「Diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas passage forming member for a fuel cell battery capable of suppressing performance drop of the fuel cell battery caused by load decrease in the gas passage forming member in which a gas passage consisting of a metal porous body and a gas diffusion layer consisting of carbon fibers are integrated while relating to a manufacturing method thereof, and to provide a manufacturing method of the gas passage forming member.例文帳に追加

金属多孔体からなるガス流路とカーボン繊維からなるガス拡散層とが一体化されたガス流路形成部材、及びその製造方法に関し、荷重抜けによる燃料電池の性能低下を抑制することのできる燃料電池用のガス流路形成部材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An ID card base is made by a method wherein a transfer leaf having at least an image receiving layer 7 receiving a dye image of sublimation or thermal diffusion properties is transferred by a thermal transfer recording method onto an information recording body B prepared by stacking at least a first sheet member 1 and a second sheet member 2 on the opposite sides of a center core layer A.例文帳に追加

ＩＤカード基材は、センターコア層Ａの両面に少なくとも第１のシート部材１と第２のシート部材２を積層した情報記録体Ｂに、熱転写記録法で昇華もしくは熱拡散性染料画像を受容する受像層７を少なくとも有する転写箔を転写して作成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a permanent magnet, with which method while eliminating surface layer of the permanent magnet with cracks or roughness, new cracks or roughness are not formed on a newly exposed surface, and metal grains with high coercive force are efficiently subjected to grain boundary diffusion in the permanent magnet.例文帳に追加

亀裂や凹凸を有する永久磁石表面層を排除しながら、新たに露出した表面に別途の亀裂や凹凸が形成されることがなく、しかも、保磁力性能の高い金属粒を効率的に永久磁石内に粒界拡散することのできる、永久磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pressurization method of fuel cell material advantageous to improve power generation performance of a fuel cell, where the pressurization method of fuel cell material can keep the porosity of a membrane electrode junction or a gas diffusion layer on an air outlet side relatively higher than a porosity on an air inlet side, and can ensure exhaust performance of water from the air outlet side.例文帳に追加

膜電極接合体またはガス拡散層の空気出口側の気孔率が、空気入口側よりも相対的に高めに維持することができ、空気出口側の水の排出性を確保することができ、燃料電池の発電性能を向上させるのに有利な燃料電池素材の加圧方法を提供する。 - 特許庁

A print control device which controls a printing device to print a plurality of images on a sheet-shaped print substrate, includes: a halftone switching part 57 that switches between a dither method and an error diffusion method to be performed during halftone processing; and a halftone processing part 56 that subjects first and second image data to the halftone processing.例文帳に追加

複数の画像を長尺状の印刷媒体へ印刷する印刷装置を制御する印刷制御装置であって、ハーフトーン処理の手法を、ディザ法又は誤差拡散法のいずれかに切り換えるハーフトーン切換部５７と、第１と第２の画像データのそれぞれに対してハーフトーン処理を行うハーフトーン処理部５６を有する。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

In a case where a captured image is judged as a monochrome image (#2: YES), a control section carries out error diffusion processing (#3), performs encoding processing of a JPEG compression method upon processed image data (#4) and further performs encoding processing of a JBIG compression method upon image data of the captured image (#5).例文帳に追加

制御部は、取得画像がモノクロ画像であると判断した場合（♯２でＹＥＳ）、誤差拡散処理を実行し（♯３）、該処理後の画像データに対してＪＰＥＧ圧縮形式の符号化処理を実行し（♯４）、また、前記取得画像の画像データに対してＪＢＩＧ圧縮方式の符号化処理を実行する（♯５）。 - 特許庁

To provide an electrostatic charge image developing toner which ensures high saturation of blue (cyan), high transmittance of an image and high image density, reduces fog under the conditions of high temperature and high humidity, attains excellent uniformity of halftone and is less liable to cause diffusion of fine dots and to provide a method for producing the toner and an image forming method using the toner.例文帳に追加

青色（シアン色）の彩度、画像の透過性、画像濃度が高く、高温高湿条件下でのカブリが低減され、ハーフトーンの均一性に優れ、且つ、微細ドットのチリの発生が少ない静電荷像現像用トナー、前記トナーの製造方法、及び、前記トナーを用いる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

The method for manufacturing an optical sheet having a functional layer on at least one surface of a substrate and having a diffusion element on the outermost surface of the functional layer and/or in the layer, and the method for manufacturing the optical sheet to be used for the surface of a display element for controlling the manufacturing conditions to have the relationship of the following expression (I) are provided.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に機能層を有し、該機能層の最表面及び／又は内部に拡散要素を有する光学シートの製造方法であって、下記式（Ｉ）の関係を有するように製造条件を制御することを特徴とする表示素子表面に用いる光学シートの製造方法である。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out through a manner where specially selected dissimilar metal thin pads arranged on a chip and a board are connected together through a solid-state diffusion bonding method instead of that solder bumps mounted on the pads of a chip and a board are made to reflow for making electrical and physical connections such as flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップ−チップ結合にて行われるようなチップ及び基板のパッドに取付けられたはんだバンプをリフローさせることによる電気的及び物理的結合を形成させることに代わり、チップ及び基板上に配置された特別に選択された異種金属薄型パッドが固体拡散ボンディング方法により接続される。 - 特許庁

To provide a method of circulating coating liquid, which is optimum for long term continuous production by stably keeping a diffusion state of conductive particles and insulation particles in circulation of the coating liquid when forming a surface layer on an outer periphery of the elastic body layer of a conductive rubber roller for electrophotography by a dipping coating method.例文帳に追加

電子写真用導電性ゴムローラの弾性体層の外周面上に浸漬塗工法により表面層を形成する際の塗工液の循環時における導電性粒子や絶縁性粒子の分散状態を安定に保ち、長期間の連続生産に最適な塗工液の循環方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode material for a fuel cell capable of uniformly promoting counter diffusion of two or more kinds of catalyst metals and manufacturing a large amount of the electrode material for the fuel cell having high performance, and to provide a manufacturing method for the electrode for the fuel cell by using the electrode material obtained by its manufacturing method.例文帳に追加

２種類以上の触媒金属の相互拡散が均一に促進し、高い性能を有する燃料電池用電極材料を短時間に多量に製造することができる、燃料電池用電極材料の製造方法を提供し、さらに、その製造方法によって得られた電極材料を用いる燃料電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of evaluating the lifetime of the silicon single-crystal wafer having dopant impurities diffused on one of surfaces includes steps of passivating the entire surface of the diffusion silicon single-crystal wafer when evaluating the lifetime, thereafter irradiating excitation light to the surface opposite to the diffusion surface, applying high frequency, and detecting its reflection wave, to evaluate the lifetime.例文帳に追加

片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

The production method of a carbon steel material by surface treatment of a carbon steel includes: a nitriding treatment process of forming a nitride or nitrogen-diffusion layer on the surface of the carbon steel; and a molten salt treatment process of immersing the carbon steel after the nitriding treatment in a molten salt bath containing vanadium so as to convert the nitride or nitride-diffusion layer into a coating layer containing vanadium nitride and vanadium carbide.例文帳に追加

炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面に窒化物ないし窒素拡散層を形成する窒化処理工程と、前記窒化処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記窒化物ないし窒素拡散層をバナジウム窒化物およびバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 - 特許庁

The method for unified metal alloying using a diffusion furnace comprises: stacking a plurality of fusible parts on a fixture; aligning the fusible parts via pins affixed to the fixture; placing the fixture with the aligned fusible parts into a reaction chamber of the diffusion furnace; performing a first level alloying at a predefined dwell temperature for a predefined dwell time; and performing a second level alloying at a predefined brazing temperature for a predefined brazing time.例文帳に追加

複数の可溶部を固定具上に積層し、固定具に固定されたピンを介して可溶部を位置合わせし、拡散炉の反応チャンバ内に前記位置合わせされた可溶部を有する固定具を配置し、所定のドウェル時間にわたり所定のドウェル温度で第一レベルの合金化を実施し、所定のろう付け時間にわたり所定のろう付け温度で第二レベルの合金化を実施する、ことを含む、拡散炉を利用する一体化された金属合金化方法。 - 特許庁

To provide a membrane separation activated sludge processing apparatus and a membrane surface washing method of the membrane separation activated sludge processing apparatus which does not require complicated operation management, makes such highly efficient membrane surface washing as to hardly cause membrane surface blocking possible and does not accompany air diffusion of excessive air amount.例文帳に追加

複雑な運転管理を必要とせず、膜面閉塞の少ない高効率な膜面洗浄を行うことができると共に、過大な空気量の散気を伴わない省コストな膜分離活性汚泥装置及びその膜面洗浄方法を提供する。 - 特許庁

In the processing method for the optical recording medium, the recording layer with recorded information of the optical recording medium having at least the recording layer wherein the information is recorded by using holography is irradiated with processing light passed through a light diffusion member of 70 to 100% in haze value.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射する光記録媒体の処理方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for which wiring or a diffusion layer is formed using a high accuracy mask even while the performance of a high speed circuit part is not lowered or is equivalent and using the low accuracy mask of accuracy lower than that, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高速回路部分の性能は下げないか同等でありながら高精度マスクを用いると共にこれより精度の低い低精度マスクを用いて配線もしくは拡散層を形成した半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell is characterized in that an insulating film is formed on the surface of a silicon substrate, a plurality of holes are formed in the surface of the insulating film by a wet etching and then, a diffusion layer is formed in the surface of the silicon substrate via these holes.例文帳に追加

シリコン基板の表面に絶縁膜を形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜の表面に複数の穴を形成し、次いで、それらの穴を介してシリコン基板の表面に拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide a solid high polymer type fuel cell with a separator, in which the separator can be brought into electrical contact with diffusion layers very satisfactorily without application of high pressure and no dispersion or aging effects in contact resistance occurs, and provide a method for fabricating the separator.例文帳に追加

高い圧力を加えることなくセパレータと拡散層とを電気的に極めて好適に接触させ、接触抵抗のばらつきや経時変化が生じないセパレータを備えた固体高分子型燃料電池と同セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the pattern formation buried oxide film comprises a step of carrying out implantation into a substrate, a step of forming a mask at least on part of the substrate in order to control implantation diffusion, and a step of annealing the substrate and forming a buried oxide.例文帳に追加

パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、基板をアニールして埋込み酸化物を形成するステップとを含む。 - 特許庁

High melting point metal 13 and copper 14 are arranged as intermediate materials for suppressing the formation of an intermetallic compound on the intermediate position between titanium 11 and steel 12, and they are bonded by diffusion bonding in accordance with a hot isostatic pressing method to obtain a titanium-clad steel plate.例文帳に追加

チタン１１と鋼１２の中間位置に金属間化合物の生成を抑制するための中間材として高融点金属１３および銅１４を配置し、熱間等方圧加圧法による拡散接合によって接合してチタンクラッド鋼板を得る。 - 特許庁

To provide a bump forming method capable of bonding by a different composite of metal and reducing damage or mounting distortion of a chip or a substrate, by reducing diffusion energy to be applied in mounting (bonding) in bump bonding or flip chip bonding.例文帳に追加

バンプボンディングないしフィップチップボンディングにおいて、実装(接合）時に加わる拡散エネルギーを低減化でき、異種複合金属での接合が行えるとともに、チップないし基板に対する損傷や実装歪等を低減できるバンプ形成方法を提供する。 - 特許庁

In a carburizing method of steel parts, the carburizing period is performed in a carburizing gas under a predetermined vacuum, and the diffusion period is performed in the atmospheric gas containing CO (hereinafter, referred to as 'CO-containing atmospheric gas' while controlling the carbon potential (CP) in the atmosphere.例文帳に追加

鋼材部品の浸炭方法において、浸炭期を所定減圧下の浸炭性ガス中で行うと共に、拡散期をＣＯを含む雰囲気ガス（以下、ＣＯ含有雰囲気ガスという。）中で当該雰囲気中のカーボンポテンシャル（ＣＰ）値を管理しながら行う。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an Ni-Ti based shape memory alloy by continuously producing an Ni-Ti laminated metallic strip with a desired shape in industrially, sufficiently practicable technical ranges, i.e., at ordinary temperature and low rolling ratio and performing heating diffusion treatment.例文帳に追加

工業的に十分実用可能な技術の範囲で、即ち、常温において低い圧延率で所望の形状をもったNi-Ti積層金属帯を連続生産し、加熱拡散処理を施してNi-Ti系の形状記憶合金を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device for improving copper wiring surface treatment before forming a copper diffusion prevention insulating film by a mixed gas soak of a silane and ammonia, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device having copper wiring where a surface state is excellent with less resistance.例文帳に追加

シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To provide a diffusion layer for a fuel cell, whereby a lowering of output resulting from contamination of water in the fuel cell is not easily caused, no wiring in a water system becomes complicated, and the fuel cell can be made inexpensive, and to provide its manufacturing method, and the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池内の水の汚染による出力の低下が起こりにくく、水系統の配管も複雑とならず、燃料電池の低廉化が可能な燃料電池用拡散層、燃料電池用拡散層の製造方法及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a soldering method of an electronic component to a terminal fitting, capable of preventing solder from adhering to the terminal fitting in an icicle-like form, preventing diffusion of flux into a molten solder bath, and preventing a liquid surface of molten solder from contacting an unintended part.例文帳に追加

端子金具にツララ状にはんだが付着することを防止でき、溶融はんだ槽へのフラックスの拡散を防止することができ、意図せぬ部分に溶融はんだの液面が接触することを防止する電子部品の端子金具へのはんだ付け方法の提供。 - 特許庁

To provide a coral-breeding method by which planulae incapable of contributing to the breeding of coral due to the advection and diffusion of the planulae to an offshore and a land can effectively be used to imbed at a high imbedding rate and simply realize the breeding of the coral at a low cost.例文帳に追加

沖合や陸地に移流・拡散してしまい、サンゴの増殖に寄与し得ないプラヌラ幼生の有効利用を図り、高い着生率で着生し得るとともに、簡易かつ低コストでサンゴの増殖を実現し得るサンゴの増殖方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for preventing the stain of a print and the lowering of the ink receptivity of an image area due to flaws by flawing in handling during the operation from the reproduction process of a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process after development to a printing step.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の現像槽後の製版処理から印刷工程に至るまでの作業で、取扱中にキズに入るキズによる印刷物の汚れや画像部のインキのり低下を防止する方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate of a silver complex diffusion and transfer method having excellent printing resistance, especially excellent joining properties of aluminum and silver, free from image skipping due to the peeling of a silver image and free from image deterioration (having high cleaner resistance) even by sweeping and wiping treatment using an acid cleaner liquid and the like.例文帳に追加

耐刷、特にアルミニウムと銀との接合性に優れ、銀画像の剥離による画像の飛びが無く、また酸性クリーナー液等による払い拭き処理によっても画像劣化の無い（クリーナー耐性が高い）銀錯塩拡散転写法の平版印刷版を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of measuring the film thickness of the surface layer of an electrophotographic photoreceptor which is unaffected by the light diffusion of fillers, suitable for measurement of a layer to be measured smaller in light absorption quantity and capable of measuring the film thickness of the surface layer even in a laminated state.例文帳に追加

電子写真感光体における表面層の膜厚測定方法において、フィラーの光拡散の影響を受けず、吸光量が少ない被測定層の測定にも適し、更に積層状態でも表面層の膜厚測定が可能な測定方法を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light guide plate for a backlight unit which can promote uniformization of luminance over the entire surface of the light guide plate itself, and which can exhibit function thereof while ensuring sufficient light transmissiveness for a diffusion sheet arranged on the light guide plate.例文帳に追加

導光板自体の全面に亘る輝度の均一化を促進でき、かつ導光板上に配置される拡散シートに十分な光透過性を確保しつつその機能を発生させることのできるバックライトユニット用導光板の製造方法等を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁