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FIRST PROCESSの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5620件
The manufacturing method for obtaining the container with the flange comprises the first press process for creasing a blank consisting of a side wall flap part and a flange flap part integrally formed with each other without being separated and the second press process for forming and fixing, both of which process are executed simultaneously in parallel.例文帳に追加
側壁フラップとフランジフラップの両相当部が切り離されることなく一体に設けられたブランクをして、折りぐせ形成のための第一プレス工程と形成・固定のための第二プレス工程を同時併行的に作動させることにより折曲加工してフランジ付容器を得る製造方法及び製造装置の採用。 - 特許庁
A system includes a process for arranging a buttress containing the first reactive component 4 on a tissue, a process for shooting at least one staple containing the second complementary reactive component, from a stapler, and for bringing the at least one staple into contact with the buttress, and a process for starting a chemical reaction.例文帳に追加
第一の反応性成分4を含有するバットレスを組織上に配置する工程;第二の相補的反応性成分を含有する少なくとも1つのステープルをステープラーから発射する工程であって、該少なくとも1つのステープルが該バットレスに接触する、工程;および化学反応を開始させる工程。 - 特許庁
The method of manufacturing the fuel cell comprises a first process in which a plurality of porous bodies to be incorporated in gas passages 26, 28 in a fuel cell stack 10 are prepared, a second process to select the porous bodies 30 based on weight, and a third process to manufacture the fuel cell stack 10 using the selected porous bodies 30.例文帳に追加
燃料電池スタック10内のガス流路26,28に組み込まれる複数の多孔体30を準備する第1の工程と、多孔体30を重量に基づいて選別する第2の工程と、選別した多孔体30を用いて燃料電池スタック10を製造する第3の工程と、を有する。 - 特許庁
To change a water level during a washing process, remove stubborn stains by a low water level in the first half and collect lint by a higher water level in the second half, and correct clustering of the washing on one side to start easily intermediate dehydration in the next process in a washing machine in which a plurality of water levels can be changed in a washing process.例文帳に追加
洗い行程で洗濯水位を複数に変更可能とした洗濯機において、洗い行程の途中で水位を変更し、洗い前半に低い水位で頑固な汚れを落とし、後半に水位を上げて糸くずを回収するとともに、洗濯物の偏りを補正して次行程の中間脱水を立ち上がりやすくする。 - 特許庁
One example of this gas detection method is provided with a process for making a sample gas flow out of the oven, a process for determining whether a flow rate thereof is the minimum value or less or not, and a process for determining whether a concentration of the first gas such as the inflammable gas in the sample gas is the maximum value or more or not.例文帳に追加
ガス検出方法の一例は上記オーブンから試料ガスを流出させる工程と、その流量が最小値以下であるかどうかを判定する工程と、上記試料ガス中の、可燃性ガスなどの第1のガスの濃度が最大値以上であるかどうかを判定する工程とを備えている。 - 特許庁
Therefore, permeation of a process liquid into the photographic paper sheet R2 is promoted, the process time can be shortened and process steps can be reduced, the waiting time upon processing the first sheet until outputting can be shortened and a developing device equipped with the above immersion processing device 50b and a photographic processing device can be small-sized.例文帳に追加
したがって、印画紙シートR2に対する処理液の浸透が促進され、処理時間や処理工程を短縮ことができ、1枚目を処理して出力するまでの待ち時間を短縮することができるとともに、該浸漬処理装置50bを備える現像装置や写真処理装置を小型化することもできる。 - 特許庁
The proper crimping process includes a setting process for setting the crimping conditions, based on the detected result in the space difference detecting process so that the interval (a total terminal pitch) between the outermost terminals of second terminals 18, after proper crimping, is the same size as the space (a total terminal pitch) between the outermost terminals of first terminals 17.例文帳に追加
本圧着工程には、間隔差検出工程での検出結果に基づいて、本圧着後における第2端子18最外端子間の間隔(トータル端子ピッチ)が、第1端子最外端子間17の間隔(トータル端子ピッチ)と同じ大きさになるように、圧着条件を設定する設定工程が含まれる。 - 特許庁
The method for producing a beverage comprises a first process of subjecting untreated solution to filter sterilization to obtain filter-sterilized penetrated components and non-penetrated components, a second process of heat sterilization of the non-penetrated components, and a third process of mixing the heat-sterilized non-penetrated components with the penetrated components.例文帳に追加
本発明の飲料の製造方法は、未処理液を濾過除菌して、濾過除菌済の透過成分及び非透過成分を得る第1の工程と、前記非透過成分を加熱殺菌する第2の工程と、当該加熱殺菌済の非透過成分及び前記透過成分を混合する第3の工程と、を含む。 - 特許庁
The method is provided with a first process of assigning an area 25 including an intersection point 24 of two fibrous particles 20 and 21, a second process of cutting the area 25, and a third process of connecting images with fibrous particles, facing the same direction of images 22a, 22b, 23a, and 23b of fibrous particles left outside the area 25.例文帳に追加
本方法は、2つの繊維状粒子20、21の交点24を含む領域25を指定する第一の過程と、領域25をカットする第二の過程と、領域25外に残っている繊維状粒子の画像22a、22b、23a、23bのうち、同じ方向を向いているものを連結する第三の過程と、を備える。 - 特許庁
In this drying method for the quartz substrate after the washing, at least a first drying process for executing spin-drying to the washed quartz substrate and a second drying process for succeedingly or simultaneously heating and drying the quartz substrate after a process for washing the quartz substrate.例文帳に追加
洗浄後の石英基板の乾燥方法であって、石英基板を洗浄する工程の後に、少なくとも、洗浄した石英基板にスピン乾燥を行う第一の乾燥工程と、その後又は同時に石英基板を加熱する乾燥を行う第二の乾燥工程を施すことを特徴とする石英基板の乾燥方法。 - 特許庁
A first process wherein a flocculation reaction auxiliary agent is added under rapid stirring to precipitate a polymer of sodium silicate in a semi-gelled state, a second process adding a cationic polymeric flocculant to further advance solid-liquid separation under slow stirring and a third process for separating separated water and a dehydrated cake by pressure dehydration are provided.例文帳に追加
凝集反応助剤を添加して急速攪拌させてケイ酸ソーダの半ゲル化状態のポリマーを析出させる第1工程と、カチオン系高分子凝集剤を添加して緩速攪拌させて固液分離を更に進行させる第2工程と、加圧脱水によって分離水と脱水ケーキの分離する第3工程とで構成される。 - 特許庁
The production method includes: a first process in which an aqueous solution containing carboxymethyl cellulose and/or its sodium salt and the other water-soluble polymers is prepared; a second process in which an emulsified suspension is prepared by adding core material to the aqueous solution; and a third process in which divalent or more metal salt is added to the emulsified suspension.例文帳に追加
カルボキシメチルセルロース及び/又はそのナトリウム塩とこれら以外の水溶性高分子とを含有する水溶液を調製する工程と、この水溶液に芯物質を加えて乳化懸濁液を調製する工程と、この乳化懸濁液に二価以上の金属塩を添加する工程とを含む製造方法を用いる。 - 特許庁
The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加
半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第1の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第2の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁
The method of manufacturing the annealed wafer at least comprises a first heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers, and a second heat treatment process conducting the heat treatment for the wafers.例文帳に追加
アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第1の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第2の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing a reactor includes a reactor body preparation process of preparing a reactor body equipped with a reacting zone, a heating section preparation process of preparing a heating zone for at least heating the reacting zone, and a first arrangement process of adjusting the positions of the body of the reactor and the heating section.例文帳に追加
反応装置の製造方法は、反応部を備えた反応装置本体を準備する反応装置本体準備工程と、反応装置本体のうち、少なくとも前記反応部を加熱するための加熱部を準備する加熱部準備工程と、反応装置本体と加熱部との位置合わせをする第一配置工程とを有する。 - 特許庁
The manufacturing method has a first process to form a clad layer 12 possessing a projected part whose side surface is inclined on a surface on a base plate 10, a second process to form a reflection film 13 on the side surface of the projected part of the clad layer 12 and a third process to form the optical waveguide 14 on the projected part of the clad layer 12.例文帳に追加
この製造方法は、側面が傾斜した凸部を、表面に有するクラッド層12を基板10上に形成する第1の工程と、クラッド層12の凸部の側面上に、反射膜13を形成する第2の工程と、クラッド層12の凸部の上に、光導波路14を形成する第3の工程とを有する。 - 特許庁
The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加
本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第1工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第2工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第3工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁
To provide a photographic processing apparatus in which at least one process of development, bleaching, fixing, cleaning or the like is carried out by introducing a photosensitive material such as photographic paper into tanks and immersing the material in a process liquid, and in particular, to reduce waiting time until outputting the first sheet and to prevent process irregularity.例文帳に追加
印画紙などの感光材料が槽内に取込まれ、処理液に浸漬されることで、現像・漂白・定着・洗浄などの内の少なくとも1つの処理を行うようにした写真処理装置において、1枚目を出力するまでの待ち時間を短縮するとともに、処理むらの発生を防止する。 - 特許庁
A measuring process is divided into the first process for measuring the braking force of the brake using the right front wheel Wfr and the left rear wheel Wrl of the vehicle as measuring objects, and the second process for measuring the braking force of the brake using the left front wheel Wfl and the right rear wheel Wrr as measuring objects.例文帳に追加
測定工程を車両の右前輪Wfrおよび左後輪Wrlを測定対象としてそのブレーキの制動力を測定する第1工程と、左前輪Wflおよび右後輪Wrrを測定対象としてそのブレーキの制動力を測定する第2工程とに分ける。 - 特許庁
The nonaqueous electrolyte secondary battery can be manufactured via a first process of assembling the battery provided with the porous polymer layer between the positive electrode and negative electrode, a second process of filling an electrolyte in the battery, and a third process of heating the battery at 100°C or higher after sealing the battery.例文帳に追加
正極−負極間に有孔性ポリマー層を備えた電池を組み立てる第1の工程と、前記電池に電解液を注液する第2の工程と、前記電池を封口した後、100℃以上の温度で加熱する第3の工程を経ることにより本発明の非水電解質二次電池を製造することができる。 - 特許庁
The method comprises a process for receiving an electronically formatted job at a first network-connected node, a process for receiving CK, a symmetrical encryption key (K) encrypted using an asymmetrical encryption public key (pubK) and a process for receiving CH, a hash (H) of the job, further encrypted using K.例文帳に追加
本方法は、第1ネットワーク接続ノードにおいて、電子形式のジョブを受信する工程と、非対称暗号化公開鍵(pubK)によって暗号化された対称暗号化鍵(K)であるCKを受信する工程と、Kを用いてさらに暗号化されたジョブのハッシュ(H)であるCHを受信する工程とを含んでいる。 - 特許庁
If the stopping states of a first reel R1 to a third reel R3 are brought into specific stopping states under determination of whether to carry out the delay process when a stop operation has been performed, the main substrate 10 carries out the delay process, and the sub-substrate 20 provides a player with a privilege according to the execution of the delay process.例文帳に追加
メイン基板10は、停止操作が行われた場合に遅延処理を実行するか否かを判断し、第1リールR1〜第3リールR3の停止状態が特定の停止状態となる場合に遅延処理を実行し、サブ基板20は、遅延処理の実行に応じて遊技者に特典を付与する。 - 特許庁
The method to repair damaged components of the turbine consists of three processes, the first process to cover the surface of any turbine component including a damaged part with a preliminary molding of solder, the second process to fix the preliminary molding of solder to the surface, and the third process to heat the turbine component to the proper temperature for formation of a brazed joint between the solder and the turbine component.例文帳に追加
本方法は、損傷部分を含むタービン部品の表面にろう材の予備成形体をかぶせる段階と、ろう材の予備成形体を表面に固定する段階と、ろう材とタービン部品との間にろう接継手を形成するのに有効な温度まで該タービン部品を加熱する段階とを含む。 - 特許庁
By the addition of the second process (S2), the quantity of a shift caused after adjustment to an ideal position, such as an error relating to the movement of the hologram lens 2 caused in the first process, an error caused by the contraction due to the curing of the adhesive in the third process (S3) and so on, is corrected to perform a position adjustment for highly precise production.例文帳に追加
2番目の工程(S2)追加により、従来の1番目の工程で生じたホログラムレンズ2の移動に係る誤差、および3番目の工程(S3)で生じた接着剤硬化時の収縮による誤差等の理想位置への調整後に生じるずれ量を補正して高精度な製造を行うための位置調整をする。 - 特許庁
Consequently, the second piston 14 comes to be in the discharge process when the first piston 13 is in the intake process, it is possible to halve discharge of the pump at the time of the discharge process in comparison with the pump with which the discharge processes of the both pistons 13, 14 are simultaneously carried out, it is possible to reduce pulsation and it is possible to reduce noise due to discharging.例文帳に追加
これにより、第1ピストン13が吸入工程のときには第2ピストン14は排出工程となり、両ピストン13、14の排出行程が同時になされるポンプに比べて排出工程時のポンプの排出量を半減でき、かつ、脈動も低減でき、排出による騒音を低減できる。 - 特許庁
The mnufacturing method comprises a process of forming a bank to surround an electrode forming part at which the element electrodes 2, 3 are installed and a conductive film forming part at which the conductive film 4 is installed, a process of ejecting a first liquid droplet to the electrode forming part, and a process of ejecting a second liquid droplet to the conductive film forming part.例文帳に追加
素子電極2、3が設けられる電極形成部及び導電性膜4が設けられる導電性膜形成部を囲むバンクを形成する工程と、電極形成部に第1液滴を吐出する工程と、導電性膜形成部に第2液滴を吐出する工程とを有する。 - 特許庁
The method of manufacturing catalyst includes a first process of forming a coating layer made of an inorganic oxide coating catalyst precursor particles consisting of metal atoms (for example, Pt, Ru), a second process of burning the catalyst precursor particles with the coating layer formed, and a third process of removing the coating layer.例文帳に追加
触媒の製造方法は、金属原子(例えば、Pt、Ru)からなる触媒前駆体粒子を被覆する無機酸化物による被覆層を形成する第1工程と、被覆層が形成された触媒前駆体粒子を焼成処理する第2工程と、被覆層を除去する第3工程とを有する。 - 特許庁
In a semiconductor thin film forming method comprising a light irradiating process, a first process of projecting the image of a pattern formed on an optical mask onto the semiconductor thin film for exposing the thin film so as to modify the prescribed region of the semiconductor thin film and a second process of continuously forming insulating films on the semiconductor thin film are provided.例文帳に追加
光の照射工程を有する半導体薄膜の形成方法において、光が光マスク上に形成したパターンを半導体薄膜上に投影露光して、半導体薄膜上の所定の領域を改質する工程と、上記半導体薄膜上に絶縁膜を連続的に形成する工程とを含ませる。 - 特許庁
The desiliconizing and desulfurizing method in the molten iron, is composed of a first process for performing the desiliconizing treatment by adding desiliconizing agent; thereafter, a second process for solidifying the slag by adding a solidifying agent; and thereafter, a third process for performing the desulfurizing treatment by adding a desulfurizing agent without intermediately removing the desiliconized slag.例文帳に追加
溶銑を処理容器内で攪拌下、脱珪剤を添加して脱珪処理を行う第一工程と、その後、固化剤を添加しスラグを固化する第二工程と、その後、中間除滓なく脱硫剤を添加して脱硫処理を行う第三工程を含むことを特徴とする、溶銑の脱珪脱硫方法である。 - 特許庁
The erection method includes a first process in which a footing H is constructed without constructing a footing beam KB, a second process in which a PC footing member 1 constituting only the upper part of the section of the footing beam KB section is laid over the upper face of the footing H, and a third process in which the lower part of the footing beam KB section is constructed.例文帳に追加
基礎梁KBを構築せずにフーチングHを構築する第一工程と、基礎梁KBの断面上部のみを構成するPC基礎梁部材1をフーチングHの上面に架け渡す第二工程と、基礎梁KBの断面下部を構築する第三工程と、を含むことを特徴とする建物施工方法。 - 特許庁
The manufacturing method comprises: a process of supplying an adhesive to an antenna substrate 20 having a substrate 22 and a conductor provided on the substrate; a process of arranging the IC chip on the antenna substrate through the adhesive 32 so that the first substrate may oppose the conductor; and a process of hardening the adhesive.例文帳に追加
製造方法は、基材22と基材上に設けられた導電体とを有するアンテナ基材20に接着剤を供給する工程と、第1面が導電体と向かい合うようにして、アンテナ基材上に接着剤32を介しICチップを配置する工程と、接着剤を硬化させる工程と、を備えている。 - 特許庁
In recycling the water used in the food processing or the like, a process in which the water is tentatively filtrated with the first filter for pretreatment, a process in which the tentatively filtrated water is further filtrated with the second filter and a process in which the water obtained by the filtration with the second filter is decolorized and sterilized with an oxidizing agent are provided.例文帳に追加
食品加工等に使用された被処理水を再利用する方法において、水を前段処理の第一濾過器で仮濾過する工程と、仮濾過した水を更に第二濾過器で濾過する工程と、該第二濾過器で濾過された被処理水を酸化剤で脱色すると共に殺菌する処理工程を設けたことにある。 - 特許庁
With this, it becomes possible to carry out short- circuit and disconnection inspections by the substrate by the first and the second electrode groups including the first and the second electrode terminal parts and the first and the second dummy electrode parts, and to do without a further cutting process for removing dead-space regions at a position where the first and the second electrode groups are patternized.例文帳に追加
これにより、基板単位に第1及び第2電極端子部と第1及び第2ダミー電極部とを含む第1及び第2電極群により、第1及び第2電極端子部の短絡及び断線検査を行え、第1及び第2電極群がパターン形成された位置で死空間領域の除去のためのさらなる切断工程を省略できる。 - 特許庁
In a first input processing step of input processing from the outside to the image processing apparatus 1, a signal input unit 21 inputs a first part of a first luminance signal input from the outside that a prefilter 22 should process in the first input processing step to the prefilter 22, and stores the remaining second part in a storage unit 24.例文帳に追加
外部から画像処理装置1への第1の入力処理ステップにおいて、信号入力部21は、外部から入力された第1の輝度信号のうち、第1の入力処理ステップにおいてプレフィルタ22によって処理すべき第1部分をプレフィルタ22に入力するとともに、残りの第2部分を記憶部24に記憶する。 - 特許庁
The step of injecting the liquid crystal material includes a first injection step of injecting a liquid crystal material containing the photopolymerizable compound at a first concentration C_1 and a second injection step of injecting a liquid crystal material containing the photopolymerizable compound at a second concentration C_2 higher than the first concentration C_1 after the first injection process.例文帳に追加
液晶材料を注入する工程は、光重合性化合物を第1の濃度C_1で含む液晶材料を注入する第1注入工程と、第1注入工程の後に、光重合性化合物を第1の濃度C_1よりも高い第2の濃度C_2で含む液晶材料を注入する第2注入工程と、を含む。 - 特許庁
After a first thermal-oxidation film 10 is formed by a first thermal process on a first transistor formation region, where a first MOS transistor of high threshold voltage is formed and a second transistor formation region where a second MOS transistor of low threshold voltage is formed, a CVD oxide film 11 is laminated over it.例文帳に追加
高しきい値電圧の第1MOSトランジスタを形成するための第1トランジスタ形成領域1と、低しきい値電圧の第2MOSトランジスタを形成するための第2トランジスタ形成領域2との上に、第1回目の熱処理を行なって第1の熱酸化膜10を形成した後、その上にCVD酸化膜11を積層する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first thin film composed of GeCOH or GeCH on a substrate to be processed, a step for removing a part of the first thin film, a processing step for performing a certain process on the substrate through the region formed by removing the first thin film, and a step for removing the first thin film.例文帳に追加
被処理基体上にGeCOHまたはGeCHからなる第1の薄膜を形成すると、この第1の薄膜の一部を除去する工程と、第1の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
The manufacturing method of this fuel cell has a first process to bend the protective member, and a second process to bend the protective member in a direction different from the bending direction in the first process.例文帳に追加
また燃料電池の製造方法において燃料を保持する燃料タンクと、前記燃料タンクから供給された前記燃料を酸素と反応させて電力を生成する本体部と、前記本体部を覆う保護部材を備えた燃料電池の製造方法において、前記保護部材を曲げる第1の工程と、前記第1の工程とは別の方向に前記保護部材を曲げる第2の工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
The gas barrier layer forming process is composed of a process of forming a first gas barrier layer 30a on the second electrode 50 by a physical vapor deposition method, and a process of forming a gas barrier layer 30b on the first gas barrier layer 30a by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加
基体200上に、第2の電極50の基体200上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層30を形成するガスバリア層形成工程を有し、ガスバリア層形成工程が、物理的気相蒸着法によって第2の電極50上に第1のガスバリア層30aを形成する工程と、化学的気相蒸着法によって第1のガスバリア層30a上に第2のガスバリア層30bを形成する工程とを備えている。 - 特許庁
When the contaminated member is cleaned with a cleaning agent, the method for estimating cleaning treatment includes: the first cleaning process for a contaminated member; and an estimation process of estimating the cleaning time or the number of cleaning times of the second or later cleaning processes according to the degree of leached contaminants in the first cleaning process for contaminated member.例文帳に追加
本発明の洗浄処理推定方法は、汚れた部材を洗浄剤で洗浄する際に、第1回の部材洗浄を行う工程と、第1回の部材洗浄工程において、溶出した汚れの程度に対応して第2回以降の洗浄時間又は洗浄回数を推定する推定工程とを含むものであり、第1回の部材洗浄を行う工程において、その溶出量の軽重から洗浄処理を推定する。 - 特許庁
This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加
研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理11を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程12と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第1洗浄液により洗浄する第1洗浄工程17と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第2洗浄液により洗浄する第2洗浄工程18とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁
The processor-based system comprises a program for operating to request first and second welding process data to a user in steps 34 and 36 to process the requested data received from the user in a step 38 and thereby to output a comparison report of the first and second welding processes in step 40 to enable the processor-based system to establish various attributes of welding a specific weld joint using a specific welding process.例文帳に追加
プロセッサ式システムは、ステップ34,36でユーザに対して第1と第2溶接処理のデータを要求し、ステップ38でユーザから受信した要求データを処理することで、ステップ40で第1と第2の溶接処理の比較レポートを出力し、特定の溶接プロセスを用いた特定の溶接継手の溶接に関する種々の属性をそのプロセッサ式システムが確立することを可能とすべく作用するプログラムを備える。 - 特許庁
A method for manufacturing an integrated circuit includes: a step of computing fixed scaling factors for a first fabrication process based on a second fabrication process; a step of computing the optionally settable scaling factors for the integrated circuit to be fabricated using the first fabrication process; a step of determining parameters of the integrated circuit based on the optionally settable scaling factors; and a step of manufacturing the integrated circuit using the determined parameters.例文帳に追加
集積回路の製造方法は、第二製造プロセスに基づいた第一製造プロセスの固定スケーリング係数を計算するステップと、第一製造プロセスにより集積回路を製造するため、任意設定スケーリング係数を計算するステップと、任意設定スケーリング係数に基づいて、集積回路のパラメータを決定するステップと、決定されたパラメータにより、集積回路を製造するステップと、からなる。 - 特許庁
This bump forming method includes a first process to form a metallic film 16 on a pad 12 by zincate treatment using a first strong alkaline solution, a second process to form a resist layer 20 with a through hole 22, through which the metallic film 16 is exposed, and a third process to form a metallic layer 24 in the through hole 22 by electroless plating using a second acid solution.例文帳に追加
バンプの形成方法は、パッド12上に強アルカリ性の第1の溶液を使用するジンケート処理によって金属皮膜16を形成する第1工程と、金属皮膜16を露出させる貫通穴22が形成されたレジスト層20を形成する第2工程と、酸性の第2の溶液を使用する無電解メッキによって貫通穴22内に金属層24を形成する第3工程と、を含む。 - 特許庁
The method is characterized by judging the degree of residence of the residue of the resin that has been used in the first production process and remains in the passage for the resin of the injection molding apparatus and the molding die, after the completion of the first production process for resin moldings through a certain time lapse before the start of the second production process for the resin moldings.例文帳に追加
本発明に係る射出成形方法は、樹脂成形品の第1生産工程を終了し、その終了から一定時間経過後に前記樹脂成形品の第2生産工程を開始するに際し、射出成形装置および成形金型の樹脂通路内に残留している第1生産工程時に使用した樹脂の残留物の残留程度を自動的に判定することを特徴としている。 - 特許庁
Resist into which high dose ions are implanted is removed from a wafer 600 via a first removing process for removing organic components in resist from a wafer 600 by performing plasma treatment of reaction gas containing at least oxygen atoms and hydrogen atoms, and a second removing process for removing dopant deposits from the wafer 600 by performing plasma treatment of reaction gas containing at least hydrogen atoms following to the first removing process.例文帳に追加
少なくとも酸素分子及び水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、ウエハ600からレジスト中の有機成分を除去する第1の除去工程と、第1の除去工程に続いて、少なくとも水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、ウエハ600からドーパント析出物を除去する第2の除去工程とを経て、ウエハ600から高ドーズイオンが注入されたレジストの除去がなされる。 - 特許庁
The catalyst material manufacturing method comprises the first process for uniformly dispersing catalyst particles 1 and metal oxide particles 2 in a solution by generating a repulsion state between the catalyst particle 1 and the metal oxide particle 2, and the second process for forming a heterojunction of the catalyst particle 1 and the metal oxide particle 2 by generating an attraction state between them after the first process.例文帳に追加
触媒粒子1および金属酸化物粒子2間をそれぞれ斥力状態にして、触媒粒子1および金属酸化物粒子2を溶液中に均一に分散させる第1の工程と、第1の工程の後、触媒粒子1および金属酸化物粒子2間をそれぞれ引力状態にして、触媒粒子1および金属酸化物粒子2をヘテロ結合させる第2の工程とを備える。 - 特許庁
The method for producing lower olefins includes a first process for obtaining a hydrocarbon oil having an oxygen content of ≤1 mass% by subjecting the raw material oil containing oxygen-containing organic compounds originating in animal and plant oils and fats to hydrodeoxygenation and a second process for obtaining the lower olefins by thermally decomposing the hydrocarbon oil obtained in the first process at a temperature of 700-1,000°C in the presence of water vapor.例文帳に追加
本発明の低級オレフィンの製造方法は、動植物油脂由来の含酸素有機化合物を含有する原料油を水素化脱酸素し、酸素分含有量が1質量%以下である炭化水素油を得る第1の工程と、第1の工程で得られる炭化水素油を、水蒸気の存在下、700〜1000℃の温度において熱分解させ、低級オレフィンを得る第2の工程と、を備える。 - 特許庁
A method for manufacturing the ink for the color filter used in manufacturing the color filter by the inkjet method includes: a first minute dispersion process for applying minute dispersion processing using glass beads for a mixture including a pigment and a solvent; and a second minute dispersion process for applying minute dispersion processing using zirconia beads for the mixture subjected to the first minute dispersion process.例文帳に追加
本発明の製造方法は、インクジェット方式によるカラーフィルターの製造に用いられるカラーフィルター用インクの製造方法であって、顔料および溶剤を含む混合物に対して、ガラスビーズを用いた微分散処理を施す第1の微分散工程と、前記第1の微分散工程に供された前記混合物に対して、ジルコニアビーズを用いた微分散処理を施す第2の微分散工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing the lithium tantalate substrate used for each kind of element as an element substrate comprises a first process for heat-treating the lithium tantalate substrate at 700°C for a prescribed amount of time in atmosphere, and a second process for cooling the lithium tantalate substrate heat-treated in the first process at a cooling rate that is faster than 2°C/minute and is slower than 5°C/minute.例文帳に追加
素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板を、大気中において、700℃で所定の時間加熱処理する第1の工程と、上記第1の工程で加熱処理された上記タンタル酸リチウム基板を、毎分2℃よりも速くかつ毎分5℃よりも遅い冷却速度で冷却する第2の工程とを有するようにしたものである。 - 特許庁
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