「beam pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, front visibility of a self-vehicle driver is improved more sharply by illuminating the front of the vehicle with this one-lamp light-distributing pattern PM than illuminating the front of the vehicle with a light-distributing pattern for a low beam, and thus, the overhead sign OHS is to be sufficiently irradiated by the cantilever-shaped light-distributing pattern Pa additionally formed in the case.例文帳に追加

そして、この片ハイ配光パターンＰＭで車両前方を照射することにより、ロービーム用配光パターンで車両前方を照射する場合に比して、自車ドライバの前方視認性を大幅に高めた上で、その際付加的に形成される片持梁状の配光パターンＰａにより、頭上標識ＯＨＳを十分に照射可能とする。 - 特許庁

The controller prepares the irradiation pattern showing the region array of a plurality of times of the laser beam irradiation on the basis of the algorithm decided beforehand by using the parameter inputted by an operator and displays the pattern on a display device, further prepares the evaluation in the case piercing is performed by the displayed irradiation pattern and displays the evaluation results on a display device.例文帳に追加

制御装置は、オペレータにより入力されたパラメータを使用してあらかじめ決められたアルゴリズムに基づいて複数回のレーザ光の照射領域の配置を示す照射パターンを作成して表示装置に表示させると共に、表示した照射パターンで穴あけ加工を行った場合の評価結果を作成して表示装置に表示させる。 - 特許庁

The resist pattern 41 is formed on the glass substrate by forming a resist pattern 41 on a transferring roll surface by removing a residual substance on a transferring roll 10, providing a photoresist coated film 40 using a slit nozzle 12, drying it, pattern drawing with a laser beam, developing it and washing it with water and by transferring it to the glass substrate 30 and baking it by heating and pressurizing.例文帳に追加

転写ロール１０の残留物を除去し、スリットノズル１２を用いてフォトレジストの塗布膜４０を設け、乾燥し、レーザー光によってパターン描画し、現像、水洗を行って、転写ロール表面にレジストパターン４１を形成し、加熱加圧によってガラス基板３０に転写、ベークしてガラス基板上にレジストパターン４１を形成する。 - 特許庁

To provide a novel cleaning fluid for lithography, the liquid reducing surface defects, that is the so-called "defects" of a product regarding a photoresist pattern, preventing pattern collapse during water rinsing, imparting electron beam irradiation resistance to a resist to suppress pattern shrinkage, and that is free from bacteria contamination during storage.例文帳に追加

ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、またレジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、しかも保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。 - 特許庁

Reflecting mirror surface treatment is performed on a face 14a opposed to the laser beam, of the reflector 14, and the reflecting mirror surface 14a is constituted to reflect an outer peripheral part of the laser beam and to change the advancing direction to the direction forming the laser pattern for short distance.例文帳に追加

リフレクター１４は、レーザ光線と対向する面１４ａが反射鏡面処理されており、この反射鏡面１４ａは、レーザ光線の外周部分を反射させて、近距離用のレーザパターンを生成する方向に進行方向を変更するように構成されている。 - 特許庁

Intensity of a light beam in the image area is corrected in a desired pattern such that unevenness of density of an image is corrected in the main scanning direction of a light beam by switching the up/down signal SCUD between H and L thereby varying the frequency of the clock signal SCCLK.例文帳に追加

このように、アップダウン信号ＳＣＵＤのＨ／Ｌを切り替え、クロック信号ＳＣＣＬＫの周波数を変化させることで、光ビームの主走査方向における画像の濃度ムラを補正するように、所望のパターンで画像領域における光ビームの強度を補正する。 - 特許庁

A surface 130 to be measured is irradiated with an optical probe beam 112 having a uniform wave front, and a reflected probe beam 132, having a reflected wave front with distortions caused by the surface 130 is faced to a light-sharing interferometer device 101 to acquire an optical interference pattern.例文帳に追加

均一な波面を有する光プローブビーム１１２を被計測表面１３０に照射し、表面１３０によって引き起こされるひずみを帯びた反射波面を有する反射プローブビーム１３２を、光シェアリング干渉計デバイス１０１に向け、光干渉模様を取得する。 - 特許庁

A circular array excitation weighting calculating section 310 calculates a circular array excitation weighting 311 forming a desired antenna pattern defined by arbitrary beam direction and beam width and determines the excitation weighting of a signal received by each receiving antenna element 302.例文帳に追加

円形アレー励振重み付け算出部３１０は、任意のビーム方向とビーム幅によって定義される所望のアンテナパターンを形成する円形アレー励振重み付け３１１を算出し、各前記受信アンテナ素子３０２で受信される信号の励振重み付けを決定する。 - 特許庁

When an azobenzene polymer thin film is irradiated with a circular laser beam of linear polarization or a laser beam of an ellipse (or rectangular) having stripes of light and darkness, a surface relief pattern which is characterized in that k concave parts and (k+1) convex parts are arranged alternately on a straight line is obtained.例文帳に追加

アゾベンゼンポリマー薄膜に直線偏波した円形のレーザー光、もしくは明暗の縞を有する楕円（又は矩形）のレーザー光を照射すると、ｋ個の凹部と（ｋ＋１）個の凸部が交互に一直線上に配置されることによって特徴づけられる表面レリーフパターンが得られる。 - 特許庁

When the laser beam from a laser generator 103 is space-modulated by the DMD 106 and is irradiated on the workpiece 102 according to the irradiation pattern designated by an operation part 114 or the like, the control part 113 regulates the irradiation of the laser beam based on the conversion parameter.例文帳に追加

操作部１１４等から指定された照射パターンにしたがって、レーザ発振器１０３からのレーザ光をＤＭＤ１０６で空間変調して被加工物１０２に照射するとき、制御部１１３は、変換パラメータに基づいてレーザ光の照射を調整する。 - 特許庁

To provide a light beam scanning optical device which can restrain interference between the displacement of a beam and image processing means (screen pattern) even when magnification correction in a sub-scanning direction is carried out by fine adjustment of a rotational speed of a rotating polygon in interlace scanning by plural beams.例文帳に追加

複数のビームによる飛び越し走査において、副走査方向の倍率補正を回転多面鏡の回転速度を微調整して行う場合にあっても、ビームの位置ずれと画像処理手段（スクリーンパターン）との干渉を抑制できる光ビーム走査光学装置を得る。 - 特許庁

To provide a charged particle beam scanning method, along with a charged particle beam device, capable of striking a balance between the suppression of effect of electrostatic charge generated by scanning of a front frame and the suppression of an electrostatic charge phenomenon inherent in a scanning pattern generated when scanning is conducted in the same order.例文帳に追加

本発明は、前フレームの走査によって生じる帯電の影響の抑制と、同じ順番にて走査されることによって生じる走査パターン固有の帯電現象の抑制の両立を実現する荷電粒子線走査方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A device 201 for correcting a defect is provided, including a laser 32 that emits a laser beam having a pulse width in the order of femtoseconds, and a correcting part correcting a defective part of a pattern formed on a surface of a film substrate 26 having a plane perpendicular to the optical axis (Z axis) of the laser beam.例文帳に追加

欠陥修正装置２０１は、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ３２と、レーザ光の光軸（Ｚ軸）が直交する面を有するフィルム基板２６の面の上に形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備える。 - 特許庁

A pattern larger than the scanning range of a galvanomirror is machined by a laser beam machining apparatus comprising a laser beam source for radiating laser beams for machining, the galvanomirror for scanning the laser beams for machining in XY direction, and an XY stage for moving a workpiece in XY direction.例文帳に追加

加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをＸＹ方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をＸＹ方向に移動させるＸＹステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。 - 特許庁

The pattern such as characters, figures, codes, numbers and pictures is drawn by an ultraviolet curing resin or an electron beam curing resin by sequentially providing a layer comprising the ultraviolet curing resin or the electron beam curing resin and a layer comprising a printing ink on the base material.例文帳に追加

基材上に、紫外線硬化型樹脂又は電子線硬化型樹脂からなる層と、印刷インキからなる層を順次設け、前記紫外線硬化型樹脂又は電子線硬化型樹脂により、文字、図形、記号、番号、絵柄等のパターンが描画されることを特徴とする。 - 特許庁

To adjust the position of reflection light to a sensor pattern on a photo detector smoothly by adding a simple configuration in an optical pickup device for dynamically switching an objective lens where a laser beam enters by a polarization conversion element and a polarization beam splitter.例文帳に追加

偏光変換素子と偏光ビームスプリッタを用いてレーザ光が入射される対物レンズを動的に切り替える光ピックアップ装置において、簡単な構成の追加により円滑に、光検出器上のセンサパターンに対する反射光の位置調整を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a headlight which is a compact vehicular headlight, in which a plurality of projection-type light source units are housed inside a lamp room, and dark zones Dza, b, c that appear in a light distribution pattern for a high beam of respective projection-type light source units are inconspicuous at the high-beam made of the headlights.例文帳に追加

複数の投射型光源ユニットを灯室内に収容したコンパクトな自動車用前照灯で、各投射型光源ユニットの走行ビーム用配光パターンに顕れるダークゾーンＤｚa,b,cが前照灯の走行ビームでは目立たない前照灯を提供する。 - 特許庁

Immediately after a resist pattern 2a having light shielding property against exposure light and consisting of an electron beam-sensitive resist film 2 is formed by patterning the electron beam-sensitive resist film 2 applied on the principal face of a mask substrate 1, a pellicle PE is mounted on the principal face of the mask substrate 1.例文帳に追加

マスク基板１の主面上に塗布された電子線感応レジスト膜２をパターニングすることにより、電子線感応レジスト膜２からなり露光光に対して遮光性を有するレジストパターン２ａを形成した直後にマスク基板１の主面にペリクルＰＥを装着する。 - 特許庁

The method for producing the thin film of the nitride on the sapphire substrate comprises the steps of: hydrotreating the sapphire substrate at a high temperature: irradiating it with an electron beam; depositing the nitride to form the thin film on the substrate treated with the electron beam by a metal organic chemical vapor deposition method; and forming a pattern of the thin film of the nitride.例文帳に追加

サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法において、高温水素処理を行ったサファイア基板に電子線を照射し、この電子線処理基板に有機金属化学堆積法によって窒化物薄膜を堆積し、窒化物薄膜を描画する。 - 特許庁

The surface of a substrate is irradiated and scanned with a linearly polarized laser beam by using a femtosecond laser to plot a pattern having a plurality of concave and convex parts extending to the direction which is perpendicular to the polarization direction of the laser beam and has a crossing with the scanning direction.例文帳に追加

フェムト秒レーザを用いて直線偏光のレーザ光を基材の表面に照射すると共に走査することにより、レーザ光の偏光方向と直交する方向であって、かつ走査方向と交差する方向に延在する複数の凹凸を有するパターンを描画する。 - 特許庁

By the constitution like this, a scanning pattern can be changed every frame while avoiding the position of the final scanning line where electrostatic charges are seemed to be most accumulated by the beam scanning in the preceding frame, thereby forming a charged particle beam image having no partial imbalance of brightness.例文帳に追加

このような構成によれば、前フレームでのビーム走査によって、帯電が最も蓄積されていると考えられる最終走査線位置を避けつつ、フレーム毎に走査パターンを変化させることができるため、部分的な明るさの偏りがない荷電粒子ビーム画像を形成することが可能となる。 - 特許庁

The scattered beam from the foreign substance AP attached to the glass plane RG can be separately detected from diffraction beam depending on a reticle pattern, by mutually comparing and analyzing a plurality of intensity distributions obtained, thereby enabling the foreign substance AP to be detected precisely.例文帳に追加

求められた複数の強度分布を相互に比較して解析することにより、レチクルパターンによる回折光からガラス面ＲＧ上に付着した異物ＡＰによる散乱光を分離して検出することができるので、精度良く異物ＡＰを検出することが可能となる。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

To provide a sample correcting apparatus and a sample correction method by which the edge roughness of a corrected pattern can be decreased and the sample can be corrected by electron beam assist etching or electron beam assist deposition, and to provide a device manufacturing method using the above method.例文帳に追加

修正されたパターンのエッジラフネスを少なくすることが可能であると共に、電子線アシストエッチング又は電子線アシストデポジションを行うことにより試料の修正を行う試料修正装置及び試料修正方法並びに該方法を用いたデバイス製造方法を得る。 - 特許庁

The charged beam plotting device for forming a pattern on a sample by forming charged beams radiated from a charged beam radiation source on a plurality of aperture parts comprises a first aperture, a second aperture and a deflector for irradiating an optional position of the second aperture with charged beams passed through the first aperture.例文帳に追加

荷電ビーム放射源から放射された荷電ビームを複数のアパーチャの開口部で成形して試料上にパターンを形成するものであって、第１アパーチャと、第２アパーチャと、第１アパーチャを通過した荷電ビームを第２アパーチャの任意の位置に照射するための偏向器を有する。 - 特許庁

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device.例文帳に追加

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露光する。 - 特許庁

The wiring pattern 22 is connected electrically to the fixed electrodes 9a, 9b, 11c, 11d through an opening part 30 and an anchor part 28a for the fixed electrodes, and a lower electrode is connected electrically to the beam structured through the opening part in the upper layer side insulator thin film and the anchor part of the beam structure.例文帳に追加

開口部３０および固定電極のアンカー部２８ａを通して配線パターン２２と固定電極９ａ，９ｂ，１１ｃ，１１ｄが電気的に接続され、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して下部電極と梁構造体とが電気的に接続されている。 - 特許庁

The method for forming a pattern comprises consecutively carrying out a first step of irradiating a resist film formed on a substrate having a level difference with a charged particle beam and a second step of irradiating the resist film with a charged particle beam at a higher dose than the first step.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、段差を備えた基板上に形成されたレジスト膜に荷電粒子線を照射する第１のステップと、前記レジスト膜に前記第１のステップよりも高いドーズ量で荷電粒子線を照射する第２のステップと、を相前後して行うことを特徴とする。 - 特許庁

The optical system is simplified because a glass-base substrate 100 is cut by making use of a beam pattern after the ejection of the cooling liquid beam 170, and a large tensile force is applied on the scribe line 210, thus a thick non-metallic substrate is completely cut.例文帳に追加

冷却流体ビーム１７０の噴射後、一つのビームパターンを使用してガラス母基板１００を切断するので光学系を単純化させることができ、スクライブライン２１０に大きい引張力を発生させるので、厚い非メタル基板の完全切断を達成することができる。 - 特許庁

A mold release layer 3 containing a matting agent is formed all over a base sheet 2, a mask layer 4 containing an active energy beam curable resin is formed partially and cured by the active energy beam and an exfoliation layer 5 and a pattern layer 6 are formed as transfer layers 8.例文帳に追加

基体シート２上にマット剤を含有する離型層３を全面的に形成し、活性エネルギー線硬化性樹脂を含有するマスク層４を部分的に形成した後に活性エネルギー線で硬化させ、次いで転写層８として剥離層５と図柄層６とを形成する。 - 特許庁

When a region R where the aiming position PT of a laser beam is shifted (an aim shift region) is between the stripe patterns L1 and L2, and when the aim shift region R overlaps the stripe pattern L1, the travelling speed of a head that exits the laser beam is set to be relatively low.例文帳に追加

この場合、レーザ光の照準位置ＰＴが移動する領域（照準移動領域）ＲがストライプパターンＬ１，Ｌ２間にあるとき、および照準移動領域ＲがストライプパターンＬ１に重なるときには、レーザ光を出射するヘッド部の移動速度が相対的に低く設定される。 - 特許庁

LINEAR DRIVE DEVICE, VARIABLE SHUTTER DEVICE, BEAM FORMING DEVICE, BEAM IRRADIATION DEVICE, DEFECT CORRECTION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN SUBSTRATE例文帳に追加

直線駆動装置、可変シャッター装置、ビーム成形装置、ビーム照射装置、欠陥修正方法及びパターン基板の製造方法本発明は、直線駆動装置、可変シャッター装置、ビーム成形装置、及びビーム照射装置、並びにビーム成形装置を用いた欠陥修正方法及びパターン基板の製造方法に関する。 - 特許庁

The light beam emitted by the semiconductor laser device 31 travels to the substrate 9 through an optical system 4, and a stage 2 holding the substrate 9 is moved by a stage driving unit 21 for the scanning of positions on the substrate 9 irradiated with the light beam for drawing a desired pattern.例文帳に追加

半導体レーザ３１から出射された光ビームは光学系４を介して基板９に向かって照射され、基板９が保持されたステージ２がステージ駆動部２１により移動して基板９上の光ビームの照射位置が走査され、所望のパターンが描画される。 - 特許庁

The mask holder for the charged particle beam exposure comprises openings provided, according to an opening pattern of a charged particle beam exposure mask, a charged particle beam irradiating holder member, a charged particle beam emission holder member for sandwiching the mask and recesses in contact portions of the irradiation holder member or the irradiation holder member and the emission holder member with the exposure mask.例文帳に追加

少なくとも荷電粒子線露光用マスクの開口パターンに応じた開口部が設けられ、且つ該マスクを挟み込むための荷電粒子線照射側ホルダ部材と荷電粒子線射出側ホルダ部材とを有し、かつ該荷電粒子線照射側ホルダ部材、または該荷電粒子線照射側ホルダ部材と該荷電粒子線射出側ホルダ部材の、荷電粒子線露光用マスクの接する部分に窪みを設けた荷電粒子線露光用マスクホルダを提供する。 - 特許庁

Then connecting holes 18 and 19 are formed from the surface of the laminate 25 to the electrode pad sections 6 and a circuit pattern 7 by direct laser beam machining and a conductor layer 5A is electrically connected to the electrode pad sections 6 and circuit pattern 7 by packing a conductive material in the holes 18 and 19, or the like.例文帳に追加

そして、ダイレクトレーザ加工法によって電極パッド部６および回路パターン７に至る連絡孔１８，１９を形成し、形成した連絡孔１８，１９に導電材料を充填する等して導体層５Ａと電極パッド部６および回路パターン７とを導通させる。 - 特許庁

By irradiating the electron beam to a region including the circuit pattern before and after the application of electric load to acquire a second electric image (Step 90), and the second electric images before and after the application of electric load are compared and determined to inspect the circuit pattern and the wafer including the same.例文帳に追加

そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 - 特許庁

To enable high-speed, stable, and accurate inspection of circuit pattern having insulating materials in a method for inspection by detecting a defect, contamination, residue, or the like appearing on the circuit pattern of a semiconductor-device wafer, by radiating an electron beam onto the wafer and comparing the secondary electron image with a reference image.例文帳に追加

半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速に且つ安定して高精度に検査可能とする。 - 特許庁

To provide a vehicular headlight unit that can obtain light distribution of a large light volume in forming a low-beam light distribution pattern without increasing the number of components and can restrain generation of yellow-color light distribution pattern at use of a metal halide bulb as a light source.例文帳に追加

部品点数を増やすことなく、すれ違いビーム用配光パターンを形成するうえで大光量の配光を得ることができるとともに、光源としてメタルハライドバルブを使用した際の配光パターンの黄色発生を抑えることができる車両用前照灯ユニットを提供する。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

To provide a composition which is capable of forming a solder resist pattern that can be determined whether it is properly formed through a laser beam reflection method, even if it is halogen-free, and to provide a printed wiring board where the solder resist pattern is formed properly by the use of the above composition.例文帳に追加

ハロゲンフリーであるにも拘らず、レーザー光反射法でソルダーレジストパターンが適正に形成されているかどうかの良否を判定することができるソルダーレジストパターンを形成できる組成物、及びそれを用いてソルダーレジストパターンが適正に形成されているプリント配線板を提供する。 - 特許庁

On this latent image carrier 1 mounted in the image forming device and forming an electrostatic latent image by exposure, the areas 1A and 1B having the different characteristics from that of the periphery are irreversibly formed in the optional pattern by radiating an active energy beam in the optional pattern.例文帳に追加

本発明は、画像形成装置に搭載され露光により静電潜像を形成する潜像担持体１において、活性エネルギー線を任意のパターンで照射することにより該パターンで周囲と特性の異なる領域１Ａ，１Ｂが不可逆に形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal aberration correction device 4 corrects wave aberration of a light beam advancing to the objective lens, and has a liquid crystal molecule layer 24, a first electrode pattern 41-45 arranged on one surface of the liquid crystal molecule layer and a second electrode pattern arranged on the other surface thereof.例文帳に追加

対物レンズに向かう光線の波面収差を補正する液晶収差補正装置４であって、液晶分子層２４と、液晶分子層の一方の面に備えられた第１の電極パターン４１〜４５と、他方の面に備えられた第２の電極パターンとを有する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a photomask deficiency defect by which an FIB (focused ion beam) correction device can be used as a tool to correct a minute edge deficiency defect portion in a circuit pattern part, the deficiency defect region of the circuit pattern part is subjected to vapor deposition with high accuracy, and the photomask having excellent cleaning durability can be obtained.例文帳に追加

回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

Firstly, a transparent conductive film 3 and a pattern of metal 2 are formed first on the motherboard 1 not on the cutting line 4, and in a spot passing area 5 of the laser beam, the transparent conductive film 3 and the pattern of the metal 2 are disposed to the left and light symmetrically about the cutting line 4.例文帳に追加

まず、切断線４以外のマザー基板１上に透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを形成して、レーザー光のスポット通過領域５において、透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを切断線４を中心として左右対称に配設する。 - 特許庁

To improve accuracy of a starting position of drawing in a circumference direction in each position in a radial direction of each region when a hard disk pattern is drawn by electron beam scanning, the hard disk pattern including a plurality of servo regions and data regions between the servo regions in an arc form provided from the center side to the outside of the disk.例文帳に追加

中心側から外側に向けて円弧状に設けられる複数のサーボ領域と該サーボ領域間のデータ領域からなるハードディスクパターンを電子ビーム走査により描画する際の、各領域の半径方向位置毎の周方向描画開始位置の精度を向上させる。 - 特許庁