「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

A management controller is provided between a power supply module and a main CPU of a server 1000 to be managed, the energization start time and energization stop time to the main CPU from the power supply module are correlated and recorded into an a nonvolatile memory, and the hash value computed from the energization start time and energization stop time is also recorded.例文帳に追加

被管理サーバ１０００の電源モジュールとメインＣＰＵの間に管理コントローラを設け、電源モジュールからメインＣＰＵへの通電開始時刻と通電停止時刻を対応付けて不揮発メモリに記録するとともに、通電開始時刻と通電停止時刻から算出したハッシュ値も記録する。 - 特許庁

An operating part 80 as a means for estimating the average detecting number of photons, estimates the average number of detected fluorescent photons released from a sample 2 and detected by an optical detector 20 per one pulse irradiation of pulse excitation light L_1 on the basis of the distribution of a waveform integrated value generated from a memory 70.例文帳に追加

平均検出光子数推定手段としての演算部８０は、メモリ７０により生成された波形積分値の分布に基づいて、パルス励起光Ｌ_1のパルス照射１回当たりに試料２から放出され光検出器２０により検出された蛍光光子の平均検出個数を推定する。 - 特許庁

An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.例文帳に追加

ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁

In this non-volatile semiconductor memory, a row decoder 120 controls independently plural row selection line groups 121, 122, the device can control a peak value of an erasure current and can reduce current consumption by applying negative voltage 101 generated by a step-down circuit 160 to each row selection line group 121, 122 shifting a time.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置は、ロウデコーダ１２０が複数の行選択線群１２１,１２２を独立して制御し、降圧回路１６０が発生する負電圧１０１を各行選択線群１２１,１２２に対して時間をずらして加えることによって、消去電流のピークを抑制でき、消費電流を削減できる。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

At restart after write processing interruption, a RAID controller 11 writes a predetermined value in an area (X, Y) registered in a non-volatile memory 12 and generates a corresponding parity in accordance with each data stripe in the same parity group including this data area and writes the parity in a corresponding disk of a disk array 14.例文帳に追加

書き込み処理中断後の再起動時に於いて、ＲＡＩＤコントローラ１１は、不揮発性メモリ１２に登録された領域（Ｘ，Ｙ）に、既定値を書き込み、そのデータ領域を含んだ同一パリティグループ内の各データストライプから、対応するパリティを生成し、ディスクアレイ１４の対応ディスクに書き込む。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

An RL compression part 10 counts a successive number to output a count value in stead of the search data, using the search data in this time sweep output from the selector 8 and the search data in last sweep output from the reference memory 9, when the search data in the distance-directional same position are successively same in the sweeps.例文帳に追加

ＲＬ圧縮部１０は、セレクタ８から出力される今回スイープの探知データとリファレンスメモリ９から出力される前回スイープの探知データとを用いて、これらスイープで距離方向の同一位置の探知データが同じであることが続けば、連続数をカウントし探知データに代わりカウント値を出力する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a current source for decreasing constant a voltage of a photo-diode node, a comparator for comparing the output of an amplifier end to a reference voltage and controlling the current source to reset a photo-diode, and a memory for storing a digital value of the reference voltage.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのリセット動作時に発生するリセット雑音、検出回路の特性差により発生する固定パターン雑音、及び以前の映像信号の強度が出力信号に影響を与えるイメージラグなどをリセット電圧を制御することによって減少させ、高い信号対雑音比を得ることができる。 - 特許庁

When the power vector of the optional coordinate point Wm of handwriting data is Fm (a direction of X-axis in the example), a feature value is substituted to a mesh position including a position Sm corresponding to the position of the point Wm with respect to the feature space (within a memory for a feature) of a direction equal to the power vector (the direction of the X-axis).例文帳に追加

筆跡データの任意の座標点Ｗｍの力ベクトルがＦｍ（例ではX軸方向）である時、その力ベクトルと同じ方向（X軸方向）の特徴空間（特徴用メモリ内）に対し、座標点Ｗｍの位置に対応する位置Ｓｍが含まれるメッシュ位置に特徴量を代入する。 - 特許庁

During the airtightness inspection, a control part 16 maintains an open state at the shut-off valve 11 to prevent shut-off of the channel in the case the shut-off prohibiting information is being stored in the memory, even if the gas pressure in the piping 2 detected by a pressure sensor 13 is a value outside a predetermined pressure range.例文帳に追加

気密検査などが行われている間、制御部１６は、圧力センサ１３によって検出された配管２内のガスの圧力が所定の圧力範囲外の値であっても、遮断禁止情報がメモリに記憶されている場合には、遮断弁１１において開いた状態を維持し、流路を遮断しないようにする。 - 特許庁

It is verified whether a threshold value of the memory cell is within the prescribed voltage range or not after writing.例文帳に追加

複数のしきい値を設定して１つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行ない、書込み後にメモリセルのしきい値が所定の電圧範囲に入っているかベリファイの判定を行なうようにした。 - 特許庁

The data delay method uses a write address generated while shifting a prescribed address from a prescribed initial value in a prescribed direction in the case of writing data to a memory conducing data write and read through the address designation and uses a read address generated by shifting an address corresponding to a prescribed offset from the write address used finally in a direction reverse to the prescribed direction in the case of reading data from the memory.例文帳に追加

本発明のデータ遅延方法は、アドレスを指定されることによりデータの書き込み動作および読み出し動作を行うメモリにデータを書き込む際には所定の初期値から所定アドレス所定の方向にずらしながら生成したライトアドレスを使用し、メモリからデータを読み出す際には最後に使用したライトアドレスから所定のオフセットに対応するアドレスを所定の方向とは逆の方向にずらすことによって生成したリードアドレスを使用するものである。 - 特許庁

The control part is provided with a histogram display data preparation part which time-sequentially and successively fetches measurement data from the sensor part, and distributes each fetched measurement data as histogram used for histogram display to every determined data value region, and stores the number of the measurement data distributed to each data value region in the memory part.例文帳に追加

センサ部と、データを保存するメモリ部と、該メモリ部の情報を送信するための送信部と、上記各部を関連つけて制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記センサ部から時系列的に順に測定データを取り込み、各取り込まれた測定データ毎に、ヒストグラム表示するためのデータであるヒストグラムデータとして、決められたデータ値領域毎に振り分け、且つ、各データ値領域毎に、振り分けられた測定データの個数を、前記メモリ部に保存する、ヒストグラム表示データ作成部を備えている。 - 特許庁

The CPU 411 comprises a transmission control part 4111 to execute the transmission control to transmit a prescribed quantity of data to one of a plurality of storage areas of the relay memory 4121, and a checksum value calculating part 4112 to read the data in the storage area to which the data are transmitted by the previous transmission control by the transmission control part 4111 and calculate the checksum value.例文帳に追加

ＣＰＵ４１１は、ＣＧＲＯＭ４１６の画像データのうち所定の情報量のデータを中継メモリ４１２１の複数の記憶領域のうち一の記憶領域に転送させる転送制御を実施する転送制御部４１１１と、転送制御部４１１１にて転送制御が実施されている際、転送制御部４１１１による従前の転送制御によりデータが転送された記憶領域のデータを読み出してチェックサム値を算出するチェックサム値算出部４１１２とを備える。 - 特許庁

When a digital TV monitor 13 that is the controller side acquires a list of a video content from an HDD recording device 14 of target equipment, the digital TV monitor 13 reads a content video from the HDD recording device 14, simultaneously reads a finger print formed of a hash value obtained by applying a hash function to the status of the HDD recording device 14, and stores it in a memory.例文帳に追加

コントローラ側であるデジタルＴＶモニタ１３が、ターゲット機器のＨＤＤ記録装置１４から映像コンテンツのリストを取得する場合、ＨＤＤ記録装置１４からコンテンツ映像を読み出し、同時にＨＤＤ記録装置１４のステータスにハッシュ関数を適用したハッシュ値からなるフィンガープリントを読み出してメモリに記憶しておく。 - 特許庁

A CPU 3 for measurement, every when creating measured data, compares current measured data and measured data stored in a memory M 2 which is previously determined to be radio transmitted, and determines the current measured data to be radio transmitted if the current measured data becomes greater than a predetermined value, then notifies to a CPU 4 for transmission.例文帳に追加

計測用ＣＰＵ３は、計測データを作成する毎に、今回の計測データとメモリＭ２に保存されている前回無線送信すべきと判断された計測データとを比較し、今回の計測データに所定値を超える変化が認められた場合、今回の計測データを無線送信すべき計測データと判断し、送信用ＣＰＵ４に通知する。 - 特許庁

This memory controller is constituted so that whether a band development error is generated or not is discriminated while variably setting a coefficient value to be multiplied when development processing time of each band is calculated based on free capacity of a cache 103 of a CPU 102 or page structure of outputted data, and the band development processing is switched based on a discrimination result of the band development error.例文帳に追加

各バンドの展開処理時間算定時に乗ずるべき係数値をＣＰＵ１０２のキャッシュ１０３の空き容量または出力データのページ構成に基づいて可変設定しながらバンド展開エラーが発生するかどうかを判別し、該判別結果に基づいてバンド展開処理を切替え制御する構成を特徴とする。 - 特許庁

A controller 3 of this memory card is provided with a command decode circuit 6 for decoding a command issued from a host HT, a command enable register 8 in which validity and invalidity of the received command are set, and a command detection signal generating circuit 7 for detecting a valid command on the basis of a decode result of the command decode circuit 6 and a set value of the command enable register 8.例文帳に追加

メモリカードのコントローラ３には、ホストＨＴから発行されたコマンドをデコードするコマンドデコード回路６、受け取ったコマンドの有効無効が設定されたコマンドイネーブルレジスタ８、およびコマンドデコード回路６のデコード結果とコマンドイネーブルレジスタ８の設定値とに基づいて有効なコマンドを検出するコマンド検出信号生成回路７が設けられている。 - 特許庁

In the electronic device, parameters of projection corresponding to a plurality of modes fixed according to the working status of a projector unit 120 adapted to project an image toward a projection surface are stored in a nonvolatile memory 110, and when projection is performed by the projector unit 120, an image is projected based on the value of the parameter corresponding to the mode selected by a rotary switch.例文帳に追加

画像を投影面に向けて投影するプロジェクタユニット１２０の使用状況に応じて定められた複数のモードに対応する投影のパラメータを不揮発性メモリ１１０に記憶し、プロジェクタユニット１２０で投影するとき、ロータリスイッチで選択されたモードに対応するパラメータの値に基づいて画像の投影を行うようにした。 - 特許庁

The changing section changes, according to the monitored characteristics of the nonvolatile memory device, at least one of the respective increase ranges of a writing initiation voltage and a writing voltage in the writing processing in which a writing operation and a verifying operation are alternately repeated, so that a time required for the writing processing is in agreement with a desired value.例文帳に追加

変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 - 特許庁

Inputted image data of which at least one of the number of pixels in the horizontal direction and the number of pixels in the perpendicular direction is not integer multiples of the number of unit images of a compression processing unit block is written in the buffer memory, a part without effective inputted image data is complemented by a value of nearby effective inputted image data and outputted in the block interleave form.例文帳に追加

水平方向画素数及び垂直方向画素数の少なくとも一方が圧縮処理単位ブロックの単位画素数の整数倍でない入力画像データを前記バッファメモリに書き込んで、有効入力画像データが無い部分については近傍の有効入力画像データの値で補完してブロックインターリーブ形式で出力する。 - 特許庁

This one-chip microcomputer 10 is provided with a starting register 18 for starting test operation for an incorporation self-checking function, and an incorporation self-check starting pattern generator 19 for setting an initial value to a test control circuit (a pseudo random number generator 14, a logic circuit checking compressor 15, a pattern generator 16 and a memory checking compressor 17).例文帳に追加

１チップマイクロコンピュータ１０は、組み込み自己検査機能のために、テスト動作を起動する起動レジスタ１８と、テスト制御回路（疑似乱数発生器１４、論理回路検査用圧縮器１５、パターン発生器１６、メモリ検査用圧縮器１７）に初期値を設定する組み込み自己検査起動パターン発生器１９とを備えている。 - 特許庁

A generator B as a specimen is driven by a driving motor 10, and values of torque, current and voltage are measured while changing a resistance value of an external variable load device (resistance) 102 provided on a circuit for measurement connected to an output terminal of the generator B at each rotation number, and the values are stored in a memory table provided in a data storing part 230.例文帳に追加

試験体としての発電機Ｂを駆動モータ１０により駆動させながら、各回転数において、発電機Ｂの出力端子に接続した測定用回路に設けられた外部可変負荷装置（抵抗）１０２の抵抗値を変化させながら、トルクと電流と電圧の各値を測定し、データ格納部２３０に設けられた記憶テーブルに記憶させる。 - 特許庁

In interruption processing by a reset signal, when a game ball enters a normal electric accessory and a first-kind starting port switch guides out a starting signal, a numerical value is extracted from a propriety random number H1 and a probability fluctuation random number L to be used in common for preparing a left pattern at the time of starting of the starting signal and this is stored in a memory.例文帳に追加

リセット信号による割込み処理において、普通電動役物３６に遊技球が入賞し第１種始動口スイッチ３６ａが始動信号を導出すると、その始動信号の立ち上がり時に、当否乱数ＨＩＴ及び左図柄作成兼用確率変動乱数Ｌから数値を抽出してこれをメモリに格納する。 - 特許庁

In the case that the laser beam is to be radiated to the hole part provided for the surface of the object OB, an average value of values of the first light intensity control signals stored in the memory 40a is computed as a second light intensity control signal, and the laser beam is radiated from the laser beam source 11 on the basis of the light intensity represented by the second light intensity control signal.例文帳に追加

そして、対象物ＯＢの表面に設けられた孔部にレーザ光を放射する場合には、メモリ４０ａに記憶されている第１光量制御信号の各値の平均値を第２光量制御信号として計算し、この第２光量制御信号が表す光量によってレーザ光源１１からレーザ光を放射させる。 - 特許庁

When a CPU 103 determines that the sum of power consumption during a prescribed period exceeds a prescribed reference value, and when the disconnection of the cable way, the power interruption and energization are detected by a disconnection detecting sensor 110, a power interruption detecting sensor 111 and an energization sensor 112, an electronic mail is transmitted to a mail address that is stored in an auxiliary memory 105 in advance.例文帳に追加

ＣＰＵ１０３により、所定の期間内における電力量の総和が所定の基準値を超えていると判断された場合、遮断検知センサー１１０、停電検知センサー１１１又は通電センサー１１２により、電路の遮断、停電、通電が検知された場合には、補助メモリ１０５に予め記憶されているメールアドレスに電子メールが送信される。 - 特許庁

A processing unit U1 of the exposure head 10 has a first drive circuit DR11 supplying the first drive current Ip1 to a first light emitting element P11, a second drive circuit DR12 supplying the second drive current Ip2 to a second light emitting element P12, a compensating circuit C1, and a memory circuit M1 supplying a compensation value to the compensating circuit C1.例文帳に追加

露光ヘッド１０の処理ユニットＵ１は、第１の発光素子Ｐ１１に第１駆動電流Ｉp1を供給する第１駆動回路ＤＲ１１と、第２の発光素子Ｐ１２に第２駆動電流Ｉp2を供給する第２駆動回路ＤＲ１２と、１つの補正回路Ｃ１と、当該補正回路Ｃ１に補正値を供給する１つのメモリ回路Ｍ１とを有する。 - 特許庁

A supplied quantity memorized in memory 46 is read out and it is set as the preset value in the controlling circuit 33 by the preset operation that the worker stops the oil supplying temporarily by carrying out the valve closing operation immediately after carrying out the valve opening operation of the nozzle lever 14a of the oil supplying nozzle 14 and resumes the oil supplying by carrying out the valve opening operation of the nozzle lever 14a again.例文帳に追加

作業員が給油ノズル１４のノズルレバー１４ａを開弁操作した直後に閉弁操作して給油を一時的に停止させ、再度ノズルレバー１４ａを開弁操作して給油を再開するといったプリセット操作を行なうことにより、制御回路３３では、メモリ４６に記憶された供給量を読み出してプリセット値として設定する。 - 特許庁

The liquid crystal display has a following frame prediction table 201 which has been formed by measuring a liquid crystal response of a liquid crystal display part 104 beforehand, and obtains a liquid crystal response prediction value of the following frame of the liquid crystal display part 104 from the following frame prediction table 201, based on the video signal held in a frame memory 101 and an output video signal of the present frame.例文帳に追加

液晶表示装置は、液晶表示部１０４の液晶応答を予め実測して生成した次フレーム予測テーブル２０１を有し、フレームメモリ１０１に保持された映像信号と現フレームの出力映像信号とに基づいて、液晶表示部１０４の次フレームの液晶応答の予測値を次フレーム予測テーブル２０１から得る。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁

A translucent processing is performed by a translucent section 132c, utilizing a frame buffer 81 in which a lettering image is written, a Z-value memory 81 storing a distance Z from the visual point of a virtual camera for each pixel, pixel data comprising pixels read out at its pixel order position and averaged by a filter 132b, original pixels and transparency.例文帳に追加

レンダリングされた画像が書き込まれるフレームバッファ８１、画素毎に疑似カメラ視点からの距離Ｚを記憶するＺ値メモリ８１と、画素順位置に画素データを順次読み出し、フィルタ１３２ｂで平均化し、平均化された画素データと原画素データ及び透明値を利用して半透明処理部１３２ｃで半透明処理を行う。 - 特許庁

A microcomputer 17 finds the state of a spatial distribution of color unevenness of a composite image according to differences between mean chromaticity values of respective areas of the image composed by an optical system 16 and a reference value and specifies which of the states of spatial distributions of different color unevenness stored previously in a memory 18 the state corresponds to.例文帳に追加

マイコン１７は、光学系１６により合成された画像の複数の領域のそれぞれの平均色度と基準値との間の差に基づき、合成された画像の色むらの空間的分布の状態を求め、該状態が、予めメモリ１８記憶されている複数の異なる色むらの空間的分布の状態のいずれに対応するかを特定する。 - 特許庁

A BIOS 3 reads the characteristic dispersion information stored on the ROM 5 when it is started, finds the optimal value of the buffer capability of each of semiconductor memories on the basis of that characteristic dispersion information and performs setting processing for suitably controlling the buffer capability of each of semiconductor memories via a local bus to a memory controller 4.例文帳に追加

ＢＩＯＳ３は、起動された際にＲＯＭ５に記憶されている特性ばらつき情報を読み込み、その特性ばらつき情報に基づいて、各半導体メモリのバッファ能力の最適値を求め、各半導体メモリのバッファ能力を適度に調整するための設定処理をローカルバスを通じてメモリコントローラ４に対して行う。 - 特許庁

A transmitting side attaches resending identification information to an RLC PDU obtained by dividing an RLC SDU and transmitting the RLC PDU with the resending identification information, and a receiving side refers to the resending identification information attached to the received RLC PDU, stores only the RLC PDU having the same resending identification information as a set assumed value in a buffer memory and assembles the RLC SDU from the RLC PDU having the same resending identification information.例文帳に追加

送信側において、RLC SDUを分割したRLC PDUに再送識別情報を付して送信し、受信側では、受信したRLC PDUに付された再送識別情報を参照し、設定された想定値と同一の再送識別情報を有するRLC PDUのみをバッファメモリに格納し、同一の再送識別情報を有するRLC PDUからRLC SDUを組み立てる。 - 特許庁

The image reader 300 includes: a light source including a plurality of LEDs arranged in the main scanning direction; a dark level correction part 22 which reads a dark output level when light source is off at each position irradiated with the plurality of LEDs ; a memory 34 which stores a reference value; and an LED failure detection part 24 which detects abnormal lighting of the LEDs.例文帳に追加

画像読取装置３００は、主走査方向に複数のＬＥＤが配列された光源と、複数のＬＥＤが照射する各位置における光源ｏｆｆ時での暗出力レベルを読み取る暗レベル補正部２２と、基準値を記憶するメモリ３４と、ＬＥＤの異常点灯を検出するＬＥＤ異常検出部２４と、を備える。 - 特許庁

A word line driver 23 applies voltage VSS to a selection word line WL, and applies such voltage VUX' of voltage value that potential difference applied to the memory cell MC arranged at the crossing part of the selection-driven bit line BL and the dummy word line DummyWL is smaller than ON-voltage Von of a diode Di.例文帳に追加

ワード線ドライバ２３は、選択ワード線ＷＬに電圧ＶＳＳを印加するとともに、ダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬに、選択駆動されたビット線ＢＬとダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとの交差部に配置されるメモリセルＭＣにかかる電位差がダイオードＤｉのオン電圧Ｖｏｎより小さくなるような電圧値の電圧ＶＵＸ’を印加する。 - 特許庁

A measurement interval switching decision unit 203 acquires power supply control parameter, measurement interval parameter, and flow velocity calculation parameter in precision mode by referencing a measurement mode-parameter conversion table stored in a memory 202 only when a flow velocity coefficient γ calculated by a flow velocity calculation unit 201 in a normal mode is not within a border value range.例文帳に追加

計測間隔切替判断部２０３は、通常モードにおいて流速算出部２０１が算出した流速係数γが境界値範囲に収まらないときにのみ、メモリ２０２に格納された計測モード−パラメータ対応表を参照して、高精度モードの電源制御パラメータ、計測間隔パラメータ、流速算出パラメータを取得する。 - 特許庁

A counting information collection part 15 collects as counting information, a detection position of a detector module 14 of a gamma ray, an energy value at the point of time when the gamma ray enters the detector module 14, and a detection time of the detector module 14 of the gamma ray, and stores the collected counting information in a counting information memory 24.例文帳に追加

計数情報収集部１５は、ガンマ線の検出器モジュール１４における検出位置と、ガンマ線が検出器モジュール１４に入射した時点におけるエネルギー値と、ガンマ線の検出器モジュール１４における検出時間とを計数情報として収集し、収集した計数情報を計数情報記憶部２４に格納する。 - 特許庁

The camera including a camera body 10 where a lens unit 60 is exchangeable includes a memory 22 or 72 for storing a correction value BP for correcting the displacement amount of the image surface position in the optical axis direction between the photographing luminous flux LF1 from a photographic lens 62 entering a phase difference AF means 30 and the luminous flux LF2 for focus detection and the displacement direction.例文帳に追加

レンズユニット６０が交換可能なカメラ本体１０を有するカメラは、位相差ＡＦ手段３０に入射する撮影レンズ６２からの撮影光束ＬＦ１と焦点検出用光束ＬＦ２との光軸方向における像面位置のずれ量を補正する補正値ＢＰとずれの方向を格納するメモリ２２又は７２を有する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes an active area 11 formed in a first direction; an MTJ element 12, formed on the active area 11 and storing data by a change in the resistance value; and a gate electrode (word line WL) of cell transistors T1 and T2, formed on the active area 11 on both sides of the MTJ element 12 in a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

第１方向に形成されたアクティブエリア１１と、アクティブエリア１１上に形成され、抵抗値の変化によってデータを記憶するＭＴＪ素子１２と、ＭＴＪ素子１２の両側のアクティブエリア１１上に、第１方向と直交する第２方向に形成されたセルトランジスタＴ１，Ｔ２のゲート電極（ワード線ＷＬ）とを備える。 - 特許庁

A control part 80 of the terminal device 5 executes a process for transferring own balls when reading of a portable ID by a portable reader part 63 is completed in a prescribed period of time after an own ball transfer button 66a is pressed while own ball data (own ball data of a value larger than zero) is stored in association with a card ID in a memory part 87.例文帳に追加

端末装置５の制御部８０は、メモリ部８７にカードＩＤに関連して持玉データ（零より大きな値の持玉データ）が記憶されている状態において、持玉移動ボタン６６ａが押下された後、所定時間内に携帯リーダ部６３による携帯ＩＤの読取が完了した場合には、持玉を移動するための処理を行なう。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

The expiration composition measurement device 100 is arranged, at the position exposed to the expiration comprises the sensor 106 which is the semiconductor gas sensor for outputting a value by responding to the objective gas, the memory part 110 for storing the first to the third calibration coefficients for calibrating the sensor 106 for measurement, the timer 109 for measuring the time, and the CPU 105.例文帳に追加

呼気組成測定器１００は、呼気に曝露される位置に設けられ、対象ガスに感応して値を出力する半導体ガスセンサである測定用センサ１０６と、測定用センサ１０６を校正するための第１〜第３の校正係数を記憶する記憶部１１０と、時間を計るタイマ１０９と、ＣＰＵ１０５とを有する。 - 特許庁

In an image input device, a data replacement part 14e replaces signal values of pixels other than pixels corresponding to saturation pixels determined by a saturation detection part 14c into 0 as a specified value, so that when second image signals of which signal values are replaced are compressed, capacity of a memory after compression is largely reduced while maintaining signal values including required color information and such.例文帳に追加

データ置換部１４ｅが、飽和検出部１４ｃにより決定された飽和画素に対応する画素以外の画素の信号値を、所定値として０に置換することで、信号値が置換された第２の画像信号を圧縮した際に、必要な色情報等を含む信号値は残しながらも、圧縮後の容量を大幅に低下できる。 - 特許庁