「beam pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposing mask 100 is constituted of a supporting frame 4, beams 5 for supporting a membrane 6 integrally with the supporting frame 4, the membrane 6 composed of a pattern forming part 7 or the like in which electron beam penetration holes 9 are formed, conductive projections 11, and so on.例文帳に追加

露光用マスク１００を、支持枠４、支持枠４と一体となってメンブレン６を支える梁５、電子ビーム通過孔９が形成されるパターン形成部７などからなるメンブレン６、そして導電性突起物１１等で構成する。 - 特許庁

An ideal pattern (for example, design data such as CAD data) is converted from two-dimensional display to three-dimensional display by using information of an irradiation angle to a sample of a charged particle beam, and displayed together with an observation image.例文帳に追加

本発明では、荷電粒子線の試料に対する照射角度の情報を用いて、理想的なパターン（例えば、ＣＡＤデータ等の設計データ）を２次元的表示から３次元的表示に変換して、観測画像と共に表示するようにしている。 - 特許庁

At this time, the irradiation position of the laser beam LB is determined by the movement and positioning of the laser optical system 45 in the X axis and Y axis directions by a relative movement mechanism 43a, thereby a desired pattern can be easily formed.例文帳に追加

このとき、相対移動機構４３ａによりレーザ光学系４５をＸ軸方向およびＹ軸方向へ相対的に移動・位置決めすることによりレーザ光ＬＢの照射位置を決定するので、所望のパターンを容易に形成することができる。 - 特許庁

In the recording material amount measuring device 100, the recording material P is irradiated with a laser beam from an LD 201 so as to form an image on a CCD sensor 203 and detect the speckled pattern of the formed image F, formed on the CCD sensor 203 in a speckle sensor unit 200.例文帳に追加

記録材量測定装置１００は、スペックルセンサユニット２００において、ＬＤ２０１から記録材Ｐにレーザ光を照射し、ＣＣＤセンサ２０３に結像させ、ＣＣＤセンサ２０３に形成された結像Ｆのスペックルパターンを検出する。 - 特許庁

A non-polarizing beam splitter 200 is used in the separation of the light paths of an illumination system and an image forming system and a polarizer 14 and a λ/4 plate 17 are combined to perform circular polarization illumination to obtain MTF characteristics not relying on the azimuth of the pattern on the sample 1.例文帳に追加

照明系と結像系の光路の分離に無偏光ビームスプリッタ２００を用い、偏光子１４とλ／４板１７を組み合わせて円偏光照明することで試料１上のパターンの方位によらないＭＴＦ特性を得る。 - 特許庁

To achieve processing of high quality and high precision by preventing a light component of 0th order from being generated strongly to form an uneven light intensity distribution when a beam is split by a hologram and put one over the other on an irradiated part or pattern mask to make the light intensity uniform.例文帳に追加

ホログラムでビームを分割し、被照射部、またはパターンマスク上で重畳して光強度を均一化する際に、０次光成分が強く発生し不均一な光強度分布となることを防止し、高品質、高精度な加工を達成する。 - 特許庁

In such a pattern drawing apparatus 100, the line beam in which positional variation is reduced is introduced to a modulation element 537 by the amount of light adjustment unit 550, and thereby exposure in which variation in the amount of light is reduced among pixels can be obtained.例文帳に追加

パターン描画装置１００によれば、光量調節部５５０によって、位置によるバラツキが低減されたラインビームが変調素子５３７に導入されることとなり、結果、画素間の光量バラツキが低減された露光を実現できる。 - 特許庁

To provide a master disk for manufacturing an optical recording medium which is capable of forming the sectional shape of minute rugged patterns with good controllability in forming the minute rugged patterns by utilizing a focused electron beam capable of performing the pattern exposure suitable for a higher recording density.例文帳に追加

高記録密度化に適したパターン露光を行い得る集束電子ビームを利用した微細凹凸パターンを形成するにあたって、制御性よく微細凹凸パターンの断面形状を形成し得る光記録媒体作製用原盤を提供する。 - 特許庁

A pattern to be transferred is formed on a reticle 1, and a charged particle beam 2 having passed through the reticle 1 forms an image of the reticle 1 on an exposed matter 8 such as a resist on a wafer by using a first projection lens 3 and a second projection lens 7.例文帳に追加

レチクル１上には転写すべきパターンが形成されており、レチクル１を通過した荷電粒子線２は第１投影レンズ３及び第２投影レンズ７によってウエハ上のレジストなどの被露光物８上にレチクル１の像を結像する。 - 特許庁

To provide a color selection light quantity adjusting device capable of selecting a required color beam with a single area, adjusting its light quantity, emitting it, arranging such a single area on a pixel pattern, and constituting a color video display panel.例文帳に追加

単一領域で所望の色光を選択しその光量を調節して出射することを実現し、かかる単一領域を画素パターンに配置してカラー映像表示パネルを構成することができる色選択光量調節装置を提供する。 - 特許庁

According to the embodiment, the charged particle beam device can be provided in which the high precision and high speed measurements, or inspections can be carried out even in the sample deposited with a large static charge on a face different from the pattern face such as the photo-mask.例文帳に追加

当該態様によれば、ホトマスクのようなパターン面とは異なる面に大きな帯電が付着する試料であっても、高精度且つ高速に測定、或いは検査を行うことができる荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 - 特許庁

A substrate heating section 6 of the pattern correction device proceeds to a lib 35 where a rib failure defective portion 35a to be corrected exists, and the rib failure defective portion 35a is irradiated with a laser beam α along a plane orthogonal to a substrate 34, to be heated.例文帳に追加

このパターン修正装置の基板加熱部６は、修正対象のリブ欠け欠陥部３５ａが存在するリブ３５を通り、かつ基板３４に垂直な平面に沿って、レーザ光αをリブ欠け欠陥部３５ａに照射して加熱する。 - 特許庁

An electron beam having 100 eV or more and 1,000 eV or less of irradiation energy is scanned/irradiated to the wafer 18 having the pattern with the high step difference under the semiconductor manufacturing process, the defect is inspected quickly based on an image of a secondary electron generated therein.例文帳に追加

半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。 - 特許庁

To obtain a high-reliability BGA type semiconductor device wherein the line length of a wiring pattern is reduced to speed up the signal transmission, the thickness of the semiconductor device is made more small, and a bending stress, etc., never occur when a semiconductor chip is bonded to a beam frame.例文帳に追加

配線パターンの線長を短くして信号伝送を速めるとともに、半導体装置の厚みをより薄くし、また、ビームリードに半導体チップとの接合時に曲げ応力等が生ぜず信頼性の高いＢＧＡ型半導体装置を得る。 - 特許庁

A light emitted from a light source 20 is reflected by a second reflecting surface 50 to an area 30a where the stem casts a shadow thereon, reflected by the area 30a and irradiated to the areas where dark areas are generated in the light distribution pattern of low beam.例文帳に追加

光源２０から照射された光は、第２の反射面５０によりステムの影となる範囲３０ａに反射され、さらにステムの影となる範囲３０ａで反射され、ロービーム用配光パターンに現れるダークとなる範囲に照射される。 - 特許庁

A pattern forming method using the photosensitive resin composition can be carried out by a step of applying the composition on a substrate to be worked, a step of exposing the composition with a beam of ≤250 nm, a step of heating the same and a step of developing the same.例文帳に追加

この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、被加工基板上に前記組成物を塗布する工程、２５０ｎｍ以下の光線で露光する工程、加熱する工程、及び現像する工程によって行うことができる。 - 特許庁

When a pattern width control is started, patterns of n-types of sizes are formed on the transfer belt 5; and the image detection sensors irradiate a first batch with a beam (S11), then decides whether the specular reflection component of a detected waveform has reached a threshold (S12).例文帳に追加

パターン幅制御が開始されると、転写ベルト５上にｎ種類のサイズのパターンを形成し、画像検知センサにより１番目のバッチにビームを照射し（Ｓ１１）、検出波形の正反射成分はしきい値に達しているかを判断する（Ｓ１２）。 - 特許庁

In the projector lens 5, a prism part 51 is formed in order to refract one portion of the light incident into the projector lens 5, and to irradiate it diagonally ahead of the vehicle upward a cut-off line C of the upper end of a low-beam light distribution pattern P1.例文帳に追加

投影レンズ５には、当該投影レンズ５に入射した光の一部を屈折させて、すれ違い配光パターンＰ１上端のカットオフラインＣよりも上方の車両斜め前方へ照射させるプリズム部５１が形成されている。 - 特許庁

Then because an adhesiveness in the transfer layer 19 corresponding to the exothermic region is lowered by the heat and the transfer layer 19 is selectively transferred, a fine transfer layer pattern can be finely formed even though a width of the laser beam is not precisely controlled.例文帳に追加

そして，発熱領域に相当する転写層１９が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。 - 特許庁

The polarization direction of the illumination beam is aligned with a polarizing conversion optical system 20 in a direction parallel to an edge 1a of the mask pattern 1A, so that the slopes caused by the diffraction of the diffraction images formed on the exposure object substrate 2 are made sharper.例文帳に追加

また、偏光変換光学系２０により、照明光の偏光方向を、マスクパターン１Ａのエッジ１ａと平行な方向に揃えて、露光対象基板２上に形成される回折像の回折によるスロープを急峻化する構成としてある。 - 特許庁

A degree in deface of the main opening 5A is presumed by monitoring electron beam 6C passing through the sub-opening with a current measuring instrument 10 to determine if the main opening can perform the pattern transferring with sufficient accuracy.例文帳に追加

副開口部を通過させた電子ビーム６Ｃを電流計測器１０でモニターすることによって、主開口部５Ａの汚損の度合いを推定し、その主開口部が十分な精度でパターン転写を行える状態にあるか否か判定する。 - 特許庁

Thus, even if heating occurs in the X-ray film by emitting the laser beam, the temperature rise of the X-ray film is suppressed, and the marking pattern MP of high quality can be formed without bringing about a performance failure such as sensitizing or desensitizing.例文帳に追加

これにより、レーザービームが照射されることによりＸレイフィルムに発熱が生じても、Ｘレイフィルムの温度上昇を抑え、増減感などの性能故障を生じさせることなく、高品質のマーキングパターンＭＰを形成することができる。 - 特許庁

Each wireless device 1 to 10 constituting the wireless network system 100 detects a wireless device adjacent to itself using a beam pattern of directivity, and prepares an adjacent device list and a topology table showing a mutual connection relation of the wireless devices 1 to 10.例文帳に追加

無線ネットワークシステム１００を構成する無線装置１〜１０の各々は、指向性のビームパターンを用いて、自己に隣接する無線装置を検知して隣接装置リストと、無線装置１〜１０の相互の接続関係を示すトポロジーテーブルとを作成する。 - 特許庁

By this color marking method, a complicated pattern can be automatically and effectively drawn on the rear surface or in the inside of a transparent or semitransparent material such as glass, plastic and ceramics at a low cost by irradiating the laser beam once or several times.例文帳に追加

このカラーマーキング方法によれば、レーザを１回乃至複数回照射することにより、自動で効率的に複雑な紋様を低コストで、透明又は半透明のガラス、又はプラスチック、又はセラミックスの裏面又は内部に描くことが出来る。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

Thereby, when the light source 22a moves to the front movement position, the reflected light from the additional reflection face 24a1 is converged at the rear focus F and the central luminous intensity of the low-beam light distribution pattern is increased and, thereby distant visibility becomes superior.例文帳に追加

これにより、光源２２ａが前方移動位置へ移動したとき、付加反射面２４ａ１からの反射光を後側焦点Ｆに収束させて、ロービーム用配光パターンの中心光度を高め、これを遠方視認性に優れたものとする。 - 特許庁

A laser beam is radiated on the recording medium, a speckle generated by surface scattering is measured by an image sensor, speckle information obtained is subjected to FFT transform, and a paper quality of the record medium is discriminated from a peculiar pattern due to roughness of the surface of the record medium.例文帳に追加

記録媒体にレーザ光を照射し、表面散乱により生成されるスペックルを画像センサで測定し、得られたスペックル情報をＦＦＴ変換し、記録媒体の表面の粗さによる固有パターンから、記録媒体の紙質を判別する。 - 特許庁

To properly correct a weighting factor for forming a beam pattern of a data channel transmitted from an in-zone sub-array antenna in consideration of also effects of a pilot channel from an adjacent sub-array antenna, in an array antenna system composed of a plurality of the sub-array antennas.例文帳に追加

複数のサブアレーアンテナによって構成されたアレーアンテナシステムにおいて、隣接するサブアレーアンテナからのパイロットチャネルの影響も考慮し、在圏サブアレーアンテナから送信するデータチャネルのビームパターンを形成するための重み係数を適切に補正する。 - 特許庁

A protective film 1 having the width and the length not less than the diameter of a wheel W and an adhesive 12 on a back side thereof can be obtained by feeding a roll 10, and being irradiated with laser beams B in a predetermined pattern by a laser beam irradiation machine 2, and cut.例文帳に追加

ホイールＷの直径以上の幅と長さを持ち裏面に粘着剤１２を有する保護フィルム１は、ロール１０が送り出されてレーザー照射機２によりレーザービームＢが所定のパターンで照射されて切断されることで得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of irradiating the laser beam whose configuration shows light intensity peaks at two or more angles as a lateral FFP (Far Field Pattern) in simpler structure, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

より簡素な構造をもって、横方向のＦＦＰ（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）として複数の角度に光強度ピークを示すビーム形態のレーザ光を出射することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a reference signal (beacon signal) is input, a null beam is pointed to the direction of reference signal with no error by nulling the inner product of an input vector signal and a weighting factor vector, and weighting factors constituting a null pattern are calculated.例文帳に追加

参照信号（ビーコン信号）の入力時に、入力ベクトル信号と重み付け係数ベクトルとの内積がゼロとなるようにして参照信号方向にヌルビームを誤差なく指向させ、このとき、ヌルパターンを構成する重みづけ係数を算出する。 - 特許庁

The method of forming a solid circuit on a solid substrate 1 features drawing of a pattern of a solid circuit using a condenser lens 12 and a wide band laser beam 11 of wavelength band width of 50 nm or more.例文帳に追加

立体基板１上に立体回路を形成する方法であって、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。 - 特許庁

Pattern writing by the electron beam lithography system is controlled by single proximity effect control function and fogging effect control function coupled in one data processing step using the same algorithm as that being executed in a standard proximity correction unit.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィーシステムによるパターン描画は、標準の近接補正装置で実行される同じアルゴリズムを用いて、１データ処理ステップで、結合した単一の近接効果制御関数及びかぶり効果制御関数によって制御される。 - 特許庁

When a laser beam LB is cast to an X-ray film 12 wound around a print roll 24 while conveying to form the marking pattern, the outer periphery of the print roll is formed by using a metal material having thermal conductivity of 15 W/(mK) or more.例文帳に追加

搬送しながらプリントロール２４に巻き掛けたＸレイフィルム１２にレーザービームＬＢを照射してマーキングパターンを形成するときに、プリントロールの外周部を、熱伝導率が１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属材料を用いて形成する。 - 特許庁

The support substrate 2 and a base insulating layer 3 to be laminated thereupon are prepared and bonded together by using a laser beam 9, the conductor pattern 4 is formed on the base insulating layer 3, and then the support substrate 2 is removed to obtain the wiring circuit board 1.例文帳に追加

支持基板２とその上に積層されるベース絶縁層３とを用意し、それらをレーザー光９を用いて接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。 - 特許庁

This manufacturing method of ceramic heater comprises forming the resistant heating element having a prescribed pattern by forming a conductive layer in a prescribed area of the surface of a ceramic board followed by irradiation with laser beam to partially remove it.例文帳に追加

セラミック基板表面の所定領域に導体層を形成した後、前記導体層にレーザ光を照射してその一部除去することにより、所定パターンの抵抗発熱体を形成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 特許庁

A reflection-type pattern transfer apparatus, having a beam source for radiating charged particle beams, a first stage for mounting a mask 103 and a second stage for mounting a wafer provides a accurate alignment method for reflecting to the control of a wafer stage 105 and a mask stage 104.例文帳に追加

荷電粒子ビームを照射する線源と、マスクを載置する第１のステージと、ウェハを載置する第２のステージをもつ反射型のパターン転写装置で、ウェハステージ、マスクステージの制御に反映するための高精度なアライメント方法を提供する。 - 特許庁

This optical scanner is provided with an optical scanning means having a laser diode array(LDA) 6 and a laser diode (LD) driver which outputs a driving current in accordance with a pattern signal Pa to Pd to respective LDs which are light emitting elements and generates a laser beam.例文帳に追加

ＬＤＡ６を有する光走査手段と、パターン信号Ｐａ乃至Ｐｄに応じた駆動電流を発光素子である各ＬＤに出力して、レーザビームを発生させるＬＤドライバとを有する光走査装置において、次の構成を設ける。 - 特許庁

A long-length shaped master diffusing film and a supporting film on which the photosensitive material layer is provided are superposed or they are integrated by lamination, etc., and a speckle pattern is formed into a photosensitive material layer by irradiating them with coherent light such as a laser beam while conveying them.例文帳に追加

長尺状のマスター拡散フィルムと、感光材料層を設けた支持フィルムを重ね合せ、またはラミネート等により一体化して搬送しながらレーザー光等のコヒーレント光を照射し、スペックルパターンを感光材料層に形成する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for measurement using a charged particle beam by which connection deviation of a pattern having an optional shape can be measured without drawing step of patterns for measurement to measure the connection deviation and the measurement reproducibility is made high.例文帳に追加

接続ズレを測定するために測定用のパターンの描画工程を必要とせず、また、任意形状のパターンの接続ズレの測定も可能で、測定再現性にも優れた荷電粒子ビームを用いた測定方法および装置を実現する。 - 特許庁

The shape and direction of the beam to be transmitted or received by the antenna are determined by the selected coupling geometry of the coupling edge, as determined by the pattern of electrical connections selected for physical edge features of the coupling edge.例文帳に追加

アンテナによって送信または受信されるビームの形状及び方向は結合エッジの物理的なエッジ構造に対して選択される電気接続のパターンによって決定される、結合エッジの選択された結合幾何形状によって決定される。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when the resolution of a scanning electron microscope is monitored, preparation of a sample and employment of measurement algorithm capable of reducing the pattern dependence of resolution index value to be measured is required for accurately measuring the change in the size of electron beam.例文帳に追加

走査電子顕微鏡の分解能をモニタする場合，計測する分解能指標値のパターン依存性を低減できるようなサンプルの準備と計測アルゴリズムの採用が，電子ビームサイズの変化を高精度に計測するために必要である。 - 特許庁

A laser beam 11 emitted from an excimer laser oscillator 10 is shaped to a pattern of a projection mask 20 through a total reflection mirror 12 and an optical system 13, and then is reductively projected by a lens 14 to be cast on a substrate 17 in a processing chamber 16.例文帳に追加

エキシマレーザ発振器１０から発せられたレーザ光１１は、全反射ミラー１２や光学系１３を通り、投影マスク２０のパターンに従って成形され、レンズ１４により縮小投影されプロセスチャンバ１６内の基板１７に照射される。 - 特許庁

Inspection is performed while switching the intensity distribution of a DUV laser beam on the surface of the aperture diaphragm 12 of an illumination optical system so as to be optimum distribution in accordance with the pattern shape of the inspection spot on a semiconductor wafer 100 and an inspection purpose.例文帳に追加

照明光学系の開口絞り１２面内におけるＤＵＶレーザ光の強度分布を、半導体ウェハ１００上の検査箇所のパターン形状や検査目的に応じて最適な分布となるように切り替えながら検査を行う。 - 特許庁

For example, this can be achieved by forming, on the substrate 121 with the sheathed nano-wire 103 disposed thereon across the lower gate electrode 122, a resist pattern having an opening in an electrode formation part by an electron beam exposure and then depositing an electrode material on top of that.例文帳に追加

例えば、被覆ナノワイア１０３が下部ゲート電極１２２と交差して配置されている基板１２１の上に、電子ビーム露光により電極形成部に開口を備えるレジストパターンを形成し、この上に、電極材料を堆積する。 - 特許庁