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beam patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2381件
To provide a method of forming a pattern by the electron beam exposure whereby the graphic deformation due to the proximity effect can be avoided, without needing the dimensional correction of an exposure graphic accompanying complicated simulation calculations.例文帳に追加
煩雑なシミュレーション計算を伴う露光図形の寸法補正を必要とせずに近接効果による図形の歪みを防ぐことができる電子ビーム露光によるパタン形成方法を提供する。 - 特許庁
When the prescribed voltage is applied to transparent electrodes 15a, 15b, an electrode pattern for adjusting rim strength of the light beam for BD is formed in the transparent electrode 15b.例文帳に追加
また、透明電極15bには、透明電極15a、15bに所定の電圧を印加した場合に、BD用の光ビームについてリム強度の調整を可能とする電極パターンが形成されている。 - 特許庁
To correctly adjust a laser irradiating position in the manufacture of a recording medium and a recording medium manufacturing master disk wherein a recording pattern is formed through a laser beam irradiating process.例文帳に追加
レーザ光照射過程をとって記録パターンの形成を行う記録媒体および記録媒体製造用原盤の製造において、そのレーザ照射位置を正確に調整することができるようする。 - 特許庁
Thereby, an amount of light irradiated to the vicinity of the horizontal cutoff line part is cut down, and luminous intensity in the center of the front of the light fixture in the light distribution pattern for the high beam is enhanced.例文帳に追加
そしてこれにより、上記水平カットオフライン近傍部分への照射光量を削減するとともに、ハイビーム用配光パターンにおける灯具正面方向の中心光度を高める。 - 特許庁
As a result, the amount of deflection on the charged particle beam 9 changes so that radiation can take place on a position shifted by an offset of the wafer stage 2 and a reticle pattern image is transcribed onto a target position of wafer 1 by exposure.例文帳に追加
それにより、荷電粒子線9の偏向量が変化し、ウエハステージ2の位置ずれ分だけずれた位置に入射し、ウエハ1の目標とする位置に、レチクルのパターン像が露光転写される。 - 特許庁
When a character is printed by setting up character length L1 to 70% of a printing pitch L or less, and acoustic optical device 5 for laser beam scanning can be prevented from overheat and a printing pattern of high recognizability can be obtained.例文帳に追加
文字長L1を印字ピッチLの70%以下にして印字を行うことにより、レーザービーム走査用の音響光学装置5の過熱を防ぎ、視認性のよい印字パターンが得られる。 - 特許庁
The continuously output reproduction image pattern is stored temporarily in an image recording part, and the maximum value of light intensity is detected from light intensity of the reproduction light beam and the trigger signal is generated.例文帳に追加
連続して出力される再生画像パターンは、一時的に画像記録部に保持され、再生光ビームの光強度から光強度の極大値が検出されてトリガー信号が発生される。 - 特許庁
Since a semiconductor film on the surface of a substrate is obliquely irradiated with a laser beam while the substrate is moved at a constant speed of 20-200 cm/s, the semiconductor film on the large-sized substrate can be uniformly irradiated with the laser beam, the concentric circle pattern is not formed or the formation of the concentric circle pattern is reduced in a semiconductor device being manufactured.例文帳に追加
本発明によれば、20〜200cm/sの間の一定の速度で基板を移動させながら、前記基板の表面上の半導体膜にレーザ光を斜めに照射させるので、大型の基板上の半導体膜においても均一なレーザ光を照射することができ、同心円模様が形成されない、もしくは同心円模様の形成を低減した半導体装置を作製することができる。 - 特許庁
To provide a laser beam machining process capable of not generating a byproduct, machining in high precision/fineness, suppressing specter interference in mask projecting, precisely machining a fine mask pattern and projecting/ irradiating a large scale area pattern, a manufacturing method of an ink jet recording head by using the laser beam machining method and the ink jet recording head manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加
副生成物の発生がなく、高精細に加工することができ、マスク投影加工を行うに際して、スペックル干渉を抑制し、微細なマスクパターンを正確に加工することができ、大面積のパターンを投影照射して被加工物を加工することができるレーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁
A drawing clock signal Bclk for determining timing of blanking an electron beam is generated based on a time calculated based on distances from a reference position to a drawing start position of starting the drawing of the pattern and a drawing finish position, and a speed of an irradiation position (or incident position) of the electron beam moving along a spiral track STr, when forming the pattern along the spiral track STr.例文帳に追加
スパイラルトラックSTrに沿ってパターンを形成する場合に、基準位置からパターンの描画が開始される描画開始位置及び描画終了位置までの距離と、スパイラルトラックSTrに沿って移動する電子線の照射位置(又は入射位置)の速度とに基づいて算出された時間に基づいて、電子線のブランキングのタイミングを決定する描画クロック信号Bclkを生成する。 - 特許庁
The substrate processing method includes a film forming step of providing the resist film on the substrate, and an exposure step of performing electron beam lithography for the desired pattern on the resist film on the substrate, and further a ground pattern forming step of forming a conductive ground pattern in a non-drawing region which is not exposed, on the resist film, between the film forming step and exposure step.例文帳に追加
基板処理方法を、基板上にレジスト膜を設ける成膜工程と、前記基板上のレジスト膜に所望パターンの電子線露光を行う露光工程とを備え、さらに、前記成膜工程と露光工程との間に、前記レジスト膜上の前記露光がされない非描画領域に導電性のアースパターンを形成するアース形成工程を設けるよう構成する。 - 特許庁
The laser beam detecting means includes: diffraction optical elements 103a and 103b which shape the defected and scanned laser beams into a pattern consisting of dots or lines; and a plurality of light receiving elements PD1 and PD2 for detecting the pattern, wherein the plurality of light receiving elements have a light receiving face wider than the luminous flux width in a main scanning direction of dots or lines composing the pattern.例文帳に追加
レーザビーム検出手段は、偏向走査されるレーザビームをドットまたはラインからなるパターンに整形する回折光学素子103a,103bと、上記パターンを検出するための複数の受光素子PD1,PD2とを具備し、複数の受光素子は、上記パターンを構成するドットまたはラインの主走査方向光束幅よりも広い幅の受光面を有する。 - 特許庁
The capacitive fusion switch comprises a first conductive pattern 10a and a second conductive pattern 10b formed on a semiconductor substrate, and a dielectric film 11 arranged between the first and second conductive patterns wherein the first and second conductive patterns are brought into conductive state when the first conductive pattern is irradiated with a laser beam.例文帳に追加
半導体基板上に形成された第1の導電パターン10a及び第2の導電パターン10bと、第1及び第2の導電パターン間に配置された誘電体膜11とを有する容量性溶着スイッチにおいて、第1の導電パターンにレーザビームが照射された場合、第1の導電パターンと第2の導電パターンとの間が導通状態になるようにしている。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor thin film comprises steps of forming at least a semiconductor thin film on a substrate, forming an anti-reflection film pattern and a reflection film pattern on the semiconductor thin film to be adjacent to each other, and forming direction-aligned semiconductor grains in the lower part of the anti-reflection film pattern by applying a first laser beam from the above side of the substrate.例文帳に追加
この発明による半導体薄膜の製造方法は、基板上に少なくとも半導体薄膜を形成し、半導体薄膜上に反射防止膜パターン及び反射膜パターンを互いに隣接するように形成し、基板上方から第1レーザを照射して反射防止膜パターンの下部に方向性の揃った半導体粒を形成する工程を備える。 - 特許庁
In the method for the electron beam exposure, exposure is repeated on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask by using an electron beam exposure mask having proximity effect correction openings arranged such that the size of the openings varies periodically at a predetermined ratio in the order of arrangement.例文帳に追加
開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。 - 特許庁
By using laser beam as light led in optical fiber embedded in a base body constituting a stimulation board, mist or the like causing deterioration of visibility, which exists in the sharp advancing pass special to laser beam is colored, hence, it can clearly inform observers of a light indication pattern even when visibility is poor.例文帳に追加
輝板を構成する基体に埋設された光ファイバーに導入する光として、レーザビームを用いることで、レーザビーム特有のシャープな進行経路に存在する、視界を妨げる原因となる霧等を発色させ、視界が悪くても、光表示パターンをはっきりと観察者に知らせることができる。 - 特許庁
As regards images acquired by irradiating the electron beam onto a pattern on a substrate formed through the multiple exposure method, the electron beam measuring technique has a means to classify the above respective patterns into two or more groups in accordance to the exposure history based on a difference in luminance or in shape of a white band of the respective patterns within these images.例文帳に追加
多重露光法により形成された基板上のパターンに前記電子ビームを照射して取得した画像について、該複数の画像内のそれぞれのパターンの明るさまたはホワイトバンドの形状の差から、前記それぞれのパターンを露光履歴に応じた複数のグループに分類する手段を有することを特徴とする。 - 特許庁
A laser light source 20 emitting a prescribed laser beam LB, an illumination optical system 12 working the laser beam LB into illumination light IL having a uniform illuminance distribution and a projection optical system projecting the image of a pattern formed on a reticle on a wafer by the irradiation of illumination light IL are installed.例文帳に追加
所定のレーザ光LBを出射するレーザ光源20と、そのレーザ光LBを均一な照度分布を有する照明光ILに加工する照明光学系12と、その照明光ILの照射によりレチクル上に形成されたパターンの像をウエハ上に投影する投影光学系とを備える。 - 特許庁
To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method.例文帳に追加
本発明は、高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 - 特許庁
To provide a vehicle headlamp, thin and compact with superior designability, and with good visibility for a driver and without glare on an oncoming vehicle, in one having a low-beam light distribution pattern formed by a low-beam use light source unit structured of a plurality of projection type optical units.例文帳に追加
複数の投影型光学ユニットで構成されたすれ違いビーム用光源ユニットによりすれ違いビーム用配光パターンが形成される車両用前照灯において、運転者にとって視認性が良好で対向車にとって眩惑がなく、且つ薄型小型で意匠性に優れた車両用前照灯を提供することにある。 - 特許庁
To provide a headlight for a vehicle with good visibility for a driver and without giving glare to an on-coming vehicle, and yet thin, compact, and excellent in designability, in one in which a low-beam light distribution pattern is formed by a low-beam light source unit structured with a plurality of optical units.例文帳に追加
複数の光学ユニットで構成されたすれ違いビーム用光源ユニットによりすれ違いビーム用配光パターンが形成される車両用前照灯において、運転者にとって視認性が良好で対向車にとって眩惑がなく、且つ薄型小型で意匠性に優れた車両用前照灯を提供する。 - 特許庁
The diffraction grating 2 is arranged on the diffusion optical path of laser beams, among optical paths for guiding laser beams emitted from a semiconductor laser 1 to an objective lens 6, and an effective diffraction pattern 15 is formed only on the center part of the diffraction grating 2 which has a diameter smaller than the effective beam diameter of a laser beam.例文帳に追加
半導体レーザー1から出射されるレーザービームを対物レンズ6に導く光路のうち、レーザービームの拡散光路上に回折格子2を配置すると共に、この回折格子2にレーザービームのビーム有効径に対して小径の中央部分に限定して有効回折パターン15を形成している。 - 特許庁
To provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and a good margin for light exposure in microfabrication particularly when KrF excimer laser, X-radiation, an electron beam or an ion beam is used.例文帳に追加
半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にKrFエキシマレーザー、X線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
When a pattern is drawn along concentric tracks on a substrate, an electron beam is blanked by using a first clock signal generated based on a first reference angle in a first region in a sector, while in a second region in the sector, the electron beam is blanked by using a second clock signal generated based on a reference length.例文帳に追加
基板上の同心円トラックに沿ってパターンを描画する際に、セクタ内の第1領域内では、第1基準角度に基づいて生成された第1クロック信号を用いて電子線をブランキングさせ、セクタ内の第2領域内では、基準長さに基づいて生成された第2クロック信号を用いて電子線をブランキングさせる。 - 特許庁
Since the disk is irradiated by an inspection beam 44, and a reflection beam reflected from the patterns is received, and respective component disks 2, 3 are confirmed by a pattern recognition means, whether or not respective component disks of the sticking disk are correct is confirmed easily, and fully automatizing this confirmation process is also easy.例文帳に追加
ディスクに検査光を照射し、該パターンから反射される反射光を受光し、パターン認識手段で各構成ディスクを確認することができるから、貼合わせディスクの各構成ディスクが正しいものであるかどうかを容易かつ迅速に確認することができ、また、この確認を全自動化することも容易である。 - 特許庁
The electron beam mask drawing device draws a circuit pattern or the like, by irradiating a mask having a square peripheral edge form with an electron beam, wherein the dimensions of the mask which stretch or contract due to thermal expansion by irradiation with electron beams is measured on both the opposing sides by using a laser light.例文帳に追加
本発明は、周縁の形状が矩形のマスクに電子線を照射して回路パターン等を描画する電子線マスク描画装置において、電子線の照射による熱膨張で伸縮する前記マスクの寸法を対向する両側辺からレーザ光を用いて測長することを特徴とする。 - 特許庁
In a method for forming a pattern on a mask stacked matter by forming the mask stacked matter on a layer to be worked, when the mask stacked matter is to be formed, at least a mask layer which is hardened by irradiation with electromagnetic waves or a charged particle beam is formed and the mask layer is hardened by being irradiated with the electromagnetic waves or the charged particle beam.例文帳に追加
被加工層上にマスク積層体を形成し、マスク積層体にパターンを形成する方法において、マスク積層体を形成するときに、少なくとも、電磁波あるいは荷電粒子線の照射により硬化するマスク層を形成し、このマスク層に電磁波あるいは荷電粒子線を照射してマスク層を硬化させる。 - 特許庁
To provide a method for determining a periodic unevenness correction pattern capable of correcting periodic unevenness of a rotary polygon mirror with high accuracy in each mode, when an apparatus for scanning a recording body by deflecting a light beam by a rotary polygon mirror operates in two or more modes with different scanning pitches or the like, and to provide a light beam scanner.例文帳に追加
光ビームを回転多面鏡によって偏向して記録体上を走査する装置が走査ピッチが異なる等の複数のモードで動作する場合、各モード毎に回転多面鏡の周期的むらを高精度に補正できるようにした周期的むら補正パターンの決定方法及び光ビーム走査装置を提供する。 - 特許庁
The focused ion beam device detects the mark with a mark detecting view magnification lower than a view magnification when registering the mark, before processing the processed pattern, calculates a degree of displacement while comparing the position of the registered mark with the position of the detected mark, and detects the mark again after shifting an ion beam deflection region to restore the view magnification into that when registering the mark.例文帳に追加
加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。 - 特許庁
In the lithographic equipment, in which each of an individually controllable elements provides a pattern to beam of radiation 6 respectively, then the beam is projected on a substrate 9, a detector 20 for detecting intensities of radiation measures the loss of radiation in a radiation distribution system 7, determines the amount of loss, and feeds back the information to a compensating system.例文帳に追加
個々に制御可能な素子のそれぞれは放射のビーム6にパターンを付与し、その後ビームが基板9上に投影されるリソグラフィ装置であって、放射線強度の検出器20は放射分配システム7における放射の損失を測定し、損失量を決定し、この情報を補償システムにフィードバックする。 - 特許庁
The coma aberration of the laser beam exited from the light emitting part having the deviation of image height is corrected by providing an aberration correcting element 15 having a phase difference pattern between the laser beams different in a light emitting wavelength in an optical path which guides the laser beam exited from a plurality of light emitting parts provided in the two-wavelength laser diode chip 11 to a recording medium 12.例文帳に追加
2波長レーザダイオードチップ11が持つ複数の発光部から出射されたレーザビームを記録媒体12に導く光路に、発光波長が異なるレーザビーム間の位相差パターンを有する収差補正素子15を設けることによって、像高ずれのある発光部から出射されるレーザビームのコマ収差を補正する。 - 特許庁
A laser beam 103L taken out from an ArF excimer laser 103 of the exposure light source of a scanning aligner 100 is guided through the inside of an aligner main body 101, and is projected on a reticle 115 to expose a wafer 120d in the form of a pattern through a reducing projection lens 117 to the outgoing laser beam through the reticle 115.例文帳に追加
スキャン型露光機100の露光光源であるArFエキシマレーザ103から取り出されたレーザ光103Lを、露光機本体101の内部を導き、レチクル115に照射し、レチクル115を出射したレーザ光を縮小投影レンズ117を通してウエハー120dをパターン状に露光する。 - 特許庁
A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加
電子ビームB2によって測定面S1を走査し、測定面S1内の各ピクセルに関して、検出部6による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部9によるデータD1の解析を行うことにより、測定面S1に関する結晶方位の二次元分布データK1が得られる。 - 特許庁
In the charged particle beam scanning method scanning charged particle beams in the prescribed scanning pattern and the charged particle beam device, in accordance with a replacement of a frame, a scanning starting point in the vertical direction of a scanning line is changed by the prescribed amount in the prescribed direction.例文帳に追加
上記目的を達成するための一態様として、所定の走査パターンにて荷電粒子ビームを走査する荷電粒子ビーム走査方法、及び装置において、フレーム更新に従って、走査線の垂直方向における走査始点を、所定の方向に、所定量ずつ変化させる方法、及び装置を提案する。 - 特許庁
A writing beam is emitted by a pickup 28 to a recording layer formed in the optical recording medium DSC, causing a change in the optical characteristics in the irradiated and unirradiated parts of the beam in the recording layer, and thereby forming in the medium DSC a visible image pattern suitable for discrimination, control, etc.例文帳に追加
光記録媒体DSCに形成されている記録層にピックアップ28によって書込み光を照射し、記録層における光の照射部分と非照射部分とで光学特性の変化を生じさせることにより、識別、管理等に適した視認可能なイメージパターンを光記録媒体DSCに形成する。 - 特許庁
As non-collimate light being a more outer side than a beam spot diameter ϕ1 out of actual light beams having beam spot diameter ϕ2 made incident on a hologram recording medium 101 is reflected by a slant plane 103b of the convex pattern and diffused, can be functioned as a space filter, and quality of hologram recording and reproducing can be improved.例文帳に追加
ホログラム記録媒体101に入射したビームスポット径φ2を持つ実際の光ビームのうち、ビームスポット径φ1よりも外側の非コリメート光は凸パターンの斜面103bで反射して拡散するので、空間フィルタとして機能させることができ、ホログラム記録再生の品質を向上させることができる。 - 特許庁
The headlight device control ECU 40 reduces the illuminance of the light distribution pattern for high beam by controlling the lighting fixture 20H for high beam when the present area of a forward road detected by the navigation system 144 includes an undectable area deviated from the detection area of the vehicle detector 150.例文帳に追加
前照灯装置制御ECU40は、ナビゲーションシステム144によって検出された前方の道路の存在領域が車両検出装置150の検出範囲から外れる検出不能領域を含むときは、ハイビーム用灯具20Hを制御してハイビーム用配光パターンの照度を低減せしめる。 - 特許庁
The charged particle beam aligner for exposing a work to a pattern with a charged particle beam is characterized in that a region exposed en block has a maximum length of 1 mm or more on the work and the half- value width of an aperture angle distribution over the work is 1 mrad or less.例文帳に追加
荷電粒子線によってパターンを被露光物上に露光する荷電粒子線露光装置であって、一括露光する領域の大きさが、被露光物上で最大長が1mm以上とされており、かつ被露光物上での開き角分布の半値半幅が1mrad以下とされていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 特許庁
A pattern is drawn on a substrate by performing a multiple exposure in which a region where light reflected by one mirror in a spatial optical modulator (25) of a light beam irradiation device (20) is irradiated to a substrate and a region where light reflected by the other mirrors are partially overlapped in accordance with scanning of the substrate with a light beam.例文帳に追加
光ビーム照射装置(20)の空間的光変調器(25)の1つのミラーで反射された光が基板へ照射される領域と、他のミラーで反射された光が基板へ照射される領域が、光ビームによる基板の走査に伴って部分的に重なる多重露光を行って、基板にパターンを描画する。 - 特許庁
Each of the wireless apparatuses 10, 11 receives radio waves from other wireless apparatuses 12 to 15 than each of the wireless apparatuses 11, 10 being communication opposite party during a standby period while changing beam patterns of antennas 20, 21 in a plurality of ways and extracts a beam pattern when receiving a radio wave whose strength is maximum on the basis of a plurality of received radio waves.例文帳に追加
無線装置10,11は、待機期間中、それぞれ、通信相手である無線装置11,10以外の無線装置12〜15からの電波をアンテナ20,21のビームパターンを複数個に変えながら受信し、その受信した複数の電波に基づいて、強度が最大である電波を受信したときのビームパターンを抽出する。 - 特許庁
This lithography device comprises a patterning device MA for giving a pattern onto the section of a beam of radiation to form a patterned beam of radiation, a washing unit CU positioned to wash the patterning device MA on that place, and/or a detection unit positioned to detect patterning device contamination on the moment.例文帳に追加
リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン化された放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを含み、パターニングデバイスをその場で洗浄するように配置構成された洗浄ユニットおよび/またはパターニングデバイスの汚染物をその場で検出するように配置構成された検出ユニットも含む。 - 特許庁
In a structure of the circuit board 3, an aluminum oxide substrate 11 formed by a particulate beam depositing method is arranged on the surface of a copper substrate 10, on which a conductive wiring 12 drawing a certain pattern is disposed, and on which aluminum oxide layers 13, 14 likewise formed by a particulate beam depositing method are arranged.例文帳に追加
回路基板3の構成は、銅基板10の表面には微粒子ビーム堆積法にて形成された酸化アルミニウム基板11が配置され、その表面にあるパターンを描く導電性配線12が配置され、その上に同じく微粒子ビーム堆積法で形成された酸化アルミニウム層13、14が配置される。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも2種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも2種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The method includes: making a beam 122 impinge on a holographic data disc, wherein the beam 122 is reflected from a microhologram 124 disposed within the holographic data disc; detecting the reflected beam 120 from the holographic data disc by a multi-element detector 90; and analyzing a pattern detected by the multi-level detector 90 to generate a tracking error signal.例文帳に追加
方法は、ホログラフィック・データ・ディスクにビーム122を衝突させて、該ビーム122を、前記ホログラフィック・データ・ディスク内に配置されたマイクロホログラム124から反射させる段階と、前記ホログラフィック・データ・ディスクからの反射ビーム120を多素子検出器90によって検出する段階と、前記多素子検出器90によって検出されたパターンを分析してトラッキング誤差信号を生成する段階と、を有する。 - 特許庁
To sufficiently improve visibility in a distant region on a road surface in front of a vehicle when a projector type lamp unit forming a light distribution pattern for a low beam is used as a lamp unit of a vehicular headlamp.例文帳に追加
車両用前照灯の灯具ユニットとして、ロービーム用配光パターンを形成するプロジェクタ型の灯具ユニットを採用した場合において、車両前方路面における遠方領域の視認性を十分に高める。 - 特許庁
To take measurements with high precision and low damage that have been hardly taken so far in a method of measuring a pattern size in an observation area on a sample with an incident electron beam.例文帳に追加
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。 - 特許庁
The display device having plural pixels includes: a display section that displays plural viewpoint images while allotting the same to each pixel with a predetermined allocation pattern; and a light source device that outputs a beam of light for displaying an image toward the display section.例文帳に追加
複数の画素を有し、複数の視点画像を所定の割り当てパターンで各画素に割り当てて表示する表示部と、表示部に向けて画像表示用の光を出射する光源デバイスとを備える。 - 特許庁
To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.例文帳に追加
高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
Material is deposited in a desired pattern by spontaneous deposition of precursor gas at regions of a surface that are prepared using a beam to provide conditions to support the initiation of the spontaneous reaction.例文帳に追加
ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。 - 特許庁
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