「beam pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the invention, since the pulse pattern of the laser beam for forming the first recording mark is optimized in consideration of the effects of the length of the blank area disposed immediately after, and the length of the next recording mark, good signal characteristics are made obtainable during reproduction even when data is recorded at a high linear velocity.例文帳に追加

本発明によれば、第１の記録マークを形成するためのレーザビームのパルスパターンを、直後に設けられるブランク領域の長さや次の記録マークの長さの影響を考慮して最適化することができるので、高い線速度でデータの記録を行う場合であっても、再生時に良好な信号特性を得ることが可能となる。 - 特許庁

It becomes easy to form the etching pattern representing information in a desired shape and size under control by imposing a negative bias to the micro chip 50 and using heat up and melt by the electron beam 30 generated from the micro chip 50 with imposed by the prescribed voltage without applying strong mechanical force like in a conventional way.例文帳に追加

マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁

To provide a (co)polymer which is useful as a resist material or the like, especially a (co)polymer for a resist material which is suitable for microfabrication using excimer laser or electron beam, its production method, a resist composition using this (co)polymer and a pattern forming method.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して高感度で、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物用樹脂およびレジスト組成物、レジスト組成物に適したこのような樹脂の製造方法、並びに、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A navigation ECU 10 for controlling respective laser light irradiation devices 31, 32 for irradiating a road surface at a periphery of the one's own vehicle with a visible light beam and drawing a pattern on the road surface determines existence of getting off of the occupant, and obtains a parking place map from a parking place data memory part 12 for storing the parking place map data for indicating the map of the parking place.例文帳に追加

自車両の周囲の路面に対して可視光ビームを照射し、路面にパターンを描画する各レーザ光照射装置３１，３２を制御するナビゲーションＥＣＵ１０は、乗員の降車の有無を判断し、駐車場の地図を示す駐車場地図データを記憶した駐車場データ記憶部１２から駐車場マップを取得する。 - 特許庁

Two kinds of 1st and 2nd mask layers 1 and 2 which have a large etching selection ratio are laminated and cut along the laminating direction to form a mask substrate and the 1st mask layer 1 is selectively etched by using a resist pattern as an etching mask to form a mask having a mask opening (beam transmission part) C determined by the film thickness d1 of the 1st mask layer 1.例文帳に追加

エッチング選択比の大きい２種類の第１および第２のマスク層１，２を積層し、積層方向に沿って切断することによりマスク基板を形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして第１のマスク層１を選択的にエッチングすることで、第１のマスク層１の膜厚ｄ１によって決まるマスク開口（ビーム透過部）Ｃを有するマスクが形成される。 - 特許庁

The frame body 52 is so structured that a first surface 56a on which an image by dispersed reflection light at light irradiation is projected further upward than a cutoff line of the low-beam light distribution pattern has a lower reflection rate than that of a second surface 52b on which an image by dispersed reflection light at light irradiation is projected further downward than the cutoff line.例文帳に追加

枠体５２は、光が照射されたときの拡散反射光による像がロービーム用配光パターンのカットオフラインより上方に投影される第１表面５６ａが、光が照射されたときの拡散反射光による像がカットオフラインより下方に投影される第２表面５２ｂよりも反射率が低くなるよう設けられている。 - 特許庁

The drawing control computer 50 predicts temperature change of the mask substrate 2 and guide 4 with time due to the electron beam irradiation from the drawing data, and performs the temperature control over the periphery of the guide 4 by placing the liquid cooling controller 55 in operation according to the temperature change prediction in parallel with a drawing operation from a start of drawing of the predetermined pattern.例文帳に追加

描画制御コンピュータ５０は、描画データから電子ビーム照射により生じるマスク基板２およびガイド４の時間に対する温度変動を予め予測し、所定のパターンの描画開始を起点に描画作業をするのと並行して、その温度変動予測に従って液冷コントローラ５５を動作させてガイド４近傍の温度制御をする。 - 特許庁

In forming a chemically-amplified resist film 4 for electron beam exposure on a light-blocking film 3 to form a resist pattern 4a, the mask blank includes a deactivation prevention film (not shown) whose film density is higher than that of the light-blocking film 3 at least near the surface and prevents deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

This vehicular lighting fixture system 100 includes a vehicular lighting fixture 70 capable of forming the light distribution pattern for a high beam divided into a plurality of irradiation areas in the vehicle width direction and switching the existence of irradiation of respective irradiation areas, and a control part for controlling the vehicular lighting fixture based on information for indicating a vehicle front state.例文帳に追加

車両用灯具システム１００は、車幅方向で複数の照射領域に分割されそれぞれの照射領域の照射の有無が切り替えられるハイビーム用配光パターンを形成可能な車両用灯具７０と、車両前方状況を示す情報に基づいて車両用灯具を制御する制御部と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask, for reducing the mask price without significantly increasing a load of electron beam drawing on the mask, and ensuring dimensional uniformity of a device pattern under the same conditions of manufacturing a full-chip mask, in a method for manufacturing a mask in which the number of chips in an effective exposure area of the mask is reduced and a vacant area is formed.例文帳に追加

マスクの有効露光領域内のチップ数を削減し、空き領域が形成される場合のマスクの製造方法において、マスクの電子線描画負荷を著しく上げずにマスク価格の低減を図り、フルチップの時と同一の製造条件で、デバイスパターンの寸法均一性が保証されたマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The width of the conductive pattern 18 and the resin film 17 of a flexible printed board 16 are made narrower on the elastic deforming part B of a load beam 11 than on other parts, thereby weakening the rigidity of the flexible printed board 16 on the elastic deforming part B, diminishing the spring constant, and reducing the static load applied to the head body.例文帳に追加

ロードビーム１１の弾性変形部Ｂ上でのフレキシブルプリント基板１６の導電パターン１８及び樹脂フィルム１７の幅寸法を、他の部分での幅寸法よりも小さくすることで、前記弾性変形部Ｂ上でのフレキシブルプリント基板１６の剛性を弱めばね定数の低減を図り、ヘッド本体に加わる静荷重を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After shaping a secondary electron detecting signal by an input filter, a startup of a voltage of a pattern edge is caught by a Schmidt triggering circuit, time variation from scanning start till edge detection is detected in high sensitivity, by passing the secondary electron detecting signal through an anti-aliasing filter, irradiation position of an electron beam is measured to obtain a signal for stability evaluation.例文帳に追加

２次電子検出信号を入力フィルタで整形した後、パターンエッジの電圧の立ち上がりをシュミット・トリガ回路で捉えることにより、走査開始からエッジ検出までの時間変動を高感度に検出し、アンチ・エイリアシング・フィルタを通過させることによって、電子線の照射位置を計測し、安定性評価のための信号を取得する。 - 特許庁

The light beam deflection part 4 produces a striped pattern, not by shielding light from the light source 30, but by deflecting the progress direction of light form the light source 30, so that most part of the light emitted from the light source 30 contributes to generating slit-shape light beams L1 to L4.例文帳に追加

光線偏向部４は光源３０からの光を遮光することによって縞状パターンを生成するのではなく、光源３０からの光の進行方向を偏向することによって縞状パターンを生成するものであるため、光源３０から放射される光の大部分はスリット状の光束Ｌ１〜Ｌ４の発生に寄与することになる。 - 特許庁

A pattern correcting device 1 is provided, which irradiates a foreign matter defect 22 generated in a pixel 19 formed on a glass substrate 23 with a laser beam α to open a rectangular hole 19a in the pixel 19, presses a cylindrical adhesive material 30 to remove a residue 25 around the hole 19a, and applies a correction ink 33 on the hole 19a.例文帳に追加

このパターン修正装置１では、ガラス基板２３上に形成された画素１９に発生した異物欠陥２２にレーザ光αを照射して画素１９に矩形状の孔１９ａを開け、円柱状の粘着材３０を押圧して孔１９ａの周辺に付着した残渣２５を除去し、孔１９ａに修正インク３３を塗布する。 - 特許庁

The method includes steps of providing a carrier having flakes dispersed therein onto the surface of an article, wherein all of the flakes have a beam-splitting grating pattern encoding the information thereon, aligning the flakes, in parallel with a sloped plane forming a slope angle with the surface of the article and solidifying the carrier.例文帳に追加

本方法は、その内部に分散された薄片を有し物品の表面の上にコートされる担体を用意するステップであって全ての薄片はその上に情報が符号化されているビーム分割格子パターンを有するステップと、薄片を物品の表面に対して傾斜した角度を成す傾斜面に平行に配列させるステップと、担体を固化させるステップと、を含む。 - 特許庁

According to the method of the invention for recording information on a write once-read many optical recording medium, the pulse pattern of a laser beam for forming a first recording mark is set based on at least one of the length of a blank area disposed after the first recording mark and the length of a second recording mark formed after the first recording mark.例文帳に追加

本発明による追記型光記録媒体への情報記録方法は、第１の記録マークを形成するためのレーザビームのパルスパターンを、前記第１の記録マークの後に設けられるブランク領域の長さ及び前記第１の記録マークの次に形成される第２の記録マークの長さの少なくとも一方に基づいて設定する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition, in which the problems of the performance improvement technique of a microphoto application of its own using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam are solved and concretely, the improvement of sensitivity and resolution and a problem of generation of development defect at the time of developing are resolved and which is small in roughness and fineness dependency and capable of obtaining an excellent resist pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度及び解像力に優れ、現像の際の現像欠陥発生の問題が解消され、疎密依存性が少なく優れたレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The vehicle headlamp 1 forms a desired low-beam light distribution pattern by a condensing lamp unit 20 and a diffusion lamp unit 30 which have respectively semiconductor light-emitting elements 22, 32 with rectangular light-emitting faces 22a, 32a and projection lenses 21, 31 for projecting light emitted from the semiconductor light-emitting elements 22, 32 to the front of the lamp.例文帳に追加

車両用前照灯１は、長方形の発光面２２ａ，３２ａを有する半導体発光素子２２，３２と、半導体発光素子２２，３２からの出射光を灯具前方へ投影する投影レンズ２１，３１とをそれぞれ備えた集光用灯具ユニット２０及び拡散用灯具ユニット３０によって所望のすれ違い用配光パターンを形成する。 - 特許庁

The hologram recording medium wherein recording or reproduction of information is performed by irradiation with light has: a recording layer consisting of a photosensitive material capable of preserving an optical interference pattern; a reflection layer disposed on the side opposite to a light beam incidence side of the recording layer; and a quarter wave plate interposed between the recording layer and the reflection layer.例文帳に追加

ホログラム記録媒体は、光照射により情報の記録又は再生が行われるホログラム記録媒体であって、光学干渉パターンを保存できる光感応材料からなる記録層と、記録層の光ビームが入射される側の反対側に配置された反射層と、記録層及び反射層間に配置された１／４波長板と、を有する。 - 特許庁

A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas.例文帳に追加

ホログラフィック露光法により基板１０上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン２１を作製し、その後、ＣＦ_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第１エッチング工程によりレジストが約１／３の高さになるまで基板１０とレジスト２１とを削る。 - 特許庁

An electrophotographic color laser printer 2 connected to a host computer 1 is provided with a scanner unit 25 common to first and second stations, a scanner unit 26 common to third and fourth stations, a resist position detection means 30 which reads an image pattern formed on an intermediate transfer belt 29 to detect the resist position of the image of a laser beam.例文帳に追加

ホストコンピュータ１と接続された電子写真方式のカラーレーザプリンタ２において、第１及び第２のステーションに共通のスキャナユニット２５と、第３及び第４のステーションに共通のスキャナユニット２６と、中間転写ベルト２９に形成された画像パターンを読み取ってレーザビームの画像のレジスト位置を検知するレジスト位置検知手段３０を備える。 - 特許庁

A drawing control unit 100 for deflecting an electron beam to perform drawing on a desired position of a sample surface makes graphic data include specified information on a least deflection address unit (LSB) and retrieves LSB every time it calls the graphic data within a pattern from a buffer memory, thereby allowing the changeover of LSB by a gain switch 7 of an analog control unit 6.例文帳に追加

電子ビームを偏向して試料面の所望の位置へ描画する描画制御部１００は、描画パターンの図形データに最小偏向アドレス単位（ＬＳＢ）の指定情報を持たせ、パターン内の図形データをバッファメモリ１から呼び出す度にＬＳＢを取り出し、アナログ制御部６のゲイン切替７によってＬＳＢ切替を可能にしている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

An information beam having a prescribed special pattern wherein a margin of an S/N ratio per 1 dot is widened by dividing a plurality of optical elements of a spatial light modulating means into blocks consisting of a plurality of adjacent optical elements and assigning each block to each bit which constitutes data to perform light modulation is recorded in the hologram recording medium.例文帳に追加

ホログラム記録媒体に、空間光変調手段の複数の光学素子を互いに隣接する複数の光学素子からなるブロックに分割し、各ブロックをデータを構成する各ビットに割り当てて光変調することにより、１ドット当たりのＳ／Ｎのマージンを広くした所定の特殊パターンを有する情報光を記録しておく。 - 特許庁

Among N multi-beams by a main antenna 1 used in a no-jamming environment, a high side lobe angular area of the main antenna 1 is a jamming environment is covered by using M beam signals forming an antenna pattern of the main antenna 1, while a low side lobe wide angular area is covered by using subsidiary beams by L low-gain subsidiary antennas 2.例文帳に追加

妨害が無い環境で使用している主アンテナ１によるＮ本のマルチビームのうち、妨害環境下では、主アンテナ１のアンテナパターンを成形したＭ本のビーム信号を用いて、主アンテナ１のサイドローブの高い角度領域を覆い、サイドローブの低い広い角度領域は、利得の低いＬ個の補助アンテナ２による補助ビームで覆うようにする。 - 特許庁

A mask blank is characterized in when a chemistry amplification type resist film 4 for electron beam exposure is formed on a shading type film 3 and a resist pattern 4a is formed, a deactivation suppression film (not illustrated) having higher film density than film density near the front surface of the shading film 3 at least and suppressing the deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部ＣにＦＩＢ−ＣＶＤ方式でデポジション膜１１を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分２を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁

At the time of crystallizing a thin semiconductor film with a laser beam, an array of a substantially single crystal grain having a large diameter and only containing a twin crystal grain boundary is created by generating a single growing crystal nucleus near the center of the optical axis of energy light by using a phase shifter, in which dot-pattern steps are arranged at fixed intervals and radially growing the crystal nucleus in the lateral direction.例文帳に追加

半導体薄膜のレーザ結晶化の際に、ドットパターン段差を一定間隔で配置した位相シフタを使い、エネルギ光の光軸の中心近傍に単一の成長性の結晶核を発生させ、放射状に横方向成長させることで、内部に双晶粒界のみを含む実質的に単一の大粒径結晶粒のアレイを作製する。 - 特許庁

At such a time, a transmission bit rate such as a modulation scheme or an encoding rate is adjusted in accordance with an SDMA environmental parameter variation such as the number of multiplexing SDMA, beam formation updating frequency in transmission and variation status of propagation path characteristics, thereby a problem is absorbed of a deviation from an optimal transmission bit pattern that changes with the passage of time.例文帳に追加

このとき、ＳＤＭＡの多重数、送信時のビーム形成更新頻度、伝搬路特性の変動状況などのＳＤＭＡ環境パラメータの変動に応じて、変調方式や符号化率などの送信ビットレートを調整することで、時間の経過とともに変化する最適な送信ビットパターンとのずれの問題を吸収する。 - 特許庁

The battery case is formed by using a laminated film 100 having an aluminum foil layer 1 as an intermediate layer and laminating an outside synthetic resin layer 2 and an inside synthetic resin layer 3 on the both surfaces of the foil layer 1, and by providing a half cut portion in a pattern shape by irradiating a laser beam at least one surface of the film 100, for at least a part of the battery case.例文帳に追加

電池ケースの少なくとも一部に、アルミニウム箔層１を中間層としてその両面に、外側の合成樹脂層２、内側の合成樹脂層３を積層した積層フィルム１００ を用いると共に、該積層フィルム１００ の少なくとも一方の面にレーザー光照射によりパターン状にハーフカット部を設けて電池ケースを構成する。 - 特許庁

In the high voltage connection part 13-11 of an ion beam processing observation pattern producing device 1 as the high voltage appliance, a filling material for preventing dew concentration and humidity absorption is filled in the gap 13-113 between a connection bushing 13-111 on the transmitting side and a flange 13-112 on the receiving side, so that the increase of leak currents is inhibited and the dielectric strength is increased.例文帳に追加

高電圧機器としてイオンビーム加工観察パターン生成装置１の高電圧接続部１３−１１では、送電側の接続ブッシング１３−１１１と受電側フランジ１３−１１２間の間隙部１３−１１３に結露吸湿防止用の充填材を充填することにより、リーク電流の増大を抑制して絶縁耐力を高める。 - 特許庁

To provide a creating method and apparatus of drawing data for making short the movement distance of a stage that moves in a field unit in pattern drawing due to an electron beam, drawing data, a drawing method, a mask and its manufacturing method, a semiconductor device and its manufacturing method, a program for drawing data creation, and a computer readable record medium where the program is recorded.例文帳に追加

電子線によるパターン描画の際にフィールド単位に移動するステージの移動距離をより短くする描画データの作成方法及び装置、描画データ、描画方法、マスク及びこの作成方法、半導体装置及びこの製造方法、描画データ作成用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体を提供すること。 - 特許庁

Since most of characteristics of the power amplifier are determined by the input impedance of Q2 and the output impedance of Q2, capacitors C6 and C7 of an interstage circuit elements are made into fixed values, the island-like pattern inductance L4 is trimmed in the arrow direction of dotted lines as shown in Fig. with a laser beam, and output power characteristics are controlled into best state.例文帳に追加

電力増幅器の特性は、前記Ｑ２の入力インピーダンス及び前記Ｑ２の出力インピーダンスにより、大半が決定されるため、段間回路素子のコンデンサＣ６，Ｃ７を固定値として、島状のパターンインダクタンスＬ４を、図中点線の矢印の方向にレーザーでトリミングし、出力電力特性を最良状態に調整する。 - 特許庁

To provide an inexpensive aligner capable of transferring a fine pattern en bloc with high precision at a low cost, using an electron gun capable of irradiating charge particles of a large area to transfer over the entire chip area en bloc, without horizontally scanning or deflecting an electron beam and without using a complicated deflector or scale reducing projection mechanism.例文帳に追加

転写されるチップ面積全体を一括転写が行える大面積の荷電粒子を照射できる電子銃を用いて、電子ビームの水平方向の走査や、偏向は行わない、複雑な偏向器や、縮小投影用機構を用いない高精度で微細なパターンを一括転写できる高精度で低価格な露光装置を提供する。 - 特許庁

In the electron beam lithography device and the method for correcting the displacement amount, the backside shape distribution data of a place abutting on the pin of the pinch chuck are extracted from the backside shape distribution data of the EUV mask required for correcting the positional misalignment of a pattern, and the displacement amount is calculated only from the extracted backside shape distribution data.例文帳に追加

パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。 - 特許庁

In the irradiation conditions in which a droplet 11 containing an infrared absorbent is applied to the surface of a resin 10 using an ink jet head 200 in a manner forming a prescribed pattern and in which the infrared absorbent so applied is fixed to the surface of the resin 10; a laser beam with an infrared wavelength is emitted from a laser head 300 to the surface of the resin 10.例文帳に追加

赤外線吸収剤を含む液滴１１を、インクジェットヘッド２００を用いて樹脂１０の表面に所定のパターンを形成するように塗布し、塗布した赤外線吸収剤が樹脂１０の表面に定着するような照射条件で、レーザヘッド３００から樹脂１０の表面に赤外領域の波長のレーザ光線を照射する。 - 特許庁

In the optical recording medium where the adhesive layer or the curable resin layer having a signal pattern surface is formed by irradiating curable resin with an energy beam, the curable resin layer is formed by using the curable resin containing two or more kinds of photoinitiators whose absorption wavelength ranges are different from each other.例文帳に追加

硬化性樹脂にエネルギー線を照射することにより、接着層又は信号パターン面を有する硬化性樹脂層を形成した光記録媒体において、前記硬化性樹脂層が吸収波長域の異なる少なくとも２種類の光重合開始剤を含む硬化性樹脂を用いて形成されたものであることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for forming a pattern with high sensitivity and wide exposure latitude in an ultrafine region, while suppressing changes in the resist performance due to an acid generated during resist storage, with respect to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, particularly, a resist composition for electron beam, X-ray or EUV lithography.例文帳に追加

感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The metal film 8e has excellent visibility and when the diffractive element 8 is formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly triangular region outside of a far field pattern LL of an optical beam.例文帳に追加

金属膜８ｅは、視認性優れており、しかも四角に形成された回折素子８の場合、光ビームのファーフィールドパターンＬＬの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク９ａを形成することにより、回折素子８の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク９ａを形成することができる。 - 特許庁

In the inspection apparatus using an electron microscope which senses the defects present on the pattern of a sample based on the sensed signal of secondary charged particles generated by a scanning electron beam, there is provided such a function that the informations obtained by its ADC function are so fed back to its inspection function in the form of an inspection/non-inspection region as to improve its inspection and ADC performances.例文帳に追加

電子線を走査して発生する二次荷電粒子の検出信号に基づいて試料のパターン上の欠陥を検出する電子顕微鏡を用いた検査装置において、ＡＤＣ機能で得られた情報を検査／非検査領域という形で検査機能にフィードバックさせ、検査性能、ＡＤＣ性能の向上を図る機能を備える。 - 特許庁

A master information carrier is manufactured by applying a resist 92 to the surface of the non-magnetism base 91 and carrying out pattern exposure using an electronic beam lithographic device, developing the resist 92 and ion etching it, and depositing the ferromagnetic thin film 95 by removing the remaining resist and the ferromagnetic thin film deposited on it.例文帳に追加

マスター情報担体は、非磁性基体９１の表面に電子ビーム感光性レジスト９２を塗布し、電子ビーム描画装置を用いてパターン露光を行ない、レジスト９２を現像してイオンエッチングし、強磁性薄膜９５を堆積し、残留レジストおよび残留レジスト上に堆積する強磁性薄膜を除去することによって製造される。 - 特許庁

Since, in such a structure, the tip part 23a of each contact beam 23 wipes a contact pattern part of the flat cable as it rubs forward along the flat cable 200 when the contact 20B' comes in contact with the flat cable 200, it is possible to get rid of foreign matters or the like laid between the flat cable 200 and the contact beams 23.例文帳に追加

このような構成により、コンタクト２０Ｂ’が平形ケーブル２００に接触するときには、コンタクトビーム２３の先端部２３ａが平形ケーブル２００に沿って前方に擦れながら平形ケーブル２００の導体パターン部をワイピングするので、平形ケーブル２００とコンタクトビーム２３との間に介在する異物等を除去することが可能となる。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold structure includes a transfer step to press the projecting and recessing pattern side of a master disk against an imprint resist layer formed on one surface of a substrate to be worked and composed of an electron beam resist so as to transfer the projecting and recessing pattern to the imprint resist layer.例文帳に追加

原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるインプリントレジスト層に押し付け、凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写する転写工程を含み、凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、原盤における１ビットの角部の形状を変化させるモールド構造体の製造方法である。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁