「K process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a vinylpyrrolidone-based polymer by which changes in physical properties such as molecular weight (K value) or Hazen color index can be suppressed in all situations, e.g. in preservation for a long period, in preservation at a high temperature, further in a drying process, in a grinding process, etc.例文帳に追加

例えば、長期保存時や高温保存時、さらに乾燥工程や粉砕工程等のあらゆる場面において、分子量（Ｋ値）やハーゼン色数等の物性変化を抑制することができる、ビニルピロリドン系重合体の取扱方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing deinked pulp of printed wastepaper, a nonionic surfactant having <100 mm foam height measured at 40°C according to JIS K-3362 is added in an ink releasing process at pH 7-9 except a floatation process.例文帳に追加

印刷古紙の脱インキパルプの製造方法において、起泡力として、ＪＩＳ Ｋ−３３６２の４０℃で測定した泡高が１００ｍｍ未満となる非イオン界面活性剤を、フローテーション工程を除く、ｐＨ７〜９にて行われるインキ剥離工程で添加する。 - 特許庁

A code error correction device using parallel concatenated codes consisting of a plurality of (N, K) system block codes is composed of a coder that outputs coded words obtained by coding and interleaving inputted information blocks of M×K units, and a decoder that carries out decoding and deinterleaving the above coded words in M×K units and repeats a decoding process for a specified number of times based on the correction flag information.例文帳に追加

複数の（Ｎ，Ｋ）組織ブロック符号からなる並列連接符号を用いた符号誤り訂正装置は、入力されたＭ×Ｋ単位の情報ブロックからその符号化とインターリーブとを行った符号語を出力する符号器と、前記符号語に対してＭ×Ｋ単位で復号化とデインターリーブとを行い、その訂正フラグ情報に基づいて所定回数の復号処理を繰り返す復号器と、で構成される。 - 特許庁

For processing, two P-P compression values, 6 samplings, and 18 pieces of partial operation data are stored in the memory from two pieces of instantaneous data obtained by (k) for each sampling section as a process unit.例文帳に追加

処理にあたって、処理単位である各サンプリング区間毎に、ｋ個づつ得られる２個の瞬時データから、２個のP-P圧縮値、６個のサンプリング数、１８個の部分演算データをメモリに格納する。 - 特許庁

The heating value of a heater is calculated by multiplying the ON/OFF ratio B of the heater by a coefficient K for heating an injection cylinder until a metering process is completed to be stored in a memory part THmen(n) (202).例文帳に追加

計量工程が終了するまで、射出シリンダを加熱するヒータのオン／オフの比率Ｂに係数Ｋを乗じてヒータの発熱量を求め、メモリ部ＴＨｍｅｎ（ｎ）に記憶する（２０２）。 - 特許庁

In a temperature elevating process before injecting a molten resin, the heat insulating plates 40a and 40b in the mold is displaced to the flow path closing position to reduce a heating volume and to shorten the heating time of the cavity K.例文帳に追加

溶融樹脂注入前の昇温工程では、金型内断熱板４０ａ、４０ｂを流路閉鎖位置に変位させて加熱容積を縮小し、キャビティＫの加熱時間を短縮する。 - 特許庁

An estimation process consists of a step for progressing the inside of a viterbi type trellis having MK states by making L-1 or less of k every stage, and a collection distance is given to the whole state of the whole stage.例文帳に追加

推定プロセスは、ｋをＬ−１以下としてＭ^Ｋ個の状態を持つビタビ型のトレリス内を段ごとに進行するステップからなり、すべての段のすべての状態に集合距離が与えられる。 - 特許庁

The method has a process of shaping the first layer (13) to have a second size b-c, which is the product of a first target size (a) to be formed in the second layer (12), and a correction factor (1/k).例文帳に追加

第２の層（１２）に形成されるべき目標とする第１の寸法ａに、補正係数（１／ｋ）を乗じた第２の寸法ｂ—ｃとなるように、第１の層（１３）を加工する工程を有する。 - 特許庁

With such a constitution, the particle properties of a halftone image of the process gray outputted by superposing the C, M and K colors and CMYK colors are remarkably improved as compared with a conventional example.例文帳に追加

このような構成により、従来例に比べてＣ、Ｍ、Ｋ各色およびＣＭＹＫ各色を重ねて出力したプロセスグレーのハーフトーン画像の粒状性を著しく向上させることができる。 - 特許庁

In a process to reach a steady state free precession after repeating sequences in a short repetition time (TR) and going through a state of transient oscillation of magnetization, the amount of phase encoding to be applied is controlled to acquire echo signals in the state of transient oscillation and to have the acquired signals placed in a high region of a measurement space (k space).例文帳に追加

短い繰り返し時間(TR)でシーケンスを繰り返し、磁化が過渡振動状態を経た後、定常状態自由歳差運動に達する過程において、過渡振動状態のエコー信号も取得し、その信号が計測空間(k空間)の高域に配置されるように、付与する位相エンコード量を制御する。 - 特許庁

This organic electroluminescence element is manufactured by an anode forming process of forming an anode A containing metal belonging to the fifth group or the sixth group of the periodic table on a substrate 1, an organic layer forming process of forming an organic layer 10 containing a light emission layer 10 on an anode A, and a cathode forming process of forming a cathode K on the organic layer 10.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１上に周期律表の５族または６族に属する金属を含む陽極Ａを形成する陽極形成工程と、陽極Ａ上に発光層を含む有機層１０を形成する有機層形成工程と、有機層１０上に陰極Ｋを形成する陰極形成工程とにより製造される。 - 特許庁

Accordingly, even if the peeling 40 of interlayer film is generated due to weakness in the strength of close contact with a stopper material 13 of the low-k film 14 and damage 30 by the dicing process not only in the assembling process but also in the processes after the assembling process, growth of peeling 40 of the interlayer film can be prevented with the reinforcing pattern 20.例文帳に追加

これにより、アセンブリ時のみでなく、組み立て工程以降において、ｌｏｗ−ｋ膜１４のストッパー材１３との密着強度の弱さやダイシングによるダメージ３０に起因する層間膜剥がれ４０が発生したとしても、補強パターン２０によって層間膜剥がれ４０が進行するのをくい止めることが可能な構成となっている。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The amount of the menaquinone produced in the third process can be set to have a desired value because the amount of the menaquinone is made qualitative in the second process while the menaquinone is produced by the low vitamin K-producing bacillus Natto, so as to produce Natto not inhibiting the anticoagulant action of medicines.例文帳に追加

これにより、ビタミンＫ低生産性納豆菌によりメナキノンが生産されるが、第２工程でメナキノン量が定性されるので、第３工程で製造される納豆のメナキノン量を所望の値に設定でき、医薬の抗血液凝固作用を阻害しない納豆を製造することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the cement clinker while charging the combustible wastes into a cement firing process step comprises charging the combustible wastes K onto a fluidized bed in the lower part of a furnace casing of the fluidized bed calcining furnace 10 installed before a rotary kiln 2 of the cement firing process step.例文帳に追加

セメント焼成工程に可燃性廃棄物を投入しながらセメントクリンカを製造する方法において、セメント焼成工程のロータリーキルン２の前段に設けられている流動層仮焼炉１０の炉体内下部の流動層上に可燃性廃棄物Ｋを投入する。 - 特許庁

By this motion management system 1, in the process of guiding the walking motion of a user by the operation of a walking motion guiding device 20, a walking rate k and physiological variables such as energy consumption are measured.例文帳に追加

本発明の運動管理システム１によれば、歩行運動誘導装置２０の動作によりユーザの歩行運動が誘導されている過程で、歩行比ｋおよび消費エネルギー等の生理変数が測定される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of preventing cut of an element isolation film in a process of forming a dual work function structure such as a dual metal gate structure and a dual High-k structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造およびデュアルＨｉｇｈ−ｋ構造などのデュアル仕事関数構造の形成プロセスにおける素子分離膜の削れを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a dielectric thin film capable of a low-temperature process and having high dielectric constant (high-k) characteristics, to provide a metal oxide dielectric thin film formed using the same and its manufacturing method, to provide a transistor element containing the dielectric thin film, and to provide an electronic element including the transistor element and having excellent electrical properties.例文帳に追加

低温工程が可能であるうえ、高誘電率(high-k)特性を持つ誘電薄膜組成物、前記組成物を用いて形成された金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法、前記誘電薄膜を含むトランジスタ素子、並びに前記トランジスタ素子を含んでおり、優れた電気的特性を持つ電子素子を提供すること。 - 特許庁

The final rule also requires an issuer to disclose the information in the body of and as an exhibit to its specialized disclosure report, which may simplify the process of submitting the conflict minerals disclosure and Conflict Minerals Report as compared with requiring disclosure in an issuer’s annual report on Form 10-K, Form 20-F, or Form 40-F.例文帳に追加

また、最終規則は発行人に対し、特定開示報告書の本文とその添付資料に情報を開示することを求めている。これは、Form 10-K、20-F、40-F での年次報告書において開示を要求するよりも、紛争鉱物に関する情報開示と紛争鉱物報告書の提出のプロセスを簡素化することになると思われる。 - 経済産業省

The magnetic disk manufacturing method performs a film forming process (A) for forming a magnetic film 62 on a glass substrate 61 so that its Curie temperature may be 600 K or lower, and an ion implantation process (C) for locally implanting ion into the area of the magnetic film 62 other than a protection area.例文帳に追加

磁気ディスク製造方法において、ガラス基板６１上に、キュリー温度が６００Ｋ以下となるように磁性膜６２を形成する製膜工程（Ａ）と、その磁性膜６２に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入工程（Ｃ）とを実行する。 - 特許庁

In order to transmit the process value W to a central monitoring unit 5 by a 2 byte data of 0-9999, the PLC 4 divides it by a transmittance span k (=10000) to the central monitoring unit 5 at a division part 4A and obtains a quotient B and a surplus C as a result of the division and transmits them as the process data.例文帳に追加

ＰＬＣ４はプロセス値Ｗを０〜９９９９の２バイトデータで中央監視装置５に伝送するのに、ＰＬＣ４に設ける除算部４Ａにより中央監視装置５への伝送スパンｋ（＝１００００）で除算し、この除算結果としての商Ｂと余りＣを得、この商と余りをプロセスデータとして伝送する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The tilting of the scanning line on a surface of a photoreceptor drum being a latent image carrier is adjusted according to the ratio K of the scanning speed Vimg of a light beam scanning the surface of the photoreceptor drum and the linear speed (process linear speed) V of the photoreceptor drum.例文帳に追加

潜像担持体たる感光体ドラム表面を走査する光ビームの走査速度Ｖｉｍｇと、感光体ドラムの線速（プロセス線速）Ｖとの比率Ｋに応じて、感光体ドラム上の走査線の傾きを調整する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring substrate K, acrylic dry-film members 22, 23 are applied on nonelectrolytic copper-plating layers 20, 21 after a nonelectrolytic copper-plating process.例文帳に追加

本発明の配線基板Ｋの製造方法では、無電解銅めっき工程の後、無電解銅めっき層２０，２１上にアクリル系ドライフィルム材２２，２３を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a low-melting solder glass which is workable at a soldering temperature of ≤600°C, has a thermal expansion coefficient of 6×10^-6-11×10^-6/K, can be melted with ease, and does not crystallize in a soldering process.例文帳に追加

６００℃以下のはんだ付け温度にて加工することができ、６×１０-6／Ｋ〜１１×１０-6／Ｋの熱膨張率を有し、容易に溶融することができ、はんだ付けプロセスの間に結晶化しない低融点ソルダーガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film material for a three-layer resist process having an optimal n-value and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching conditions and excellent embedding characteristics on a stepped substrate.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

When cement clinker G2 is produced by feeding a mixture K of the waste tires T and the waste plastics P in a cement firing process, the mixing ratio of the waste tires T is controlled according to the measured value of the iron concentration in the cement clinker G2.例文帳に追加

廃タイヤＴと廃プラスチックＰの混合物Ｋをセメント焼成工程に投入してセメントクリンカＧ２を製造するに際し、セメントクリンカＧ２中の鉄分濃度の測定値に応じて廃タイヤＴの混合率を調整する。 - 特許庁

In the case of using ink of 7 colors of a dark cyan, a light cyan, a dark magenta, a light magenta, a yellow, a dark black and a light black, a light/dark distribution process is carried out for black as a color for which the dark black of the lowest lightness is prepared (K light/dark distribution block 200).例文帳に追加

濃シアン、淡シアン、濃マゼンタ、淡マゼンタ、イエロー、濃黒淡黒の７色のインクを使用する場合、最も明度が低い濃黒が準備された色である黒について濃淡振分処理（Ｋ濃淡振分ブロック２００）を行う。 - 特許庁

In this manufacturing method, both K ion and Na ion are used as the second momnovalent ions in the second molten salt in the second ion-exchange process, and a ratio of the both ions is adjusted in response to the composition of the original glass substrate.例文帳に追加

製造方法としては、第２のイオン交換工程における第２の溶融塩中の第２の１価イオンとしてＫイオンとＮａイオンの両方を用い、両者の比率をガラス基板本来の組成に応じて調整する。 - 特許庁

Concentration data C, M and Y supplied from a calibration circuit 12 are converted into net% data C, M, Y and K by the smoothed look-up table T'j, subjected to an interpolation process, thereafter converted to LD control data and supplied to a laser diode.例文帳に追加

キャリブレーション回路１２より供給される濃度データＣ、Ｍ、Ｙは、平滑化されたルックアップテーブルＴ′ｊによって網％データＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋに変換され、補間処理された後、ＬＤ制御データに変換されてレーザダイオードに供給される。 - 特許庁

If the coefficient K is greater than 0, the correlation in the vertical direction to the interested pixel is decided to be strong, and pixel data of G of the interested pixel is obtained by an interpolation process using pixel data of the associated pixels in the vertical direction to the interested pixel (step 103).例文帳に追加

相関係数Ｋ＞０のとき、注目画素の垂直方向の相関が強いと判断し、注目画素の垂直方向にある関連画素の画素データを用いた補間処理により、注目画素のＧの画素データを求める（ステップ１０３）。 - 特許庁

If the coefficient K is less than 0, the correlation in the horizontal direction to the interested pixel is decided to be strong, and a pixel data of G of the interested pixel is obtained by an interpolation process using pixel data of the associated pixels in the horizontal direction to the interested pixel (step 104).例文帳に追加

相関係数Ｋ＜０のとき、注目画素の水平方向の相関が強いと判断し、注目画素の水平方向にある関連画素の画素データを用いた補間処理により注目画素のＧの画素データを求める（ステップ１０４）。 - 特許庁

To provide a capillary for a wire bonding device which can be effectively applied to the wiring bonding process of a plurality of pad layers and a Low-K package, that is, a package where the thickness of the layer of a metal oxide is extremely thin, and a low resistance value is shown.例文帳に追加

複数のパッド層及びＬｏｗ−Ｋパッケージ，即ち金属酸化物のレイヤー層の厚さが非常に薄く，低い抵抗値を示すパッケージなどのワイヤボンディング工程に効果的に適用できる，ワイヤボンディング装置用キャピラリを提供する。 - 特許庁

By this system, contaminated soil is continuously treated by circularly conveying a plurality of washing tanks 11 in charging processes A, B, treating processes C, D, E, F, drying processes G, H, analytical processes I, J, K, and a discharge process L.例文帳に追加

汚染土壌の浄化システムにて、複数の洗浄槽１１を、投入工程Ａ，Ｂ、洗浄工程Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ、乾燥工程Ｇ，Ｈ、分析工程Ｉ，Ｊ，Ｋ、排出工程Ｌの間で循環搬送し、汚染土壌を連続して浄化処理する。 - 特許庁

To provide an organic fertilizer and a method of manufacturing the fertilizer capable of manufacturing the same only from poultry manure with few labor, capable of manufacturing inexpensively, abundantly containing P, K, and Ca, and a process of disposal of the poultry manure is not needed.例文帳に追加

鶏糞のみから有機肥料を製造することができ、製造の手間がかからず、安価に製造することができ、リン、カリウムおよびカルシウムが多く含まれ、鶏糞の廃棄処理が必要ない有機肥料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ashing device introduces gas into a dielectric plasma generating chamber 14 and excites the gas to produce plasma and effect plasma process of an object to be processed S by the gas plasma employing the Low-K film.例文帳に追加

本発明のアッシング装置は、誘電体プラズマ発生室１４にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物Ｓのプラズマ処理を行うアッシング装置である。 - 特許庁

This tray is one for setting an insulator in the heating process of manufacturing a spark plug, and the tray is made of a ceramic sintered material which has a thermal conductivity at ambient temperature of not smaller than 30 W/(m×K).例文帳に追加

スパークプラグを製造する際の加熱工程で碍子をセットするのに用いるトレイであって、トレイがセラミックス焼結体で形成され、該セラミックス焼結体の常温における熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

For first image data G1, such a recovering process F for creating second image data G2 equivalent to the first image data output from an imaging element 20 when the resolution of an imaging lens 10 is high is performed using the recovery coefficient K.例文帳に追加

第１の画像データＧ１に対し、撮像レンズ１０の解像力が高いときに撮像素子２０から出力される第１の画像データと同等の第２の画像データＧ２を生成するような復元処理Ｆを、復元係数Ｋを用いて実施する。 - 特許庁

To provide a chart, easily grasping the relation of the K value to solid density of each ink, in order to discuss standard beta density of each ink in an offset printing using process four-color inks of black, cyanogen, magenta and yellow.例文帳に追加

ブラック・シアン・マゼンタ・イエローのプロセス４色インキを用いたオフセット印刷において、各インキについての標準ベタ濃度を検討するために、各インキについての、Ｋ値とベタ濃度の関係が簡単に把握できるチャートの提供を目的とする。 - 特許庁

A Cu wiring layer 6 is formed on a wafer W, an amorphous carbon film 7 is formed as a Cu diffusion barrier by CVD using a process gas containing a hydrocarbon gas on the Cu wiring layer 6, and a Low-k film 8 is formed on it.例文帳に追加

ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of the superconductive tape wire rod 11, the protection layer 26 of the repair superconductive tape wire rod 21 is adhered by solder H on the upper side of the stabilizing layer 17 corresponding to a defective part K generated in the superconductive layer 15.例文帳に追加

超電導テープ線材１１の製造過程において超電導層１５に発生した欠陥部Ｋと対応する前記安定化層１７の上面に補修用超電導テープ線材２１の保護層２６をハンダＨにより接着する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a thermally decomposable lower layer film for a multi-layered resist process used to form the thermally decomposable lower layer film which eliminates the need for an ashing treatment, can be decomposed and removed through a simple heat treatment, and never damages an inorganic film such as a Low-K film.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-Ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁