「is n」に関連した英語例文の一覧と使い方(483ページ目) - Weblio英語例文検索

In a maximum likelihood sequence detector 20, the maximum likelihood sequence is detected by a viterbi detector 40 as to a symbol sequence z_n obtained through a noise whitening filter 30 having an N-th transfer polynomial expression (factor q_i) with respect to a sequence y_n equalized by a K-th transfer polynomial expression (factor f_i) of a specified partial response.例文帳に追加

最尤シーケンス検出器２０では、所定のパーシャルレスポンスのＫ次の伝達多項式（係数ｆ_i）に等化されたシーケンスｙ_nに対し、Ｎ次の伝達多項式（係数ｑ_i）を有する雑音白色化フィルタ３０を通して得られたシンボルシーケンスｚ_nについて、ビタビ検出器４０により最尤シーケンスを検出する。 - 特許庁

Then, the user module includes a transfer end counter for storing the progress condition of the transfer processing of the transient texture data group TDG divided into the plurality of blocks, and counts up the count value N of the transfer end counter every time data transfer for one block of the transient texture data group TDG is ended.例文帳に追加

そして、ユーザモジュールは、複数のブロックに分割された非常駐テクスチャデータ群ＴＤＧの転送処理の進捗状況を記憶するための転送終了カウンタを備えていて、非常駐のテクスチャデータ群ＴＤＧの１つのブロック分のデータ転送が終了する毎に、この転送終了カウンタのカウント値Ｎをカウントアップする。 - 特許庁

The N peaks are selected from among the maximum peaks from a delay profile (step 52), the path level and path timing of the peak are calculated for each selected peak (step 53), and the same path in a different delay profile is detected by comparing path timing at the time of preceding calculation with path timing of this time (step 54).例文帳に追加

遅延プロファイルから、最大のピークからＮ個のピークを選択し（ステップ５２）、選択されたピークごとにそのピークのパスレベルとパスタイミングとを求め（ステップ５３）、前回計算時のパスタイミングと今回のパスタイミングとを比較することにより異なる遅延プロファイルにおける同一のパスを検出する（ステップ５４）。 - 特許庁

In the method, the organic layer is constituted in such a way that (a) it comprises organic compounds of two types or above which are selected from a group formed of an n-type organic compound and a p-type organic compound, and (b) the organic compounds of two types or above coexist in the amorphous state.例文帳に追加

その方法は、前記有機層を、（ａ）ｎ型有機化合物およびｐ型有機化合物からなる群から選択される二種以上の有機化合物を含有する、および（ｂ）それら二種以上の有機化合物のいずれもがアモルファス状態で混在する、をいずれも満たすように構成することを特徴とする。 - 特許庁

In this case, while a source electrode 15 and a drain electrode 16 for the p-type TFT, and a source electrode 14 and a drain electrode 16 for the n type TFT are all connected, the above process is performed, and then unnecessary wiring are cut by light irradiation (using a scanning laser exposure device etc) in order to constitute an arbitrary circuit.例文帳に追加

このとき、任意回路を構成するために、まずｐ型ＴＦＴ用のソース電極１５とドレイン電極１６、および、ｎ型ＴＦＴ用のソース電極１４とドレイン電極１６をそれぞれすべて繋いでおいて、上記プロセスを行い、その後、光照射（走査型レーザー露光装置など）により不要配線を切断する。 - 特許庁

An audio encoding device as an embodiment of the present invention is equipped with a register 502 and an audio data conversion part 504, which converts sampled audio data based upon a conversion constant (n) stored in the register 502 to lighten the load of processing on the audio encoding device.例文帳に追加

本発明の音声符号化装置は、レジスタ５０２と、音声データ変換部５０４とを備え、サンプリングした音声データに対して、音声データ変換部５０４がレジスタ５０２に記憶した変換定数ｎに基づく変換処理を行うことにより、当該音声符号化装置における処理負担の軽減を図ったものである。 - 特許庁

Further, when the protection type is the 1:1 or 1:N type, the method calculates a set having paths with minimum metrics among sets preconditioned that the sets include paths wherein an exclusive standby path can be ensured for an active path so as to perform routing calculation for warranting the optimality of the active path.例文帳に追加

また、プロテクションタイプが１：１や１：Ｎである時は、現用経路に対して排他な予備経路を確保できる経路の組であることを前提条件とし、これらの組のなかで、メトリックが最小の経路を有する組が計算されることにより、現用経路の最適性を保証した経路計算をすることができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a cylindrical fiber-reinforced composite material is disclosed, including winding a release film having a release layer containing a curable silicone resin on at least one surface of a polyester film and satisfying both of the following expressions (1) and (2), around a cylindrical prepreg while maintaining tension of 10 to 15 N/m.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に硬化型シリコーン樹脂を含有する離型層を有し、下記式（１）および（２）を同時に満足する離型フィルムを、張力が１０〜１５Ｎ／ｍとなるように円筒状プレプレグに巻き付けることを特徴とする円筒状繊維強化複合材料の製造方法。 - 特許庁

In the inkjet printer for emitting the ink containing the cationic polymer compound on a recording medium, a contact ink member, which constitutes an ink tank 101 for storing an ink and an ink supply passage 102 from the ink tank to a nozzle N for emitting the ink from the ink tank, is composed so as substantially not to exchange electron to the ink.例文帳に追加

カチオン重合性組成物を含有するインクを、記録媒体上に出射するインクジェットプリンタにおいて、インクを貯留するインクタンク１０１及びインクタンクからインクを出射するノズルＮまでのインク供給路１０２を構成する接インク部材を、インクと実質的に電子の授受を行わない構成とするインクジェットプリンタ。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with an external clock signal input terminal 101, external reset signal input terminal 102, input driver 103, an input driver 104, flip-flop 105, a delay element 106, 1/n counter 107, output driver 108, and external output terminal 109.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、外部クロック信号入力端子１０１と、外部リセット信号入力端子１０２と、入力ドライバ１０３と、入力ドライバ１０４と、フリップフロップ１０５と、ディレイ素子１０６と、１／ｎカウンタ１０７と、出力ドライバ１０８と、外部出力端子１０９と、を備えている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element having a vertical structure for increasing light-emitting efficiency and maximizing the effect of improving external quantum efficiency, by forming surface unevenness which is a fine light scattering structure on a surface of an n-type gallium nitride layer on the light-emitting side and a p-type gallium nitride layer on the reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

This steel cord obtained by twisting N pieces of strands obtained by twisting 2 pieces of steel filaments is provided by applying a profiling of changing as a 2-dimensional wavy shape in a cord axis direction under a strand arrangement so that the cord profile becomes flat, and regulating the profile shape and profiling under prescribed conditions.例文帳に追加

２本のスチールフィラメントを撚り合わせたストランドのＮ本を撚り合わせて成るスチールコードであって、コード輪郭形状が扁平となるストランド配置の下に、コード軸方向に２次元の波形状に変化する型付けを施して成り、その輪郭形状および型付けを所定条件の下に規制する。 - 特許庁

This buffer circuit is provided with an inverter circuit 3, a timing control circuit 20 composed of the parallel circuit of an OR circuit 21 and an AND circuit 22 and an output stage CMOS inverter circuit 10 or the like composed of the serial circuit of a P channel MOS transistor TRp and an N channel MOS transistor TRn.例文帳に追加

バッファ回路は、インバータ回路３、ＯＲ回路２１及びＡＮＤ回路２２の並列回路からなるタイミング調整回路２０、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＲｐとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＲｎとの直列回路からなる出力段ＣＭＯＳインバータ回路１０等を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film or a transparent conductive sheet and a touch panel using them, excellent in pen-sliding resistance where, after 100,000 times of sliding tests by polyacetal pen at 5.0 N, a transparent conductive thin film is not broken down, and excellent in position detection accuracy and visibility.例文帳に追加

タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れ、特にポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験後でも、透明導電性薄膜が破壊されず、位置検出精度及び視認性に優れた、透明導電性フィルムまたは透明導電性シート、及びこれらを用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

A CCD 26 picks up a subject image that passes through a photographic lens, an image processing circuit 29 performs various image preprocessing such as γ control and white balance of image data of N rows and M columns which are outputted from the CCD 26 and a compression circuit 33 further compresses the data after it is subjected to format processing.例文帳に追加

ＣＣＤ２６は撮影レンズを通過する被写体像を撮像し、画像処理回路２９は、ＣＣＤ２６から出力されるＮ行Ｍ列の画像データに対してγ補正、ホワイトバランスなどの種々の画像前処理を行い、さらにデータをフォーマット処理した後、圧縮回路３３で圧縮する。 - 特許庁

The epoxidized polyphenylene ether resin is expressed by general formula (1) (wherein, m and n represent integers of 1 or more; each of R_1, R_2, R_3 and R_4 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent functional group; each of X_1 and X_2 independently represents a functional group having an epoxy group; and Y represents biphenylsulfone.).例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂：(式中、ｍ及びｎは１以上の整数を示し、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３及びＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の官能基を示し、Ｘ_１及びＸ_２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する官能基を示し、Ｙは、ビフェニルスルフォン） - 特許庁

A book handling apparatus reads a page mark on a surface of a bankbook by a reader (step S3), opens a two-page spread before or after the preset number of pages from the present opened page (step S5) when the reading is not correctly executed (N of step S4), and reads the page mark 55 of the opened page (step S6).例文帳に追加

読取装置により通帳の紙面のページマークを読み取り（ステップＳ３）、この読み取りが正しく行えなかったときは（ステップＳ４のＮ）、現在開かれているページより予め設定されているページ数だけ前または後の見開きページを開き（ステップＳ５）、開かれたページのページマーク５５の読み取りを行う（ステップＳ６）。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk wherein the increase of frictional force and adhesion force between a magnetic recording medium and a head in a dynamic pressure floating head type is prevented without reducing an S/N ratio and a magnetic film can be easily formed by a sputtering method, to provide a manufacturing method therefor and to provide a magnetic recording medium using the substrate.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を低下させることなく、動圧浮動ヘッド方式における磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力の増加や吸着力の増大を防ぎ、さらに、スパッタ法により磁性膜の形成が容易な磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、ならびに該基板を用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

In an induction motor where a stator having 3n teeth is allocated at the external circumference of a rotor of 2n poles, the main windings 4a, 4b and auxiliary windings 5a, 5b, which are concentratedly wound through insulation of tooth 3 of the stator 1 where n=2, are provided in the same polarity to the teeth 3 in every other three slots.例文帳に追加

２ｎ極の回転子の外周に３ｎ個の歯を有する固定子を配置した誘導電動機において、ｎ＝２とした固定子１の歯３に絶縁を施して集中巻する主巻線４ａ，４ｂおよび補助巻線５ａ，５ｂをそれぞれ３スロット置きの異なる歯３に同極となるように設ける。 - 特許庁

A stock control computer temporarily allots the automated warehouse allotted to the oldest time and date, in a process of step S25, and transmits a conveyance instruction to a conveyer control panel, in a process of step S27, only when the stock quantity of the loads in the automated warehouse temporarily allotted is less than N-1, in a process of step S26.例文帳に追加

在庫管理コンピュータは、ステップＳ２５の処理にて最も古い日時に引当てられた自動倉庫を仮引当てし、ステップＳ２６の処理にてその仮引当てした自動倉庫に関わる荷の在荷数がＮ−１以下のときのみステップＳ２７の処理にて搬送指示をコンベア制御盤へ送信する。 - 特許庁

This cosmetic is obtained by emulsifying water and oily ingredient(s) with, as the main emulsifier, one or more kinds selected from polyethylene glycol diesters of the general formula R1CO(OCH2CH2)nOOCR2 (R1 and R2 are each a 12-24C straight-chain or branched-chain alkyl group; n denotes an average polymerization degree, being an integer of 5-20).例文帳に追加

一般式 Ｒ^1ＣＯ(ＯＣＨ_2ＣＨ_2)_nＯＯＣＲ^2（Ｒ^1及びＲ^2は炭素数１２〜２４の直鎖又は分岐鎖を有するアルキル基、ｎは平均重合度を示し、５〜２０の整数である）で示されるポリエチレングリコールジエステルより選択した１種又は２種以上を主な乳化剤とし、油性成分及び水を乳化する。 - 特許庁

To simultaneously improve the sensitivity and reliability of a thermoelectric conversion device which is manufactured by forming thermoelectric conversion layers provided with etching stopper layers on the upper surface of a substrate and at least p- or n-type semiconductors on the stopper layers in a prescribed planar shape.例文帳に追加

基板１の上面にエッチングストッパ層２を備え、そのエッチングストッパ層２上に少なくともｐ型半導体或いはｎ型半導体を備えてなる熱電変換層４，７を所定の平面形状に形成してなる熱電変換装置であって、高感度と高信頼性を同時に実現可能なものを提供する。 - 特許庁

One of the time length Ta(n) of the arc period just before, the integrated value of welding current Iw in the arc period just before, the moving average value of the time length Ta of the arc period, or the moving average value of the integrated value of the welding current Iw of the arc period is selected and used as this index.例文帳に追加

この指標としては、直前のアーク期間の時間長さＴａ（ｎ）、直前のアーク期間における溶接電流Ｉｗの積分値、アーク期間の時間長さＴａの移動平均値又はアーク期間における溶接電流Ｉｗの積分値の移動平均値から１つを選択して使用する。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

Each dielectric material multi-layered film 310 and 311 is formed by laminating n layers of films consisting of Si films 320 and SiO2 films 321 and third dielectric material thin films 330 and 331 consisting of the Si film and having prescribed thickness are interposed between each dielectric material multi-layered film 310 and 311 and a magnetic body thin film 307, respectively, to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加

磁気光学体３００は、Si膜３２０及びSiO_2膜３２１をｎ層積層して誘電体多層膜３１０，３１１を形成し、誘電体多層膜３１０，３１１のそれぞれと磁性体薄膜３０７との間に、Si膜の所定厚さの第３の誘電体薄膜３３０，３３１を介装した。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

In a cash memory normal time, after data are written in respective cash memories 1-1-1-n on the basis of normal time constitutional information on writing demand from a processor, a completion response of the writing demand is returned, and the written data on the cash memory are written out to one or a plurality of disc devices 2 asynchronously with the writing completion response.例文帳に追加

キャッシュメモリ正常時には、処理装置からのライト要求に対して、正常時の上記構成情報に基づきデータを各キャッシュメモリ１−１〜１−ｎに書き込んだ後、ライト要求の完了応答を返し、キャッシュメモリ上のライトデータをライト完了応答と非同期で１乃至複数のディスク装置２に書き出す。 - 特許庁

The additive is produced by a process which includes oxidizing a raw cellulosic material with an oxidizing agent in the presence of (1) an N-oxyl compound and (2) a bromide, an iodide or a mixture thereof to prepare an oxidized cellulose and subjecting the oxidized cellulose to wet pulverization to convert the cellulose into nanofibers.例文帳に追加

この添加剤は、（１）Ｎ−オキシル化合物、及び（２）臭化物、ヨウ化物又はこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用いてセルロース系原料を酸化して酸化されたセルロースを調製し、該酸化されたセルロースを湿式微粒化処理してナノファイバー化させることを含む方法により製造される。 - 特許庁

To allow a noise reduction processing caused by characteristics of a digital image for medical diagnosis to perform a comparatively uniform noise reduction processing to an image with S/N ratio variable in locations or to eliminate artifact generated by a noise elimination processing for an image whose pixel size is comparatively coarse.例文帳に追加

医用診断用のディジタル画像がもつ性質に起因するノイズ低減処理において、Ｓ／Ｎ比が局所で変化する画像に対して比較的均一なノイズ低減処理を実現すること、又は画素サイズが比較的粗い画像に対してそのノイズ低減処理により生じるアーチファクトの除去を実現すること。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

Picture signals transmission device comprising more than one predictive encoder (12-1-12-N) encoding input picture signal with different predictive function, a run-length encoder run-length (17) encoding the most suitable predictive encoded signals of the highest hitting ratio selected from each predictive encoded signals gained, and a sending controlling circuit (19) adding discrimination decision signals expressing predictive function of the above mentioned the most suitable predictive encoded signals, which is output from a discrimination decision circuit (19), to the output signals from the said run-length encoder (17) and sending. 例文帳に追加

入力画像信号をそれぞれ異なる予測関数で符号化する複数の予測符号器(12-１～12-N)と、……得られた各予測符号化信号中から選択された最も適中率の高い最適予測符号化信号をランレングス符号化するランレングス符号器(17)と、……識別回路(18)から出力される、前記最適予測符号化信号の予測関数を表す識別信号を、前記ランレングス符号器(17)からの出力信号に付加して送出する送出制御回路(19)とを備えたことを特徴とする画像信号の送信装置。 - 特許庁

This method quantitatively determines first to n-th (n is an integer of 2 or larger) peptides contained in a specimen.例文帳に追加

検体に含まれる第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数である。）のペプチドを定量する方法であって、（ａ）第１のペプチドの濃度を求める工程、（ｂ）検体を液体クロマトグラフィー／質量分析法で処理することによって得られたマススペクトルに基づいて、第１〜第ｎのペプチドのピーク面積を算出する工程、及び（ｃ）次式（１）：Ａ＝Ｂ／Ｃ×Ｄ（１）［式中、Ａは検体に含まれる第ｋ（ｋは２〜ｎの整数である。）のペプチドの濃度を表し、Ｂは検体に含まれる第ｋのペプチドのピーク面積を表し、Ｃは検体に含まれる第１のペプチドのピーク面積を表し、Ｄは検体に含まれる第１のペプチドの濃度を表す。 - 特許庁

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer.例文帳に追加

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。 - 特許庁

When a command is a READ command at the time of generating n clocks counted, a READ signal is applied to the device specified by the address, and when the command is a WRITE command, a WRITE signal is similarly applied to the device.例文帳に追加

ＣＰＵがアクセスする複数デバイスの、デバイス指定を受けてからＲ／Ｗ可となるまでの遅延時間≦使用するクロックの周期×ｎ、なる整数ｎを表わすためのデ−タＮを格納するためのレジスタ群を有し、ＣＰＵが与えるアドレスからデバイス指定信号ＣＳを生成して該当デバイスに与えるとともに該当デバイスに宛てた整数ｎを表わすためのデ−タＮをレジスタ群から読み出し、該整数ｎ分のクロックの発生の後に前記ＣＰＵのコマンドに対応するＲ／Ｗさせる信号を該当デバイスに与えるロ−カルバス制御装置。 - 特許庁

The tensile strength of the hardly water permeable civil engineering sheet is 500 N/5 cm or above, the coefficient of water permeability thereof is below 1×10^-3 cm/sec, the air permeability thereof is 0.18 cc/cm^2/sec or above and the strength holding ratio thereof after exposed for 500 hr in a sunshine weatherability test is 50% or above.例文帳に追加

（ａ）引張強度が３．０ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、沸水収縮率が１０％以上で、総繊度が１０００ｄｔｅｘ以下の熱可塑性合成繊維を製織した後、加熱収縮させてなるシートであって、該シートの透水係数が１×１０^−２ｃｍ／秒未満、通気度が０．２０ｃｃ／ｃｍ^２／秒以上で、且つ開口径（Ｏ_９５）が０．１ｍｍ未満である通気・透水性制御シート（ｂ）熱可塑性合成繊維から構成され、その遮光率が８０％以上、通気度が１０ｃｃ／ｃｍ^２／秒以上である遮光シート - 特許庁

In the circuit for detecting a failed thyristor 2u in a power converter where an unit arm is constituted by connecting a plurality of series circuits of m pieces of thyristors 2u in parallel, a failure of the thyristor 2u is detected based on the potential difference of the n-th semiconductor switching element from the anode side of the first series-connected thyristor 2u constituting the same arm.例文帳に追加

ｍ個のサイリスタ２ｕを直列接続した回路を複数個並列に接続して単位アームを構成した電力変換装置における故障したサイリスタ２ｕを検出する素子故障検出回路において、同一アームを構成する第１番目の直列接続されたサイリスタ２ｕのアノード側から第ｎ番目の半導体スイッチング素子の電位差に基づき当該サイリスタ２ｕが故障であることを検出する。 - 特許庁

The output buffer 3 is formed by using a P channel transistor 1 as a transistor which inputs an input signal at its gate electrode and the source potential of an N channel transistor forming a NAND gate 8 as a precedent-stage driver is switched by a switch circuit 11 to make the level of the signal inputted to the gate electrode of the P channel transistor lower in a test than in normal use.例文帳に追加

出力バッファ３を、入力信号がそのゲート電極に入力されるトランジスタにＰチャネルトランジスタ１を用いて形成し、前段ドライバとしてのＮＡＮＤゲート８を形成しているＮチャネルトランジスタのソース電位を、スイッチ回路１１で切り替えることにより、上記Ｐチャネルトランジスタのゲート電極に入力される信号のレベルを、テスト時には通常使用時よりも低いレベルとするようにしたものである。 - 特許庁

In reading data, a reading address on the virtual minimum two-dimensional memory space 1 is designated while the vertical/horizontal reading direction of the data is designated by using the designated reading address as a reference, and according to the both designations, sequential data arranged in the vertical or horizontal direction on the virtual minimum two-dimensional memory space 1 are read from the addresses respectively corresponding to the n memories.例文帳に追加

データの読み出しの際には、仮想最小２次元メモリ空間１上の読み出しアドレスを指定するとともに、その指定された読み出しアドレスを基準にデータの横方向または縦方向の読み出し方向を指定すると、その両指定に応じて、仮想最小２次元メモリ空間１上の縦方向または横方向に並ぶ連続データを、ｎ個の各メモリの対応するアドレスからそれぞれ読み出す。 - 特許庁

The peelable polyimide film laminate is obtained by laminating a polyimide film obtained by reacting aromatic tetracarboxylic acids with aromatic diamines having benzoxazole skeleton and a polyimide film obtained by reacting aromatic tetracarboxylic acids with aromatic diamines without allowing an adhesive layer to intervene between the films, wherein an initial peeling strength between the films constituting the laminate is in the range of 0.02 to 2.0 N/cm.例文帳に追加

芳香族テトラカルボン酸類とベンゾオキサゾール骨格を有する芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリイミドのフィルムと芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリイミドのフィルムとが、接着剤層を介することなく積層した積層体であって、積層体を構成するフィルム間の初期剥離強度が、０．０２〜２．０Ｎ／ｃｍであることを特徴とする剥離性ポリイミドフィルム積層体。 - 特許庁

In an arrangement of driving an N-ch depression type FET 1 by a single positive power source 3, a first (NPN) transistor Q1 for controlling a source voltage is connected between a source of the FET 1 and a ground, and a second (PNP) transistor Q2 for supplying to a base an adjusting current according to a drain current of the FET 1 is connected to the base of the first transistor Q1.例文帳に追加

Ｎ−ｃｈディプレッション型ＦＥＴ１を単一の正電源３で駆動する構成において、ＦＥＴ１のソースと接地との間に、ソース電圧を制御するための第１（ＮＰＮ）トランジスタＱ1 が接続され、この第１トランジスタＱ1 のベースには、このベースにＦＥＴ１のドレイン電流の大きさに応じた調整用電流を供給するための第２（ＰＮＰ）トランジスタＱ2 が接続される。 - 特許庁

An output from a single-phase amplifier circuit 20, to which an output from a differential amplifier circuit 10 is input, is input to a clamp circuit 41 using a source follower consisting of an N channel MOS transistor MN5, and the charging time of the capacitance Cp can be shortened narrowing a necessary charging voltage width without providing a new constant voltage source, by limiting an input of the single-phase amplifier circuit 20 using the clamp circuit 41.例文帳に追加

差動増幅回路１０の出力が入力される単相増幅回路２０の出力をＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ５からなるソースフォロワによるクランプ回路４１に入力し、当該クランプ回路４１により単相増幅回路２０の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Ｃｐの充電時間を短くすることができる。 - 特許庁

In a reset regeneration mode for supplying fuel in the exhaust gas purification device 50 by post-injection E, when a clogging state of the exhaust gas purification device 50 is not improved, the fuel is supplied in the exhaust gas purification device 50 by the post-injection E, to execute an emergency regeneration mode for maintaining a rotating speed N of the engine 70 at a predetermined value (high idle speed).例文帳に追加

ポスト噴射Ｅにて燃料を前記排気ガス浄化装置５０内に供給するリセット再生モードを実行しても、前記排気ガス浄化装置５０の詰り状態が改善しない場合は、ポスト噴射Ｅにて燃料を前記排気ガス浄化装置５０内に供給し且つ前記エンジン７０の回転速度Ｎを所定値（ハイアイドル回転速度）に維持する緊急再生モードを実行するように構成する。 - 特許庁

An N-channel MOS-FET of superjunction structure having low on-resistance characteristics is used for a switching element, a control means turns on all the MOS-FETs in short-circuiting an AC power supply and a reactor, and turns off the MOS-FET connected to a positive side of the AC power supply when it is not required to short-circuit the AC power supply and the reactor.例文帳に追加

本発明の目的は、該スイッチング素子に低オン抵抗特性を有するスーパージャンクション構造のＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴを用い、該制御手段は交流電源とリアクトルの短絡するときには全てのＭＯＳ−ＦＥＴをオンし、交流電源とリアクトルの短絡が不要なときは交流電源の正側に接続されたＭＯＳ−ＦＥＴをオフするように制御することにより達成される。 - 特許庁

A reference counter 261a is set to the same frequency as a frequency (40 kHz or 60 kHz) of a long-wave standard radio signal received by a long-wave standard radio receiving unit 120 in a PLL 260a, and a local oscillation frequency output from a VCO (voltage controlled oscillator) 280 is divided into a frequency (reference frequency) of the reference counter 261a also for a fractional N divider 264.例文帳に追加

ＰＬＬ２６０ａにおいて長波標準電波受信部１２０で受信した長波標準電波信号の周波数（４０ｋＨｚまたは６０ｋＨｚ）と同じ周波数にリファレンスカウンタ２６１ａを設定し、またフラクショナルＮデバイダー２６４についてもリファレンスカウンタ２６１ａの周波数（リファレンス周波数）にＶＣＯ（電圧制御発振器）２８０が出力する局部発振周波数を分周する。 - 特許庁