of secondary electrons from the first wirings 3a-3k corresponding to the magnitude of the electric capacitance as potential contrast.例文帳に追加

第１配線３ａ〜３ｋに荷電粒子を照射し、電気容量の大小に応じた第１配線３ａ〜３ｋからの二次電子の放出量の差を電位コントラストとして検出することにより、第１配線３ａ〜３ｋと第２配線４ａ〜４ｋとの接触の有無を評価する。 - 特許庁

Thus, excellent linearity is ensured by decreasing a voltage of the FD 4 in signal readout via a capacitance 13 formed between the gate of the reset transistor 6 and the FD 4 and a maximum transferrable charge amount is increased by increasing the voltage of the FD 4 in charge transfer.例文帳に追加

このことにより、リセットトランジスタ６のゲートとＦＤ４との間に形成される容量１３を介して、信号読み出し時にＦＤ４の電圧を下げることで良好なリニアリティを確保し、電荷転送時にＦＤ４の電圧を上げることで転送可能な最大の電荷量の増大を実現する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a guard ring 7 around an inner circuit 6, a capacitance element 8 overlaid on the guard ring 7 and connected to power lines 21 and 22 for the inner circuit 6, and a lateral thyristor 9 overlaid on the guard ring 7 and connected to the power lines 21 and 22.例文帳に追加

内部回路６を囲むガードリング７と、このガードリング７に重ねて形成されるとともに内部回路６への電源ライン２１，２２に接続された容量素子８と、ガードリング７に重ねて形成されるとともに電源ライン２１，２２に接続されたラテラルサイリスタ９とを備える。 - 特許庁

To provide a sensor structure having an electrode layer on a surface of an insulator layer which is on the same side of a surface of a substrate, capable of further reducing parasitic capacitance generated between the substrate and the electrode layer (in an insulator layer) compared to conventional ones; and a sensor and an actuator using the sensor structure.例文帳に追加

絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。 - 特許庁

At that time, respective source lines S1 to Sx are connected respectively to a wiring 1111 for read-out via analog buffers AB1 to ABx in order to reduce the influence of the wiring capacitance CL of the wiring 1111 for read-out at the time of reading out the potential of the source signal lines to the outside of a substrate.例文帳に追加

その際、ソース信号線の電位を基板外部まで読み出す際の読み出し用配線１１１１の配線容量Ｃ_Lの影響を軽減するため、各ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘは、それぞれアナログバッファＡＢ１〜ＡＢｘを介して、読み出し用配線１１１１に接続されるようにする。 - 特許庁

There is proved the variable capacitance element that includes a ground electrode 3 and a signal line 2 for feeding a signal disposed on a surface of a substrate 1, and a movable electrode 4 opposed the signal line 2 and the ground electrode 3, the movable electrode 4 being movable toward and away from the signal line 2 and the ground electrode 3.例文帳に追加

基板１の表面にグランド電極３と信号が流れる信号線路２とを設け、当該信号線路２およびグランド電極３に対向し、当該信号線路２およびグランド電極３に対して接離する方向に変位可能に可動電極４を設ける。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head in which noise is reduced and which has an excellent high frequency characteristic with high yield by suppressing noise resulting from a level difference of an upper shield layer or a lower shield layer and by reducing a capacitance in the magneto-resistance effect type head of a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上部シールド層あるいは下部シールド層の段差に起因するノイズを抑制し、かつ静電容量Ｃを低減し、ノイズが少なく、高周波特性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method which improves the productivity compared with a masking method or a conventional capacitor, by using an ambient-pressure plasma treating process that has advantages in a cost and productivity of the apparatus, and to provide a method for manufacturing a thin-film multilayered capacitor with a low profile and a large capacitance by using the same.例文帳に追加

装置のコスト面、生産面から有利な大気圧プラズマ処理法を用い、マスク法や従来のコンデンサに比べ、より生産性の向上が可能な、薄膜形成方法とそれを用いた薄型大容量の薄膜積層コンデンサの製造方法を提案する。 - 特許庁

The capacitance of the capacitor C1 can suppress the quintic harmonic components flowing to the reactor L to 1/10-1/3, can prevent the reactor L from being overloaded, and can prevent the occurrence of such faults as burning, abnormal sound, overheating, etc., of the reactor L.例文帳に追加

この並列コンデンサＣ1 の容量を、進直列リアクトルＬに流入する第５次調波電流を１／１０〜１／３に抑制することができ、直列リアクトルＬが過負荷となるのを防止でき、直列リアクトルＬの焼損、異常音、過熱といった障害を防止できる。 - 特許庁

In addition, a dielectric breakdown life tBD of the insulating film is predicted by finding the discriminating current at which an actual oxide film thicknesses XOX of the samples obtained by capacitance measurement coincides with the effective film thickness Xeff(max) from the graph and the dielectric breakdown voltages VBD by using the found discriminating current as the discriminating current of the samples.例文帳に追加

さらに、容量測定により得られたサンプルの実際の酸化膜厚Ｘ_OXと実効膜厚Ｘ_eff(max)が一致する判定電流をグラフより求め、これを上記サンプルにおける判定電流として絶縁破壊電圧Ｖ_BDを求め、絶縁破壊寿命ｔ_BDを予測する。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

That is, metallic members 12a and 12c serving as the positive electrodes are electrically connected with each other, metallic members 12b and 12d serving as the negative electrodes are electrically connected to each other, and capacitance C is measured between the terminal T_+ of the positive electrode and the terminal T_- of the negative electrode.例文帳に追加

つまり、正極である金属１２ａと金属１２ｃが互いに電気的に接続され、負極である金属１２ｂと金属１２ｄが互いに電気的に接続され、正極の端子Ｔ_+と負極の端子Ｔ_-との間において静電容量Ｃが計測される。 - 特許庁

This detection device 10 installed in a bathroom vanity is so structured that a light-emitting means of a detection area S is formed by installing LED light sources 11 on facing side end faces of a light guide plate 2 mounted on the back surface side of a mirror M, and a capacitance type sensor 13 is arranged on the back surface side of the light guide plate 12.例文帳に追加

洗面化粧台に設置する検知装置１０は、鏡Ｍの裏面側に装着した導光板２の対向側端面にＬＥＤ光源１１を配設して検知領域Ｓの発光手段と成し、導光板１２の裏面側に静電容量式センサー１３を配置する。 - 特許庁

To increase capacitance per unit volume or unit weight of a capacitor by maintaining advantageous features that are characteristics of an electric double-layer capacitor, such as high durability and long life with respect to charging/discharging cycles, capability of charging/discharging at a large current, and a wide usable temperature range.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ本来の充放電サイクルにおける耐久性が強く長寿命、大電流の充放電が可能、使用温度範囲が広いなどの特長を維持しながら、コンデンサ単位体積あたりあるいは単位重量あたりの静電容量を増大する。 - 特許庁

To provide a device having a configuration capable of improving performance by reducing variation of initial displacement of a vibration film that occurs at parts where a boundary condition of a junction area or the like is different, in a capacitance type electromechanical conversion device manufactured by fusion junction.例文帳に追加

溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。 - 特許庁

A high frequency current is supplied to a closed circuit 7 formed between the workpiece and the tool 6, to excite an induction current, and capacitance generated between the tool and the workpiece is measured in a non-contact state to obtain a spacing error between the rotating tool and workpiece with high accuracy.例文帳に追加

被加工材と工具６間で構成される閉回路７に高周波電流供給することで、誘導電流を励起させ、工具と被加工材間に生じる静電容量を非接触で測定することにより、回転している工具と被加工材間の間隔の誤差を高精度で求める。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of restraining the occurrence of the faulty transfer of a toner image by the charging-up of transfer material or an abnormal image by abnormal discharge without using an expensive power source having large capacitance as a power source for a transfer electric field forming means.例文帳に追加

転写電界形成手段の電源として電源容量の大きいコストの高い電源を用いることなく、転写材のチャージアップによるトナー像の転写不良や、異常放電による異常画像の発生を抑制することができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To detect a plurality of kinds of voltage detection information that depend on the capacitance detected according to the input position of an operating element and to determine if the operating body is depressed in Z-direction in response to pressure thereon and whether the operating body follows in X- or Y-direction.例文帳に追加

操作体の入力位置で検出される静電容量に依存した複数種類の電圧検出情報を検出できるようにすると共に、その押下力に対するＺ方向への「押下」、Ｘ方向又はＹ方向への「なぞり」を判別できるようにする。 - 特許庁

To obtain a dielectric film having film strength for allowing increase of capacitance by making the pitch of an internal terminal larger than the pitch of an external terminal, and a high particle filling degree, as for a method of manufacturing the dielectric film, a method of manufacturing a decoupling capacitor, and the decoupling capacitor.例文帳に追加

誘電体膜の製造方法、デカップリングキャパシタの製造方法及びデカップリングキャパシタに関し、内部端子のピッチを外部端子のピッチより大きくして容量をより大きくすることを可能にする膜強度を有する粒子充填度の高い誘電体膜を得る。 - 特許庁

Accordingly, a thin resist film can be formed at the time of patterning the upper electrode, an increase (with gradual sloping) in the tapering angle of the upper electrode among the capacitance elements can be controlled by the control of a CD shift, and thereby an improvement in machining accuracy and fine processing can also be attained.例文帳に追加

これにより上部電極をパターニングする際のレジスト膜厚を薄膜化でき、ＣＤシフトの抑制により、容量素子間の上部電極のテーパー角度が大きく（傾斜が緩やかに）なることを抑制し、加工精度の向上や微細加工を実現することができる。 - 特許庁

To provide a high-voltage rotary machine stator coil which is excellent in electric field moderation performance by reducing the increase of the dielectric loss of an coil insulating layer by the application of a nonlinear high-resistance corona shield in a middle-sized machine coil, and raising the capacitance of the high resistance corona shield.例文帳に追加

本発明は、中型機コイルでの非線形高抵抗コロナシールドの適用によるコイル絶縁層の誘電損失増加を低減することを目的とし、高抵抗コロナシールドの静電容量を高めることで、電界緩和性能の良い高電圧回転機固定子コイルを提供する。 - 特許庁

To provide an illuminator using a cold cathode fluorescent lamp capable of minimizing partial variation of stray capacitance of a lead wire to the cold cathode fluorescent lamp, of providing a stable and excellent lighting state of the cold cathode fluorescent lamp, and of increasing the degree of mounting freedom of the lead wire.例文帳に追加

冷陰極蛍光灯を用いた照明器において、リード線の冷陰極蛍光灯に対する浮遊容量の部分的変化量を極めて小さくすることができ、冷陰極蛍光灯の安定した良好な点灯状態が得られ、且つリード線の実装自由度が増すようにする。 - 特許庁

This level sensor is characterized in that it is provided with a winding shaft, a capacitor using, as electrodes, two metal wires wound on the winding shaft with an axial-directional space respectively, and a circuit connected to the capacitor to detect a capacitance change thereof so as to issue an electric signal.例文帳に追加

本発明の静電容量式の液面センサーは、巻回軸と、巻回軸に軸方向に距離をあけて各々巻かれた２本の金属ワイヤーを各電極とするコンデンサーと、コンデンサーと接続し、その容量変化を検出して電気的信号を発する回路とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In order to reduce the area of a charge pump PLL, one may separate proportional component and integral component of the loop filter voltage, and add additional circuitry so as to make the integral component appear as though it is affected by a much larger value of capacitance than is actually used.例文帳に追加

チャージ・ポンプＰＬＬの面積を縮小するために、ループ・フィルタ電圧の比例成分と積分成分を分離し、別の回路を追加して、積分成分が、実際に使用されたよりもはるかに大きな容量値によって影響を受けたかのように見えるようにすることができる。 - 特許庁

To suppress expansion of circuit scale by performing repeated processing using a basic circuit with small memory capacity, in order to process channel setting data as information for interchanging time slots of transmission data even when processing time slot interchanging of a large capacitance of transmission data.例文帳に追加

大容量の伝送データのタイムスロット入れ替えを処理する場合でも、伝送データのタイムスロットを入れ替えるための情報である回線設定データを処理するために、小さいメモリ容量を有する基本回路を用いて繰り返して処理することで回路規模の増大を抑制する。 - 特許庁

By controlling the characteristics of the negative feedback of the negative feedback circuit 13 with respect to the power amplifier 12 due to an input signal power, gain fluctuation of the power amplifier 12 is reduced and phase distortion is reduced through the second capacitance element C12.例文帳に追加

上記負帰還回路１３による電力増幅器１２に対する負帰還量が入力信号電力によって可変となる特性を調整することにより、電力増幅器１２の利得変動を抑制し、第２のキャパシタンス素子Ｃ12により、位相歪みを抑制する。 - 特許庁

In an integrated circuit structure 2 on a semiconductor substrate, a dielectric material having a low dielectric constant (k) is laid in layers between metal lines 10a-10d separately arranged proximately to each other in the horizontal direction so that capacitance is reduced in the horizontal direction between the metal lines.例文帳に追加

半導体基板上の集積回路構造２において、誘電率（ｋ）が低い誘電材料の層を水平方向に近接して離間した金属線１０ａ〜１０ｄの間に積層することにより、これらの近接して離間した金属線の間の水平方向のキャパシタンスを低減させる。 - 特許庁

The method uses an integrated and microstructured heating resistor (42) to heat a liquid content object in the 3-dimensional crisscross arrangement type electrode structure (4), and then uses a temperature resistor (24) also integrated and microstructured in the substrate to obtain boiling point of fluid from variation in capacitance and resistance values.例文帳に追加

３次元の交差配置形電極構造体（４）内で液体容積体を、集積され微細構造化された加熱抵抗（４２）により加熱し、やはり基板に集積され微細構造化された温度抵抗（２４）を用いて、容量値および抵抗値の変化から流体の沸点を求める。 - 特許庁