「active type」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve low power consumption of an active matrix type display unit without increasing the cross-sectional area of wiring even if the wiring, the electrode, or the like, consisting of two incompatible films (ITO film and aluminum film) are connected and the screen is enlarged.例文帳に追加

本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。 - 特許庁

A constituting pixel of the active matrix type EL display panel having a plurality of pixels have a photodetecting TFT 18 of which the one end is connected to a gate of a drive transistor 14, the other end is connected to a power source and the gate is connected to a capacitance power source.例文帳に追加

複数の画素を備えるアクティブマトリクス型エレクトロルミネッセンス表示パネルの構成画素は、一端が駆動トランジスタ１４のゲートに接続され、他端が電源に接続され、ゲートが容量電源に接続された受光ＴＦＴ１８を備える。 - 特許庁

To obtain an active ray-hardening type composition that has low viscosity, high sensibility and can form a high-hardness and flexible coating film under a variety of printing environments, and to provide an inkjet printing ink using the same, an image-forming method and an inkjet recorder.例文帳に追加

低粘度かつ高感度で、高硬度で且つ柔軟な塗膜を様々な印字環境下においても形成することが出来る活性光線硬化型組成物、及びそれらを用いたインクジェットインク、画像形成方法、及びインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a bacterium group-inducing substance which inhibits the appearance of a non-phenolic metabolism type bacterium group having strong oxidation power also in a case of the presence of excessive nutrients in the global ecological environments (e.g. corpse of an animal), and produces hydrogen sulfide and active oxygen to inhibit the deterioration of immune power.例文帳に追加

地球生態環境において、過剰な栄養分が存在した場合（例えば動物の死骸など）にも強力な酸化力をもった非フェノール性代謝型の細菌群の出現を阻止し、硫化水素や活性酸素を発生させ免疫力の低下を阻止する細菌群誘導物の提供。 - 特許庁

The positive type photoresist composition contains (A) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation, (B) two polymers each having specified repeating units each having a group which is decomposed by the action of the acid and (C) an acid diffusion inhibitor.例文帳に追加

（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、酸の作用により分解する基を有する、特定の繰り返し単位を有する重合体２種、及び（Ｃ）酸拡散抑制剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display device capable of eliminating a ghost even if a TN type liquid crystal of slow response speed is used, and displaying a high quality moving picture based on a TV signal of an interlaced scanning system.例文帳に追加

応答速度の遅いＴＮ型液晶等を用いてもゴーストを除去することができ、インターレース方式テレビジョン信号に基づく高画質な動画表示が可能なアクティブマトリックス型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The positive type photoresist composition contains (A) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation, (B) an alkali-insoluble or slightly alkali-soluble resin made alkali-soluble by the action of the acid and (C) a specified carboxylic acid derivative having a molecular weight of ≤1,000.例文帳に追加

（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び（Ｃ）分子量が１０００以下の特定のカルボン酸誘導体を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 特許庁

The semiconductor optical device apparatus has a structure where a conductive block structure is provided at one portion of a rectangular bottom section in a ridge type semiconductor optical device where both the sides of a mesa stripe are dug in a rectangular shape by depth that does not reach an active layer.例文帳に追加

本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。 - 特許庁

The positive type resist composition contains (A) a resin containing repeating structural units each having a specified acid decomposable group and having the velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid and (B) a compound which generates the acid when irradiated with active light or radiation.例文帳に追加

（Ａ）特定の酸分解性基を有する繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor device has: insulation layers 107 and 108 embedding separation grooves for partially separating a waveguide path in an optical resonator formed by a pair of reflecting mirrors, namely a distributed reflection type multilayer film mirror 104 and a dielectric multilayer film mirror 11; and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。 - 特許庁

A positioning mark is formed in a wiring surface side of a silicon substrate by appropriating an active region or a gate electrode used in a MOS transistor preparation process, for example, for stepper positioning in a manufacturing process of a backside illumination type CMOS image sensor.例文帳に追加

裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程において、ステッパ合わせを行うために、例えばＭＯＳトランジスタ作成工程で用いる活性領域またはゲート電極を流用してシリコン基板の配線面側に位置合わせマークを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light-emitting element in which Zn in a p-type cap layer, consisting of GaAs, is prevented from being diffused into a cladding layer and an active layer, and thereby to provide a light-emitting element by which stable high output operation and high temperature operation can be performed and high reliability LED and LD can be obtained.例文帳に追加

ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a system, in which a large earthquake-damping effect is displayed by the minimized earthquake-damping system while decreasing the number of an earthquake damper and a sensor, etc., in the active type earthquake damping system for a multilayer structure, in which the earthquake damping device is installed into the beam-column frame of the structure and quakes by an earthquake, etc., are reduced.例文帳に追加

構造物の柱梁架構内に耐震要素を介して制震装置を設置し、地震等による揺れを低減する多層構造物用能動型制震システムにおいて、制震装置やセンサ等の台数削減しつつ、最小化した制震システムで大きな制震効果を発揮するシステムを提供する。 - 特許庁

To prevent corrosion on the intersection of leading lines, connected to scanning signal lines caused by ionic impurities dissolving from a sealing material, in an active matrix type liquid crystal display device having a black matrix to be at the same potential as that of a counter electrode.例文帳に追加

対向電極と同電位となるブラックマトリクスを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、シール材から溶出するイオン性不純物に起因する、走査信号ラインに接続された引き回し線の交点の腐食を防止する。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device equipped with thin film transistors(TFTs) as switching elements, in which a large storage capacitance can be obtained even when the thickness of an insulating film between electrodes is not decreased or even when electrodes are not extended to a pixel region.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型表示装置に関し、電極間の絶縁膜を薄くしなくても、また、電極を画素領域に拡げなくても大きな蓄積容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

As indicated in Case 2-1-8 above, the industry association is performing an active role in "Tourism Type". This is thought to be against a background of the significant effect rendered on individual enterprises by the state of attracted customers for the entire community and the facilitation of common advantages and disadvantages for members.例文帳に追加

「観光型」では前掲事例2-1-8のように、業界の組合組織が積極的な役割を果たしているが、これは、地域全体の集客状況が個別の企業に与える影響が大きく、組合構成員の利害が一致しやすいことが背景にあると考えられる。 - 経済産業省

A substance obtained by subjecting β-type nickel hydroxide and at least one kind of additive selected from the group consisting of yttrium, gadolinium, erbium, ytterbium and oxides hydroxides, fluorides and chlorides of these metals to oxidation treatment with an oxidant in an alkaline solution is used as the positive electrode active material for a sealed type alkaline storage battery.例文帳に追加

密閉型アルカリ蓄電池用正極活物質として、β型水酸化ニッケルと、イットリウム、ガドリニウム、エルビウム、イッテルビウム、並びにこれらの金属の酸化物、水酸化物、フッ化物及び塩化物から選ばれた少なくとも１種の添加剤とを、アルカリ水溶液中で酸化剤で酸化処理して得られたものを使用する。 - 特許庁

To provide a pharmaceutical composition containing a compound having low adverse effects and exhibiting excellent human SGLT inhibiting activity as an active component and useful for the treatment or prevention of hyperglycemia, glucose intolerance, diabetes-related diseases and diabetic complications caused by type 1 diabetes, type 2 diabetes, pregnancy diabetes and other factors.例文帳に追加

副作用が低く優れたヒトSGLT阻害活性を示す化合物を有効成分として含有し、１型糖尿病、２型糖尿病、妊娠糖尿病、その他の要因による高血糖症、耐糖能不全、糖尿病関連疾患または糖尿病合併症を治療または予防するための医薬組成物を提供すること - 特許庁

The new pharmaceutical is an autoimmune dermatosis curative agent with, as an active ingredient, a polypeptide that is specifically bindable to an autoantibody to human XVII-type collagen, wherein the polypeptide comprises an amino acid sequence constituting the NC16A domain of the human XVII-type collagen or a partial amino acid sequence thereof.例文帳に追加

ヒトXVII型コラーゲンに対する自己抗体と特異的に結合するポリペプチドを有効成分とする自己免疫性皮膚疾患治療薬であり、好ましくはポリペプチドがヒトXVII型コラーゲンのNC16A領域を構成するアミノ酸配列又はその部分アミノ酸配列からなる、自己免疫性皮膚疾患治療薬である。 - 特許庁

The passive matrix type or the active matrix type organic thin film light emitting display is provided with first electrodes 2 arranged in a plurality of stripes on a transparent substrate 1, second electrodes 3 arranged along a crossing direction with respect to the electrodes 2 and in a plurality of stripes and at least an organic light emitting layer 4 which is held between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

透明基板１上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極２と、第一の電極２と交差する方向に短冊状に配置された複数列の第二の電極３とを有し、第一の電極２と第二の電極３との間に少なくとも有機発光層４を挟持してなるパッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型の有機薄膜発光ディスプレイである。 - 特許庁

To reduce manufacturing cost by improving productivity and a yield of an electrooptical device by reducing the number of processes of manufacturing a pixel part having a reverse stagger type thin-film transistor, and a terminal part, and specifically reducing the number of photomasks used in a photolithography process, in an electrooptical device typified by an active matrix type liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する画素部及び端子部を作製する工程数を削減して、具体的にはフォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクの枚数を削減して、電気光学装置の生産性、歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現することを課題とする。 - 特許庁

The active system server transmits the record stored in the DB as first information along with information about a type showing the first information to the embedded server, and transmits an updated record as second information along with information about a type showing the second information to the embedded server when update of the record occurs.例文帳に追加

現用系サーバは、ＤＢが有するレコードを第１の情報として第１の情報を示す種別の情報と共に組み込みサーバに送信するとともに、レコードの更新が発生した場合には、更新されたレコードを第２の情報として第２の情報を示す種別の情報と共に組み込みサーバに送信する。 - 特許庁

The p-type ground regions PGD are formed closer to an end side of the primary surface than to the pair of elements DR and the active barrier structures AB so as to keep away from the region sandwiched by the pair of elements DR on the primary surface, and are the regions to which ground potential can be applied and are electrically connected to the p-type regions.例文帳に追加

ｐ型接地領域ＰＧＤは、主表面において１対の注入元素子ＤＲに挟まれる領域を避けて１対の注入元素子ＤＲおよびアクティブバリア構造ＡＢよりも主表面の端部側に形成され、かつｐ型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能な領域である。 - 特許庁

A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1.例文帳に追加

活性層であるＩｎを含む窒化物半導体１を反応容器１０内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるｐ型窒化物半導体２の前駆体とｐ型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体１の表面にパルスレーザ３を照射する。 - 特許庁

A waveguide structure composed of waveguide core layers 12, 14 comprising n-type GaInNAs layer as group III-V compound semiconductor including N (nitrogen) and lattice matching with a GaAs substrate 10, and waveguide clad layers 13, 15 comprising n^++-type GaAs layer are provided on the side and on the opposite side of GaAs substrate 10 of the active layer 11.例文帳に追加

また、活性層１１のＧａＡｓ基板１０側、及びＧａＡｓ基板１０の反対側に、Ｎ（窒素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるｎ型のＧａＩｎＮＡｓ層からなりＧａＡｓ基板１０と格子整合する導波路コア層１２、１４と、ｎ^＋＋型のＧａＡｓ層からなる導波路クラッド層１３、１５とから構成される導波路構造を設ける。 - 特許庁

The serum cholesterol-reducing agent and serum cholesterol-reducing food products or drink products comprise (-)Cg and (-)GCg isomers in non epi type catechin esters or their mixtures as active ingredients, based on the knowledge from comparison on the serum cholesterol-reducing effects of eight kinds of catechins, that (-)Cg and (-)GCg isomers in the non epi type catechin esters have more excellent serum cholesterol-reducing effects.例文帳に追加

８種類のカテキンについて血清コレステロール降下作用試験を行った結果、エステル型カテキン類、中でも非エピ体である（−）Ｃｇ及び（−）ＧＣｇにより一層優れた血清コレステロール降下作用を見出し、かかる知見に基づいて、（−）ＧＣｇ、（−）Ｃｇ或いはこれらの混合物を有効成分とする血清コレステロール低下剤及び血清コレステロール低下効果を備えた飲食物を提案する。 - 特許庁

A racemic type 4-[(4-halogenophenyl)(2-piperidyl)methoxy]- pyridine is reacted with an N-acyl-optically active amino acid to afford two kinds of diastereomer salts and either one of diastereomer salts is separated and collected by utilizing the difference of the resultant diastereomer salts to optically resolve the racemic type 4-[(4-halogenophenyl)(2-pyridyl)methoxy]- piperidine.例文帳に追加

ラセミ型４−〔（４−ハロゲノフェニル）（２−ピリジル）メトキシ〕ピリジンに、Ｎ−アシル−光学活性アミノ酸を作用させ、生成する２種のジアステレオマー塩の溶解度差を利用して、一方のジアステレオマー塩を分離・採取することを特徴とするラセミ型４−〔（４−ハロゲノフェニル）（２−ピリジル）メトキシ〕ピペリジンの光学分割方法。 - 特許庁

A portion of the p-type clad layer and the p-type contact layer constitute striped ridge portions 30a and 30b, and regions of the active layer which correspond to the ridge portions respectively are a laser projection end surface 32a for recording and a laser projection end surface 32b for reproduction, and laser beams 33a and 33b for recording and reproduction are emitted.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の一部及びｐ型コンタクト層は、ストライプ状のリッジ部３０ａ、３０ｂを構成しており、活性層のうちリッジ部に対応する領域がそれぞれ、記録用レーザ出射端面３２ａ、再生用レーザ出射端面３２ｂとなっており、記録用、再生用レーザ３３ａ、３３ｂが放射される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is constituted by forming a crystal layer with a slanting crystal surface oblique to a main surface of a substrate on the substrate and then forming a 1st conductivity type layer, and active layer, and a 2nd conductivity type layer which extend in a plane parallel to the slanting crystal surface on the crystal layer, and then removing the vicinity of a peak.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、上記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層、活性層、及び第２導電型層を上記結晶層に形成してなり、頂部近傍を除去した形状であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain, in a low production cost, a feeding type insect pest- controlling composition for exterminating feeding type harmful insect pests such as harmful terrestrial and aquatic mollusks and arthropods belonging to the order Isopoda, capable of developing high exterminating effect in a lower content of active ingredient for pest control without requiring a capturing device, or the like, for exclusive use and scarcely having a bad influence upon environment.例文帳に追加

専用の捕獲器等を必要とせず、より少ない害虫駆除有効成分含有量で、高い駆除効果を発現する製造コストを低く抑えた、環境上も悪影響の少ない、有害な陸棲・水棲軟体動物、等脚目節足動物用の摂食性害虫駆除組成物を提供すること。 - 特許庁

This aldehyde-containing air purifying agent composition contains supported particles formed by supporting at least a single type of hydrazide compound of 5-70 pts.wt. as active ingredients relative to at least single type of porous inorganic particles of 100 pts.wt. selected from silica gel particles and alumina particles, and the pore volume of the supported particle is 0.1-2.0 ml/g.例文帳に追加

シリカゲル粒子およびアルミナ粒子から選択される少なくとも1種の多孔質無機粒子の１００重量部に対し、ヒドラジド化合物の少なくとも1種の５〜７０重量部を担持してなる担持粒子を有効成分として含み、当該担持粒子の細孔容積が０．１〜２．０ｍｌ／ｇである、アルデヒド含有空気浄化剤組成物。 - 特許庁

To provide a new driving method capable of realizing a format transformation at the time of inputting a conventional video signal for low resolution to an active matrix type semiconductor display device or a passive matrix type semiconductor display device which is made to correspond to high resolution without using an external device and also, at the same time, capable of improving apparent resolution in the outline part of a picture.例文帳に追加

高解像度に対応したアクティブマトリクス型半導体表示装置あるいはパッシブマトリクス型半導体表示装置に、従来の低解像度用のビデオ信号を入力する際のフォーマット変換を、外部の装置を用いることなく実現し、同時に画像の輪郭部における見かけ上の解像度を改善する新たな駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a typical embodiment, the semiconductor structure includes: a quaternary material layer using a BAlGaN material system with a first conductivity type formed approximately without phase separation; a quaternary material active layer using a BAlGaN material system approximately without phase separation, and another quaternary material layer using a BAlGaN material system with a reverse conductivity type formed approximately without phase separation.例文帳に追加

典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 - 特許庁

Differently from the conventional case where the magnitude of the refractive index or band gap is considered, the overflow of electrons from the first p-type clad layer 17 or a second p-type clad layer 19 can be suppressed certainly, because the ΔEc of the electron barrier layer 16 with respect to the active layer 14 can be enlarged certainly.例文帳に追加

従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃを確実に大きくすることができ、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to directly mount a current inductive type recording element and a magnetoresistance type reproduction element in a conventional active head slider because the built-in of wiring for recording/reproducing and wiring for actuator control is required in a small moving part in order to move a recording and reproducing element by using a minute actuator.例文帳に追加

従来のアクティブヘッドスライダでは、微小アクチュエータによって記録再生素子を動かそうとすると、小さな可動部に記録再生用の配線およびアクチュエータ制御用の配線を組み込む必要があり、現状のインダクティブ型記録素子および磁気抵抗型再生素子をそのまま搭載することは困難である。 - 特許庁

Namely, in a nitride gallium light-emitting device, there are provided: the graphite strip 2 used as one electrode; an active layer put between an n-type gallium nitride semiconductor layer 3 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 5 on a part or the whole of a front surface of the graphite strip; and a partial electrode 6 used as the other electrode in an outermost semiconductor layer.例文帳に追加

すなわち、窒化ガリウム系発光素子において、一方の電極となるグラファイトストリップと、該グラファイトストリップの表面の一部又は全面に、ｎ型窒化ガリウム半導体層とｐ型窒化ガリウム半導体層に挟まれた活性層と、前記最外層の半導体層に他方の電極となる部分電極と、を設けた線状発光素子である。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.例文帳に追加

、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same.例文帳に追加

複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がＳＯＩ型構造の少なくとも１つの活性半導体層から、ＳＯＩ型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

This element includes an n type MgxZn1-xO clad layer 5, an InyGa1-yN active layer 11 formed thereupon, a p type MgzZn1-zO clad layer 15 formed thereupon, a 1st electrode 23 which electrically forms a contact for the clad layer 5, and a 2nd electrode 25 which electrically forms a contact for the clad layer 15.例文帳に追加

ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５と、その上に形成されたＩｎ_yＧａ_1-yＮ活性層１１と、その上に形成されたｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５と、ｎ型Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯクラッド層５に対して電気的にコンタクトを形成する第１の電極２３と、ｐ型Ｍｇ_zＺｎ_1-zＯクラッド層１５に対して電気的にコンタクトを形成する第２の電極２５とを含む。 - 特許庁

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced.例文帳に追加

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method for the coating of a substrate surface with a coating material composition, enabling the application of a powder coating material with a coating facility similar to the conventional facility for solvent- type coating materials without using a special coating facility for powder coating materials and free from the problems of the solvent-type coating materials even in the case of coating a highly active material such as magnesium or a magnesium alloy.例文帳に追加

粉体塗料専用の塗装設備を使用する必要がなく、従来の溶剤型塗料に準じた塗装設備で粉体塗料を塗装でき、しかもマグネシウムやマグネシウム合金の様に活性が大きい素材を塗装しても上記のような問題が生じない塗料組成物を用いて基材表面を塗装する塗装方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。 - 特許庁

A wafer 220 for nitride-based compound semiconductor elements is formed by laminating an n-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor containing Al at least partially, an active layer formed of a nitride-based compound semiconductor, and a p-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor layer containing Al at least partially on a substrate 201 formed of a nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体素子用ウェハー２２０は、窒化物系化合物半導体からなる基板２０１の上に、少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｎ型クラッド層、窒化物系化合物半導体からなる活性層及び少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｐ型クラッド層が積層されてなる。 - 特許庁