「alignment pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor crystal (an epitaxial substrate) capable of improving the alignment precision for a mask pattern with reference to an orientation flat in a device manufacturing process without reducing the device forming region of a substrate.例文帳に追加

基板のデバイス形成領域を狭めることなく、デバイス製造プロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準とするマスクパターンの位置合わせの精度を向上させることができる化合物半導体結晶（エピタキシャル基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of upper and lower press molding dies whose countering molding edges are identical in length and concavo-convex pattern alignment, a configuration terminal molded on a metal sheet 1 is fitted to the opposite side terminal and subsequent press molding is continued in lengthwise and widthwise.例文帳に追加

相対する成形辺が同一の長さで、同じ凹凸形状が整列するプレス上下型の場合に、金属板１に成形した形状端末をプレス型の反対側の端末に嵌合して、次のプレス成形を縦、横共にし続ける。 - 特許庁

To confirm alignment deviation between a protrusive electrode of a semiconductor chip and a terminal part of a wiring pattern of a flexible wiring board by visual inspection, in a liquid crystal display provided with the flexible wiring board on which the semiconductor chip is mounted.例文帳に追加

半導体チップが実装されるフレキシブル配線基板を備える液晶表示装置において、外観検査で、半導体チップの突起状電極と、フレキシブル配線基板の配線パターンの端子部との間のアライメントずれを確認可能とする。 - 特許庁

For the stencil reticule for the charged particle ray alignment, the opening part corresponding to a shape of an individual element graphic of a pattern is provided on the membrane, and a surface of the membrane is made hydrophobic.例文帳に追加

メンブレンにパターンの個別要素図形の形状に対応した開口部を設けた荷電粒子線露光用のステンシルレチクルであって、 前記メンブレンの表面が疎水性とされていることを特徴とする荷電粒子線露光用ステンシルレチクルとした。 - 特許庁

A reflection-type pattern transfer apparatus, having a beam source for radiating charged particle beams, a first stage for mounting a mask 103 and a second stage for mounting a wafer provides a accurate alignment method for reflecting to the control of a wafer stage 105 and a mask stage 104.例文帳に追加

荷電粒子ビームを照射する線源と、マスクを載置する第１のステージと、ウェハを載置する第２のステージをもつ反射型のパターン転写装置で、ウェハステージ、マスクステージの制御に反映するための高精度なアライメント方法を提供する。 - 特許庁

The pattern forming apparatus 100 carries out the steps of: scanning a base material 303 with a CCD camera 302 to acquire the image data or the like of an alignment mark (step 502); and subjecting the image data to image processing to acquire the measurement data relating to the base material length (step 503).例文帳に追加

パターン形成装置１００は、ＣＣＤカメラ３０２により基材３０３上を走査し、アライメントマークの画像データ等を取得し（ステップ５０２）、画像データについて画像処理を行い、基材長に関する測定データを取得する（ステップ５０３）。 - 特許庁

The light source 15 makes the alignment arrangement where a lengthwise demarcation line 33 between the adjoining luminous elements 30 crosses the turning direction of the mirror 22, and the horizontal demarcation line 35 runs in line with the same, getting rid of horizontal stripes or dark spots from the light distribution pattern.例文帳に追加

光源１５は、隣接する発光素子３０の縦方向の境界線３３をミラー２２の回動方向と交差させ、横方向の境界線３５を回動方向から遮る素子配列を備え、配光パターンから横縞や暗部を解消する。 - 特許庁

To provide a stable self alignment type phase shift mask which can prevent deterioration in transfer accuracy caused by multiple reflection on a wafer surface and a light shielding pattern surface, which has excellent phase shift mask characteristics, and which requires a short manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

ウェハー面と遮光パターン表面で多重反射による転写精度の劣化を防止し、位相シフトマスク特性に優れ、製造工程が短く、安定した自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Alignment marks 25a, 25b are provided in an inner region inside the outer periphery of an electrode pattern constituted of a plurality of electrodes 24 of a first conductivity type and a plurality of electrodes 25 of a second conductivity type formed on one surface side of a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板２１の一方の面側に形成された複数の第１導電型用電極２４および第２導電型用電極２５からなる電極パターンの外周より内側の内部領域にアライメントマーク２５ａ，２５ｂを有する。 - 特許庁

By arranging the pattern film 6b, the surface level differs on the side of the TFT array substrate 200 in contact with the liquid crystal layer 50, and this prevents alignment failures in the liquid crystal molecules due to a lateral electric field occurring between adjacent pixel electrodes.例文帳に追加

パターン膜６ｂが配置されることにより、ＴＦＴアレイ基板２００の液晶層５０に接する側の表面に段差が設けられ、隣り合う画素電極間で生じる横電界による液晶分子の配向不良の発生が防止される。 - 特許庁

Therefore, the recognition pattern can be picked up through the detection window, so that an alignment accuracy between the circuit forming body and electronic component can be improved and the electronic component can be also mounted in high density, permitting the improvement of productivity and reduction of cost.例文帳に追加

よって、上記検出用窓を通して上記認識用パターンを撮像できるので、上記回路形成体と上記電子部品との位置合わせ精度が上がり電子部品の高密度実装が可能となり、生産性の向上、コストダウンを図ることができる。 - 特許庁

The number of manufacturing processes for the alignment marks for aligning the photo resist pattern for forming the active region of the high voltage semiconductor device is reduced, and failure generated when an element separating film is subsequently formed is removed in advance, so that the manufacturing processes are made easier.例文帳に追加

高電圧半導体装置の活性領域を形成するためのフォトレジストパターンをアラインするためのアラインメントマークの製造工程の数を減少させ、後続に素子分離膜を形成するときに発生する不良を事前に除去して製造工程が容易である。 - 特許庁

In the color filter comprising the respective coloring layers of at least three primary colors provided on a transparent substrate, a protective pattern is provided around the peripheral mark such as an alignment mark existing in a non-display region of the color filter, and the full surface grinding is carried out after forming the coloring layers.例文帳に追加

透明基板上に、少なくとも３原色のそれぞれの着色層を設けたカラーフィルタにおいて、該カラーフィルタの非表示領域にあるアライメントマーク等の周辺マークの周りに保護パターンを設け、着色層形成後に全面研磨を実施する。 - 特許庁

Since a pattern with a height of 100 μm or more can be obtained by one operation, a treatment time is shortened as compared with lamination or the like due to screen printing performed heretofore and, since the operation of alignment or the like may be performed once, the processes can be simplified.例文帳に追加

一回の操作で高さ１００μｍ以上のパターンが得られることから、これまでのスクリーン印刷による積層等に比べ、処理時間が短縮されるとともに位置合わせ等の操作も一回でよいため、工程の簡略化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit board in which a metal pattern can be obtained selectively even on a high density circuit board by solving the problems of resolution in resist, limit of thinning of a film, and alignment.例文帳に追加

本発明の課題は、レジストにおける解像性及びフィルム薄膜化の限界、アライメント問題を解決し、高密度化された回路基板においても選択的に金属パターンを得ることができる回路基板の製造方法を提供することが本発明の課題である。 - 特許庁

The laminated semiconductor device, with a semiconductor chip mounted, comprises at least three layers of substrates 1, laminated together, each of which comprises dislocation detecting marks (or alignment marks) 6, with each having the same pattern and arranged at different rotational angles.例文帳に追加

積層型半導体装置は、半導体チップが搭載され、各々が同一パターン形状で且つ互いに異なる回転角で配置された位置ズレ検出用マーク（あるいはアライメント用マーク）６を有する基板１を３層以上積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

Three-color (R, G, B) organic emission coloring matter pattern layers 82 (82R, 82G and 82B) corresponding to three primary colors of light, and a marker 83 for alignment are arranged on one surface of a substrate body 81 for transmitting laser beams, thus composing the transfer base 80.例文帳に追加

レーザ光を透過可能な基板本体８１の一面に、光の３原色に対応する３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の有機発光色素パターン層８２（８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂ）と、位置合わせ用のマーカー８３とを配列させることにより、転写基板８０を構成する。 - 特許庁

To provide a method of controlling position by which an ultra-fine pattern can be formed in a highly reproducible state with high accuracy when an auto-alignment mechanism is unusable or the fine adjustment of a sample holder is difficult after the holder is fixed in a lithography step performed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程のリソグラフィー工程において、オートアライメント機構の使用が不可能な場合、またはサンプルホルダー固定後の微調整が困難な場合に極微細パターンを高精度で再現性良く形成できる位置制御方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a primary acceptance determining section determines whether or not the hole diameter D of a contact hole opening 42 and the alignment offset value A of a lower interconnection line 10 configured as a target pattern are within a predetermined standard range in a primary acceptance determination step (Step S4).例文帳に追加

第１合否判定部１８において、コンタクトホール開口部４２のホール径Ｄ及びターゲットパターンとしての下層配線ライン３０とのアライメント・オフセット値Ａがそれぞれ所定の規格範囲内に入っているか否かの１次合否判定を行う（ステップＳ４）。 - 特許庁

A temperature sensor 31 for detecting the thermal quantity of the rolling body by measuring the temperature of the roll surface for performing the alignment of a rolling gap pattern is incorporated outside the maximum width of the steel strip and in the roll center inside the nozzle girders 7, 8 for the work rolls 2, 3.例文帳に追加

ワークロール（２、３）用のノズルガーダ（７、８）の中に、最大鋼帯幅の外側で、かつロール中心で圧延間隙模型をアライメントするためのロール表面の温度測定によって圧延胴の熱的量を検出するための温度センサ（３１）が組込まれている。 - 特許庁

Then, the pattern matching of an image to be compared obtained by imaging an object to be compared arranged in a posture including the position deviation in the direction of rotation and the reference image is operated by using the 1st alignment point A1 as a reference so that any position error to be detected can be minimized.例文帳に追加

この１ｓｔアライメント点Ａ１を基準として、回転方向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている比較対象を撮像した比較対象画像と、基準画像とのパターンマッチングを行うことで、検出される位置誤差が最小になる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for precisely carrying out formation by recognizing an alignment mark for aligning a pattern to be formed in the upper layer even if a CMP(chemical mechanical polishing) method is used for forming buried wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械的研磨）法を用いて埋め込み配線を形成する場合であっても、その上層に形成するパターンを位置合わせするためのアライメントマークを認識できるかたちで的確に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the alignment film of the present invention includes a first stage of forming a pattern substrate 30 having a plurality of columnar bodies 31 slanting at a specified angle and a second stage of obtaining the alignment film made of a light-transmissive inorganic dielectric material by transferring shapes of the columnar bodies 31 to a film 41 made of a light-transmissive inorganic dielectric material by using a nanoimprint method.例文帳に追加

本発明の配向膜の製造方法は、所定角度で傾斜してなる複数の柱状物３１を具備した型基板３０を作成する第１工程と、前記柱状物３１の形状を透光性の無機誘電体材料からなる膜４１にナノインプリント法を用いて転写し、当該透光性の無機誘電体材料からなる配向膜を得る第２工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The image of a mask pattern is formed accurately on a substrate by determining correspondence between a scanning direction regulated on a first coordinate system for controlling movement of first stages 10, 11 holding a mask 12 and a scanning direction regulated on a second coordinate system for controlling movement of a second stage 4 holding a substrate 5 thereby enhancing alignment accuracy of the mask and the substrate at the time of scanning alignment.例文帳に追加

マスク（１２）を保持する第１ステージ（１０，１１）の移動を制御するための第１座標系で規定される走査方向と、基板（５）を保持する第２ステージ（４）の移動を制御するための第２座標系で規定される走査方向との対応関係を求めることによって、走査露光時のマスクと基板とのアライメント精度を向上させて、マスクのパターンの像を正確に基板上に形成する。 - 特許庁

The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.例文帳に追加

本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device with which no extinction pattern due to liquid crystal molecules is recognizable for a user even when the in-plane component of an orientation direction on voltage application is oriented along a crossed Nicols axis exist in the vertical alignment mode liquid crystal display device.例文帳に追加

垂直配向モードの液晶表示装置において、電圧印加時の配向方向の面内成分がクロスニコルに沿って配向するような液晶分子が存在していても、当該液晶分子に起因する消光模様を使用者が認識できない液晶表示装置を確実に提供する。 - 特許庁

Further, also on a reticle stage RST, the reticle R is matched mechanically with a predetermined reference in terms of an outer shape reference using a reference member 82, the reticle stage RST is moved so as to cancel the estimated drawing error of the pattern, and thereafter reticle alignment is implemented.例文帳に追加

また、レチクルステージＲＳＴ上においても、基準部材８２を用いてレチクルＲを外形基準で機械的に所定の基準に整合させるとともに、求めておいたパターンの描画誤差を相殺するようにレチクルステージＲＳＴを移動させた後に、レチクルアライメントを実施する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a color filter comprising color layers of three or more colors, an alignment mark formed by depositing color layers of at least two colors having high transmittance is used to form the pattern of a color layer having low transmittance.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、３色以上の着色層からなるカラーフィルタの製造方法において、透過率の高い少なくとも２色の着色層を積層したアライメントマークを用いて、透過率の低い着色層のパターンを形成するカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine and accurate pattern even on a substrate having high reflectivity, a substrate or the like in which a transparent film is interleaved by solving a problem (deterioration of a dimensional accuracy) due to halation or interference of a reflected light from the substrate and conducting an accurate mask alignment.例文帳に追加

基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題（寸法精度劣化）を解決し、精度の高いマスクアライメントを行うことで、反射率の高い基板，透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The cover lay 3 on the terminal part 5 is opened by laser processing using the alignment mark 8 to form an opening 7, and a pad 4 comprising carbon paste is printed and formed so as to be over the terminal part 5 exposed inside the opening 7 and the cover lay 3 on the dummy pattern 6.例文帳に追加

端子部５上のカバーレイ３は、アライメント用マーク８を用いたレーザ加工により開口されて開口部７が形成され、この開口部７内にて露出した端子部５上とダミーパターン６上のカバーレイ３上とに跨るようにカーボンペーストからなるパッド４が印刷形成される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal panel having a first electrode, an insulating film disposed on the first electrode, and a second electrode in a pattern with a slit disposed above the insulating film and controlling the alignment of a liquid crystal together with the first electrode, and the panel capable of reducing image persistence.例文帳に追加

第１電極と、第１電極上に配置された絶縁膜と、スリットが設けられたパターンで絶縁膜上に配置され第１電極とともに液晶の配向を制御する第２電極と、を備えた液晶パネルであって焼付きを低減可能な液晶パネルを提供することである。 - 特許庁

When the pattern of a reticle R is exposed to light via a projection optical system PL, the position of the reference marks 34A and 34B is detected by TTL-system reticle alignment microscopes 5A and 5B, and a wafer stage 23A is driven based on the detection result and the relative position being obtained before.例文帳に追加

レチクルＲ１のパターンを投影光学系ＰＬを介して露光する際には、ＴＴＬ方式のレチクルアライメント顕微鏡５Ａ，５Ｂによって基準マーク３４Ａ，３４Ｂの位置を検出し、この検出結果と先に求めた相対位置とに基づいてウエハステージ２３Ａを駆動する。 - 特許庁

To provide a new electronic component manufacturing method enabling reduction of the number of steps of overprinting, precise overprinting pattern position accuracy (alignment accuracy), and lamination without substantial level difference so as to improve the productivity and the size accuracy, and solve the problem of missing/defects.例文帳に追加

重ね印刷工数の低減、精密な重ねパターン位置精度（アラインメント精度）および、実質的に無段差の積層を可能とすることにより、生産性の向上、寸法精度の向上、欠損・欠陥解消を可能とする新規な電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

An image A of combined patterns formed by overlapping element patterns, and reference images B1, B2 of each element pattern are acquired; matching is executed between the image A and respective reference images B1, B2; and the alignment deviation among respective element patterns in combined patterns is outputted based on the matching result.例文帳に追加

要素パターンを重ね合わせて形成される複合パターンの画像Ａと、各要素パターンの基準画像Ｂ１，Ｂ２とを取得し、画像Ａと各基準画像Ｂ１，Ｂ２との間でマッチングを実行し、このマッチング結果に基づいて複合パターンにおける各要素パターン間の合わせずれを出力する。 - 特許庁

To provide a printing method and a printer that enable printing with high positional accuracy at a level usable for manufacturing TFT substrates or the like and facilitates alignment work both between a printing plate and a blanket and between a blanket and a substrate while enabling to obtain superior ink-pattern reproducibility.例文帳に追加

良好なインキパターン再現性が得られると共に、印刷版−ブランケット間とブランケット−基板間の双方のアライメント作業が容易で、ＴＦＴ基板等の作製に使用できる程度の高い位置精度で印刷を行える印刷方法と印刷装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resin stamper capable of enhancing workability without generating a defect in a pattern part of the stamper, to provide an imprint device which allows alignment with high accuracy using the stamper and to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium of high quality using the imprint device.例文帳に追加

スタンパのパターン部に欠陥を生じることなく作業性を向上させる樹脂スタンパ、そのスタンパを用いて高精度な位置合わせを行うことのできるインプリント装置、およびそのインプリント装置を用いた高品質な磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, after forming the barrier rib by coating a solution obtained by dispersing only barrier rib resin over the entire surface of the substrate including the flaw part while correcting the alignment positions of the substrate and a reticle, exposing the coated surface again in a barrier rib pattern shape at the same position, and developing the substrate again, the barrier rib flaw part is repaired by thermally curing the barrier rib.例文帳に追加

また、欠陥部を含む基板全面に亘り、隔壁樹脂のみを分散させた溶液を塗布し、基板とレチクルとをアライメント位置補正し、同位置で隔壁パターン状に再露光、再現像し、隔壁を形成した後、隔壁を熱硬化することで隔壁欠陥部を修復する。 - 特許庁

To provide an alignment method for precisely aligning each one of shots S1 to S32 a substrate P with a pattern image of a mask M by obtaining an array of the shots S1 to S32 based on the condition of a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26 of a substrate table PT.例文帳に追加

基板テーブルＰＴの第１保持部２６上面の温度分布に基づいた条件で、ショットＳ１〜Ｓ３２の配列を求めることで、基板ＰのショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。 - 特許庁

The contraction rate for a semiconductor water is calculated before forming an alignment mark on the semiconductor wafer by irradiated it with beams and the projection magnification formed on a reticle is corrected, based on the calculated degree of reduction of the semiconductor wafer, thereby executing reduced projection of the pattern.例文帳に追加

ビームを照射することによって半導体ウェハにアライメントマークを形成する前に、前記半導体ウェハの伸縮率を算出し、算出された前記半導体ウェハの伸縮率に基づいてレチクルに形成されているパターンの投影倍率を補正することにより前記パターンを縮小投影する。 - 特許庁

Then, when each of the out-in shots is exposed, not only a mask R of the shot is aligned with a pattern image according to the determined alignment of the shots, but also a face position of the wafer is adjusted according to the relative position detected during the measurement of the coordinate position.例文帳に追加

そして、上記の外内ショットを各々露光するときには、上で決定されたショットの配列に基づいて該ショットのマスクＲのパターン像との位置合わせが行われるとともに、座標位置の計測の際に検出された相対位置に基づいてウエハの面位置が調整される。 - 特許庁

To provide an aligner capable of carrying out exposure at high accuracy, by carrying out a relative alignment between a projection position of an exposure pattern of a projection optical system and a detection position of a position detection optical system, without having to move the position detection optical system on a rear surface side.例文帳に追加

、裏面側の位置検出光学系を移動させることなく、投影光学系の露光パターンの投影位置及び位置検出光学系の検出位置の相対的な位置合わせをより正確に行って、露光を高精度に行うことが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a connection optical system by which an optical axis in the connection optical system between a light source device and an alignment can be adjusted easily, accurately and in a short time without manpower and an illuminating light can be supplied uniformly on a pattern in the main body of the aligner.例文帳に追加

光源装置と露光装置本体との間の接続光学系における光軸の調整を、人手によることなく短時間に容易かつ正確に行うことができ、露光装置本体内のパターン上に均一な照明光を供給可能な接続光学系を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the glass substrate 21 is turned over and the back surface 21b is exposed upward, and a second mask 32 is arranged while aligned with the glass substrate 21 so that alignment marks 43 and 44 match the cut 22, before carrying out lithographic patterning on the back surface 21b of the glass substrate 21 according to a second mask pattern 42.例文帳に追加

そして、ガラス基板２１を裏返し、ウラ面２１ｂを上方に露呈させ、アライメントマーク４３，４４が切り欠き２２に合致するように第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに第２マスクパターン４２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 - 特許庁

To provide a composition for treating a photoresist pattern to be used in a double patterning process in photolithographic patterning techniques such as lithography-lithography-etching and self-alignment spacer double patterning, and for a reduction process useful to form a contact hole and a groove.例文帳に追加

フォトリソグラフィパターニング技術、例えば、リソ−リソ−エッチおよび自己整合スペーサーダブルパターニングのようなダブルパターニングプロセスなどに、並びに、コンタクトホールおよび溝形成において有用な縮小プロセスに使用されうるフォトレジストパターンを処理するための組成物およびこの組成物を使用する方法を提供する。 - 特許庁

By forming recesses and projections for constituting a diffraction grating having a two-dimensional shape in either the body of the mark for forming an alignment pattern or the periphery of the mark, diffracted light from the diffraction grating and non-diffracted light are used to enhance light intensity contrast.例文帳に追加

アライメントパターンを形成するマーク本体部と、マーク周辺部のいずれかに、二次元的な形状を有する回折格子を構成する凹凸を設けることにより、回折格子からの回折光と、非回折光とを利用して、光強度コントラストを大きくすることができる。 - 特許庁