「Line width」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

A projected line 21 having a nearly triangular section is provided on a backside-forming face 18 in the moving mold 13 of a mold device 11 and a narrow width part 22 is formed in the inside of a cavity 19.例文帳に追加

金型装置１１の移動型１３における背面形成面１８上に、断面略三角形状の突条２１を設け、キャビティ１９内に幅狭部２２を形成する。 - 特許庁

The center-line mean roughness (Ra) of each ground mark of the upper and lower work rolls 2a, 2b is defined as ≤1.0 μm and also rolling load per unit width is set to ≤0.4 tonf/mm.例文帳に追加

上記上下ワークロール２ａ，２ｂの各研磨目の中心線平均粗さ（Ｒａ）を１．０μｍ以下にすると共に、単位幅当たりの圧延荷重を０．４tonf／mm以下に設定する。 - 特許庁

To make a top and a bottom substrate hard to peel off each other with mechanical stress when a liquid crystal display panel is cut to a panel size by improving the stability of the line width of a seal in a plane of the liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネルの面内のシールの線幅の安定性を向上させ、パネルサイズに切断する際に、機械的ストレスにより上下基板を剥離しにくくする。 - 特許庁

This diaper is also provided with a ridge-like member 15 disposed between the absorber 22 and the back sheet 20, or an outermost sheet 61 on the back side of the absorber 22, along the middle line in the diaper width direction.例文帳に追加

吸収体２２の裏面側の最外シート６１であるバックシート２０と吸収体２２との間のおむつ幅方向中心領域に嵩高部材１５が配置されている。 - 特許庁

To measure a line width, while detecting only a pit, by discriminating the pit generated on the surface of a pattern from a projection, in an inspection device and a method of the wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの検査装置および方法において、パターンの表面に生じているピットと突起を区別し、ピットのみを検出しながら線幅の測定をできるようにすること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition in which the change rate of the line width due to changes in resist film thickness on a highly reflective substrate having a rough surface (such as a bare silicon substrate, polysilicon substrate) is significantly suppressed.例文帳に追加

凹凸のある高反射基板（ベアシリコン基板、ポリシリコン基板等）上でのレジスト膜厚変動による線幅変動率が顕著に抑制されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Recessed parts 46 are formed at both end parts in the width direction of the resin film 40 corresponding to a parting line 26 in molding a mold part 22 on an inner peripheral part of an insertion hole 24.例文帳に追加

樹脂フィルム４０の幅方向両端部には、挿通孔２４の内周部分におけるモールド部２２成形時の片割れ線（パーティングライン）２６に対応して凹部４６が形成されている。 - 特許庁

To provide an exposure data generating method and an exposure method such that variations in line width among patterns are reduced in spite of various process variations including unknown variations.例文帳に追加

本発明は、露光データ作成方法及び露光方法に関し、未知のばらつきを含む様々なプロセスばらつきに対してパターン間の線幅のばらつきを低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a film scanner, with which reading is enabled while fixing the number of pixels in the main scanning direction of a line sensor without complicating a structure regardless of a difference in the width dimension of a film.例文帳に追加

構造を複雑化することなく、またフィルムの幅寸法の違いにかかわらずラインセンサの主走査方向の画素数が一定の読み取りを可能にしたフィルムスキャナを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask for solder printing which ensures good releasability of solder and can accurately transfer creamy solder even to the top of an ultrafine circuit pattern having several μm line width.例文帳に追加

半田の抜け性が良好で、線幅が数μｍオーダーの超微細回路パターン上にも正確にクリーム半田を転写可能な半田印刷用マスクの製造方法を確立する。 - 特許庁

Thereby, leaking light through the mosaic region of the exposure mask can be decreased, which can suppress changes in the pattern line width of a TFT substrate and can reduce display irregularity in a liquid crystal display.例文帳に追加

これにより、露光マスクのモザイク領域からの漏れ光を低減でき、ＴＦＴ基板のパターン線幅の変動を抑制し、液晶表示装置の表示ムラを軽減することが可能になる。 - 特許庁

The ratio (S/L) of the area (S) formed by the center line of the two bead lines of these beads that are adjacent widthwise to the width (L) of the heat exchanging part is 0.89 mm ≤S/L≤1.5 mm.例文帳に追加

このビードのうち、幅方向に隣接する二つのビード列の中心線が形成する面積（Ｓ）と熱交換部の幅（Ｌ）の比率（Ｓ／Ｌ）は０．８９ｍｍ≦Ｓ／Ｌ≦１．５ｍｍである。 - 特許庁

Further, with the use of ultraviolet ray laser beams, the resolution in line width is about 0.5 μm level, allowing a fine polycrystalline TFT with high current driving capacity to be formed on a large-area substrate.例文帳に追加

また、紫外線レーザビームを使用するので、線幅の解像度を０.５μｍ程度にでき、大面積基坂上に電流駆動能力が高く高精細な多結晶ＴＦＴを形成できる。 - 特許庁

To provide a substrate-processing method and a device, which are capable of analyzing an environment around a substrate as a whole, and more precisely controlling the width of line and the thickness of a resist film.例文帳に追加

基板周囲の環境を全体的に分析し、より精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

Parasitic elements 25 having a line width of about 1 mm are provided at an interval of about 1 mm on the upper side of the external element 21 for forming a slot, and a second slot 23b is formed between them.例文帳に追加

スロット形成用外部素子２１の上側に線幅が約１ｍｍの無給電素子２５を約１ｍｍの間隔で設け、両者間に第２のスロット２３ｂを形成する。 - 特許庁

For varying a shift characteristic of the diaphragm, a width or a thickness can be made different, or a central part area or an area along a center line can be thinned.例文帳に追加

ここで、振動板の変位特性を異ならせるために、幅或いは厚さを異ならせることができ、また、中心部領域又中心線に沿う領域を薄くすることができる。 - 特許庁

The other frame, designed to be used as a stopper for opened pages, is basically heart-shaped with its width larger than that of a large-sized book, but has a horizontal straight line at the bottom, with the upper inner curved part missing in the center.例文帳に追加

ストッパー用の枠は、大判の本を開いた時の横幅を持つハート型で、その下部は水平にし、上部は両端から内側で中央を切り取った変形ハート型の枠にする。 - 特許庁

The signal damping quantity at 0.1-20 GHz of the coplanar signal line (characteristic impedance approximately 50 Ω, at width 0.5 mm, thickness 0.03±0.05 mm) that is constructed by the conductive resin composite after curing is 5 dB/cm or less.例文帳に追加

硬化後の導電性樹脂組成物で構成したコプレナ信号線路(幅0.5mm厚さ0.03±0.05mmで、特性インピーダンス約50Ω)の0.1〜20GHzでの信号減衰量が5dB/cm以下であるものである。 - 特許庁

To solve the problem, wherein line width controllability is deteriorated, since nonuniformity in photoelectric conversion efficiency becomes nonuniformity in exposure in an exposure device which photoelectrically convert an optical image and performs exposure by using an electron beam image.例文帳に追加

光学像を光電変換して、電子ビーム像によって露光を行露光装置において、光電変換効率むらが露光量むらとなり、線幅制御性が悪化してしまう。 - 特許庁

To inspect a substrate to be inspected at a line pattern in the substrate width direction which crosses the substrate feed direction while saving a space and in a short time, in a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method.例文帳に追加

基板検査装置及び基板検査方法において、省スペース且つ短時間で、基板搬送方向を横断する基板幅方向へライン状に被検査基板を検査する。 - 特許庁

To provide a developing device and a developing method capable of executing highly accurate development by correcting dimensional errors in the line width of a pattern which are generated due to variation in atmospheric pressures.例文帳に追加

気圧の変動に起因して生じるパターンの線幅の寸法の誤差を補正して、高精度の現像を行なうことができる現像装置および現像方法を提供する。 - 特許庁

Reinforced parts 5-1 and 5-5 where the line width is increased are provided only on the portions of the card where the antenna 5 may interfere with embossing 1 to 3, to prevent disconnection of the antenna during embossing.例文帳に追加

アンテナ５がエンボス（１〜３）と干渉する可能性のある部分にのみ、線幅を太くした補強部５−１，５−５を設け、エンボスを賦型したときに、アンテナが断線することを防止する。 - 特許庁

It is preferable that the width of the written line is desirably 3 mm or more and that the porosity of the writing part 21 is desirably changed between the central part of the penpoint and the outer part thereof.例文帳に追加

好ましくは、筆記描線の幅が３ｍｍ以上であることが望ましく、また、筆記部２１の気孔率が、ペン先中央部と外側部とで変化していることが望ましい。 - 特許庁

The cell word lines WL0 to WL31 are fine-processed up to the limit of the exposure processes of an exposing apparatus, denoting distance between lines as "A" and width of line as "B", for example, in the NAND memory unit MU.例文帳に追加

たとえば、ＮＡＮＤ型メモリユニットＭＵにおいて、セルワードラインＷＬ０〜ＷＬ３１は、ライン間距離を“Ａ”、ライン幅を“Ｂ”とし、露光装置の露光限界まで微細加工されている。 - 特許庁

In the antifalsifying pattern 12, a latent image pattern, in which the width (LT) of a line in a region normal to a seeing direction for viewing the latent image pattern is made lager than the widths of lines in other regions.例文帳に追加

潜像パターンを視認すべく眺める方向と垂直となる領域の線幅（ＬＴ）を他の領域の線幅より大きくした潜像パターンを設けた偽造防止パターン１２。 - 特許庁

To provide a film formation system and a film formation method that can set a target film thickness of film formation per substrate and can thus form a film thickness corresponding to an electrode line width.例文帳に追加

基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer giving a resist pattern, which has good line width roughness while exhibiting high resolution in a lithography process, and a positive photoresist composition containing the polymer.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて解像度が高いながら、ライン幅ラフネスも良好なレジストパターンを与える重合体、及びこの重合体を含むポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To accurately control a width distribution of ultraviolet rays radiated in a line to an irradiation object, in a structure in which a diffraction grating pattern is formed on each side of a diffractive optical element.例文帳に追加

回折光学素子の両面に回折格子パターンが形成された構造で、照射対象にライン状に照射される紫外線の幅方向の配光を精度よく制御する。 - 特許庁

To provide a method for producing a novolak resin for a positive-type photoresist, capable of sufficiently controlling its dissolving speed in alkali, and consequently forming such an extremely fine pattern that the line width is 0.30 μm.例文帳に追加

アルカリ溶解速度が充分に制御され、その結果線幅が０.３０μmと言う極めて微細なパターン形成を可能とする、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a binary chromium mask blank and a halftone phase shift mask blank each having a minimum line width of ≤100 nm, and to provide a method of manufacturing the mask blank.例文帳に追加

最小線幅１００ｎｍ以下のバイナリークロムマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、並びに該マスクブランクスを用いたマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer wiring board by protecting an interconnection having a narrow line width out of the interconnection patterns from a moisture penetration to improve the moisture resistance.例文帳に追加

配線パターンのうちの線幅の小さい配線を外部からの水分の浸入から保護し、湿度に対する耐性を改良することにより、より信頼性の高い多層配線板を提供する。 - 特許庁

The contour shape of each of the actuator units 21 is formed to be in a rough parallelogram, and the long side thereof is extended in a paper width direction inclined to the contour line 4a of the fluid channel unit 4.例文帳に追加

各アクチュエータユニット２１の外形は略平行四辺形状になっており、その長辺は流路ユニット４の外形線４ａに対して傾斜した用紙幅方向に延在している。 - 特許庁

Two cursor engagement projections 24 of the lift plate 20 are provided respectively at the right and left sides of the center line in the width direction of the paper sheet of the lift plate 20.例文帳に追加

リフト板２０のカーソル係合突起２４は、リフト板２０の用紙幅方向中央線の左右に１箇所ずつ計２個設けられ、各々が幅方向カーソル３０に向かって突出する。 - 特許庁

To make it possible to avert the widening and narrowing of the line width of patterns at field boundaries in a pattern data forming method for forming the pattern data of a photomask for semiconductor device production.例文帳に追加

半導体デバイス製造用のフォトマスクのパターンデータを作成するパターンデータ作成方法において、フィールド境界でのパターンの線幅の太り、細りを回避できるようにする。 - 特許庁

In a microstrip array antenna, the width of a feeding strip line 13 is set to match the impedance on the input side and the output side from a level difference 17.例文帳に追加

本発明のマイクロストリップアレーアンテナでは、給電ストリップ線路１３の幅は、段差１７の位置から入力側と出力側とでインピーダンスが整合するように設定されている。 - 特許庁

To provide a stable wiring structure having small contact areas for wiring formed in a self-aligning way with a very narrow line width and a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

自己整合技術を用いて形成された微細な線幅を有する配線に対して、安定でコンタクト領域の面積が小さい配線構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the line width of a fluorine laser almost to 0.2 to 0.3 pm without using a band narrowing element such as an etalon.例文帳に追加

フッ素レーザにおけるライン幅を、エタロン等の狭帯域化素子を用いること無く、０．２〜０．３ｐｍ程度まで狭帯域化することのできる超狭帯域化フッ素レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition giving a resist pattern with a suppressed change in line width when observed with a scanning electron microscope(SEM) in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときに、線幅の変動が軽減したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a photomask capable of suppressing the reduction of the line width of an isolated pattern even when the photomask has a dense pattern and an isolated pattern and to obtain an exposure device with the photomask.例文帳に追加

孤立パターンと密集パターンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターンの線幅が細くなるのを抑制できるフォトマスク及びそれを備えた露光装置を提供する。 - 特許庁

This module adjusts the line-height automatically, when reference conditions change by using font characteristics and by applying the exponential function to the average width of the cluster having the font characteristics.例文帳に追加

このモジュールは，フォント特性を使用して，そのフォント特性を有するクラスタの平均幅に指数関数を適用することで，閲覧条件が変化すると動的に行高を調整する。 - 特許庁

To solve the problems wherein, in an NMR device, when an output from a room-temperature shim coil is enlarged, a temperature gradient is generated in a sample domain, and an NMR spectrum line width is widened, to thereby lower sensitivity.例文帳に追加

ＮＭＲ装置では、室温シムコイルの出力が大きくなった場合に、試料領域に温度勾配が発生し、ＮＭＲスペクトル線幅が広がり感度低下を招く。 - 特許庁

To provide an exposure system which is capable of forming resist patterns each having an identical line width with each of a plurality of photomasks used to manufacture semiconductor devices that are classified into the same product group and conform to the same design rule.例文帳に追加

同一デザインルールかつ同一製品群の半導体装置の製造に用いる複数のフォトマスクのそれぞれで、同一線幅のレジストパターンを形成可能な露光システムを提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolution performance, small in LWR (Line Width Roughness), favorable in PEB (Post Exposure Bake) temperature dependency and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A control unit 161 extracts the aging trend of the line width of the pattern formed by the coating development treatment system 1 on the basis of measuring information accumulated in the accumulating unit 160.例文帳に追加

制御装置１６１では，蓄積装置１６０に蓄積された測定情報に基づいて，塗布現像処理システム１で形成されるパターンの線幅の経時的な傾向を導出する。 - 特許庁

A linear component is calculated from a distribution of the second line width within the wafer surface (step S7), and light exposure quantity is corrected for every exposure region based on the linear component (steps S8 and S9).例文帳に追加

第２の線幅のウェハ面内分布から線形成分を算出し（ステップＳ７）、当該線形成分に基づいて露光量が各露光領域毎に補正される（ステップＳ８、Ｓ９）。 - 特許庁