「single element」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a distributed feedback semiconductor laser element which stably oscillates in the oscillation wavelength longer than the peak wavelength of the optical gain distribution of an active layer, shows a large sub-mode suppression ratio (SMSR), assures good single mode property of vertical mode even when amount of de-tuning is large, and also assures higher resistance for reflected returning beam.例文帳に追加

活性層の光利得分布のピーク波長より長い発振波長で安定して発振し、大きな副モード抑圧比（ＳＭＳＲ）を示し、かつデチューニング量が大きくても縦モードの単一モード性が良好で、反射戻り光耐性が高い分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The compound semiconductor element is manufactured by using the boron-containing {110} IIIV compound semiconductor layer composed of a {110} crystal layer formed on single-crystal silicon substrate having a surface composed of a {100} or {111} crystal plane and inclined at ≤20° by making the surface of the substrate a horizontal reference.例文帳に追加

｛１００｝結晶面あるいは｛１１１｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に形成した、基板表面を水平の基準として、傾斜角度を２０度（°）以下とする｛１１０｝結晶層からなる｛１１０｝−含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を用いて化合物半導体素子を作製する。 - 特許庁

To provide a high quality and low-cost sapphire single crystal substrate which scarcely has any crystal defect part even when the diameter is as large as 100 mm or more, and which is suited for epitaxial formation of a compound semiconductor layer, and to stably provide a high quality semiconductor light-emitting element having the compound semiconductor layer deposited on the substrate.例文帳に追加

直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal aluminum nitride membrane for use in an underlying substrate for the group III nitiride membrane, a luminescence element as well as a surface elastic wave devise, of which the transition density is small, the lattice inconsistencies are small and the crystallinity is excellent and that is capable of forming the group III nitride membrane with excellent luminous efficacy on the membrane.例文帳に追加

転位密度が小さく、格子不整合が少なく、結晶性が優れており、その膜上に発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物膜を形成することができ、そしてＩＩＩ族窒化物膜用下地基板、発光素子並びに表面弾性波デバイスに用いられる単結晶窒化アルミニウム膜を提供すること。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

In an absorbable article provided with a top sheet 2 having body fluid permeability on the side of a use surface coming into contact with the skin of a user and an absorbing element 3 receiving body fluids through the top sheet 2 to hold them therein, the top sheet 2 comprises a fiber material and crapy wrinkles W are applied to at least the single surface thereof.例文帳に追加

使用者の肌と接触する使用面側における体液透過性のトップシート２と、このトップシート２を介して体液を受け入れ内部に保持する吸収要素３とを備えた吸収性物品において、前記トップシート２が繊維素材からなり、その少なくとも片面に縮緬状の皺Ｗが付与されている。 - 特許庁

When a crop high speed photographing mode is set to an optical finder of a single lens reflex camera provided with a crop high speed photographing function for recording part in image data of an imaging element, an image of a region not recording an image (invalid region)(34) by crop high speed photographing in a finder image is brought to a translucent image.例文帳に追加

撮像素子の画像データの内の一部を記録するクロップ高速撮影機能を備えたデジタル一眼レフカメラの光学ファインダーにおいて、クロップ高速撮影モードが設定されると、ファインダー画像の中のクロップ高速撮影で画像を記録しない領域（無効領域）（３４）の画像を半透過にする。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage device using single transistor memory cells, at least part of the gate insulating film of a transistor in the thickness direction is constituted of a ferromagnetic ZnO thin film the Zn of which is partially replaced with at least one kind of element selected from among a group composed of Li, Be, and Mg.例文帳に追加

１トランジスタ型メモリセルを用いる不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタのゲート絶縁膜の厚さ方向の少なくとも一部を、Ｌｉ、ＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素によりＺｎの一部が置換された強誘電性のＺｎＯ薄膜により構成する。 - 特許庁

This image forming apparatus uses an OFS type optical system, wherein the light amount emitted to the surface of the photoreceptor drum when the laser light emitting element is driven at a prescribed duty ratio is measured, and correction data to correct every pixel in a single scanning line to have the prescribed light amount is determined and previously stored.例文帳に追加

本画像形成装置は、ＯＦＳ方式の光学系を採用し、所定のデューティー比でレーザ発光素子を駆動させたときの感光ドラムの表面に照射される光量を測定し、一走査ラインにおける各画素ごとに所定の光量に補正するための補正データを決定し、予め記憶しておく。 - 特許庁

The press contact connector 10 comprises an exposed single line contact element 12 having a first end defined by an opposed blade 16 defining a receiving opening 18 for an insulating electric wire 54, and a second end configured for direct electric contact with a printed circuit board 48 at a contact position 53.例文帳に追加

圧接コネクタ１０は、絶縁電線５４のための受入開口部１８を定める相対するブレード１６により定められる第１の端部と、コンタクト位置５３でのプリント回路基板４８との直接の電気的接触のために構成された第２の端部とを有する、剥き出しの単線コンタクト要素１２を備える。 - 特許庁

After a driving substrate 1-9 for driving an active matrix to increase the light emission time of a single pixel by a memory effect and an EL element substrate 11-14 for the emission of EL light are produced as completely separated from each other, the substrates are laminated by pressing by using indium columns 10 or the like as a glue.例文帳に追加

メモリ効果による単一画素の発光時間の長時間化をはかるアクティブマトリックス駆動のための駆動基板（１−９）とＥＬ発光のためのＥＬ素子基板（１１−１４）とを完全に分離して作製した後、両基板をインジウム柱１０などを糊として使用してプレスして貼り合わせる。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁

A single lens of which the curvature is progressively changed in the direction of an angle θ from the optical axis so that the amount of change of the distance to the range object from the above floodlight focusing means 13 is proportional to the amount of movement of a light spot on the light receiving surface of the light-receiving element 12 is used for the light-receiving focusing means 14.例文帳に追加

上記投光用集光手段１３から測距対象物までの距離の変化量と受光素子１２の受光面上の光スポットの移動量とが比例するように、曲率を光軸からθ方向に累進的に変化させた単レンズを受光用集光手段１４に用いる。 - 特許庁

The ultrasonic non-destructive inspection device 1 comprises a voltage control section 100 formed of a timer 102, a CPU (Central Processing Unit) 10a, and a transmission pulse generating section 11, and a driving circuit 12X formed of a single element driving section 14, a phased array driving section 15, a power supply 16A, and a switch 101.例文帳に追加

超音波非破壊検査装置１は、タイマー１０２と、ＣＰＵ（中央演算装置）１０ａと、送信パルス発生部１１とからなる電圧制御部１００と、シングルエレメント駆動部１４と、フェーズドアレー駆動部１５と、電源部１６Ａと、スイッチ１０１とからなる駆動回路１２Ｘとを内部に有する。 - 特許庁

The optical scanner of includes a single optical deflection device, pre-deflection optical systems for making the beams of light from two or more light sources incident on the optical deflection device, and an after-deflection optical system including a 1st optical element for image-forming each beam of light reflected from the optical deflection device on a surface to be scanned for each beam of light.例文帳に追加

本発明の光走査装置は、単一の光偏向装置と、複数の光源からの光線を光偏向装置に入射させる偏向前光学系と、光偏向装置からの各反射光線を光線毎の被走査面に結像させる第１の光学素子を含む偏向後光学系とを有する。 - 特許庁

In the wavelength conversion element, a periodic polarization reversal structure is formed on a parallel tabular single domain ferroelectric crystal substrate 10 cut by a plane orthogonal in a direction of a spontaneous polarization vector, and a wavelength of impinging light to be subjected to wavelength conversion is converted by quasi-phase matching based on the periodic polarization reversal structure.例文帳に追加

自発分極ベクトルの向きに直交する平面でカットされた平行平板単一ドメイン強誘電体結晶基板10に周期的分極反転構造が形成されており、入射される被波長変換光の波長を周期的分極反転構造に基づく擬似位相整合により変換する波長変換素子である。 - 特許庁

The printing method comprises a step for making a decision whether any one of print elements 126, 127 in the print head 26 has failed or not, and a step for reassigning the function of the failed print elements 127' to other print element in such a manner as the single pulse operation mode is sustained substantially if the print elements 127 has failed.例文帳に追加

そして、プリントヘッド２６のいずれかの印字要素１２６，１２７が故障したかどうかを判定する段階と、印字要素１２７が故障している場合には、略シングルパス動作モードを維持するような方法で、故障した印字要素１２７'の機能を他の印字要素に再割り当てする段階と、を含む。 - 特許庁

The device 10 for manufacturing single crystals to be used is equipped with sections in the following order: a vaporization section 21 for vaporizing a material 3 belonging to the group 3 metals; a mixing section 22 for mixing the group 3 metal gas generated at the vaporization section 21 with nitrogen gas; and a precipitation section 23 for precipitating the nitride containing the group 3 metal element from the above mixed gas.例文帳に追加

３族金属材料３を気化させる気化部２１、気化部２１において発生した３族金属ガスと窒素ガスとを混合する混合部２２、及びこれらの混合ガスから３属金属元素を含む窒化物を析出させる析出部２３がこの順に設けられた単結晶製造装置１０を使用する。 - 特許庁

An image processing device includes: a color mosaic filter 201 and a single-plate color imaging element having a patterning polarizer 202 formed by a plurality of polarization units having transmittance polarization planes of at least three different angles arranged in a plurality of pixels of the same color (G) in the color mosaic filter 201.例文帳に追加

本発明の画像処理装置は、カラーモザイクフィルタ２０１、および、異なる少なくとも３種の角度の透過偏波面を有する複数の偏光子単位がカラーモザイクフィルタ２０１内の同一色（Ｇ）の複数の画素に設けられたパターン化偏光子２０２を有する単板カラー撮像素子をを備えている。 - 特許庁

This ceramic sintered product which has a high mechanical strength at high temperatures and comprises the single phase of silicon carbide and in which grains comprising sintering auxiliary components do not grow is produced by using a rare earth element oxide, aluminum oxide and silicon dioxide as sintering auxiliaries for the silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素の焼結助剤として希土類酸化物、酸化アルミニウムおよび二酸化珪素を用い、かつ、得られる焼結体中に焼結助剤成分からなる粒子を成長させず、炭化珪素単相からなるセラミック焼結体を製造することで、高温での機械的な強度の高いセラミック焼結体を得る。 - 特許庁

Plasma is generated by electric discharge in a single gas or a mixed gas consisting essentially of C and H or C, O and H as an element constitution, and a substrate consisting of an iron group metal or an iron group alloy positively charged is placed in the plasma or in the vicinity of the plasma, to synthesize the metal-including carbon nanocapsule on the surface of the substrate.例文帳に追加

元素構成がＣとＨ又はＣとＯとＨを主成分とする単一または混合ガス中に放電によりプラズマを生成し、該プラズマ中またはその近傍に正に電位した鉄族基または鉄族基合金から成る基体を置き、該基体表面に金属内包カーボンナノカプセルを合成する。 - 特許庁

The pour-out cap 100 has the pour-out port 110 mounted on the mouth 1a of a container 1 for pouring out the liquid from the mouth 1a, and is equipped with a nozzle 120 formed with a clearance C1 around its leading edge 121e by conically rotating a single nozzle element 121 extending from the pour-out port 110.例文帳に追加

注出キャップ１００は、容器１の口部１ａに取り付けられ該口部１ａからの液体を注出する注ぎ口１１０を有し、この注ぎ口１１０から延在する１つのノズルエレメント１２１を円すい状に旋回させてその先端１２１ｅ周りにクリアランスＣ１を形成してなるノズル１２０を設けている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 has a first light emitting unit 15-1 having a plurality of laminated organic luminous layers and a second light emitting unit 15-2 having a single-layer organic luminous layer interposed between a positive electrode 13 and a negative electrode 19 in a state of lamination through a connecting layer 17 for supplying electric charge.例文帳に追加

積層された複数の有機発光層を備えた第１発光ユニット１５-1と、単層構造の有機発光層を備えた第２発光ユニット１５-2とが、電荷を供給するための接続層１７を介して積層された状態で、陽極１３と陰極１９との間に狭持されている有機電界発光素子１である。 - 特許庁

A complete depletion-type high-speed MOS transistor 210 is formed in a single-crystal silicon device formation layer 103, and a high breakdown strength-type MOS transistor and an ESD preventive element 310 are formed on a silicon substrate from which the formation layer 103 on an SOI substrate and a buried oxide film 102 have been removed.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０は、単結晶シリコンデバイス形成層１０３に形成されており、高耐圧型ＭＯＳトランジスタ及びＥＳＤ保護素子３１０は、ＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２の除去されたシリコン基板上に形成されている。 - 特許庁

To obtain an acceleration sensor that has the advantages of a capacitance-type acceleration sensor for detecting DC-like acceleration, can detect the change in capacitance due to the deformation of an elastic body when acceleration is applied from a single element without using two electrodes, namely fixed and movable electrodes.例文帳に追加

直流的な加速度の検出が可能な静電容量型の加速度センサの長所を有し、しかも固定電極と可動電極と言う２つの電極を用いないで、加速度が印加された場合の弾性体の変形にともなう静電容量の変化を単一の素子から検出することが可能な加速度センサを提供すること。 - 特許庁

A plasmid comprises: (a) a nucleotide sequence in which each coding sequence encoding each subunit of IL-12 is operably linked to another promoter or which encodes IL-12 being a single strand IL-12 operably linked to a regulatory element; and (b) a nucleotide sequence encoding an antigen.例文帳に追加

ａ）ＩＬ−２の各サブユニットをコードする各コード配列が別のプロモーターに制御可能なように連結しているかまたはＩＬ−１２が単鎖ＩＬ−１２である、制御要素に制御可能なように連結したＩＬ−１２をコードするヌクレオチド配列；およびｂ）免疫原をコードするヌクレオチド配列からなる、プラスミド。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

According to a configuration for driving and measuring a spherical SAW element at a plurality of frequencies of the present invention, a multiplication circuit is effectively utilized to create a plurality of frequencies from a single frequency and a propagation change in the plurality of frequencies can be observed by measuring a phase difference/strength for each frequency.例文帳に追加

本発明の球状弾性表面波素子の複数周波数駆動計測装置の構成によれば、逓倍回路を活用することにより、単一周波数から複数の周波数を作り、かつ、該複数の周波数の伝搬変化を、周波数ごとの位相差／強度を計測することによって観測することが出来る。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

Thereby, a calcium fluoride single crystal maintaining high transmissivity both at 140 nm and 190 nm wavelengths, almost free from lowering of the transmissivity in a wavelength range of 190 to 140 nm, and having total characteristics more suitable as an optical element material used in a short wavelength light source can be sorted.例文帳に追加

そのため、１９０ｎｍ及び１４０ｎｍの両者における透過率を高く維持していると共に１９０ｎｍ〜１４０ｎｍでの透過率の低下が少なく、短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶を選別することができる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a carrier substrate 1 having a gettering site 10 for capturing impurity metals therein, a buried insulating film 2 provided on the carrier substrate 1 and containing an oxide of an element having a single bond energy with oxygen larger than with silicon, and a semiconductor layer (SOI layer) 3 provided on the buried insulating film 2.例文帳に追加

不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイト１０を内部に有する支持基板１と、その支持基板１上に配置され、シリコンよりも酸素との単結合エネルギーが大きい元素の酸化物を含む埋め込み絶縁膜２と、その埋め込み絶縁膜２上に配置された半導体層（ＳＯＩ層）３とを備える。 - 特許庁

On the basis of an image signal S output from the element 214, a beam position computing means 215 finds an actually measured value De of the irradiation position of the electron beam 203, and finds a shift of the actually measured value De from a single irradiation position design data as a beam drift amount ΔD.例文帳に追加

撮像素子２１４から出力された画像信号Ｓに基づき、ビーム位置計算手段２１５が電子ビーム２０３の照射位置実測値Ｄｅを求めた後、比較演算手段２１６が照射位置実測値Ｄｅの一の照射位置設計データからのズレ量をビームドリフト量ΔＤとして求める。 - 特許庁

This nitride-based light emitting element comprises: an n-clad layer disposed on a single crystal wafer; a porous layer formed by subjecting the n-clad layer from the upper surface to a predetermined depth to surface treatment in a mixed gas atmosphere of HCl and NH_3; and an activated layer and p-clad layer disposed on the porous layer in this order.例文帳に追加

単結晶ウェハ上に形成されたｎ−クラッド層と、ｎ−クラッド層の上面から所定深さまでＨＣｌとＮＨ_３との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びｐ−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The first roller 1010 and the second roller 1020 have groove parts 1030 simulated with a recess provided between a neck part of an element and a saddle face thereof, and a position of a fatigue start point in the fatigue test for a ring single body is conformed with a fatigue start position of the ring assembled in a continuously variable transmission, by the groove parts 1030.例文帳に追加

第１ローラ１０１０および第２ローラ１０２０は、エレメントの首部とサドル面との間に設けられた窪みを模擬した溝部１０３０を有し、この溝部１０３０により、リング単体の疲労試験における疲労起点の位置と、無段変速機に組み込まれたリングの疲労起点の位置とが一致する。 - 特許庁

Further, provided are a single light converging means which converges received light incident on the photodetector and transmitted light emitted from the light emitting element and a ferrule holder 113 on which the transmission lien end of an optical fiber can be mounted at a distance from the stem member and forms the other end part of the housing.例文帳に追加

さらに、受光素子に入射する受信光及び発光素子から出射する送信光を集光する単一の集光手段と、ステム部材に対して離隔した位置に光ファイバの伝送路端を装着することが可能で、筐体の他端部を形成するフェルールホルダー１１３とを備える。 - 特許庁

To provide an optical detecting device that, as a compact and low-cost approach/direction sensor of a simple configuration using a single light receiving element, detects changes in the approaching/non-approaching state of an object body and a shifting direction orthogonal thereto at the same time and most efficiently to follow movement of a human body sufficiently.例文帳に追加

単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a crystal defect inspection method and a crystal defect inspection apparatus capable of detecting the positions of dislocation and lamination defects precisely and speedily with high sensitivity, when inspecting the in-plane distribution of dislocation and lamination defects existing in the epitaxial film of a silicon carbide single-crystal wafer for manufacturing a semiconductor element by an electroluminescence method.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

In the photographed image, its producing method and equipment, each spectral color image constituted of aggregation of pixel values of light- receiving elements is made into a partial image; the light-receiving element is provided with a color filter of each spectral color, arrangement phases in the respective spectral color filters which are arranged in the single plate type color image sensor are identical.例文帳に追加

単板式カラーイメージセンサにおいて配列する各々の分光色のカラーフィルタにおける配列位相が同一である各々の分光色のカラーフィルタを有する受光素子の画素値の集合からなる各々の分光色画像を部分画像とするようにした撮像画像、その生成方法および装置、等。 - 特許庁

A porous silicon particle includes a continuous hole and a three-dimensional mesh structure, characterized in that the hole penetrates the porous silicon particle and that a single body or an alloy of one or more of a conductive element Cu, Ni, Sn, Zn, Ag, or C is included within the hole.例文帳に追加

連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。 - 特許庁

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer.例文帳に追加

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

The central frequency of a Fabry-Perot type filter 8 is locked to a maximum of a laser output, whereby single-frequency oscillation without mode hopping is realized, and also an element for changing the resonator length of a fiber laser is inserted, whereby the oscillation frequency of the fiber laser device can be swept precisely without mode hopping.例文帳に追加

ファブリ・ペロ型フィルタ８の中心周波数をレーザ出力の最大値にロックすることにより、モードホップのない単一周波数発振を実現するとともに、ファイバレーザ装置の共振器長を変化させる素子を挿入することにより、上記ファイバレーザ装置の発振周波数をモードホップなしで精密に挿引できるようする。 - 特許庁

The magnetic detecting element comprises ferromagnetic layers 18, 19 and a free magnetic layer 17 in which magnetizing directions are aligned in a track width direction by second antiferromagnetic layers 20, 20, and which are laminated via a nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness in such a manner that the layer 17 can be surely formed in a single domain in the track widthwise direction.例文帳に追加

第２の反強磁性層２０，２０によってトラック幅方向に磁化方向がそろえられた強磁性層１９，１９とフリー磁性層１７が、一定の厚さで形成されている非磁性層１８を介して積層されることにより、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる。 - 特許庁

The tunable dispersion compensator has such a configuration that light emitted from a collimator is reflected several times by an etalon of 100% single-side reflectance by arranging the etalon and a mirror in parallel or with a slight angle and, thereafter, is made incident to another collimator, and is provided with a tunable mechanism in which the temperature is changed by a heater or the optical length is changed by a piezoelectric element.例文帳に追加

片側反射率１００％のエタロンとミラーを平行、あるいはわずかに角度を与えることでコリメータから出射される光がエタロンに複数回反射された後、他方のコリメータへ入射する構成とし、ヒータで温度を変化させる、あるいは圧電素子で光学長を変化させる可変機構を設ける。 - 特許庁

The shift mask has a region containing a metal silicide produced by coupling a metal and silicon as the main structural element in the substances constituting the single layer film or multilayered film, and at least one of the metal not silicified and silicon not forming a compound with metal elements is incorporated into the aforementioned region.例文帳に追加

前記単層膜若しくは多層膜を構成する物質の内、金属とシリコンの間で結合した金属シリサイドを主要構成要素とする領域中に、シリサイド化されていない金属及び金属元素と化合物になっていないシリコンの少なくとも一方が含有されていることを特徴とする。 - 特許庁