「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

A management controller is provided between a power supply module and a main CPU of a server 1000 to be managed, the energization start time and energization stop time to the main CPU from the power supply module are correlated and recorded into an a nonvolatile memory, and the hash value computed from the energization start time and energization stop time is also recorded.例文帳に追加

被管理サーバ１０００の電源モジュールとメインＣＰＵの間に管理コントローラを設け、電源モジュールからメインＣＰＵへの通電開始時刻と通電停止時刻を対応付けて不揮発メモリに記録するとともに、通電開始時刻と通電停止時刻から算出したハッシュ値も記録する。 - 特許庁

An operating part 80 as a means for estimating the average detecting number of photons, estimates the average number of detected fluorescent photons released from a sample 2 and detected by an optical detector 20 per one pulse irradiation of pulse excitation light L_1 on the basis of the distribution of a waveform integrated value generated from a memory 70.例文帳に追加

平均検出光子数推定手段としての演算部８０は、メモリ７０により生成された波形積分値の分布に基づいて、パルス励起光Ｌ_1のパルス照射１回当たりに試料２から放出され光検出器２０により検出された蛍光光子の平均検出個数を推定する。 - 特許庁

An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.例文帳に追加

ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁

In this non-volatile semiconductor memory, a row decoder 120 controls independently plural row selection line groups 121, 122, the device can control a peak value of an erasure current and can reduce current consumption by applying negative voltage 101 generated by a step-down circuit 160 to each row selection line group 121, 122 shifting a time.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置は、ロウデコーダ１２０が複数の行選択線群１２１,１２２を独立して制御し、降圧回路１６０が発生する負電圧１０１を各行選択線群１２１,１２２に対して時間をずらして加えることによって、消去電流のピークを抑制でき、消費電流を削減できる。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

At restart after write processing interruption, a RAID controller 11 writes a predetermined value in an area (X, Y) registered in a non-volatile memory 12 and generates a corresponding parity in accordance with each data stripe in the same parity group including this data area and writes the parity in a corresponding disk of a disk array 14.例文帳に追加

書き込み処理中断後の再起動時に於いて、ＲＡＩＤコントローラ１１は、不揮発性メモリ１２に登録された領域（Ｘ，Ｙ）に、既定値を書き込み、そのデータ領域を含んだ同一パリティグループ内の各データストライプから、対応するパリティを生成し、ディスクアレイ１４の対応ディスクに書き込む。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

An RL compression part 10 counts a successive number to output a count value in stead of the search data, using the search data in this time sweep output from the selector 8 and the search data in last sweep output from the reference memory 9, when the search data in the distance-directional same position are successively same in the sweeps.例文帳に追加

ＲＬ圧縮部１０は、セレクタ８から出力される今回スイープの探知データとリファレンスメモリ９から出力される前回スイープの探知データとを用いて、これらスイープで距離方向の同一位置の探知データが同じであることが続けば、連続数をカウントし探知データに代わりカウント値を出力する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a current source for decreasing constant a voltage of a photo-diode node, a comparator for comparing the output of an amplifier end to a reference voltage and controlling the current source to reset a photo-diode, and a memory for storing a digital value of the reference voltage.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのリセット動作時に発生するリセット雑音、検出回路の特性差により発生する固定パターン雑音、及び以前の映像信号の強度が出力信号に影響を与えるイメージラグなどをリセット電圧を制御することによって減少させ、高い信号対雑音比を得ることができる。 - 特許庁

When the power vector of the optional coordinate point Wm of handwriting data is Fm (a direction of X-axis in the example), a feature value is substituted to a mesh position including a position Sm corresponding to the position of the point Wm with respect to the feature space (within a memory for a feature) of a direction equal to the power vector (the direction of the X-axis).例文帳に追加

筆跡データの任意の座標点Ｗｍの力ベクトルがＦｍ（例ではX軸方向）である時、その力ベクトルと同じ方向（X軸方向）の特徴空間（特徴用メモリ内）に対し、座標点Ｗｍの位置に対応する位置Ｓｍが含まれるメッシュ位置に特徴量を代入する。 - 特許庁

During the airtightness inspection, a control part 16 maintains an open state at the shut-off valve 11 to prevent shut-off of the channel in the case the shut-off prohibiting information is being stored in the memory, even if the gas pressure in the piping 2 detected by a pressure sensor 13 is a value outside a predetermined pressure range.例文帳に追加

気密検査などが行われている間、制御部１６は、圧力センサ１３によって検出された配管２内のガスの圧力が所定の圧力範囲外の値であっても、遮断禁止情報がメモリに記憶されている場合には、遮断弁１１において開いた状態を維持し、流路を遮断しないようにする。 - 特許庁

It is verified whether a threshold value of the memory cell is within the prescribed voltage range or not after writing.例文帳に追加

複数のしきい値を設定して１つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行ない、書込み後にメモリセルのしきい値が所定の電圧範囲に入っているかベリファイの判定を行なうようにした。 - 特許庁

The data delay method uses a write address generated while shifting a prescribed address from a prescribed initial value in a prescribed direction in the case of writing data to a memory conducing data write and read through the address designation and uses a read address generated by shifting an address corresponding to a prescribed offset from the write address used finally in a direction reverse to the prescribed direction in the case of reading data from the memory.例文帳に追加

本発明のデータ遅延方法は、アドレスを指定されることによりデータの書き込み動作および読み出し動作を行うメモリにデータを書き込む際には所定の初期値から所定アドレス所定の方向にずらしながら生成したライトアドレスを使用し、メモリからデータを読み出す際には最後に使用したライトアドレスから所定のオフセットに対応するアドレスを所定の方向とは逆の方向にずらすことによって生成したリードアドレスを使用するものである。 - 特許庁

The control part is provided with a histogram display data preparation part which time-sequentially and successively fetches measurement data from the sensor part, and distributes each fetched measurement data as histogram used for histogram display to every determined data value region, and stores the number of the measurement data distributed to each data value region in the memory part.例文帳に追加

センサ部と、データを保存するメモリ部と、該メモリ部の情報を送信するための送信部と、上記各部を関連つけて制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記センサ部から時系列的に順に測定データを取り込み、各取り込まれた測定データ毎に、ヒストグラム表示するためのデータであるヒストグラムデータとして、決められたデータ値領域毎に振り分け、且つ、各データ値領域毎に、振り分けられた測定データの個数を、前記メモリ部に保存する、ヒストグラム表示データ作成部を備えている。 - 特許庁

The CPU 411 comprises a transmission control part 4111 to execute the transmission control to transmit a prescribed quantity of data to one of a plurality of storage areas of the relay memory 4121, and a checksum value calculating part 4112 to read the data in the storage area to which the data are transmitted by the previous transmission control by the transmission control part 4111 and calculate the checksum value.例文帳に追加

ＣＰＵ４１１は、ＣＧＲＯＭ４１６の画像データのうち所定の情報量のデータを中継メモリ４１２１の複数の記憶領域のうち一の記憶領域に転送させる転送制御を実施する転送制御部４１１１と、転送制御部４１１１にて転送制御が実施されている際、転送制御部４１１１による従前の転送制御によりデータが転送された記憶領域のデータを読み出してチェックサム値を算出するチェックサム値算出部４１１２とを備える。 - 特許庁

To accurate erasing speed, an erasing voltage and/or an erasure time is optimized and set for the phenomenon where the absolute value of a voltage at an inflection point having an extremum on the erasure side increases as the voltage application time is shortend on the hysteresis curve of threshold voltage variation with the applied voltage of the memory transistor.例文帳に追加

また、消去速度の高速化のために、メモリトランジスタの印加電圧に対するしきい値電圧変化のヒステリシス曲線において消去側で極値をとる変曲点の電圧の絶対値が電圧印加時間の短縮にともなって大きくなる現象に対応して、消去電圧および／または消去時間を最適化して設定する。 - 特許庁

A control part 12 controls a flowing-out amount adjuster 11 composed of a gas flow rate adjusting valve, etc., so that the mixed ratio of propan gas to supplied hydrogen gas is kept constant by receiving detected data of the hydrogen gas detected with a gas flow rate detector 9 and reading out mixing set value data from a memory 15.例文帳に追加

制御部１２は、ガス流量検知器９によって検知された水素ガス流量の検知データを受け、かつメモリ部１５から混合設定値データを読み出すことによって、供給される水素ガスに対するプロパンガスの混合比率が常に一定になるように、ガス流量調整弁などからなる流出量調整器１１をコントロールする。 - 特許庁

A microcomputer 17 finds the state of a spatial distribution of color unevenness of a composite image according to differences between mean chromaticity values of respective areas of the image composed by an optical system 16 and a reference value and specifies which of the states of spatial distributions of different color unevenness stored previously in a memory 18 the state corresponds to.例文帳に追加

マイコン１７は、光学系１６により合成された画像の複数の領域のそれぞれの平均色度と基準値との間の差に基づき、合成された画像の色むらの空間的分布の状態を求め、該状態が、予めメモリ１８記憶されている複数の異なる色むらの空間的分布の状態のいずれに対応するかを特定する。 - 特許庁

A translucent processing is performed by a translucent section 132c, utilizing a frame buffer 81 in which a lettering image is written, a Z-value memory 81 storing a distance Z from the visual point of a virtual camera for each pixel, pixel data comprising pixels read out at its pixel order position and averaged by a filter 132b, original pixels and transparency.例文帳に追加

レンダリングされた画像が書き込まれるフレームバッファ８１、画素毎に疑似カメラ視点からの距離Ｚを記憶するＺ値メモリ８１と、画素順位置に画素データを順次読み出し、フィルタ１３２ｂで平均化し、平均化された画素データと原画素データ及び透明値を利用して半透明処理部１３２ｃで半透明処理を行う。 - 特許庁

A BIOS 3 reads the characteristic dispersion information stored on the ROM 5 when it is started, finds the optimal value of the buffer capability of each of semiconductor memories on the basis of that characteristic dispersion information and performs setting processing for suitably controlling the buffer capability of each of semiconductor memories via a local bus to a memory controller 4.例文帳に追加

ＢＩＯＳ３は、起動された際にＲＯＭ５に記憶されている特性ばらつき情報を読み込み、その特性ばらつき情報に基づいて、各半導体メモリのバッファ能力の最適値を求め、各半導体メモリのバッファ能力を適度に調整するための設定処理をローカルバスを通じてメモリコントローラ４に対して行う。 - 特許庁

A transmitting side attaches resending identification information to an RLC PDU obtained by dividing an RLC SDU and transmitting the RLC PDU with the resending identification information, and a receiving side refers to the resending identification information attached to the received RLC PDU, stores only the RLC PDU having the same resending identification information as a set assumed value in a buffer memory and assembles the RLC SDU from the RLC PDU having the same resending identification information.例文帳に追加

送信側において、RLC SDUを分割したRLC PDUに再送識別情報を付して送信し、受信側では、受信したRLC PDUに付された再送識別情報を参照し、設定された想定値と同一の再送識別情報を有するRLC PDUのみをバッファメモリに格納し、同一の再送識別情報を有するRLC PDUからRLC SDUを組み立てる。 - 特許庁

When a digital TV monitor 13 that is the controller side acquires a list of a video content from an HDD recording device 14 of target equipment, the digital TV monitor 13 reads a content video from the HDD recording device 14, simultaneously reads a finger print formed of a hash value obtained by applying a hash function to the status of the HDD recording device 14, and stores it in a memory.例文帳に追加

コントローラ側であるデジタルＴＶモニタ１３が、ターゲット機器のＨＤＤ記録装置１４から映像コンテンツのリストを取得する場合、ＨＤＤ記録装置１４からコンテンツ映像を読み出し、同時にＨＤＤ記録装置１４のステータスにハッシュ関数を適用したハッシュ値からなるフィンガープリントを読み出してメモリに記憶しておく。 - 特許庁

The expiration composition measurement device 100 is arranged, at the position exposed to the expiration comprises the sensor 106 which is the semiconductor gas sensor for outputting a value by responding to the objective gas, the memory part 110 for storing the first to the third calibration coefficients for calibrating the sensor 106 for measurement, the timer 109 for measuring the time, and the CPU 105.例文帳に追加

呼気組成測定器１００は、呼気に曝露される位置に設けられ、対象ガスに感応して値を出力する半導体ガスセンサである測定用センサ１０６と、測定用センサ１０６を校正するための第１〜第３の校正係数を記憶する記憶部１１０と、時間を計るタイマ１０９と、ＣＰＵ１０５とを有する。 - 特許庁

The image reader 300 includes: a light source including a plurality of LEDs arranged in the main scanning direction; a dark level correction part 22 which reads a dark output level when light source is off at each position irradiated with the plurality of LEDs ; a memory 34 which stores a reference value; and an LED failure detection part 24 which detects abnormal lighting of the LEDs.例文帳に追加

画像読取装置３００は、主走査方向に複数のＬＥＤが配列された光源と、複数のＬＥＤが照射する各位置における光源ｏｆｆ時での暗出力レベルを読み取る暗レベル補正部２２と、基準値を記憶するメモリ３４と、ＬＥＤの異常点灯を検出するＬＥＤ異常検出部２４と、を備える。 - 特許庁

A word line driver 23 applies voltage VSS to a selection word line WL, and applies such voltage VUX' of voltage value that potential difference applied to the memory cell MC arranged at the crossing part of the selection-driven bit line BL and the dummy word line DummyWL is smaller than ON-voltage Von of a diode Di.例文帳に追加

ワード線ドライバ２３は、選択ワード線ＷＬに電圧ＶＳＳを印加するとともに、ダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬに、選択駆動されたビット線ＢＬとダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとの交差部に配置されるメモリセルＭＣにかかる電位差がダイオードＤｉのオン電圧Ｖｏｎより小さくなるような電圧値の電圧ＶＵＸ’を印加する。 - 特許庁

A measurement interval switching decision unit 203 acquires power supply control parameter, measurement interval parameter, and flow velocity calculation parameter in precision mode by referencing a measurement mode-parameter conversion table stored in a memory 202 only when a flow velocity coefficient γ calculated by a flow velocity calculation unit 201 in a normal mode is not within a border value range.例文帳に追加

計測間隔切替判断部２０３は、通常モードにおいて流速算出部２０１が算出した流速係数γが境界値範囲に収まらないときにのみ、メモリ２０２に格納された計測モード−パラメータ対応表を参照して、高精度モードの電源制御パラメータ、計測間隔パラメータ、流速算出パラメータを取得する。 - 特許庁

A counting information collection part 15 collects as counting information, a detection position of a detector module 14 of a gamma ray, an energy value at the point of time when the gamma ray enters the detector module 14, and a detection time of the detector module 14 of the gamma ray, and stores the collected counting information in a counting information memory 24.例文帳に追加

計数情報収集部１５は、ガンマ線の検出器モジュール１４における検出位置と、ガンマ線が検出器モジュール１４に入射した時点におけるエネルギー値と、ガンマ線の検出器モジュール１４における検出時間とを計数情報として収集し、収集した計数情報を計数情報記憶部２４に格納する。 - 特許庁

The camera including a camera body 10 where a lens unit 60 is exchangeable includes a memory 22 or 72 for storing a correction value BP for correcting the displacement amount of the image surface position in the optical axis direction between the photographing luminous flux LF1 from a photographic lens 62 entering a phase difference AF means 30 and the luminous flux LF2 for focus detection and the displacement direction.例文帳に追加

レンズユニット６０が交換可能なカメラ本体１０を有するカメラは、位相差ＡＦ手段３０に入射する撮影レンズ６２からの撮影光束ＬＦ１と焦点検出用光束ＬＦ２との光軸方向における像面位置のずれ量を補正する補正値ＢＰとずれの方向を格納するメモリ２２又は７２を有する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes an active area 11 formed in a first direction; an MTJ element 12, formed on the active area 11 and storing data by a change in the resistance value; and a gate electrode (word line WL) of cell transistors T1 and T2, formed on the active area 11 on both sides of the MTJ element 12 in a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

第１方向に形成されたアクティブエリア１１と、アクティブエリア１１上に形成され、抵抗値の変化によってデータを記憶するＭＴＪ素子１２と、ＭＴＪ素子１２の両側のアクティブエリア１１上に、第１方向と直交する第２方向に形成されたセルトランジスタＴ１，Ｔ２のゲート電極（ワード線ＷＬ）とを備える。 - 特許庁

A control part 80 of the terminal device 5 executes a process for transferring own balls when reading of a portable ID by a portable reader part 63 is completed in a prescribed period of time after an own ball transfer button 66a is pressed while own ball data (own ball data of a value larger than zero) is stored in association with a card ID in a memory part 87.例文帳に追加

端末装置５の制御部８０は、メモリ部８７にカードＩＤに関連して持玉データ（零より大きな値の持玉データ）が記憶されている状態において、持玉移動ボタン６６ａが押下された後、所定時間内に携帯リーダ部６３による携帯ＩＤの読取が完了した場合には、持玉を移動するための処理を行なう。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

A resistance value of the resistors R1 and R2 and a threshold voltage of the flash memory transistors 71a and 71b are adjusted under a prescribed condition so that a voltage level of the detection signal ERR in the state not irradiated with the electromagnetic wave and a voltage level of the detection signal ERR in the state irradiated with the electromagnetic wave are varied.例文帳に追加

電磁波が照射されていない状態の下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルと、電磁波が照射された状態下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルとが変化するように、両抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値、及び両フラッシュメモリトランジスタ７１ａ及び７１ｂの閾値電圧を所定の条件下に調整する。 - 特許庁

An overcurrent detection circuit 502b of the circuit part 502 regularly performs overcurrent detection based on a current value and a detection time necessary for the overcurrent detection which are set in a nonvolatile memory 502a, and instantaneously turns off, upon the detection of a set overcurrent, the power supply of the board concerned regardless of the delay operation of the power supply on/off-control signal.例文帳に追加

電源制御回路部５０２の過電流検知回路５０２ｂでは、不揮発メモリ５０２ａに設定された過電流検知に必要な電流値と検知時間を基に常に過電流検知を行い、設定の過電流の検知時、電源ＯＮ／ＯＦＦ制御信号の遅延動作に関わりなく、該当ボードの電源を即時ＯＦＦする。 - 特許庁

Initial threshold voltage at which a memory cell 11 stored in a storage means 16 is in an initial state or in a state after erasure of data and threshold voltage after data is written by applying a pulse of which at least one of time width and a voltage value is smaller than a pulse for obtaining optimum threshold voltage outputted from a gate voltage applying means 14 are obtained and recorded by hardware processing.例文帳に追加

記憶手段１６に記憶させたメモリセル１１が初期状態又はデータ消去後の初期閾値電圧と、ゲート電圧印加手段１４から出力された最適な閾値電圧を得るためのパルスよりも時間幅及び電圧値の少なくとも一方が小さいパルスを印加してデータ書き込み後の閾値電圧と、をハードウェア処理により取得・記録する。 - 特許庁

In the laser printer, a laser intensity can be switched, and for each of the switchable laser intensities, setting data, which is shown in a figure a and formed on the basis of a concentration characteristic curve representing a relation between an input data value representing a gradation level and an output concentration in the case of printing with the input data, are stored inside a memory.例文帳に追加

特にこのレーザプリンタは、レーザ強度を切換可能に構成されており、更には、切換可能なレーザ強度毎の、階調レベルを表す入力データ値と、その値で画像を印刷した場合の出力濃度と、の関係を表す濃度特性曲線に基づき生成された図（ａ）に示すような設定データをメモリ内に格納している。 - 特許庁

To provide a simple structural inexpensive game medium dispenser that can directly execute a dispensing process between an external negotiable value medium and a game machine of a game medium to quicken dispensing processing, that needs no rental card, memory card or the like, that needs no device to communicate with them, and that consists of a very small number of components.例文帳に追加

直接外部有価価値媒体と遊技媒体の遊技機との間で貸出処理を行なうことが可能となり、貸出処理の迅速化が図れ、しかも貸出カード、メモリカードなどが不要であるばかりか、それらから情報を遣り取りする装置も不必要な極めて部品点数が少なく、簡単な構造で安価な遊技媒体貸機を提供する。 - 特許庁

The display device includes a light emission unit (organic EL unit) 20 and a memory type display unit (liquid crystal display unit) 10 formed in close contact with the organic light emission unit 20 and has a photoconductive layer 52 undergoing a decrease in electric resistance value when receiving light emitted from the light emission unit 20, and consequently has a high display gradation.例文帳に追加

発光ユニット（有機ＥＬユニット）２０と、前記発光ユニット２０に密着して形成され、前記発光ユニット２０から照射された光を受光すると電気的な抵抗値が低下する光導電層５２を備えた記憶性表示ユニット（液晶表示ユニット）１０と、から構成されることによって、高表示階調を得ることができる。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

The initial condition of a stack 133e in an application (applet) starting condition and the initial value of a register 133d in the application (applet) starting condition are preliminarily stored in a non-volatile memory 133a, and those data are copied to the stack 133e and the register 133d when power is supplied, so that the application can be quickly started.例文帳に追加

アプリケーション（アプレット）起動状態におけるスタック１３３ｅの初期状態と、アプリケーション（アプレット）起動状態におけるレジスタ１３３ｄの初期値を、予め不揮発性メモリ１３３ａに保存しておき、電源投入時にこれらのデータをスタック１３３ｅ及びレジスタ１３３ｄにコピーすることにより、そのアプリケーションを高速起動させることができる。 - 特許庁

At this time, when the code information indicates that the pixel is a white pixel one line above or below the black pixel of the horizontal line segments to be made thick, a portion of the code information is replaced with code information corresponding to a count value from a vertical subscan counter part 45 and used as an address to read corresponding correction data out of the memory block 42.例文帳に追加

この際、太線化の対象画素と判別され、且つ当該画素が水平線分黒画素の１ライン上又は下の白画素であることを示すコード情報の場合、該コード情報の一部を、副走査カウント部４５からのカウント値に応じたコード情報に置き換えて、これをアドレスとしてメモリブロック４２から該当する補正データを読み出して出力する。 - 特許庁

A system controller 19 stores mean tracking deviation information operated for one period in a memory 19A, according to angular position information of the optical disk D, on the basis of a tracking deviation signal from an A/D converter 18 and an angular position signal from a counter 20, and multiplies the value of the mean tracking deviation for one period by a prescribed constant.例文帳に追加

システムコントローラ１９は、Ａ／Ｄコンバータ１８からのトラッキング偏差信号とカウンター２０からの角度位置信号を基に、光ディスクＤの角度位置情報に対応して、演算処理を施した一周期分の平均トラッキング偏差情報をメモリ１９Ａに記憶すると共に、その一周期分の平均トラッキング偏差の値と所定の定数とを乗算する。 - 特許庁

The control part manages repetitive control over an erasure operation for applying an erasure voltage to a memory cell within a predetermined range for data erasure, an erasure verify-operation for confirming whether the data erasure is completed, and a step-up operation for making the erasure voltage increase only by a predetermined step-up value when the data erasure is not completed.例文帳に追加

制御部は、データ消去のため所定範囲のメモリセルに対し消去電圧を印加する消去動作、データ消去が完了したか否かを確認する消去ベリファイ動作、及びデータ消去が完了しなかった場合に消去電圧を所定のステップアップ値だけ上昇させるステップアップ動作を繰り返す制御を司る。 - 特許庁

A halftone processing means 24 for carrying out a halftone process selects a quantization threshold value depending on whether object type information of a target pixel stored in an object type information memory 23 emphasizes the sharpness or the granularity and the gradation and carries out quantization processing by taking a quantization error from pixels around the target pixel into account.例文帳に追加

中間調処理手段２４における中間調処理では、オブジェクト種類情報メモリ２３に記憶されている注目画素のオブジェクト種類情報が鮮鋭性を重視するか、または粒状性・階調性を重視するかに応じて量子化閾値を切り替えるとともに、注目画素周辺画素からの量子化誤差を加味した量子化処理を行なう。 - 特許庁

This electric circuit unit provided with a case in which the electric circuit is built, is provided with a temperature sensor and a humidity sensor provided in the electric circuit, a CPU circuit for computing an integration value in a function of measured values by the temperature sensor and the humidity sensor and the time, and a memory circuit for storing a computed result.例文帳に追加

電気回路が内蔵されるケースを具備するに電気回路ユニットにおいて、前記電気回路に設けられた温度センサと湿度センサと、この温度センサと湿度センサの測定値と時間の関数の積算値を演算するＣＰＵ回路と、この演算結果を記憶するメモリー回路とを具備したことを特徴とする電気回路ユニットである。 - 特許庁

The flow rate measuring device 1 includes a flow rate detection sensor 3, a computing means 6 for calculating differential values of any flow rate value output from the flow rate detection sensor 3, memory 7, a first profile retriever 8 for discriminating devices, and a second profile retriever 17 for re-discriminating devices by another discrimination logic if any device could not be discriminated.例文帳に追加

流量検出センサー３と、流量検出センサー３から出力される流量値の微分値を求める演算手段６と、メモリー７と、器具の判別を行う第１プロファイル検索器８と、器具判別ができなかったときに別の判別ロジックで器具を再判別する第２プロファイル検索器１７を備えた流量計測装置１としてある。 - 特許庁