| 例文 |
beam patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2381件
To provide a headlight for a vehicle arranged so that a low beam projection is conducted with a light distribution pattern having a horizontal and an oblique cutoff line, capable of heightening a long-range visibility by securing the photo-quantity of a hot zone sufficiently even in the case the vertical width of its reflector is small.例文帳に追加
水平および斜めカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行うように構成された車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの上下幅が小さい場合であってもホットゾーンの光量を十分に確保して自車線側の遠方視認性を高める。 - 特許庁
At the first movement position, the light distribution pattern for a low beam can be obtained by setting the light source 22a at a first light source position located on an optical axis Ax and by setting the movable shade 32 at a first shade position where its upper edge 32a is located on the optical axis Ax at the rear-side focal point F of a projection lens 28.例文帳に追加
第1の移動位置では、光源22aを光軸Ax上に位置する第1の光源位置、可動シェード32をその上端縁32aが投影レンズ28の後側焦点Fにおいて光軸Ax上に位置する第1のシェード位置とし、ロービーム用配光パターンを得る。 - 特許庁
The drawing head 40 is provided with a DMD (digital micromirror device) having a group of micromirrors 9 to modulate reflected light, and a pattern is drawn, by irradiating the substrate 9 with a spatially modulated beam from the drawing head 40, while relatively moving the substrate 9 with respect to the drawing head 40.例文帳に追加
描画ヘッド40には、反射光を変調する微小ミラー群を有するDMDが設けられ、基板9が描画ヘッド40に対して相対的に移動しつつ、描画ヘッド40から空間変調された光が基板9上へ照射されることによりパターンの描画が行われる。 - 特許庁
A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加
原子間力顕微鏡探針3による機械加工で発生した加工屑5を正常パターン6やガラス基板7にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑5は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム1を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁
In the printed circuit board 30 wherein a resin film 1 composed of a thermoplastic resin and a conductor pattern 2 are alternately laminated, a laser beam 40 as a roughening means is irradiated to a peripheral portion 31 of the positioning mark 3 formed on a surface of the printed circuit board 30, then the peripheral portion 31 is roughened.例文帳に追加
熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム1と導体パターン2とを交互に積層してなるプリント基板30であって、プリント基板30表面に形成された位置決めマーク3の周囲部31に粗化手段としてのレーザ光40を照射して、周囲部31を粗化処理した。 - 特許庁
To provide a projector type vehicular lamp which improves efficiency in utilizing light source flux, and in addition can form a hot zone in a position to a driver's own lane with respect to a lamp front direction without sacrificing a diffusion angle on a driver's own lane side in a light distribution pattern for low beam.例文帳に追加
光源光束の有効利用を図った上で、ロービーム用配光パターンにおける自車線側の拡散角を犠牲にすることなく、そのホットゾーンを灯具正面方向に対して自車線寄りの位置に形成することができるプロジェクタ型の車両用照明灯具を提供する。 - 特許庁
When forming at least one kind of recording mark, a laser beam is modulated to a pulse pattern including a period t_top2 and a period t_1p set to recording power Pw, and a period t_m set to intermediate power Pm arranged between the period t_top2 and the period t_1p.例文帳に追加
少なくとも1つの種類の記録マークを形成する場合、レーザビームを、記録パワーPwに設定される期間t_top2及び期間t_lpと、期間t_top2と期間t_lpとの間に設けられ中間パワーPmに設定される期間t_mを含むパルスパターンに変調する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a chemically amplified negative resist film, which composition is effectively sensitive to EB (electron beam) or EUV (extreme ultraviolet radiation) and excellent in roughness, etching resistance, and sensitivity and which composition stably forms a highly precise fine pattern.例文帳に追加
EB(電子線)又はEUV(極紫外線)に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、及び感度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成することのできる化学増幅型のネガ型レジスト膜を成膜可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a pattern form which can form patterns in a simple step and can form patterns even if the form is not irradiated with energy in the form of the patterns by a method using a photomask, a method using electron beam lithography, etc.例文帳に追加
本発明は、簡便な工程での形成が可能であり、フォトマスクを介する方法や電子線描画を用いる方法等によりエネルギーをパターン状に照射しなくとも、パターン形成が可能なパターン形成体およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
To provide a positive type photosensitive resin composition excelling in PED stability and prifile, significantly improved in the developing faulty problems and free from any shortening on the line pattern end (lengthwise direction), when using far ultraviolet rays, especially ArF excimer laser beam as its exposure illuminant.例文帳に追加
露光光源として、遠紫外線、特にArFエキシマレーザー光を用いた場合、PED安定性及びプロファイルに優れ、現像欠陥の問題を著しく改善され、更にラインパターン端部(長手方向)のショートニングが生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁
A negative or positive UV-sensitive resin coating layer (A), a sheet layer (B) which transmits UV and an energy beam sensitive coating layer (C) which shields UV are successively laminated on the surface of a substrate to obtain the objective pattern forming laminate.例文帳に追加
本発明は、基材表面に、ネガ型もしくはポジ型紫外線感光性樹脂被膜層(A)、紫外線を透過するシート層(B)、及び紫外線を遮蔽する感エネルギー線被膜層(C)を順次積層してなることを特徴とするパターン形成用積層体を提供するものである。 - 特許庁
The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加
支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側(表面側)に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁
An imaging system includes an image receiving structure including a material layer having a tunable energy transfer characteristic; and an energy source to emit an energy beam at the material having the tunable energy transfer characteristic such that marking material is pattern-wise transferred to the image receiving structure.例文帳に追加
調整可能なエネルギー移動特性を有する材料を含む画像受容構造と、画像受容構造の表面にマーキング材料がパターン状に転写されるように、調整可能なエネルギー移動特性を有する材料にエネルギービームを放射するエネルギー源と、を含む画像形成システム。 - 特許庁
The lithographic device comprises: a substrate table which is so constituted as to hold a first type of first substrate, wherein the first substrate has a polishing surface; and a projection system which is so constituted as to project a radiation beam, provided with a pattern, to a target part of the substrate.例文帳に追加
本発明のリソグラフィ装置は、第1のタイプの第1の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、第1の基板が研磨面を有する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系とを含む。 - 特許庁
To clearly form a cut-off line and secure the sufficient amount of light in the vicinity of the cut-off line for enhancing the distant visibility, in a vehicle headlight that carries out low-beam irradiation in a light-distribution pattern having a prescribed cut-off line, even if the right-to-left width of its reflector is small.例文帳に追加
所定のカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行う車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの左右幅が小さい場合であってもカットオフラインを明瞭に形成するとともにカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保して遠方視認性を高める。 - 特許庁
To provide a method and a device for inspecting patterns and a mask manufacturing device using thereof correcting effects to pattern inspection caused by polarization of intensity distribution due to beam shape, size, and optical axis deviation of an illumination light source illuminating a body to be inspected for obtaining a constantly stable inspection result.例文帳に追加
被検査体を照明する照明光源のビーム形状、サイズ、光軸ずれによる強度分布の偏りから生ずる、パターン検査への影響を補正して、常に安定した検査結果が得られるパターン検査方法とその装置およびそれを用いたマスク製造装置を提供すること。 - 特許庁
The light quantities meeting a plurality of the colors and the exposure of the outside of the image regions are set in accordance with the transfer data of the pattern generating means and the set values of the laser beam quantities and densities in forming the patterns and the light quantities of the image regions and the outside of the image regions are changed over with each other.例文帳に追加
パターン発生手段の転送データとパターン形成時のレーザ光量設定値と濃度とに基づき、複数の色に応じた光量と画像領域外の露光量とを設定し、画像領域と画像領域外との光量を相互に切り換える。 - 特許庁
Then, the adaptive control type controller operates the current flowing through the parasitic element so as to put a correlation coefficient ρ_n of the reception signal y(n) and a reference signal r(n) (the desired wave) closer to "1" and, on the basis of the operated current, operates a beam pattern virtually coincident with the desired wave.例文帳に追加
そして、適応制御型コントローラは、受信信号y(n)と参照信号r(n)(所望波)との相関係数ρ_nが”1”に近づくように無給電素子に流れる電流を演算し、その演算した電流に基づいて、所望波に実質的に一致するビームパターンを演算する。 - 特許庁
When forming developer images of the respective colors LC, LM and Y, an exposure device 3 exposes and scans a photoreceptor drum 1 with a laser beam so as to form the same color dot toner image on each of the decided forming positions, based on the dot pattern signal b.例文帳に追加
露光装置3は、LC,LM,Yの各色の現像剤像をそれぞれ形成する際に、上記ドットパターン信号bに基づいて決定された形成位置のそれぞれに同一色のドットトナー像を形成するように、レーザ光により感光ドラム1上を露光走査する。 - 特許庁
To provide an electron beam lithography method in which drawing of a fine pattern can be made in high precision as prescribed on all surface of a substrate, and in a deflection control by a triangular wave deflection signal, drawing operation by electron beams is corrected and a photosensitized drawing of a prescribed element shape can be made rapidly and precisely with a constant dose.例文帳に追加
微細パターンの描画が基板の全面で所定通りに高精度に行え、三角波偏向信号による偏向制御において、電子ビームによる描画動作を修正し、所定のエレメント形状の感光描画が一定のドーズ量で高速かつ正確に描画可能とする。 - 特許庁
To obtain a pattern data forming method which is capable of relieving an increase in the data capacity of drawing data occurring in the generation of OPC patterns in formation of electron beam drawing data of a reticle, an increase in data handling time by accompanying the same, and an increase in the load on production resources and a drawing method for reticle.例文帳に追加
本発明は、レチクルの電子ビーム描画データの作成において、OPCパターンの発生に起因する描画データのデータ容量増加、これに伴うデータハンドリング時間の増加、および生産資源に対する負荷の増加を緩和できるパターンデータ作成方法およびレチクルの描画方法を得る。 - 特許庁
To solve the problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element with a high energy line, an X-ray, an electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness.例文帳に追加
高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer.例文帳に追加
石英製の透明な基板Q及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ABを備えるマスクにおいて、吸収体層ABの厚さtを投影ビームPBの波長λよりも大きく、吸収体層の幅bの3倍又は4倍以下とする。 - 特許庁
When an exposure process is carried out, for instance the blur of the energy beam in the X direction is set smaller than that in the Y direction, the wafer is adjusted in position so as to make the direction of the gate line width coincident with the X direction in the exposure system and loaded into the exposure device, and a gate pattern is exposed.例文帳に追加
露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、X方向のぼけ量を小さくY方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とX方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。 - 特許庁
The method for producing the imprinting member comprises the steps of: depositing an amorphous DLC (diamond-like carbon) film containing 12-30 atomic% hydrogen and the balance of carbon on the surface of a base material; and irradiating the surface of the DLC film directly with a laser beam to form the engraved groove consisting of a geometrical pattern or the like.例文帳に追加
基材の表面に、水素を12〜30原子%含み、残部が炭素からなるアモルファス状DLC膜を被覆形成し、その後、該DLC膜の表面に直接、レーザビームを照射して、幾何学模様などからなる彫刻溝を彫刻することによってインプリント部材を製造する。 - 特許庁
A coating material is applied to an object X to be decorated by a coating head 24 and laser beam L1 is radiated from the opposite side through the object X to be decorated to make formation of a decoration pattern possible without being influenced by the color and the thickness of the coating material.例文帳に追加
装飾対象物Xに対して、塗布ヘッド24から塗料を塗布するとともに、反対側から装飾対象物Xを透過させてレーザ光L1を照射することにより、塗料の色や厚さの影響を受けずに装飾体パターンを形成することが可能となる。 - 特許庁
In an integrated optical element 50, a heatsink 51 provided with a light source 1 and a photodetector 5 is installed with inclination to a holding substrate 54, through which this heatsink 51 penetrates, i.e., the heatsink 51 is installed with an optical axis of an irradiating laser beam tilted to a plane, on which a pattern of the holding substrate 54 is formed.例文帳に追加
集積光学素子50で、光源1と光検出器5を設けたヒートシンク51をこのヒートシンク51が貫通している保持基板54に対して、ヒートシンク51は、照射レーザ光の光軸が保持基板54のパターンが形成された面に対して傾斜して設置する。 - 特許庁
To determine steps or unevenness formed on a sample by a simple technique or obtain three-dimensional information by using a charge particle beam device such as a scanning electron microscope, and particularly to provide a determination method or its device suitable for unevenness determination of a line and space pattern formed on a sample.例文帳に追加
走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置で、簡単な手法で試料上に形成された段差及び凹凸の判定、或いは3次元情報を得ることにあり、特に試料上に形成されたライン&スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供する。 - 特許庁
To see to it that a low-beam light distribution pattern with a clear cutoff line at a top end part is formed, so as not to trouble an oncoming vehicle driver with big glare, in case a projector-type lamp tool unit with a light-emitting element as a light source is adopted for a vehicle headlight.例文帳に追加
車両用前照灯の灯具ユニットとして、発光素子を光源とするプロジェクタ型の灯具ユニットを採用した場合において、上端部に鮮明なカットオフラインを有するロービーム用配光パターンを形成するようにした上で、対向車ドライバに大きなグレアを与えてしまわないようにする。 - 特許庁
An observation area of the surface of a sample is scanned by irradiating an electronic beam, an image (SEM image) is acquired based on a detection signal of a secondary electron by a detector 99a arranged at a diagonal upper part of the observation area, and length L of a shadow of a pattern 82 which appears on the image is detected.例文帳に追加
試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器99aによる二次電子の検出信号に基づいて画像(SEM画像)を取得し、その画像に現れるパターン82の影の長さLを検出する。 - 特許庁
To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、電子線又はEUVの照射によるパターン形成において、高い感度及び解像度とともに、レジスト液の保存安定性及び引き置き経時安定性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
The optical disk device 1 receives first-order reflection light beams LR1A and LR1B in light receiving regions D2A and D2B of a light receiving part D disposed so as to avoid a stray light pattern W of an interlayer stray light beam LN and generates a pull-in signal PI1.例文帳に追加
また光ディスク装置1は、1次光のうち反射光ビームLR1A及びLR1Bを、層間迷光ビームLNの迷光パターンWを避けるよう配置された受光部D2の受光領域D2A及びD2Bによりそれぞれ受光し、プルイン信号PI1を生成する。 - 特許庁
A printing method includes: a first process S2 of irradiating a substrate in a heated state with an activation light beam; a second process S3 of cooling the substrate after the first process; and a third process S4 of ejecting a droplet to the cooled substrate to print a predetermined pattern thereon.例文帳に追加
基材を加熱した状態で活性光線を照射する第1工程S2と、第1工程の後に、基材を冷却する第2工程S3と、第2工程の後に、冷却された基材に対して液滴を吐出して所定パターンを印刷する第3工程S4と、を有する。 - 特許庁
It is possible to change flux distribution patterns LP, RP of an auxiliary lamp unit 7 without changing light distribution patterns of main lamp units 5, 6, 22 (for example, flux distribution pattern P for low beam) as it is a device to rotate the auxiliary lamp unit 7 which is different from the main lamp units 5, 6, 22.例文帳に追加
主用ランプユニット5、6、22と別個の補助用ランプユニット7を回転させるものであるから、主用ランプユニット5、6、22の配光パターン(たとえば、すれ違い用配光パターンP)を変化させずに補助用ランプユニット7の配光パターンLP、RPを変化させることができる。 - 特許庁
The lithography apparatus includes: a projection system configured to project a beam of radiation as an array of sub-beams of radiation and an array of individually controllable elements configured to modulate the sub-beams of radiation to form a requested dose pattern on a substrate.例文帳に追加
一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを投影するように構成された投影システムと、要求ドーズ・パターンを基板上で形成するために、放射線のサブビームを変調するように構成された個別に制御可能な要素のアレイとを含むリソグラフィ装置。 - 特許庁
A colored pattern of a nano scale is repeatedly written/erased by irradiating a resin film, comprised of an organic molecule reversibly colored/decolored by quantum beam irradiation and photoirradiation or heating, with quantum nano beams operable at a high speed and subsequently subjecting the resin film to photoirradiation or heating.例文帳に追加
量子ビーム照射と光照射又は加熱とで着色/脱色を可逆的に起こす有機分子からなる樹脂膜に、高速に操作可能な量子ナノビームを照射し、その後光照射又は加熱することにより、ナノスケールの着色パターンを繰り返し書込み/消去する。 - 特許庁
To provide a scanning charged-particle microscope in which distortion of measurement, even of an insulator pattern, in the field of view can be suppressed by suppressing the impact of charging due to primary charged-particle beam irradiation during photographing, and suppressing change in the detection rate of secondary charged-particles.例文帳に追加
絶縁体パターンであっても,撮影中一次荷電粒子線照射起因帯電の影響を抑制し,二次荷電粒子の検出率の変化を抑制することにより視野内の計測歪みを抑制することのできる走査型荷電粒子顕微鏡を提供する。 - 特許庁
To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.例文帳に追加
本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁
The base station 801 receives the signal so as to transmit data to the wireless terminal 802 with the beam pattern in the same direction as the direction of transmitting the pilot signal, by using a data channel of a second slot after a predetermined slot from the first slot corresponding to the requested data rate (S313, S325).例文帳に追加
基地局801が、その信号を受信し、要求されたデータレートに従い、第1のスロットから予め定められたスロット後の第2のスロットのデータチャネルを用いて、パイロット信号を送信した方向と同じ方向のビームパターンで、データを無線端末802に送信する(S313、S325)。 - 特許庁
The light distribution pattern for the high beam is formed, by condensing the light from the LED 35 to the spot near the rear-focal point F of the projector 31, on the condition that the leading end edge 39a of the cutoff line forming member 39 be set relatively remote from the rear focal point F of the projector lens 31.例文帳に追加
カットオフライン形成部材39の先端縁39aと投影レンズ31の後方側焦点Fとを相対的に離した状態で、LED35からの光を投影レンズ31の後方側焦点F近傍に集光させることにより、ハイビーム用配光パターンを形成する。 - 特許庁
From coordinate data of a graphic of a pattern for drawing on a substrate, the sampling points for determining the necessity of drawing is periodically changed for each exposure region (2a) of the size of the resolution to generate drawing data and the resulting drawing data is supplied to a driving circuit (27) of the light beam irradiation device.例文帳に追加
基板に描画するパターンの図形の座標データから、描画の要否を判定するサンプリング点を解像度の大きさの露光領域(2a)毎に周期的に変動させて、描画データを生成し、生成した描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路(27)へ供給する。 - 特許庁
To increase contrast, and resolution, and enlarge the margin of the quantity of exposure, by adjusting the quantity of auxiliary exposure, according to the density of patterns, in a scattering angle limitating system of an electron beam exposure method which performs the proximity effect correction by a ghost method at the same time with pattern exposure.例文帳に追加
ゴースト法による近接効果補正をパターン露光と同時に行う散乱角制限方式電子線露光方法において、パターン密度に応じて補助露光量を調整することにより、コントラストを増大させ、解像度を向上し、露光量マージンを大きくすることにある。 - 特許庁
The target-detecting device 1 calculates the correlation degree with an antenna beam pattern as a reference for signal strength after clutter suppression processing for a target that has been detected and evaluated by a conventional target detection means, thus judging whether the detection is erroneous due to clutter and eliminating an erroneous target due to the clutter.例文帳に追加
従来の目標検出手段によって検出・評定された目標について、クラッタ抑圧処理後の信号強度に対して、基準とする空中線ビームパターンとの相関度を算出することにより、クラッタによる誤目標か否かを判定し、クラッタによる誤目標を除去する。 - 特許庁
To provide a chemically amplified positive radiation-sensitive resin composition that is superior in roughness, etching resistance, sensitivity and resolution, capable of stably forming a fine pattern with high accuracy, and suitable for use as a resin composition for EB or EUV, effectively sensitive to an electron beam or extreme-ultraviolet radiation.例文帳に追加
ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、電子線または極紫外線に有効に感応するEB、EUV用として好適な化学増幅型ポジ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
The device may be designed to perform selectively one of two operation modes, namely, an operation mode that forms a machining pattern for setting machining conditions for a workpiece on each of the plurality of driving conditions of the YAG laser beam machine while automatically switching the driving conditions, and the ordinary machining operation mode.例文帳に追加
YAGレーザ装置の複数の駆動条件を自動的に切り換えながら各駆動条件について加工対象物に加工条件設定用の加工パターンを形成する加工条件設定用動作モードと、通常の加工動作モードとを選択的に実行するようにしてもよい。 - 特許庁
The upper stage light source unit 20, the middle stage light source unit 40, and the lower stage light source unit 60 are provided in a lamp body 14 that is a light body through a support member 15, and light from the respective light source units 20, 40, 60 is superposed to form a low beam light distribution pattern in front of a vehicle.例文帳に追加
上段光源ユニット20、中段光源ユニット40、下段光源ユニット60は、支持部材15を介して灯体であるランプボティ14に設けられており、各光源ユニット20,40,60からの光が重ね合わせられて車両前方にロービーム配光パターンが形成される。 - 特許庁
To provide a vehicle headlight with an actuator miniaturized and weight-saved and with luminance at irradiation effectively enhanced without adversely affecting on formation of a low-beam light distribution pattern, in a projector type one equipped with a movable shade.例文帳に追加
可動シュードを備えたプロジェクタ型の車両用前照灯において、すれ違いビーム用配光パターンの形成に悪影響を及ぼすことなく、アクチュエータの小型軽量化を図ると共に、照射時の光度を効率よく高めることができる車両用前照灯を提供する。 - 特許庁
This significantly reduces the reflection of the i-beam radiated at exposure on the substrate backside 10b, and hence an electrode pattern 20 having a high size accuracy is formed without forming an antireflective film on the substrate surface 10a at the exposure side of the substrate 10.例文帳に追加
それにより、露光時に照射されるi線の基板裏面10bにおける反射が有意に抑制されるため、基板10によって露光される側の基板面10aに反射防止膜を成膜することなく、高い寸法精度を有する電極パターン20を形成することができる。 - 特許庁
The pattern measuring device carries out exposure simulation on data of outlining the pattern edges of a first mask image and a second mask image formed based on charged particle beam irradiation on two masks used for double exposure, and superposes two outlines to which exposure simulation is performed, based on coordinate information of design data of the masks.例文帳に追加
上記目的を達成するために、以下に二重露光に用いられる2つのマスクに対する荷電粒子ビーム照射に基づいて、形成される第1のマスク画像と、第2マスク画像のパターンエッジを輪郭線化したデータについて、露光シミュレーションを実行し、当該露光シミュレーションが行われた2つの輪郭線を、前記マスクの設計データの座標情報に基づいて、重ね合わせるパターン測定装置を提案する。 - 特許庁
The charged particle beam microscope acquires a plurality of frame images by scanning the field of view of the sample (S304, 305), adds the images together (S307), computes the dimensions of the pattern formed on the sample (308), and at the same time acquires pattern information (314) using a separated image (309, 310) composed of a single frame image comprising a frame image, a subframe image, and the like.例文帳に追加
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し(S304、S305)、それらの画像を積算し(S307)、試料上に形成されたパターンの寸法を算出(S308)すると共に、フレーム画像を構成する1フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像(S309,S310)を用いてパターン情報を取得する(S314)。 - 特許庁
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