「beam pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A lighting tool system 100 for a vehicle includes: a lighting tool for an vehicle 70 in which a cutoff line extended in the vehicle width direction can be moved in the vertical direction in a light distributing pattern for a low beam; and a control part which controls the movement quantity of the vertical direction of the cutoff line.例文帳に追加

車両用灯具システム１００は、ロービーム用配光パターンにおいて車幅方向に延びるカットオフラインを上下方向に移動可能な車両用灯具７０と、カットオフラインの上下方向の移動量を制御する制御部と、を備える。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition, sensitive particularly o far UV and charged particle beams, such as electron beam, having superior resolution and pattern shape and suitable particularly for use as a chemical amplification type resist which has small nano-edge roughness.例文帳に追加

特に、遠紫外線や、電子線等の荷電粒子線に感応し、解像性能およびパターン形状が優れるとともに、特にナノエッジラフネスが小さい化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The condensing can be increased in comparison with the conventional device by forming a Fresnel lens pattern 18 for collimating the laser beam L3 from the light emitting parts of the semiconductor laser array 11 correspondingly to the laser emitting parts by etching.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１１の各レーザ発光部から出射されたレーザ光Ｌ３をコリメートするためのフレネルレンズパターン１８を、エッチングを用いて各レーザ発光部に対応して形成させることにより、従来よりも集光性能を高めることが可能になる。 - 特許庁

Introduction of the multi- dimensional beam pattern establishes the base of a 3D ultrasound imaging system comprising a small multi-dimensional sensor layout and a device to be arranged at site, and a three-dimensional image with high resolution is generated in real time.例文帳に追加

本発明に従った多次元ビームパターンを導入すると、小型多次元センサ配列と現場に配備できる小型処理装置とからなる本発明に従った３Ｄ超音波映像システムの基盤となり、リアルタイムで高解像度の３次元映像を生成する。 - 特許庁

A refraction/reflection pattern is projected from the diamond 3 onto the screen member 4 when illuminating the diamond 3 by a light source 6 on the opening part side of the black box 1 with beam-like white rays through a translucent part 5 formed on a top part of the screen member 4.例文帳に追加

暗箱１の開口部側の光源６により、スクリーン部材４の頂部に形成された透光部５を通じて、ダイヤモンド３に対してビーム状白色光線を照射すると、スクリーン部材４にダイヤモンド３からの屈折反射模様が投影される。 - 特許庁

To make possible the automatic complementary division of an original pattern shape difficult to the formed on a charged particle beam transmission mask on a computer and to avoid the occurrence of a micro figure, an acute figure, or the like, by eliminating useless division at the time of complementary division.例文帳に追加

荷電粒子線透過マスク上で形成困難な原パターン形状を、コンピュータ上で自動的に相補分割することを可能にするとともに、その相補分割の際に無駄な分割を無くして微小図形や鋭角図形等の発生を回避する。 - 特許庁

When a laser beam is made incident from the first surface 2, light passing through either projecting part 3 and light passing through the other projecting part 4 interfere with each other to form the vertical fringe interference pattern on an object with light emitted from the second surface 5.例文帳に追加

このレンズ第１面２からレーザ光を入射させると、一方の凸部３を通過した光と他方の凸部４を通過した光とが干渉してレンズ第２面５から出射される光で対象物に縦縞干渉模様を形成することができる。 - 特許庁

The method of crystallization includes: providing a cap film on a laser beam incident surface of a non-single crystal semiconductor film; and irradiating the non-single crystal semiconductor film with a laser light of a light intensity distribution having an upside-down triangularly-profiled peak pattern formed of an alternate repetition of monotonous increase and monotonous decrease.例文帳に追加

非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 - 特許庁

According to the synthetic data 824, irradiation of a light beam is carried out by setting irradiation intensity of a peripheral region 902 where a resist layer RG is relatively thick is sufficiently larger than that of a pattern region 901 where the resist layer RG is relatively thin (the irradiation intensity value FF (HEX)> the irradiation intensity value 55(HEX)).例文帳に追加

合成データ８２４によれば、レジスト層ＲＧが比較的厚い周縁領域９０２を、レジスト層ＲＧが比較的薄いパターン領域９０１よりも十分に大きな照射強度で光ビームの照射が行われる（照射強度値がＦＦ（ＨＥＸ）＞５５（ＨＥＸ））。 - 特許庁

The scanning exposure apparatus 100 uses a down scaling projection optical system 104 for projecting a pattern scaled down to 1/6 or 1/8 in a laser beam irradiating area 103 of a mask 102 on a wafer 105 mounted on a wafer stage 106.例文帳に追加

本発明のスキャン型露光装置１００では、マスク１０２におけるレーザ光照射領域１０３内のパターンは、縮小投影光学系１０４によって、１／６又は１／８に縮小されてウエハステージ１０６に載せられたウエハ１０５上に投影される。 - 特許庁

The optical disk device 1 generates the pull-in signal PI1 by eliminating the influence of stray light pattern W formed by interlayer stray light beam LN from a plurality of recording layers Y, and accurately performs focus jump and focus control.例文帳に追加

これにより光ディスク装置１は、複数の記録層Ｙからの層間迷光ビームＬＮによりそれぞれ形成される迷光パターンＷの影響を排除したプルイン信号ＰＩ１を生成でき、精度良くフォーカスジャンプ及びフォーカス制御を行うことができる。 - 特許庁

Next, the inorganic resist layer of the master disk is irradiated with the recording laser beam to perform exposure of a recording signal pattern of pits and spaces, and the master disk having the pit line of pits and spaces is obtained by developing the disk after this exposure.例文帳に追加

次にディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する。 - 特許庁

The lithographic equipment has a radiation system for providing a projection beam of radiation, a support structure for supporting the patterning means that patterns the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, a projection system for projecting the patterned beam onto a target area on the substrate, and an interferometer system to help positioning an object in the equipment, wherein the interferometer system performs position measurement.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置であって、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムと、装置内での対象物の位置決めを助ける干渉計システムとを備えていて、干渉計システムが位置測定を行うように配置されているリソグラフィ投影装置。 - 特許庁

The flat type display device has a first substrate with a plurality of electron emitters arranged like a matrix, a second substrate arranged facing the first substrate and formed in a first substrate side with a phosphor pattern emitting light by receiving an electron beam from the electron emitters and a metallic thin film accelerating the electron beam, and a plurality of spacers 300 arranged between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

本発明の平面方表示装置は、複数の電子放出素子がマトリクス状に配列された第１の基板と、該第１の基板と対向して配置され、該第１の基板側の面上に該電子放出素子からの電子線を受けて発光する蛍光体パターン及び該電子線を加速する金属薄膜が形成された第２の基板と、該第１の基板と該第２の基板間に配置される複数のスペーサ３００とを有する。 - 特許庁

A focus adjusting condition of each place in a scanning region at the time of scanning a charged particle beam to a sample forming in a semiconductor manufacturing process is calculated beforehand, the calculated focus adjusting condition is selectively applied to a pattern formed under the same manufacturing condition as the sample with the focus adjusting condition calculated, and a device carrying out charged particle beam scanning is provided.例文帳に追加

半導体製造工程中に形成される試料に対し、荷電粒子線を走査する際の走査領域内の各個所の焦点調整条件を予め求めておき、当該求められた焦点調整条件を、前記焦点調整条件を求めた試料と同じ製造条件にて形成されたパターンに選択的に適用して、前記荷電粒子線走査を行う装置を提案する。 - 特許庁

The hologram recording medium is subjected to recording or reproducing of information by irradiation with a coherent light beam and has a plurality of photosensitive sections which consist of photosensitive materials each internally storing the optical interference pattern for the light beam as a diffraction grating and are regularly paralleled, and non-photosensitive sections which exist between the photosensitive sections and compartmentalize the photosensitive sections from each other.例文帳に追加

ホログラム記録媒体は、可干渉性の光ビームの照射により情報の記録又は再生が行われるホログラム記録媒体であって、各々が光ビームの光学干渉パターンを回折格子として内部に保存する感光材料からなりかつ規則的に並列された複数の感光部と、感光部間に位置しかつ感光部を互いに区切る非感光部とからなるホログラム記録層を有する。 - 特許庁

The number of conventional dual damascene process steps is reduced by using an organic insulating material which is photosensitive to electron beam irradiation as an interlayer insulating film, performing pattern exposure corresponding to via holes and wiring grooves in two steps of electron beam irradiation conditions and then performing development at the same time for forming necessary via holes and wiring grooves, and Cu of low resistivity is used as a wiring material.例文帳に追加

層間絶縁膜として、電子線照射に感光する有機絶縁材料を用い、電子線照射条件を２段階で行うことによりビアホールと配線溝に相当するパターン露光をし、その後同時に現像を行い必要なビアホールと配線溝を形成することで、従来のデュアルダマシン工程の工程数を削減するとともに、配線材料として比抵抗の小さいＣｕを用いる。 - 特許庁

The electron beam exposure apparatus for exposing a desired pattern on a sample mounted on a wafer stage 124 with an electron beam generated from an electron gun 101 comprises a means 129 for injecting reducing gas into a column 100 containing the electron gun 101 and the wafer stage 124, and a control means 209 for sustaining injection of reducing gas into the column 100 for a predetermined time.例文帳に追加

電子銃１０１から発生させた電子ビームでウエハステージ１２４に載置した試料上に所望のパターンを露光する電子ビーム露光装置において、前記電子銃１０１及びウエハステージ１２４が収納されているコラム１００内に還元性ガスを注入する手段１２９と、前記コラム１００内に前記還元性ガスの注入を所定の時間継続して行わせる制御手段２０９とを有する。 - 特許庁

This scanner characteristic evaluating device is characterized in that when receiving irradiation of a laser beam, a mask 62 of a chrome film is arranged on a color glass filter 61 having a property of emitting fluorescence, and a regular test pattern 63 for exposing the color glass filter is formed by an opening part of the mask.例文帳に追加

レーザ光の照射を受けると、蛍光を放出する性質を有する色ガラスフィルタ６１上に、クロム膜のマスク６２が設けられ、マスクの開口部によって、色ガラスフィルタが露出される規則的なテストパターン６３が形成されたことを特徴とするスキャナの特性評価用デバイス。 - 特許庁

When detecting an object by inter-scan integral 31 of radar beam scanning, a pattern wherein the object T is moved in the distance direction during scanning is predicted beforehand, and distance correction data for correcting the distance so as to compensate the movement are housed in a target movement correction value table 4.例文帳に追加

レーダビーム走査のスキャン間積分（３１）により目標物を検出する際、スキャン走査の間に、目標物Ｔが距離方向に移動するパターンを予め予測し、その移動を相殺するように距離補正するための距離補正データを目標運動補正値テーブル４に格納する。 - 特許庁

As compared to when arranging the light source part (laser beam source 11) and the fly-eye lens 12 such that the first direction is parallel with respect to vertical or horizontal direction of arrangement of lens cells, the number of superimposition pattern in the fly-eye lens 12 increases and the uniformizing effect of light can be improved.例文帳に追加

レンズセルの縦または横の配列方向に対し前記第１の方向が平行となるように光源部（レーザ光源１１）とフライアイレンズ１２を配置する場合に比べ、フライアイレンズ１２における重畳パターン数が増加し、光の均一化効果を高めることができる。 - 特許庁

Then the insulating layer 4 is exposed to an exposure light beam 6 through a photomask 5, baking processing is carried out after the exposure, and then development is carried out for an arbitrary development time by using an arbitrary developing solution to form the insulating pattern which is sectioned in the forward tapered shape or trailing shape.例文帳に追加

その後、フォトマスク５を介して露光光線６により絶縁層４の露光を行い、露光後ベーク処理を施した後、任意の現像液と現像時間で現像することにより順テーパー形状または裾引き形状の断面形状を有する絶縁パターンを形成することができる。 - 特許庁

While an imaging position on a chart pattern is moved by moving a measuring unit, reflected light reflected by a protection glass and the imaging element is made incident on a photoelectric sensor through a beam splitter and the incident light is detected to acquire a measurement waveform (100 to 106).例文帳に追加

測定ユニットを移動することによって、チャートパターンの結像位置を移動させながら、保護ガラス及び撮像素子によって反射された反射光をビームスプリッタを介して光電センサに入射され、該入射光を検出して測定波形を取得する（１００〜１０６）。 - 特許庁

To improve use efficiency of light while maintaining good accuracy in exposing a subject by irradiating it with a light beam having a viewing angle in one axial direction larger than a viewing angle in the other axial direction through a mask having a stripe pattern.例文帳に追加

一方の軸方向の視角が他方の軸方向の視角より大きい光を照射できるようにし、ストライプ状のパターンが形成されたマスクを介して被処理物に光を照射し被処理物を露光するに際し、良好な露光精度を維持しながら、光の利用効率を向上させること。 - 特許庁

A shim terminal portion 16 constituting a beam 10 is divided to provide power feeding terminals 17a, 17b and further, regarding an electrode pattern of a first piezoelectric element 12 packaged on the shim, a first electrode 13a and a second electrode 13b are formed in a shape corresponding to the power feeding terminals.例文帳に追加

ビーム１０を構成するシム端部１６を分割して給電端子１７ａ、１７ｂを設け、さらにシムに搭載する第１圧電素子１２の電極パターンを、給電端子に対応するような形状の第１電極１３ａ、第２電極１３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a printed board in which influence on a copper foil pattern at the time of division is eliminated and the division cutting surface of the printed board is made almost straight by forming a groove structure by successive non-through holes formed by a laser beam at the perforation part of the printed board.例文帳に追加

プリント基板のミシン目部にレーザー光により形成する連続した非貫通穴による溝構造を形成することにより、分割時の銅箔パターンへの影響をなくすことができ、かつプリント基板の分割切断面をほぼ直線的にすることができるプリント基板を提供する。 - 特許庁

In a pattern sequence of input/output signals of an optical pickup, a differential output signal of a light quantity detecting element outputting an electrical signal according to a light beam receiving quantity emitted from a light source, is arranged adjacently to a power source voltage and a reference potential.例文帳に追加

光ピックアップ装置の入出力信号のパターン配列において、光源から出射される光ビーム受光量に応じた電気信号を差動信号で出力する光量検出素子の差動出力信号が、電源電圧と基準電位に隣接配置されたパターン配列とする。 - 特許庁

A decorative sheet or decorative material has a printed pattern layer using a printing ink composition, a primer layer containing a resin having a double bond and containing a resin having an elongation of dried film after curing by UV ray of 50% or more and an energy beam curing type topcoat formed on a substrate in this order.例文帳に追加

基材上に、インキ組成物による印刷模様層、その上面に２重結合を有し且つＵＶ硬化後の乾燥皮膜の伸び率が５０％以上の樹脂を含有するプライマー層、その上面にエネルギー硬化型トップコート層が形成されている化粧紙。 - 特許庁

In the diffractive element 8 formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly trianglular region outside of a far field pattern LL of an optical beam.例文帳に追加

四角に形成された回折素子８の場合、光ビームのファーフィールドパターンＬＬの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク９ａを形成することにより、回折素子８の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク９ａを形成することができる。 - 特許庁

The beams of diffused light radiated from the light emitting element 41 are converged by the first lens 42, to reduce the diameter of a beam spot 70 projected on the recording paper 2 to less than the length and width of the individual elements constituting a print deviating detecting pattern.例文帳に追加

発光素子４１から出射された拡散光を第１のレンズ４２によって集束させることにより、記録紙２の上に投射させるビームスポット７０の直径を印字ずれ検出パターンを構成する個々の要素の長さ寸法及び幅寸法より小さくする。 - 特許庁

To improve, when a pattern is drawn on a substrate by scanning the substrate with plural light beams from plural light beam irradiation devices, the drawing quality by correcting variation in intensity distribution of diffraction light of the light beams due to variation in operation angle of a mirror of a spatial optical modulator.例文帳に追加

複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する際、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させる。 - 特許庁

To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.例文帳に追加

光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁

To provide Makyoh configured to confirm a sharp design pattern with projected reflected light even in the absence of a parallel light beam such as a sunbeam, immediately confirm properties of the reflected light used for projection, and immediately determine a condition of a color used for colored projection.例文帳に追加

太陽光線などの平行光線が得られないときであっても、投影した反射光で鮮明な意匠文様を確認でき、加えて、投影に用いる反射光の性質もすぐに確認可能であり、色彩を有する投影の際にその色具合がすぐに判明するような魔鏡を提供する。 - 特許庁

The shade 40 has a bent edge 41 which is bent in a plane vertical to the optical axis Ax for forming a cutoff line of the low beam light distribution pattern, and is constituted rotatably in the plane vertical to the optical axis Ax, with a bent part 41a of the bent edge 41 as a center.例文帳に追加

シェード４０は、すれ違い配光パターンのカットオフラインを形成するための、光軸Ａｘに垂直な面内で屈曲された屈曲エッジ４１を有し、屈曲エッジ４１の屈曲部４１ａを中心に光軸Ａｘに垂直な面内で回動可能に構成されている。 - 特許庁

In the image developing process of the dry film resist, a non-crosslinked part of the resist pattern is crosslinked by ultraviolet rays, electron beam or chrome while still wet with water, therefore the build-up printed circuit board having the aspect ratio of 2.5 or more and a wiring layer with the conductor wiring pitch of 20 μm or less is manufactured.例文帳に追加

ドライフィルムレジストの現像工程にて、水洗水で濡れたままの状態で、該レジストパターンの未架橋部を、紫外線や電子線、クロムにて架橋させることにより、アスペクト比が２．５以上でかつ、導体配線ピッチ２０μｍ以下の配線層を有するビルドアッププリント基板を製造する。 - 特許庁

In a image forming apparatus, a sensor 8 makes an S-wave incident as a measuring beam to an intermediate transfer belt 4 (a substrate of the intermediate transfer belt 4 or a toner pattern 41 on the intermediate transfer belt 4), and detects a P-wave component and an S-wave component of reflected light from the intermediate transfer belt 4.例文帳に追加

画像形成装置において、センサ８は、測定光としてＳ波を中間転写ベルト４（中間転写ベルト４の下地、または中間転写ベルト４上のトナーパターン４１）へ入射させ、中間転写ベルト４からの反射光のＰ波成分とＳ波成分とを検出する。 - 特許庁

The mask cleaning method includes a step of cleaning a surface of a mask film 32 by irradiating a mask film 32 having a mask pattern formed on a main surface 30a of a substrate 30 with energy beam from the mask film 32 and making the temperature of the mask 32 higher than that of the substrate 30.例文帳に追加

マスク洗浄方法は、基板３０の主面３０ａ上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜３２に、マスク膜３２側からエネルギー線を照射して基板３０よりもマスク膜３２の温度を高温とすることによりマスク膜３２の表面を洗浄する工程を含む。 - 特許庁

In the laser processing process, a laser processing region 43 including a metal pattern 41a formed on the principal surface 3a of the scribe region 40b is irradiated with a first laser beam having first energy from the side of a principal surface 3a to remove an insulating layer (first insulating layer) 34.例文帳に追加

このレーザ加工工程では、第１のエネルギーを有する第１のレーザを、スクライブ領域４０ｂの主面３ａ上に形成された金属パターン４１ａを含むレーザ加工領域４３に主面３ａ側から照射して、絶縁層（第１絶縁層）３４を取り除く。 - 特許庁

To obtain a polymer for a resist, having small line edge roughness and slightly forming microgel and defects when used as a resist resin in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, etc., and a resist composition and to provide a method for pattern production using the resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト樹脂として用いた場合に、ラインエッジラフネスが小さく、マイクロゲル及びディフェクトの生成も少ないレジスト用重合体、レジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a pattern by performing exposure and development with respect to the photosensitive layer, the cover film for photosensitive layer is disposed and used on the photosensitive layer and has a total light transmittance of 70% or higher for a laser beam of wavelength 405 nm.例文帳に追加

感光層に対して、露光・現像を行うことによりパターンを形成する方法において、前記感光層上に配置されて用いられ、４０５ｎｍの波長のレーザ光に対する全光線透過率が７０％以上であることを特徴とする感光層カバーフィルムである。 - 特許庁

To conduct high-precision and rapid inspection of a semiconductor in a desired contrast by efficiently and rapidly detecting secondary electrons, reflected electrons or both of them generated from a substrate, in a method for inspecting a defect, a foreign substance, a residue and the like of the same design pattern of a semiconductor device by using an electron beam.例文帳に追加

半導体装置の同一設計パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線により検査する方法において、基板から発生する二次電子または反射電子またはその両方を高効率に高速に検出し、所望のコントラストで半導体ウェハの高精度、高速な検査を行う。 - 特許庁

The device for processing a resist pattern 1 is provided with a stage 12 for mounting a substrate 10 having a patterned photoresist R disposed on a surface; an ultraviolet irradiating section 14 for projecting an ultraviolet beam to the stage 12; and an annular member 16 that surrounds the entire periphery of the substrate 10.例文帳に追加

レジストパターン処理装置１は、パターニングされたフォトレジストＲが表面に配置された基板１０を載置するためのステージ１２と、ステージ１２に向けて紫外線を照射する紫外線照射部１４と、基板１０の周囲全体を囲む環状部材１６とを備える。 - 特許庁

A beam connecting means 4 is provided with a collimator lens 41 and a half mirror 42, and reference beams are made to be parallel beams, thereafter, are returned in the same direction with object beams which are emitted from microlens arrays 32 by the half mirror 42, are superposed on the object beams and causes an interference pattern to be generated.例文帳に追加

光結合手段４は、コリメートレンズ４１とハーフミラー４２を備え、参照光を平行光とした後、ハーフミラー４２によりマイクロレンズアレイ３２から出射した物体光と同方向に折り返され、物体光と重ね合わされて干渉パターンを発生する。 - 特許庁

The control means 21 controls the scanning of the deflection means 2 by superposing a scan signal on a deflection signal, when electron beam profiles such as an emission pattern are displayed on a displaying means based on x-ray detection data obtained by the x-ray detection means 20.例文帳に追加

制御手段２１は偏向信号にスキャン信号を重畳して各偏向手段２を走査制御し、そのとき表示手段には前記Ｘ線検出手段２０で得られたＸ線検出データに基づいて電子ビームプロファイル、例えばエミッションパターンが表示される。 - 特許庁

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).例文帳に追加

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁