「alignment pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To accurately expose a second pattern in alignment by compensating the error of a first exposure and the distortion of a printed board when the first exposure is a D/D system and a second exposure is a GA system.例文帳に追加

第１露光がＤ／Ｄ方式で、第２露光がＧＡ方式の場合に、第１露光の誤差とプリント基板の歪みを補償して第２パターンを精度良くアライメントにて露光させる。 - 特許庁

Pre-alignment is corrected in first pattern formation by using a photomask with plural transparent windows on a peripheral part of a wafer.例文帳に追加

また、ウエファ周端部の品質上不完全領域にはパターンを形成しない方法ではウエファとフォトマスクの合わせずれの確認ができず、パターンずれが発生してしまう問題があった。 - 特許庁

This article group stacking device 1 is provided with a liftable/lowerable conveyance means 11 receiving an article group A in an alignment pattern from an article group formation means 3 and conveying the article group A to a conveyance direction.例文帳に追加

物品群積付け装置１は、物品群形成手段３から整列パターンの物品群Ａを受け入れて搬送方向に搬送する昇降可能な搬送手段11を備える。 - 特許庁

In EGA optimization simulation, the alignment processing parameters are optimized while taking account of the linewidth variation of a pattern formed, using results of EGA simulation performed using measurement results of first time wafer alignment(EGA measurement), and results of EGA simulation performed using measurement results of second time wafer alignment(EGA measurement) (steps S38, S39, S42, S43).例文帳に追加

ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、第１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、第２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いて、形成されたパターンの線幅変動も考慮して、アライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。 - 特許庁

The indicator comprises: at least one alignment mark formed on the gate pad section 114 and the data pad section 115 of the unit liquid crystal display panel 100; and at least one discrimination pattern 102 of the stock removal between the end of the gate pad section 114 and the alignment mark, and between the end of the data pad section 115 and the alignment mark.例文帳に追加

単位液晶表示パネル１００のゲートパッド部１１４及びデータパッド部１１５に形成された少なくとも一つの整列マークと、前記ゲートパッド部１１４の端部と整列マーク間、そして前記データパッド部１１５の端部と整列マーク間に少なくとも一つの研磨量識別パターン１０２と、を包含して液晶表示パネルの研磨量判断表示器を構成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a first wiring 48 and a first alignment wiring 49 embedded in a first low dielectric constant film 47 are formed, and a substrate 30, where a conductor protruding pattern comprising an alignment electrode 45 and a wiring original mold 46 is formed, faces a substrate where a polymer film 50, on which a low dielectric constant film resin is formed, is formed, for rough alignment.例文帳に追加

半導体基板１上に第１の低誘電率膜４７に埋め込まれた第１の配線４８および第１の目合わせ配線４９を形成し、その上に低誘電率膜樹脂を形成するプレポリマー膜５０を形成した基板に、目合わせ電極４５と配線元型４６からなる導電体凸パタンの形成された基板３０を対向し、粗目合わせを行なう。 - 特許庁

Since a patterned light blocking film 102 is formed on the rear side of a substrate 101 and used as a photomask for forming a pattern of the gate electrode 103 and a pattern of the source and drain electrodes 108 on the front side of the substrate, the number of photomasks is reduced, and self-alignment between the gate electrode and the source and drain electrodes is carried out, thereby improving the alignment accuracy of these electrodes.例文帳に追加

パターニングされた遮光膜１０２を基板１０１裏面側に形成し、基板表面側に形成されるゲート電極１０３およびソース・ドレイン電極１０８のパターン形成用のフォトマスクとして共用することにより、フォトマスク数が低減されると共に、ゲート電極とソース・ドレイン電極の位置合わせが自己整合的に行われるため互いの合わせ精度が向上する。 - 特許庁

This invention in related to the formation of a semiconductor device laminated on a substrate 1 including a step forming laminated bodies 2, 3, 4, 5 as well as a forming step of a circuit element by photolithography including the formation of an alignment mask, the reference pattern by the aperture of the alignment mask as well as another mask specifying the circuit element aligned with the reference pattern.例文帳に追加

本発明は、基板（１）上に積層体（２，３，４，５）を形成する工程と、位置合わせマスクの形成、このマスクの開口部による基準パターンの形成、及びこの基準パターンに位置合わされた回路素子を規定するマスクの形成を含むフォトリソグラフィにより回路素子を形成する工程を具える基板上に集積化された半導体装置を形成する方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a registration method for a wafer electrode and an alignment method for a wafer capable of improving the reliability of wafer processing, such as inspection, and reducing the load of operator, by releasing the operator from each operation for reference pattern selecting and pattern matching.例文帳に追加

検査等のウエハ処理の信頼性を向上させることができると共に、オペレータを基準パターンの選択やパターンマッチングの各作業から解放してオペレータの負荷を軽減することができるウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法を提供する。 - 特許庁

For instance, by pressing a mold including a part having a fine pattern of lines and spaces and a part not having the fine pattern to the polymer liquid crystal, a part aligned in a specified direction and a part of random alignment are intentionally arranged and simultaneously formed in the liquid crystal.例文帳に追加

たとえば、ラインアンドスペースの微細パターンを有する部分と有しない部分とを含むモールドを高分子液晶に押し付けることによって、当該液晶中に、特定方向へ配向した部分と配向がランダムな部分とを意図的に配置して同時に形成する。 - 特許庁

The scanning type probe microscope is provided further with an acquisition-registering means for acquiring and registering a reference pattern for alignment, and a recipe formation means for recipe-registering the luminous energy to an illuminance when registering an image pattern to a recipe by the acquisition-registering means.例文帳に追加

さらに走査型プローブ顕微鏡は、アライメントのための参照用パターンを取得・登録する取得登録手段と、この取得登録手段によって画像パターンをレシピに登録した時の照度に光量をレシピに登録するレシピ化手段とを備える。 - 特許庁

To provide a method for verifying a design pattern by which design patterns are verified while predicting an inoperable state of a circuit due to displacement in alignment and to provide a method for correcting a design pattern by which the above design patterns are subjected to necessary correction in accordance with the results of the verification.例文帳に追加

合わせずれによって回路が動作できないことがあることを予測して設計パターンを検証する設計パターンの検証方法と、その検証の結果に応じて、設計パターンに必要な補正を施す設計パターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

Both of the liquid crystal cells are TN type liquid crystal cells, and comprise a pair of transparent substrates 7a and 7b stuck together one over the other across a seal material 6, pairs of pattern electrodes 8a to 8d showing a display pattern, alignment layers 9a to 9d, and liquid crystal materials 10a and 10b.例文帳に追加

両液晶セルはＴＮ型液晶セルであり、シール材６を介して重ね合わされた一対の透明基板７ａ，７ｂと、表示パターンを示す一対のパターン電極８ａ〜８ｄと、配向膜９ａ〜９ｄと、液晶材料１０ａ，１０ｂとからなる。 - 特許庁

When the negative pattern is superposed on a plurality of shot positions on the wafer and exposure is carried out, mark positions at a plurality of specific shot positions among the plurality of shot positions are measured, and correction amounts are computed based on the statistical treatment of the measured values to carry out the alignment between the negative pattern and the wafer.例文帳に追加

原板パターンをウエハ上の複数ショット位置に重ね合わせ露光する際、複数のショット位置のうち複数の特定ショット位置におけるマーク位置を計測し、計測値の統計処理から補正量を計算し原板とウエハの位置合わせを行う。 - 特許庁

At the time of transferring a pattern by using a complementarily divided mask 4, alignment marks 3a and 3b are put on the scribed line 2 of a wafer 1 to be exposed and, at the same time, commonly used by adjacent original pattern regions in a shared state.例文帳に追加

相補分割マスク４を用いてパターン転写を行うのにあたり、被露光体であるウエハ１のスクライブライン２上にアライメントマーク３ａ，３ｂを配するとともに、隣り合う原パターン領域同士でスクライブライン２上のアライメントマーク３ａ，３ｂを共有する。 - 特許庁

The pattern face includes a first area having a device pattern and a second area having the alignment mark, and when the uncured resin and the mold are pressed to each other, the pattern face is configured so that a second time when a recess part of the second area is charged with the uncured resin is after a first time when a recess part of the first area is charged with the uncured resin.例文帳に追加

パターン面は、デバイスパターンを有する第１領域とアライメントマークを有する第２領域とを含み、未硬化樹脂と型とが互いに押し付けられた場合に、第１領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第１時刻より、第２領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第２時刻が後になるように構成される。 - 特許庁

To enable multicolor superimposition printing at least positioned in high accuracy in a case of printing the pattern on the web film base material by forming a pattern by a first transfer on a roll-to-roll continuous film and conducting a second transfer at the pattern formed by the first transfer to the web film base material, and further achieve space saving in an alignment mechanism.例文帳に追加

ロール・ツー・ロールの連続したウェブフィルムに一次転写によりパターンを形成し、更に、一次転写により形成されたパターンをウェブフィルム基材に二次転写することにより、ウェブフィルム基材にパターンを印刷する場合に、少なくとも、高精度に位置決めされた多色重ね合わせ印刷を可能にし、さらには、アライメント機構を省スペースにする。 - 特許庁

A foundation pattern 6 consisting of a cyclic rugged pattern is formed between the groove 5 and the optical waveguide 30 on the one surface side of the substrate 1, and an optical coupling device 40 consisting of a refractive index cyclic structural body for optically coupling the optical fiber 20 and the optical waveguide 30 is formed in a self-alignment manner on the pattern 6.例文帳に追加

支持基板１の上記一表面側において位置決め溝５と光導波路３０との間に周期的な凹凸パターンよりなる下地パターン６が形成されており、光ファイバ２０と光導波路３０とを光結合する屈折率周期構造体よりなる光結合デバイス４０が、下地パターン６上に自己整合的に形成されている。 - 特許庁

To surely visually verify the alignment between NC-punched holes formed in the manufacturing process of a printed board and etched lands, after a pattern is printed.例文帳に追加

プリント配線板の製造工程のＮＣ穴明けがパターン印刷後に、エッチングされたランドと位置が合っているかどうかを目視により確実の検証できるプリント配線板の検査方法を提供する。 - 特許庁

A base alignment mark can be directly detected from a face of the color filter material 49 in a shorter distance from a substrate 41 in the transfer and expose of the pattern, so that detection error is reduced and thus image degradation is reduced.例文帳に追加

また、上記パターン転写露光時に下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小さくして画質劣化を少なくする。 - 特許庁

Since accurate alignment can be executed by the reflection-type pattern transfer device, the transfer device of high throughput can be provided through the use of a mask for the charged particle beam exposure of the reflection type.例文帳に追加

本発明によれば、反射型のパターン転写装置で高精度なアライメントが行なえるようになるため、反射型の荷電粒子ビーム露光用のマスクを使って高スループットの転写装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a display apparatus and a method for fabricating a liquid crystal display apparatus for preventing generation of stripe pattern stains on a display panel, and to provide an apparatus for forming a layer and an apparatus for forming an alignment layer.例文帳に追加

表示パネルの縞模様染み発生を防止できる表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法並びに膜形成装置及び配向膜形成装置を提供する。 - 特許庁

Under a state that a mask 15 is positioned on the formed alignment mark 7, an exposure process is applied to a back surface of the main substrate 1 through the mask 15 to form a pattern on the back surface of the main substrate 1.例文帳に追加

そして、形成されたアライメントマーク７とマスク１５とが位置決めされた状態で、マスク１５を介して本体基板１の裏面側に露光させ、本体基板１の裏面側にパターンを形成する。 - 特許庁

When the number of stripes is within the target number of stripes range A, the alignment processing is automatically moved to pattern analysis processing, and the interference patten is analyzed to digitize the aberration of analyte (step S203).例文帳に追加

縞本数が目標縞本数範囲Ａ内であった場合には、自動的にアライメント処理から縞解析処理に移行し、干渉縞を解析して被検体の収差が数値化される（ステップＳ２０３）。 - 特許庁

When the two alignment marks are detected, the work stage 3 is shifted so that they should become a predetermined positional relationship, and thus, exposing light is irradiated from the light emitter 1 so as to expose the mask pattern to the work piece W.例文帳に追加

２つのアライメントマークが検出されると、それらが所定の位置関係になるようにワークステージ３を移動し、光照射部１から露光光を照射し、ワークＷにマスクパターンを露光する。 - 特許庁

To provide an overlay vernier of a semiconductor element that not only prevents pattern defects due to a level difference thereof caused when carrying out the exposure for forming a sub vernier but also accurately measures the alignment degree thereof.例文帳に追加

子バーニアを形成するための露光工程時に段差によるパターン不良が生じるのを防止し、整列度を正確に測定できる半導体素子のオーバーレイバーニアとその製造方法を提供する。 - 特許庁

An alignment board 35 for aligning a lead wire 31 extending from a ceramic board 10 on which a plurality of elements 21 and 22 are mounted has a nearly rectangular insulating board 35b and a flat pattern 80 formed on the insulating board 35b.例文帳に追加

複数の素子21、22が実装されたセラミック基板10から延びるリード線31を整列させる整列板35は、略長方形の絶縁基板35bとその絶縁基板35b上に形成されたベタパターン80を有している。 - 特許庁

An alignment mark, a black matrix formed on a color filter substrate, or a gate electrode pattern formed on an array substrate are distinguished from one another, and a position coordinate of a distinguished object is acquired (S304).例文帳に追加

アラインメントマーク、カラーフィルター基板に形成されたブラックマトリクスあるいはアレイ基板に形成されたゲート電極パターンなどを識別して、識別した対象の位置座標を取得する（Ｓ３０４）。 - 特許庁

An alignment mark and a superposition inspection mark each include a main body mark part 5, and first and second auxiliary pattern parts 6 formed along two opposite side ends of the main body mark part 5.例文帳に追加

アライメントマーク及び重ね合わせ検査マークは各々、本体マーク部５と、この本体マーク部５の相対する２つの側端部それぞれに沿って形成された第１、第２の補助パターン部６とを含む。 - 特許庁

To be easy of the alignment of a decorative sheet in relation to a mold cavity surface and to prevent the occurrence of the defective appearance of a resin molding caused by the breaking and creasing of the decorative sheet and the cracking of a pattern layer.例文帳に追加

金型キャビティ面に対する加飾シートの位置あわせが容易で、加飾シートの破れやシワや図柄層の割れに起因する樹脂成形品の外観不良が生じないようにする。 - 特許庁

For example, the multivalue pattern having five kinds of monochrome concentration gradients are used, and alignment is made so that there is no same repetition and 0 gradations do not form in a line each other between adjacent patterns.例文帳に追加

例えば、モノクロの５種類の濃度勾配を持った多値のパターンを使用し、同じ繰り返しがないように、また隣接するパターン間にて０階調同士が並ばないように配列を行った。 - 特許庁

To provide a multi-core cable connector in which alignment of signal lines of a cable and soldering of the signal lines to a wiring pattern are facilitated, and mismatching of impedance on the substrate is made minimum.例文帳に追加

ケーブルの信号線の整列と、該信号線の基板の配線パターンへの半田付けとを容易にし、かつ基板上でのインピーダンスの不整合を最小限とする多芯ケーブルコネクタを提供する。 - 特許庁

In the exposure device 1 exposing a mask pattern on a substrate 100 by aligning the substrate 100 and a mask 4, an alignment mark 51 arranged on a stage 2, a laser-length measurement system 6, and cameras 7 are mounted.例文帳に追加

基板１００とフォトマスク４とを位置合わせして基板１００にマスクパターンを露光する露光装置１において、ステージ２に配置されたアライメントマーク５１と、レーザー測長系６と、カメラ７とを備える。 - 特許庁

To provide an exposing method in which a substrate can properly and inexpensively be positioned by a method using an alignment mark whatever arrangement style a pattern formed on the substrate takes.例文帳に追加

基板上に形成されるパターンがどのような配置態様をとる場合でも、アライメントマークを利用した手法により基板の位置決めを適正にかつ安価に行うことができる露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic mask loading device prior to thin film pattern deposition in which a mask is surely taken out sheet by sheet from a mask pallet to perform mask alignment with high accuracy.例文帳に追加

薄膜のパターン成膜に先立って、マスクを基板に自動装着する装置において、マスク収納パレットより１枚ずつ確実にマスクを取り出し、高精度に位置合わせして基板に装着する。 - 特許庁

If it has reached the threshold, it is decided whether the diffuse reflection component of the detected waveform has reached a threshold (S13); and if it has not reached the threshold, a first pattern size is used (S14) and color alignment is started.例文帳に追加

達していた場合、検出波形の拡散反射成分はしきい値に達していないかを判断し（Ｓ１３）、達していない場合、１番目のパターンサイズを採用し（Ｓ１４）、色合わせを開始する。 - 特許庁

To provide an exposure method capable of exposing a complementary split pattern on a mask with high precision and high efficiency, an alignment method therefor, and a semiconductor device manufacturing method capable of enhancing the yield thereof.例文帳に追加

マスク上の相補分割パターンを高精度かつ高効率で露光できる露光方法と、そのためのアライメント方法と、半導体装置の歩留りを高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Self-alignment action works on the light-emitting element 1 under surface tension of the solder, resulting in precision mounting along the metallizing pattern 3.例文帳に追加

この状態のままを保って加熱すると、半田が溶融して半田の表面張力の作用により発光素子１にセルフアライメント作用が働いて、メタライズパターン３に沿った高精度な実装が出来上がる。 - 特許庁

To increase the storage capacity and improve the data transfer speed by aligning an optical system to an optical light storage medium even if no alignment pattern is added signal light.例文帳に追加

信号光中に位置合わせ用パターンを付加しなくても、光学系と光記録媒体の位置合わせをすることができ、記録容量の増加およびデータ転送速度の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a photomask capable of improving a shift in transfer position due to an abbreviation of a projection lens, an alignment error due to a measurement error resulting from pattern asymmetry, and a decrease in superposition inspection precision.例文帳に追加

投影レンズの収差に起因した転写位置のずれや、パターン非対称による計測誤差に起因したアライメント誤差、及び重ね合わせ検査精度の低下を改善できるフォトマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a product with an alignment mark that enables spatially varying reflective properties by using a pattern of fine lines for different polarization components for radiation of selectable orders of diffraction.例文帳に追加

選択可能な回折次数の放射のために様々な偏光成分に対する微細なラインパターンにより空間的に変化する反射特性を可能にするアライメントマークを製品にもたらすことである。 - 特許庁

Further, the lens assembly 40 located above the imaging device 14 is depressed in two-dimensional directions by the two-dimensional direction pressing springs 50a to 50c, pressed into contact with and fixed to the projective origin alignment pattern 30.例文帳に追加

さらに、撮像素子１４の上方に配置されたレンズアセンブリ４０が２次元方向押圧バネ５０ａ〜５０ｃによって２次元方向に押圧されて、原点位置決めパターン３０に当接して固定されている。 - 特許庁

A template includes a pattern portion 12 that is provided on a substrate 10 and corresponds to a pattern transcribed to the wafer; and an alignment mark portion 11 that is provided on the substrate 10, is used to align with the wafer, and has a higher refractive index than that of the substrate 10.例文帳に追加

本実施形態のテンプレートは、基板１０上に設けられ、ウェハに転写されるパターンに対応するパターン部１１と、基板１０上に設けられ、ウェハとの位置合わせに用いられ、基板１０の屈折率より高い屈折率を有するアライメントマーク部１１と、を含む。 - 特許庁

A manufacturing method of the SAW device comprises a pattern formation process for forming a conductor pattern including an interdigital electrode on a piezoelectric wafer in which the SAW device should be formed, and providing the alignment mark on the piezoelectric wafer; and a cutting process for cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer.例文帳に追加

ＳＡＷ装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成すると共に、圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、圧電ウェハを切断して圧電ウェハを分割する切断工程とを含むＳＡＷ装置の製造方法である。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁