「junctions」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a medical guide wire core which is formed by integrally joining a joining member and introducing member consisting of two different metals, is greatly improved in bending yield strength and joining strength in junctions and can be inexpensively manufactured and to provide a medical guide wire using the same.例文帳に追加

接合部における曲げ耐力と接合強度を大幅に向上するとともに、安価に製造できる、２種の異なる金属からなる導入部材と接合部材とを一体に接合した医療用ガイドワイヤ芯材およびこれを用いた医療用ガイドワイヤを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide anti-connexin compounds and compositions useful for the treatment of various diseases, conditions and disorders in which modulation of connexins, hemichannels, and gap junctions would be benefit, and to provide methods for using these compounds and compositions as well as pharmaceutical formulations, kits, and medical devices.例文帳に追加

コネキシン、ヘミチャネルおよびギャップ結合の調整が有利な種々の疾患、容態および障害の治療に有用な抗コネキシン化合物および組成物、そしてこれらの化合物および組成物ならびに薬学的処方物、キットおよび医学的デバイスの使用方法を提供する。 - 特許庁

This epidermal keratinocyte layer membrane expressing tight junctions is obtained by culturing epidermal keratinocyte in a liquid culture medium containing calcium ion in an amount of 0.1 to 0.2 mM up to a confluent state on a support and further culturing the cells in a liquid culture medium containing calcium ion in an amount of 1 to 2 mM.例文帳に追加

表皮角化細胞をカルシウムイオンを０．１〜０．２ｍＭ含有する液体培地で支持体上にコンフルエントになるまで培養し、しかる後、カルシウムイオンを１〜２ｍＭ含有する液体培地で培養することにより、タイトジャンクションの発現する表皮角化細胞層膜が得られる。 - 特許庁

Defective junctions are avoided in the periphery of the contact part by forming a recess in the semiconductor substrate made to contact the electrode on the glass in the recess, reliability in gas leakage or the like is secured thereby, and a cost is reduced, since there is no unnecessary junction region required to be provided.例文帳に追加

半導体基板内に凹みを形成して凹み内で硝子上の電極とコンタクトさせることにより、その周囲での接合不良を回避できる為、ガスリーク等における信頼性を確保でき、且つ不要な接合領域を設けることが無い為に、低コスト化を図ることが可能となる。 - 特許庁

By using a solder ball composed of solder alloy, which contains zinc, with tin as a substrate in place of tin/zinc solder constituting a conventional solder bump, a zinc layer concentrated on the surface of the solder ball is related to all junctions and blocks the reaction of tin, which forms the weak inter-metal compound.例文帳に追加

従来のはんだバンプを構成する錫鉛はんだの代替として、錫を基体とし亜鉛を含むはんだ合金から構成されるはんだボールを使用することで、はんだボール表面に濃縮する亜鉛層が全ての接合に関与し、脆い金属間化合物を形成する錫の反応を阻害する。 - 特許庁

In the laminated electronic components 1, in which the external electrodes 3, which are alternately connected to the internal electrodes 5, are formed in the end section of a body 1 of the parts obtained by alternately laminating dielectric layers 7 and the internal electrodes 5 upon another, P- containing metallic phases 17 exist in the junctions 16 between the internal electrodes 5 and external electrodes 3.例文帳に追加

誘電体層７と内部電極５とを交互に積層してなる電子部品本体１の端部に、内部電極５と交互に接続する外部電極３をそれぞれ形成してなる積層型電子部品１において、内部電極５と外部電極３との接続部１６にＰを含む金属相１７が存在する。 - 特許庁

A composite beam 14 has: a reinforced-concrete beam member 15; beam steel frames 28 joined to junctions 40 embedded in both ends of the beam member 15 and provided on pillars 12, respectively; and PC steel wires 34 provided from one end of the beam member 15 to the other end thereof and introducing compressive force to the beam member 15.例文帳に追加

合成梁１４は、鉄筋コンクリート造の梁部材１５と、梁部材１５の両端部に埋設され柱１２に設けられた接合部４０に接合される梁鉄骨２８と、梁部材１５の一方端から他方端まで設けられ梁部材１５に圧縮力を導入するＰＣ鋼線３４とを有している。 - 特許庁

To provide conductive paste which can secure electric and mechanical junctions between internal electrodes and terminal electrodes, by securely exposing end surfaces of the internal electrodes buried in a ceramic raw body in an end surface of the ceramic raw body and a ceramic electronic component which has the terminal electrodes formed by using the conductive paste.例文帳に追加

本発明は、セラミック素体の内部に埋もれた内部電極の端面をセラミック素体の端面に確実に露出せしめ、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合を確保することができる導電性ペーストおよびこれを用いて端子電極を形成したセラミック電子部品を提供することにある。 - 特許庁

The junctions of the input and output waveguides 1, 2 with the cavity 3 are formed such that first ends of both waveguides 1, 2 doubly bond to the cavity and the sections of the double bonded parts have common parts to each other and other parts.例文帳に追加

この入力導波管１および出力導波管２と空胴３との接合部が、入力導波管１および出力導波管２の一端部が、空胴と重複して接合し、この重複した接合部の断面形状が、相互に相手方との共通部分とそれ以外の部分を有するように形成されている。 - 特許庁

This hot water/water combination header is constituted of a pair of main pipes 11a, 11b forming a water header and a hot water header, a combination tube 13 formed with a heat insulating layer 14 in it and connecting both main pipes 11a, 11b, and a plurality of branch pipe junctions 19 suspended from the main pipes 11a, 11b.例文帳に追加

湯水結合ヘッダーは、水用ヘッダー及び湯用ヘッダーを構成する一対の主配管１１ａ，１１ｂと、その内部に断熱層１４が形成され、両主配管１１ａ，１１ｂを連結する結合筒１３と、各主配管１１ａ，１１ｂに垂下された複数の枝配管接続部１９とから構成されている。 - 特許庁

In particular, a method and a system for designing optimized multi-epitope vaccines having selected combinations of spacer nucleic acid at the junctions of the multi-epitope constructs encoding a plurality of CTL and/or HTL epitope peptides so as to minimize the number of joined epitopes and provide vaccines with increased immunogenicity, are provided.例文帳に追加

特に、接合エピトープ数を最少化し免疫原性を高めたワクチンを提供するように、複数のＣＴＬおよび／またはＨＴＬエピトープペプチドをコードするマルチエピトープ構築物の接合部に選択した組合せのスペーサー核酸を有する最適化されたマルチエピトープワクチンを設計するための方法およびシステムに関する。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided.例文帳に追加

それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎ接合と、第一接合のｐまたはｎドープされた領域または第二接合のｎまたはｐドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。 - 特許庁

A power component formed in an N-type silicon substrate, the lower and upper surfaces of which respectively include a first and a second P-type region, that does not extend to the component periphery, the high voltage being capable of existing between the first and second regions and having to withstand the junctions between the first and second regions and the substrate.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板に形成されるパワー素子であって、その下及び上の表面には素子の境界にまでは達しない第１及び第２のＰ型領域が形成され、第１及び第２領域の間に高電圧が存在可能で第１及び第２領域と基板の間の接合が耐電圧を与える。 - 特許庁

The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加

チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁

The polishing elements 208 have a first end connected to a first adjacent polishing element at a first junction 209 and a second end connected to a second adjacent polishing element at a second junction 209 and has a cross-sectional area 222 maintained within 30% between the first and the second junctions 209.例文帳に追加

研磨要素２０８は、第一結合部２０９で第一の隣接する研磨要素に結合する第一端および第二結合部２０９で第二の隣接する研磨要素に結合する第二端を有するとともに、断面積２２２が第一結合部と第二結合部２０９との間において３０%以内に維持される。 - 特許庁

Radiation such as X-rays are absorbed in a monocrystal substrate, or absorbed in a light absorber provided on the surface of the substrate when the radiation is light, and radiation energy is converted into non-thermal equilibrium phonons, and these phonons are absorbed in a plurality of superconductive in-series junctions to generate signals.例文帳に追加

Ｘ線などの放射線を単結晶基板に吸収させ、あるいは放射線が光である場合には基板の表面に設けた光吸収体に吸収させ、放射線のエネルギーを熱非平衡フォノンに変換し、それらのフォノンを複数の超伝導直列接合に吸収させて信号を発生させる。 - 特許庁

To provide a watertight sealing medium directly recyclable without separating from the cover in recycling waterproof protective parts such as for electric wire junctions, small in the difference between its viscosity at low temperatures and that at high temperatures, soft enough to be intrudable even into narrow gaps, and excellent in electrical insulation.例文帳に追加

電線の接続部等の防水保護部をリサイクルする際にカバーとシール剤とを分別することなく、そのままリサイクルすることができる水密シール材であって、低温時の粘性と高温時の粘性との差が小さく、狭い隙間にも入り込む柔らかさを有する、電気絶縁性に優れた水密シール材を提供すること。 - 特許庁

In a photoelectric conversion element which has PN junctions in a semiconductor substrate 1 and a P side current collecting electrode 9 and an N side current collecting electrode 10 on the rear of the substrate 1, the peripheral part of the substrate 1 has the PN junction deeper than that in the center part of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にＰＮ接合が形成され、基板１の裏面にＰ側電流収集電極９およびＮ側電流収集電極１０が形成された光電変換素子において、半導体基板１の中心部より周囲部の方が深いＰＮ接合を有することを特徴とする。 - 特許庁

By fixing the electrodes 5 and 6 with the sealing metal members 3 and 4 which are, via medium metal members, sealed to ends of the glass valve in which prescribed pressure rare gas is enclosed and mercury is diffused, the electrodes 5 and 6 do not drop keeping their junctions stable while the cold cathode discharge tube is being lighted for a long period of time.例文帳に追加

所定圧の希ガスが封入され、水銀が拡散されてなるガラスバルブ端部に封止される封止金属体３、４と電極５、６との固着を中間金属体を介して行い、これによって長期間の点灯使用においても電極が脱落することなく安定したものにすることができる。 - 特許庁

The light rays emitted from the p-n junctions between the substrate 10 and areas 12 are condensed upon a photosensitive drum and form very small dot images on the photosensitive surface of the drum through an unmagnified image forming optical system after the uneven light quantity of a nonuniform luminous pattern is corrected to a uniform light quantity by means of the scattering bodies 14.例文帳に追加

そして、ＧａＡｓＰ基板１０とＺｎ拡散領域１２とのｐｎ接合部から放射された光は、散乱体１４により不均一な発光パターンの光量むらを均一され、更に等倍結像光学系を経由して感光ドラムに集光され、その感光面に微小な点像を形成するようになっている。 - 特許庁

A method is developed for forming a Josephson element by implanting ions of relatively lighter weight than the ions which have been used traditionally for ion-filling in such a speed as penetrating an oxide superconductive film into the part to form Josephson junctions after forming an oxide superconductor on a substrate.例文帳に追加

酸化物超伝導物質を基板上に形成した後で、ジョセフソン接合を作成したい部分に、酸化物超伝導物質膜を貫通するような速度で、従来イオン注入に用いられてきたイオンよりも比較的軽い質量のイオンを打ち込むことでジョセフソン素子を形成する方法を開発した。 - 特許庁

The alignment method for positioning junctions by reading out positioning recognition marks provided on both junction sides with a two-field recognition means having the fields in both the junction directions, wherein simultaneous read-out is performed by synchronizing both the recognition marks, and the mounting method using the same.例文帳に追加

両被接合物側に設けられた位置合わせ用認識マークを両被接合物方向に視野をもつ２視野の認識手段で読み取ることにより被接合物同士を位置合わせするアライメント方法であって、両認識マークを同期させて同時に読み取ることを特徴とするアライメント方法、およびその方法を用いた実装方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device using a tubular inorganic matter showing a single electronic tunnel electrical conductivity, which can show the single electronic tunnel electrical conductivity by forming a number of fine tunnel junctions in a tubular inorganic matter, can control even the fine tunnel junction amount properly, and is industrially extremely effective.例文帳に追加

チューブ状無機物質に微小なトンネル接合を多数形成し、単一電子トンネル電気伝導性を示すことが可能となり、かつ当該微少なトンネル接合量も適正に制御することができる、工業的に極めて有用な、単一電子トンネル電気伝導性を示すチューブ状無機物質を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

This spring member 45 cross-links a pair of metal pieces for wiring 31, 32 adjoining each other in an elastic deformation condition, and at least one junction 45a of junctions 45a with the pair of metal pieces for wiring 31, 32 is joined with the metal piece for wiring 31 by thermosensitive solder which melts at a prescribed temperature.例文帳に追加

このバネ部材４５は、互いに近接する一対の配線用金属片３１，３２を弾性変形状態で架橋していると共に、その一対の配線用金属片３１，３２との接合部４５ａの少なくとも一方の接合部４５ａが、所定温度で溶解する温度半田によって配線用金属片３１に接合されている。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

To provide a matrix circuit, with which the number of junctions as a deterioration factor of circuit characteristics can be reduced and a stable and highly accurate large scale circuit can be comprised, concerning a matrix circuit, with which a phase difference between adjacent ports on the output side is changed by the position of a port to input a signal, having a hybrid and a phaser.例文帳に追加

ハイブリット及び位相器を有し、信号が入力されるポートの位置によって出力側における隣接ポート間の位相差が変化するマトリクス回路について、回路特性の劣化要因であるジャンクション数を削減すると共に、安定した高精度の大規模回路を構成することができるマトリクス回路を提供する。 - 特許庁

The contact 30 is provided with a movable housing side junction 32 joined to the movable housing 20, a stationary housing side junction 31 joined to the stationary housing 10, a meandering coupling part 33 to couple these junctions 31, 32, a contact point part 35 for electrical connection to the counterpart connector, and lead parts 34 for soldering to the wiring board.例文帳に追加

このコンタクト３０は、可動ハウジング２０に結合される可動ハウジング側結合部３２と、固定ハウジング１０に結合される固定ハウジング側結合部３１と、これらの結合部３１，３２を連結する蛇行形状の連結部３３と、相手側コネクタとの電気接続のための接点部３５と、配線基板への半田付けのためのリード部３４とを備えている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the compound semiconductor board having the pn junctions using the epitaxial growth method including the selective growth process, the maximum temperature of the epitaxial growth processes after the selective growth process is made lower than that of the entire epitaxial growth processes before the selective growth process.例文帳に追加

選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により、ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を製造する方法において、選択成長工程より前のすべてのエピタキシャル成長工程における最高温度より、該エピタキシャル成長工程より後の工程における最高温度を低くすることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 - 特許庁

Consequently, the entire spacing between a substrate glass 14 and an electrochromic film 16, the entire spacing between the electrochromic film 16 and a cover glass 18 and all of each of receiving terminals 22 and supplying terminals 26 (including junctions of each of the receiving terminals 22 and the supplying terminals 26) are unexceptionally sealed with the mirror rim 28 and the adhesives 32, 34.例文帳に追加

このため、ミラーリム２８及び接着剤３２、３４によって、サブストレートガラス１４とエレクトロクロミック膜１６との間の全体、エレクトロクロミック膜１６とカバーガラス１８との間の全体、各受給端子２２及び各供給端子２６の全体（各受給端子２２と各供給端子２６との接合部分を含む）を、全て封止することができる。 - 特許庁

To provide precast concrete columns and a joint structure of the columns with beams such that the beams extending through one linear span can be joined on the end faces of the capital parts of the columns by on-site joint means without timbering while using no beam components of complicated form which extend through plural spans, and that sufficient resistance and rigidity can be secured at the junctions between the columns and the beams.例文帳に追加

複数スパンに跨がる複雑形状の梁構成体を用いることなく、直線状の１スパンの梁同士を、支保工なしで柱頭部端面上に現場継手手段によって接合でき、しかも柱と梁との接合部に十分な耐力と剛性を確保できる、プレキャストコンクリート製柱及びこれと梁との接合構造体を提供する。 - 特許庁

When a voltage is applied between the P-type impurity regions 15b and 15b via metal wiring 9 and 9, two P-N junctions formed on the junction surface between the N-type impurity region 15a and the P-type impurity regions 15b and 15b are formed opposed in the backward and forward directions, and a resistor is composed by either P-N junction.例文帳に追加

メタル配線９，９を介してＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂ間に電圧を印加すると、Ｎ型不純物領域１５ａとＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂの接合面に形成される２つのＰＮ接合が逆方向と順方向で対向して形成され、いずれかのＰＮ接合によって抵抗が構成される。 - 特許庁

The toner conveyance pipe of a gooseneck shape used in an image forming apparatus is a joining of a pipe body having a semitubular part along the lengthwise direction of the pipe in at least one location and at least one semitubular cover joined to the semitubular part, wherein the junctions of the pipe body and the semitubular cover are ultrasonically welded.例文帳に追加

画像形成装置で使用される曲管形状のトナー搬送用パイプであって、少なくとも１箇所にパイプ長さ方向に沿って半管状部分を有するパイプ本体と、該半管状部分に接合される少なくとも１つの半管状蓋体との接合体であり、上記パイプ本体と上記半管状蓋体との接合部が超音波溶着されてなる。 - 特許庁

The double element series circulator is arranged to contain the single permanent magnets, the double ferrite components used in the junctions by which the circulators are continued, and the single impedance matching structures connected between each junction and the next being continued, whereby the function of the circulator can be enhanced and the size of the device can be scaled down.例文帳に追加

２重素子直列サーキュレータを、サーキュレータの連続した接合部で使用される単一の永久磁石および２重のフェライトコンポーネントと、それぞれの連続した接合部間につながれた単一のインピーダンス整合構造とを含むように配置することで、サーキュレータの機能を向上させ、装置のサイズを減少させることができる。 - 特許庁

The nanowire solar cell 1 includes: a semiconductor substrate 2; a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming p-n junctions; a transparent insulating material 6 with which the gap between the semiconductors 4 and 5 is filled; an electrode 7 covering the end of the semiconductors 4 and 5; and a passivation layer 10 provided between the semiconductor 5 and the transparent insulating material 6, and between the semiconductor 5 and the electrode 7.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。 - 特許庁

The toner conveyance pipe of a gooseneck shape used in an image forming apparatus is a joined body of a pipe body having a semitubular part along the lengthwise direction of the pipe in at least one location and at least one semitubular cover to be joined to the semitubular part, wherein the junctions of the pipe body and the semitubular cover are ultrasonically welded.例文帳に追加

画像形成装置で使用される曲管形状のトナー搬送用パイプであって、少なくとも１箇所にパイプ長さ方向に沿って半管状部分を有するパイプ本体と、該半管状部分に接合される少なくとも１つの半管状蓋体との接合体であり、上記パイプ本体と上記半管状蓋体との接合部が超音波溶着されてなる。 - 特許庁

A diode temperature sensor element and a temperature measuring device using the same are provided in which one PN junction is short-circuited and two terminals can be taken outside in a semiconductor chip where a bipolar transistor is handled as a diode by short-circuiting one PN junction among two PN junctions and the diode is used as a temperature sensor to form a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの2個のｐｎ接合のうち、一方のｐｎ接合を短絡してダイオードとして取り扱い、このダイオードをダイオード温度センサとして用い、バイポーラトランジスタを形成している半導体チップ内で、一方のｐｎ接合を短絡してあり、外部には、二端子として取り出すようにしたダイオード温度センサ素子と、これを用いた温度計測装置を提供する。 - 特許庁

Either a moat 4 provided on another ground plane 2, a contact hole 5, or a gap between adjoining ground planes is provided at a place close to a moat 3 provided at a ground plane 1 on the side facing a magnetic field or a gap between adjoining ground planes than positions of superconducting junctions 6 and 7.例文帳に追加

磁場に対向する側のグランドプレーン１に設けたモート３或いは隣接するグランドプレーン間の間隙のいずれかに対し、他のグランドプレーン２に設けたモート４またはコンタクトホール５、或いは、隣接するグランドプレーン間の間隙のいずれかを超電導接合６，７の位置より磁場に対向する側のグランドプレーン１に設けたモート３或いは隣接するグランドプレーン間の間隙のいずれか寄りに設ける。 - 特許庁

The method for preventing or delaying the onset of diabetes comprises a step for administering a pharmaceutically effective amount of a peptide antagonist of zonulin to a test subject necessary to prevent or delay the onset of diabetes, and herein the peptide antagonist binds to the zonulia occludens toxin receptor, yet does not pharmaceutically modify the opening of mammalian tight junctions.例文帳に追加

糖尿病発症を予防または遅延させる方法であって、該方法は、糖尿病発症を予防または遅延させる必要のある被験体に、薬学的に有効量のゾヌリンのペプチドアンタゴニストを投与する工程を包含し、ここで該ペプチドアンタゴニストは、閉鎖帯毒素レセプターに結合するが、哺乳動物の接着結合の開きを薬学的に修飾しない、方法。 - 特許庁

At a tilt adjustment part, forming a gap between a hole 402b and a protrusion 403d allows an adhesive 405 to surely reach between an adjustment screw 403 and an adjustment axis 402, and junctions between the adhesive 405 and the adjustment axis 402 and between the adhesive 405 and the adjustment screw 403, which affect adhesive strength, are not exposed to a surface of a base chassis 301.例文帳に追加

チルト調整部において、穴部４０２ｂと突起部４０３ｄの間に隙間を形成することで調整ネジ４０３と調整軸４０２の間に確実に接着剤４０５が到達し、かつ、接着強度に影響を及ぼす接着剤４０５と調整軸４０２および調整ネジ４０３の接合部がベースシャーシ３０１の表面に露出しないように構成されている。 - 特許庁

The device 31 is desirably provided with a light emitting and receiving means 10 provided with a switch means which switches a light receiving state in which photovoltaic force is generated in the direction of biasing the PN junctions when the light emitting diodes receive light by at least one control signal and a light emitting state in which a forward voltage is applied to the light emitting diodes to make the light emitting diodes emit light.例文帳に追加

そして、発光ダイオードに少なくとも一つの制御信号によって、光を受光した場合にＰＮ接合をバイアスする向きに光起電力を生じさせる受光状態と、発光ダイオードに対して順方向電圧を加え発光させる発光状態とに切り替える切り替え手段を備えた発光兼受光手段１０を設けるのが好ましい。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In this method of mounting semiconductor device by which a semiconductor device having electrode terminals is joined to the surface of a mounting substrate by soldering, junctions containing bubbles in solder are formed by providing a single area or a plurality of areas to which solder is not joined are provided in a programmed joining section provided on the mounting substrate and joining the electrode terminals of the semiconductor device to the mounting substrate by soldering.例文帳に追加

電極端子を有する半導体装置を実装基板上にはんだにより接合する半導体装置の実装方法において、実装基板上の接合予定部内に、単数又は複数個のはんだが接合しない領域を設け、電極端子と実装基板とをはんだにより接合することにより、はんだ内に気泡を内包した接合を形成する。 - 特許庁

This is an optical waveguide module equipped with an optical waveguide connected to optical fibers, and it uses an adhesive 12 whose modulus of light absorption is 90% or less at the junctions of the optical waveguide and optical fibers 5, 6 (This modulus of light absorption of the adhesive is for the light within the wavelength range used in this optical waveguide when the adhesive is 1 mm thick).例文帳に追加

光導波路とそれに接合された光ファイバとを備えた光導波路モジュールであって、光導波路と光ファイバ５，６との接合部周辺に、光吸収率（ただし、この光吸収率は、接着剤の厚さを１ｍｍとし、その光導波路モジュールの使用波長範囲の光に対する接着剤の光吸収率である。）が９０％以下の接着剤１２を用いたことを特徴とする光導波路モジュール。 - 特許庁

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁