「beam pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a laser element in which a resonance face is formed in a nitride semiconductor grown on a sapphire substrate difficult to cleave and a laser beam having an elliptical far field pattern is obtained.例文帳に追加

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the imaged near field pattern is beam-shaped in a sub-scanning direction by the aperture member 20, it is introduced to a recording film F through a second lens 22 and a third lens 24, thereby recording an image.例文帳に追加

結像されたニアフィールドパターンは、アパーチャ部材２０によって副走査方向にビーム整形された後、第２レンズ２２および第３レンズ２４を介して記録フイルムＦに導かれることで、画像の記録が行われる。 - 特許庁

To enhance visibility of a front area of a vehicle, without imparting glares on a driver of an oncoming vehicle or to a leading vehicle, in a lighting tool for a vehicle so structured to form an additional high-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ハイビーム用の付加配光パターンを形成するように構成された車両用照明灯具において、対向車や先行車のドライバにグレアを与えてしまうことなく車両前方領域の視認性を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a donor substrate capable of precisely forming a fine transfer layer pattern without precisely controlling a width of a laser beam and an organic electroluminescent display appartus using the donor substrate.例文帳に追加

レーザ光線の幅を精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを精密に形成することができるドナー基板ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a predetermined pattern having a detection region and a wiring region is formed by forming a plurality of insulating groove lines by irradiating the first conductive plating film and second conductive plating film with a high-energy beam.例文帳に追加

次に高エネルギービームを該第１導電性めっき膜と該第２導電性めっき膜に照射して複数の絶縁性溝線を形成することで、検出領域と配線領域を有する所定パターンを形成する。 - 特許庁

The headlight system 20 has a second lens system 52 with at least one lens operably related to at least one second light source 36 so as to prepare a hot spot section of the desired beam pattern.例文帳に追加

本発明のヘッドライトシステム（20）は、所望のビームパターンのホットスポット部分を提供するよう少なくとも１つの第２の光源（36）と作動的に関連している少なくとも１つのレンズを備えた第１のレンズ系（52）を有する。 - 特許庁

A CP aperture mask is formed (S9) as a shape correction based on a blur difference (S2) of the beam between the directions of X and Y is taken into consideration, and the image of the pattern is transferred on the specimen for CP exposure by the use of the CP aperture mask.例文帳に追加

ＸＹ方向における電子ビームのぼけ量（Ｓ２）の違いによる形状補正を取り入れてＣＰアパーチャマスクを作成し（Ｓ９）、該ＣＰアパーチャマスクを用いて試料上にパターンをＣＰ露光する。 - 特許庁

A laser beam emitted from an argon laser generator 20 is led to a fixed plate 30, modulated and deflected by two scanning optical systems arranged on the plate 30 and scans the object of plotting and forms a pattern.例文帳に追加

アルゴンレーザー発生器２０から発したレーザー光は、固定板３０上に導かれ、その上に配置された２組の走査光学系により変調、偏向され、描画対象上を走査してパターンを形成する。 - 特許庁

A pattern of the second semiconductor region formed by the etching is formed such that a scanning direction of the laser beam and a channel length direction in the TFT are substantially coincident each other in order to smooth the drift of a carrier.例文帳に追加

エッチングで形成される第２半導体領域のパターンは、キャリアのドリフトをスムーズにするために、レーザービームの走査方向とＴＦＴにおけるチャネル長方向とが概略一致するように形成する。 - 特許庁

In such a manner, light emitting radiation over a plurality of wavelength ranges or sub ranges is effectively scattered to remove (or intentionally form) spatially inhomogeneous color pattern in output beam.例文帳に追加

このようにして、複数の波長範囲または副範囲に渡って発光する輻射は効率よく散乱されて、出力ビームにおける空間的に不均一な色パターンを除去する（または意図的に作る)ことが出来る。 - 特許庁

A membrane 16a and a beam 101 for supporting the membrane 16a are formed on an Si substrate 9a while a Pt/Ti film 103 is formed on the membrane 16a in a serpentine pattern.例文帳に追加

Ｓｉ基板９ａ上にはメンブレン１６ａ及び当該メンブレン１６ａを支持するための梁１０１が形成されていると共に、メンブレン１６ａ上にはＰｔ／Ｔｉ膜１０３が蛇行パターンで形成されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive element having high sensitivity to a light beam of a specific wavelength, capable of stably maintaining photosensitivity, and capable of improving the cross-section shapes of lines of a resist pattern.例文帳に追加

特定波長の光線に対して高い感度を有するとともに、感光特性を安定に維持可能であり、更に、レジストパターンのライン断面形状を良好とすることができる感光性エレメントを提供すること。 - 特許庁

The resist composition for an electron beam, X-ray or EUV contains a specific triarylsulfonium compound, having benzenesulfonic acid anions having specific substituents, and the pattern-forming method using the composition is also provided.例文帳に追加

特定置換基を有するベンゼンスルホン酸アニオンを有する特定のトリアリールスルホニウム化合物を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

A diffraction grating encoder applies a light beam to the unequal-length pitch diffraction grating 123, and detects an interference fringe pattern created by ± primary diffraction light which is generated and the rotating position of the member.例文帳に追加

回折格子エンコーダは、この不等長ピッチ回折格子１２３に光ビームを照射し、そこで発生した±１次回折光から作成される干渉縞パターンを検出して、部材の回転位置を検出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper for an optical information recording medium, by which the stamper can be formed with less defects and at low cost without damaging a minute groove pattern formed on a lower layer and having the size of an exposure beam spot diameter or below.例文帳に追加

下層に形成された露光ビームスポット径以下の微細溝パターンを損なうことなく、かつ低欠陥・低コストでスタンパ化することができる光情報記録媒体用スタンパの製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance visibility of a front area of a vehicle, without imparting glares on a driver of an oncoming vehicle or a leading vehicle, in a lighting tool for a vehicle so structured to form an additional high-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ハイビーム用の付加配光パターンを形成するように構成された車両用照明灯具において、対向車や先行車のドライバにグレアを与えてしまうことなく車両前方領域の視認性を高める。 - 特許庁

The driving pattern and the driving voltage are properly controlled, which are applied to the outer circumferential pattern electrodes 31 to 38 in accordance with the directivity of astigmatism due to the optical system; the light beam is passed in this state, imparting a phase difference based on the difference in refractive index, thereby enabling the astigmatism to be well corrected.例文帳に追加

光学系に起因する非点収差の方向性に対応して外周部のパターン電極３１乃至３８に印加する駆動パターンと駆動電圧を適切に制御し、この状態で光ビームを通過させて屈折率の違いに基づく位相差を付与することにより、非点収差を良好に補正することができる。 - 特許庁

Then, it calculates a degree of displacement again with the view magnification when registering the mark while comparing the position of the mark detected with the view magnification when registering the mark with the position of the mark when registered, and executes the processing of the processed pattern after shifting a processing ion beam irradiation position the degree of displacement from the registration position of the processed pattern.例文帳に追加

その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 - 特許庁

To precisely discriminate the presence of the adhesion of residue in inspecting the presence of the adhesion of the residue consisting of an organic component to the surface of a resist pattern by applying an electron beam to a substrate which the resist pattern and an antireflection film being an organic film containing silicon overlie in this order from the upper side.例文帳に追加

レジストパターンと、シリコンを含む有機膜である反射防止膜と、が上側からこの順番で積層された基板に対して、電子線を照射することにより、当該パターン上への有機成分からなる残渣の付着の有無を検査するにあたり、精度高く残渣の付着の有無を判別すること。 - 特許庁

The porous plate has a plurality of openings formed in a first prescribed array pattern, a plurality of charged particle beamlets are formed from a charged particle beam in the downstream, and by the plurality of the beamlets, a plurality of beamlet spots arranged in a second prescribed array pattern are formed on an image plane of the particle optical device.例文帳に追加

前記多孔プレートは、所定の第１のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、前記複数の小ビームにより、第２のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが前記粒子光学装置の像平面に形成される。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

The irradiation unit 14 of the proximity scanning exposure apparatus 1 branches an exposure beam EL emitted from a light source 41 into two directions on a reflection unit 46, 47, so that a first pattern P1 and a second pattern P2 formed in a single mask M are irradiated with the light, respectively, in different directions from each other to expose a substrate W.例文帳に追加

近接走査露光装置１の照射部１４は、光源４１から照射された露光用光ＥＬを反射部４６、４７で２方向に分岐させ、それぞれ異なる２方向から、１枚のマスクＭに形成された第１のパターンＰ１、及び第２のパターンＰ２に照射して基板Ｗを露光する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition for exposure by x-ray, electron beam or EUV light that is excellent in pattern collapse margin and bridge margin with no residue of a resist composition on a substrate and excellent in resistance to scattered (flare) light, and a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

パターン倒れマージンやブリッジマージンに優れ、かつ基板上にレジスト組成物の残渣が残らず、更には散乱（フレア）光に対する耐性に優れた、Ｘ線、電子線又はＥＵＶ光露光用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a negative resist composition for ion beam writing having good thermal stability and storage stability, containing few ionic impurities such as Cl and Na, excellent in transparency in a wide wavelength region, and giving a resist pattern with a large film thickness and a high aspect ratio, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ＣｌやＮａなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition for forming a pattern having excellent roughness characteristics and dry etching resistance when an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, an EUV and the like are used as an exposure light source, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ等を露光光源とする場合に、ラフネス特性及びドライエッチング耐性に優れたパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a printer device 10, a pattern region 30 for detecting a deviation in the sub-scanning direction is formed on the surface of a photoreceptor drum 140, a light quantity sensor 174 detects the reflected light quantity when a laser beam scans the pattern region 30, and the deviation in the sub-scanning direction is detected based on the detected reflected light quantity.例文帳に追加

プリンタ装置１０は、感光体ドラム１４０表面に副走査方向ずれ量を検知するためのパターン領域３０を形成し、レーザビームがこのパターン領域３０を走査した場合の反射光量を光量センサ１７４で検知し、検知された反射光量に基づいて、副走査方向ずれ量を検知する。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The conductive pattern manufacturing method irradiates a laser beam L of an ultrashort pulse whose width is less than 1 picosecond in a predetermined pattern to a light-permeable conductive layer a including an ultrafine inorganic conductive fiber provided in at least one side of an insulating base material 11 via condensing means 42.例文帳に追加

本発明の導電パターンの製造方法は、絶縁性基材１１の少なくとも一方の面に設けられた、極細の無機導電繊維を含む光線透過性導電層ａに、集光手段４２を介してパルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 - 特許庁

After a recessed pattern for inspection 11 reaching a semiconductor substrate 1 is formed by irradiating ion beam onto a thin film 2 which is formed on the semiconductor substrate 1, the thin film 2 is removed and the semiconductor substrate 1 is wet etched to round off an end of the recessed pattern for inspection 11.例文帳に追加

半導体基板１上に、薄膜２を形成し、この薄膜２上からイオンビームを照射することにより半導体基板１まで到達する検査用凹部パターン１１を形成した後、薄膜２を除去し、さらに、半導体基板１をウエットエッチングすることにより検査用凹部パターン１１端部に丸みをもたせる。 - 特許庁

The coma aberration of the optical system, shading of the light flux in the optical system and inclination of the main light beam of the illumination light with respect to the normal to a phase pattern forming plane W are inspected, based on the change in the asymmetry of an image corresponding to the edge of the phase pattern which is respectively detected in a defocused condition in the image detecting means.例文帳に追加

像検出手段において各デフォーカス状態で検出された位相パターンのエッジに対応する像の非対称性の変化に基づいて、光学系のコマ収差、光学系における光束ケラレ、および位相パターンの形成面（Ｗ）の法線に対する照明光の主光線の傾きを検査する。 - 特許庁

To provide an efficient processing method and its device that realize uniform processing without bluntness of the pattern border area and can perform plural pattern processing at the same time in implementing deposition processing or etching processing of prescribed patterns using the focusing ion beam device.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、パターン境界領域の鈍りが出ない均一な加工を実現し、複数のパターン加工を同時に実行出来る効率的な加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to a far ultraviolet ray in which bridging for forming a developing defect or particularly line pattern and a trench pattern is reduced so as to perform a subject in a technique for improving an original performance of a microphotofabrication used for a far ultraviolet ray or particularly an ArF excimer laser beam.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and development defect performance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray as an exposure light source, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、現像欠陥性能を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When a vehicle travels while turning toward an opposite traffic lane side, an auxiliary light distribution pattern P(B) having an oblique cut-off line CLb is added to the further upper side than the oblique cut-off line CL2 of a low beam light distribution pattern P(L) by moving the movable shade to the shielding releasing position to enhance visibility of the front in the turning direction.例文帳に追加

そして、車両が対向車線側へ旋回走行する際には、可動シェードを遮蔽解除位置に移動させることにより、ロービーム配光パターンＰ（Ｌ）の斜めカットオフラインＣＬ２よりも上方側に斜めカットオフラインＣＬｂを有する補助配光パターンＰ（Ｂ）を付加し、旋回方向前方の視認性を高める。 - 特許庁

A laser lithographic device 13, which irradiates a laser beam emitted from a laser light source 1, to draw a prescribed pattern is provided with a separating optical mechanism 2 for separating the laser beam, emitted from the laser light source, into a plurality separated beams and radiation position adjustment mechanisms 8 which are provided for the separated beams respectively and irradiate the separated beams, while changing their irradiation directions to draw the prescribed pattern.例文帳に追加

レーザー光源１から発したレーザービームを照射して所定のパターンを描写するレーザー光による描写装置１３において、前記レーザー光源１から発したレーザービームを分離させて複数の分離ビームとする分散光学機構２と、前記各分離ビームごとに設けられ、各分離ビームの照射方向を変えて照射することにより前記所定のパターンを描写する照射位置調整機構８とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing a master mold for nanoimprint comprises forming a pattern on a resist-applied silicon substrate by electron beam drawing to prepare a silicon master, separating a master mold having a rugged pattern reverse to a resist pattern of the silicon master formed by electroforming, from the silicon master, and then eliminating resist residue on the surface of the master mold by irradiation of plasma containing atomic hydrogen.例文帳に追加

レジストを塗布したシリコン基板に電子線描画によってパターンを形成してシリコン原盤を作製した後、電鋳により形成された前記シリコン原盤のレジストパターンと逆の凹凸パターンを有するマスターモールドを前記シリコン原盤から剥離した後、原子状水素を含むプラズマの照射で前記マスターモールドの表面のレジスト残渣を除去することを特徴とするナノインプリント用マスターモールドの製造方法。 - 特許庁

When a membrane structure having a membrane on a frame comprising Si is manufactured and then an etching mask for etching-opening the membrane is formed, a resist pattern of a pattern 34 in a membrane region 16a surrounded by a beam 12a is formed and an etching mask having a resist pattern of a positional accuracy evaluation mark 40 is formed as for a mask distortion evaluation.例文帳に追加

Ｓｉからなる枠体上にメンブレンを備えたメンブレン構造体を作製し、次いでメンブレンをエッチング開口するエッチングマスクを形成する際、梁１２ａで囲まれたメンブレン領域１６ａにパターン３４のレジストパターンを形成すると共に、ステンシルマスク１０の格子状に延在する梁１２ａの交点下のメンブレン領域に、マスク歪み評価用として位置精度評価マーク４０のレジストパターンを有するエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

Secondary electrons are more generated at the edge 15 than at the other region, so that the secondary electron image of the edge 15 becomes brighter on a CRT, and the electron-beam exposure system is focused on the pattern of the reticle 10 at a position where the secondary electron image of the edge 15 becomes brightest.例文帳に追加

エッジ１５での二次電子の発生効率が高いため、エッジの部分の二次電子像がＣＲＴ上で明るく見え、エッジ１５の二次電子像が最も鮮明に見える位置でパターンのフォーカスも合うことになる。 - 特許庁

When detecting errors consecutively from all the terminals for a prescribed period, each wireless base station apparatus carries out the control of omnibus transmission, wherein a transmission beam of a call channel of each terminal is switched alternately, and no directivity is provided in the particular direction of the radiation pattern.例文帳に追加

全ての端末についてエラーを一定期間連続して検出した場合、各端末の通話チャネルの送信ビームを交互に、且つ放射パターンを特定の方向に指向性を持たせないオムニ送信をするように制御する。 - 特許庁

It is possible to form an electrode pattern of any given shape with high precision equivalent to scanning precision of laser beam, and thanks to the existence of the intermediate layer, it is possible to secure protection of a DAE underlying layer, shape maintenance and improvement of emission efficiency, or the like.例文帳に追加

任意の形状の電極パターンをレーザー光の走査精度と同等の精度で高精度に形成することができ、中間層の存在で、ＤＡＥ下地層の保護、形状保持、発光効率向上などが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of complementarily dividing a mask used for an electron beam projection exposure, which is capable of dividing the mask quickly and reliably by introducing a simple procedure even when the mask has a very complicated pattern as an object of division.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

To provide a defect inspection device realizing high resolution and an increase in an inspection speed in a technology for inspecting a pattern defect, foreign matter, residue, a step and the like on a wafer in a production process of a semiconductor by an electron beam.例文帳に追加

半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

A magnetic field is applied in a predetermined direction from the outside to form a magnetic pattern while locally heating a magnetic layer by applying an energy beam 8 to a magnetic recording medium 1 having a magnetic layer on a base.例文帳に追加

基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体１に対し、エネルギー線８を照射して磁性層を局所的に加熱すると同時に磁性層に所定方向に外部磁界を印加することにより磁化パターンを形成する。 - 特許庁