「diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing an optical sheet having a functional layer on at least one surface of a substrate and having a diffusion element on the outermost surface of the functional layer and/or in the layer, and the method for manufacturing the optical sheet to be used for the surface of a display element for controlling the manufacturing conditions to have the relationship of the following expression (I) are provided.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に機能層を有し、該機能層の最表面及び／又は内部に拡散要素を有する光学シートの製造方法であって、下記式（Ｉ）の関係を有するように製造条件を制御することを特徴とする表示素子表面に用いる光学シートの製造方法である。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

To provide a method for preventing sapping from an ear of paddy rice by stink-bugs having excellent workability in which, for example, exposure of an agent to a worker is prevented, a working condition is improved, diffusion into an environment is prevented, weather change does not affect thereon, and which is acquired by solving a problem for preventing stink-bugs by an insecticide spraying method using a conventional sprinkler.例文帳に追加

従来の散布器を使用した殺虫剤散布方法によるカメムシ類の防除の問題点を解決し、作業者への薬剤被爆防止、作業条件の改善、環境への拡散防止、天候に左右されないなど、作業性に優れたカメムシ類による水稲の穂に対する吸汁を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pressurization method of fuel cell material advantageous to improve power generation performance of a fuel cell, where the pressurization method of fuel cell material can keep the porosity of a membrane electrode junction or a gas diffusion layer on an air outlet side relatively higher than a porosity on an air inlet side, and can ensure exhaust performance of water from the air outlet side.例文帳に追加

膜電極接合体またはガス拡散層の空気出口側の気孔率が、空気入口側よりも相対的に高めに維持することができ、空気出口側の水の排出性を確保することができ、燃料電池の発電性能を向上させるのに有利な燃料電池素材の加圧方法を提供する。 - 特許庁

A print control device which controls a printing device to print a plurality of images on a sheet-shaped print substrate, includes: a halftone switching part 57 that switches between a dither method and an error diffusion method to be performed during halftone processing; and a halftone processing part 56 that subjects first and second image data to the halftone processing.例文帳に追加

複数の画像を長尺状の印刷媒体へ印刷する印刷装置を制御する印刷制御装置であって、ハーフトーン処理の手法を、ディザ法又は誤差拡散法のいずれかに切り換えるハーフトーン切換部５７と、第１と第２の画像データのそれぞれに対してハーフトーン処理を行うハーフトーン処理部５６を有する。 - 特許庁

To provide an electrostatic charge image developing toner which ensures high saturation of blue (cyan), high transmittance of an image and high image density, reduces fog under the conditions of high temperature and high humidity, attains excellent uniformity of halftone and is less liable to cause diffusion of fine dots and to provide a method for producing the toner and an image forming method using the toner.例文帳に追加

青色（シアン色）の彩度、画像の透過性、画像濃度が高く、高温高湿条件下でのカブリが低減され、ハーフトーンの均一性に優れ、且つ、微細ドットのチリの発生が少ない静電荷像現像用トナー、前記トナーの製造方法、及び、前記トナーを用いる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

In a case where a captured image is judged as a monochrome image (#2: YES), a control section carries out error diffusion processing (#3), performs encoding processing of a JPEG compression method upon processed image data (#4) and further performs encoding processing of a JBIG compression method upon image data of the captured image (#5).例文帳に追加

制御部は、取得画像がモノクロ画像であると判断した場合（♯２でＹＥＳ）、誤差拡散処理を実行し（♯３）、該処理後の画像データに対してＪＰＥＧ圧縮形式の符号化処理を実行し（♯４）、また、前記取得画像の画像データに対してＪＢＩＧ圧縮方式の符号化処理を実行する（♯５）。 - 特許庁

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out through a manner where specially selected dissimilar metal thin pads arranged on a chip and a board are connected together through a solid-state diffusion bonding method instead of that solder bumps mounted on the pads of a chip and a board are made to reflow for making electrical and physical connections such as flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップ−チップ結合にて行われるようなチップ及び基板のパッドに取付けられたはんだバンプをリフローさせることによる電気的及び物理的結合を形成させることに代わり、チップ及び基板上に配置された特別に選択された異種金属薄型パッドが固体拡散ボンディング方法により接続される。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively manufacturing magnet powder having excellent magnetic characteristics at a yield enhanced by a reduction diffusion method by reducing the non-magnetic phase which lowers the magnetic characteristics of the rare-earth-iron-nitrogen-base magnet powder and reducing the distortion of the crystal which is the nucleus for magnetization inversion and the remaining of a-Fe.例文帳に追加

希土類—鉄—窒素系磁石粉末の磁気特性を低下させる非磁性相を低減させ、磁化反転の核になる結晶の歪みやα−Ｆｅの残留を低減させて、優れた磁気特性を有する磁石粉末を還元拡散法で収率を向上させ安価に製造する方法を提供。 - 特許庁

The method including injecting a gas at a workpiece center location 20 and applying heat comprises the steps of: cleaning a furnace to be used during the heat treatment method and diffusion heat treating the at least one workpiece in a gas atmosphere with gas being injected at the work piece center location 20.例文帳に追加

方法は、ワークピース中心位置２０においてガスを注入しかつ熱を加えることを含む清浄化方法で、熱処理方法の間に使用される炉を清浄化し、ワークピース中心位置２０において注入されるガスのガス雰囲気内で少なくとも１つのワークピースを拡散熱処理することを含む。 - 特許庁

To provide a method of circulating coating liquid, which is optimum for long term continuous production by stably keeping a diffusion state of conductive particles and insulation particles in circulation of the coating liquid when forming a surface layer on an outer periphery of the elastic body layer of a conductive rubber roller for electrophotography by a dipping coating method.例文帳に追加

電子写真用導電性ゴムローラの弾性体層の外周面上に浸漬塗工法により表面層を形成する際の塗工液の循環時における導電性粒子や絶縁性粒子の分散状態を安定に保ち、長期間の連続生産に最適な塗工液の循環方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode material for a fuel cell capable of uniformly promoting counter diffusion of two or more kinds of catalyst metals and manufacturing a large amount of the electrode material for the fuel cell having high performance, and to provide a manufacturing method for the electrode for the fuel cell by using the electrode material obtained by its manufacturing method.例文帳に追加

２種類以上の触媒金属の相互拡散が均一に促進し、高い性能を有する燃料電池用電極材料を短時間に多量に製造することができる、燃料電池用電極材料の製造方法を提供し、さらに、その製造方法によって得られた電極材料を用いる燃料電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

The production method of a carbon steel material by surface treatment of a carbon steel includes: a nitriding treatment process of forming a nitride or nitrogen-diffusion layer on the surface of the carbon steel; and a molten salt treatment process of immersing the carbon steel after the nitriding treatment in a molten salt bath containing vanadium so as to convert the nitride or nitride-diffusion layer into a coating layer containing vanadium nitride and vanadium carbide.例文帳に追加

炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面に窒化物ないし窒素拡散層を形成する窒化処理工程と、前記窒化処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記窒化物ないし窒素拡散層をバナジウム窒化物およびバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 - 特許庁

The method for unified metal alloying using a diffusion furnace comprises: stacking a plurality of fusible parts on a fixture; aligning the fusible parts via pins affixed to the fixture; placing the fixture with the aligned fusible parts into a reaction chamber of the diffusion furnace; performing a first level alloying at a predefined dwell temperature for a predefined dwell time; and performing a second level alloying at a predefined brazing temperature for a predefined brazing time.例文帳に追加

複数の可溶部を固定具上に積層し、固定具に固定されたピンを介して可溶部を位置合わせし、拡散炉の反応チャンバ内に前記位置合わせされた可溶部を有する固定具を配置し、所定のドウェル時間にわたり所定のドウェル温度で第一レベルの合金化を実施し、所定のろう付け時間にわたり所定のろう付け温度で第二レベルの合金化を実施する、ことを含む、拡散炉を利用する一体化された金属合金化方法。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

The method of evaluating the lifetime of the silicon single-crystal wafer having dopant impurities diffused on one of surfaces includes steps of passivating the entire surface of the diffusion silicon single-crystal wafer when evaluating the lifetime, thereafter irradiating excitation light to the surface opposite to the diffusion surface, applying high frequency, and detecting its reflection wave, to evaluate the lifetime.例文帳に追加

片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 - 特許庁

In this estimation method of the FM wave transmission source used for earthquake symptom phenomenon observation by VHF band radio wave observation, an observation point R and a plurality of transmission sources Tn are set so that transmission/reception of a data signal can be performed by using a spectrum diffusion technology.例文帳に追加

ＶＨＦ帯域電波観測による地震予兆現象観測に用いるＦＭ波送信源の推定方法であって、観測点Ｒと複数の送信源Ｔｎとは、スペクトラム拡散技術を用いてデータ信号の送受信が行われるようになっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for suppressing diffusion of the dioxins in which light burnt magnesia obtained by calcining magnesium carbonate at 800 to 900°C and then pulverizing to adjust mean particle diameter to 10 to 20 μm is added to the soil containing the dioxins and then is mixed, is provided.例文帳に追加

炭酸マグネシウムを８００〜９００℃で焼成後、粉砕して平均粒径を１０〜２０μｍに調整してなる軽焼マグネシアを、ダイオキシン類を含む土壌に添加して混合することを特徴とするダイオキシン類の拡散抑制方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bump forming method capable of bonding by a different composite of metal and reducing damage or mounting distortion of a chip or a substrate, by reducing diffusion energy to be applied in mounting (bonding) in bump bonding or flip chip bonding.例文帳に追加

バンプボンディングないしフィップチップボンディングにおいて、実装(接合）時に加わる拡散エネルギーを低減化でき、異種複合金属での接合が行えるとともに、チップないし基板に対する損傷や実装歪等を低減できるバンプ形成方法を提供する。 - 特許庁

High melting point metal 13 and copper 14 are arranged as intermediate materials for suppressing the formation of an intermetallic compound on the intermediate position between titanium 11 and steel 12, and they are bonded by diffusion bonding in accordance with a hot isostatic pressing method to obtain a titanium-clad steel plate.例文帳に追加

チタン１１と鋼１２の中間位置に金属間化合物の生成を抑制するための中間材として高融点金属１３および銅１４を配置し、熱間等方圧加圧法による拡散接合によって接合してチタンクラッド鋼板を得る。 - 特許庁

In a carburizing method of steel parts, the carburizing period is performed in a carburizing gas under a predetermined vacuum, and the diffusion period is performed in the atmospheric gas containing CO (hereinafter, referred to as 'CO-containing atmospheric gas' while controlling the carbon potential (CP) in the atmosphere.例文帳に追加

鋼材部品の浸炭方法において、浸炭期を所定減圧下の浸炭性ガス中で行うと共に、拡散期をＣＯを含む雰囲気ガス（以下、ＣＯ含有雰囲気ガスという。）中で当該雰囲気中のカーボンポテンシャル（ＣＰ）値を管理しながら行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer etching method that effectively removes Cu together with a wafer surface layer by etching while preventing diffusion of metal impurities such as Cu or the like from the wafer surface layer to a bulk part when etching a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのＣｕ等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にＣｕを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device for improving copper wiring surface treatment before forming a copper diffusion prevention insulating film by a mixed gas soak of a silane and ammonia, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device having copper wiring where a surface state is excellent with less resistance.例文帳に追加

シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor epitaxial substrate capable of ensuring the electric insulation between a device layer side and a GaN monocrystal substrate, and capable of restricting a diffusion of Mg for controlling the conductivity to the device layer side, its manufacturing method and a substrate for HEMT.例文帳に追加

デバイス層側とＧａＮ単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のＭｇがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びＨＥＭＴ用基板を提供すること。 - 特許庁

Provided is a method for producing an electrolyte membrane-electrode structure 10 in which electrode catalyst layers 36a and 38a are installed at both sides of a solid polymer electrolyte membrane 34 while gas diffusion layers 36c and 38c are laminated on the electrode catalyst layers 36a and 38a.例文帳に追加

固体高分子電解質膜３４の両側に電極触媒層３６ａ、３８ａが設けられるとともに、前記電極触媒層３６ａ、３８ａには、ガス拡散層３６ｃ、３８ｃが積層される電解質膜・電極構造体１０の製造方法である。 - 特許庁

To provide a carbon fiber electrode material capable of maintaining high battery performances without lowering a gas diffusion ability of the electrode even by long-term continuous use, a hydrophilic carbon fiber sheetlike material suitably used for the electrode material and a method for producing the same sheetlike material.例文帳に追加

長時間の連続使用によっても電極のガス拡散能が低下せず、高い電池性能を維持できる炭素繊維電極材料、および電極材料に好適に用いられる親水性炭素シート状物、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a decontamination method by water-jet light-guide laser exfoliation, capable of preventing re-diffusion of penetration or pollution of a radioactive isotope during decontamination to the inner surface, having a slight polluted matter or to an unpolluted inner surface, and removing or minimizing repollution.例文帳に追加

除染中の放射性同位元素の浸透や汚染が汚染物質の軽微な内面、あるいは汚染されていない内面への再拡散を防ぎ、再汚染を無くす、あるいは最小にする、水噴流導光レーザー剥離による除染方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench-type MOSFET capable of suppressing deterioration in impurity concentration of a silicon electrode layer near a bottom portion of a trench while suppressing diffusion of impurities from a silicon electrode layer into a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン電極層から半導体基板内への不純物の拡散を抑制しつつ、トレンチの底部付近におけるシリコン電極層の不純物濃度の低下を抑制可能な溝型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing method for performing quantizing processing that avoids a pattern and sweeping characteristic to error diffusion or irregularity in density of dots in multipath recording in a relatively simple configuration without causing an increase in memory capacity and an increase in image processing load.例文帳に追加

メモリ容量の増大化や画像処理の負担を増大させることなく、比較的単純な構成で、誤差拡散特有の模様やはきよせ、あるいはマルチパス記録時のドットの粗密が回避されるような量子化処理を行う画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element.例文帳に追加

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an adsorbent for separating gas which has a higher diffusion velocity of easy adsorption components than a conventional adsorbent and can demonstrate expected performance sufficiently in the separation of gas by a pressure swing adsorption(PSA) method.例文帳に追加

ＰＳＡ法により気体分離を行う場合において、従来の吸着剤より易吸着成分の拡散速度が優れており、気体分離用吸着剤の期待される性能を十分に発揮させることができる気体分離用吸着剤を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can realize a conductive path for connecting the front and the rear of a semiconductor substrate using implanting of local impurity by ion implantation, local diffusion of an impurity by laser beam irradiating; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入による局所的な不純物の打ち込みや、レーザー光照射による局所的な不純物の拡散を用いて半導体基板の表裏をつなぐ導電路を実現することができる半導体素子及びその製造方法を得るものである。 - 特許庁