「single width」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To measure both the opening width and shape of a single natural crack in a rock sample with high resolution and high accuracy, and to reduce the labor of time and costs required for measurement without losing the rock sample in measurement.例文帳に追加

岩石試料内の単一天然亀裂の開口幅と形状の両方を高い分解能で且つ高精度で同時に測定でき、測定に際して岩石試料が消失することなく、測定に要する時間とコストの負担を軽減できるようにする。 - 特許庁

Since the wavelength conversion layer 3 is formed of the Si system luminescent material, and the latitude of the selectivity of the luminescent wavelength is obtained, and photoluminescence of wide spectrum width is obtained, single coloring of an output beam 7 is improved by the interference filters.例文帳に追加

波長変換層３がSi系発光材料により形成されて、発光波長の選択性の自由度が得られるとともに、スペクトル幅の広いフォトルミネッセンス発光が得られるために、干渉フィルターにより出力光７の単色化が改善される。 - 特許庁

The belt protecting layer 12 is formed of a layer 5 covering an end 4a in the tire width direction of the belt layer 4, and a cord constituting the layer 5 is a single twist cord made of polyethylene-2,6-naphthalate with 900-1,200 dtex total fineness.例文帳に追加

前記ベルト保護層１２は、前記ベルト層４のタイヤ幅方向端部４ａを覆うレイヤー層５からなり、該レイヤー層５を構成するコードは、総繊度が９００〜１２００ｄｔｅｘで、ポリエチレン−２，６−ナフタレートからなる片撚りコードである。 - 特許庁

An oxide semiconductor reduces oxygen omission from a channel material, by narrowing the regions producing oxygen omission, when imparting current supply capability of channel width and channel length equivalent to a single gate structure by using the multi-gate structure.例文帳に追加

酸化物半導体においてマルチゲート構造を用いることで、シングルゲート構造と同等のチャネル幅、チャネル長の電流供給能力を持たせる際に、酸素抜けが生ずる領域を狭め、チャネル材料からの酸素抜けを低減することができる。 - 特許庁

To provide a wavelength conversion element, wherein conversion efficiency is heightened by making electric field peak positions of signal light and conversion light coincide with each other, and the tolerance of the width of an optical waveguide by which the signal light and conversion light can hold a single mode is made larger than those of conventional types.例文帳に追加

信号光と変換光の電界ピーク位置を一致させることで、変換効率を高め、及び信号光及び変換光がシングルモードを保つことができる光導波路の幅の許容誤差範囲を従来よりも大きくする。 - 特許庁

Provided is the covered yarn characterized by singly or doubly cover-winding the periphery of a non-elastic slit yarn having a thickness of ≤6 μm and a width of ≤0.16 mm with a multi-filament yarn having a single filament fineness of ≤1.2 dtex.例文帳に追加

厚さが６μｍ以下でかつ幅が０．１６ｍｍ以下の非弾性スリット糸を芯糸とし、該芯糸の周囲を単糸繊度が１．２ｄｔｅｘ以下のマルチフィラメントが一重または二重に被覆捲回してなることを特徴とするカバリング糸。 - 特許庁

To provide a fiber bundle alignment apparatus suitably regulating the thickness and width dimensions in the fiber bundle, inhibiting the damage on the surface of single fibers in a fiber sheet, and providing a prepreg sheet having a smooth surface and suppressed in remaining bubbles.例文帳に追加

繊維束における厚みおよび幅寸法を適切に規制するとともに、繊維シートにおける単繊維の表面の損傷を抑制し、たとえば表面が平滑で気泡が残存することが抑制されたプリプレグシートを提供できるようにする。 - 特許庁

The single-crystal magnesium borate nanotube is prepared by heating magnesium chips and amorphous boron scattered on a silicone wafer in a gas flow comprising argon and oxygen and has a width or diameter of 200-500 nm and a length of 1-5 μm.例文帳に追加

シリコンウエハー上に散布された非晶質ホウ素とマグネシウム片とをアルゴンと酸素の気流中で加熱し、単結晶のナノチューブであり、幅あるいは直径が２００〜５００ナノメートル、長さが１〜５マイクロメートルである単結晶ホウ酸マグネシウムのナノチューブを得る。 - 特許庁

Since a magnetic domain structure is made to be a single magnetic domain along with formation of the exchange coupling, an excitation process of an axis of hard magnetization becomes only uniform magnetization rotation, and increase in a ferromagnetic resonance line width associated with mixing of a magnetic wall movement magnetization process can be suppressed.例文帳に追加

また、交換結合の形成に伴い、磁区構造が単磁区化されるため、磁化困難軸励起過程が均一な磁化回転のみとなり、磁壁移動磁化過程の混入に伴う強磁性共鳴線幅の増加を抑制できる。 - 特許庁

The printable longitudinal width of the rubber print body 14 is enlarged by the amount obtained by forming the film-like wall 22 thinner, resulting in narrowing the longitudinal distance between the printed character rows and allowing to improve the appearance of the character rows to the same order in that of the single type address seal.例文帳に追加

膜状壁２２を薄く形成した分だけゴム印字体１４の印字可能な前後幅が拡大し、印字された文字列の前後間隔を小さくし、文字列の見かけを単体型の住所印と同程度にまで向上できる。 - 特許庁

The switch arrangement comprises four electrodes 50-56 in which a single region and a mixed region are arranged with the same width along the arrangement direction, four touch sensors 60-66 for detecting the presence or absence of contact to each of the four electrodes 50-56, and seven operation regions "1"-"7" provided corresponding to each of the single and mixed regions.例文帳に追加

配列方向に沿って単一領域と混在領域とが同じ幅になるように配列された４つの電極５０〜５６と、これら４つの電極５０〜５６のそれぞれに対する接触の有無を検知する４つのタッチセンサ６０〜６６と、単一領域と混在領域のそれぞれに対応して設けられた７つの操作領域「１」〜「７」とを備えることによりスイッチ装置が構成されている。 - 特許庁

After a semiconductor film is formed so that the channel width of the film becomes almost equal to each width of crystal grains formed by using a continuously oscillated laser beam in the direction perpendicular to the scanning direction of the laser beam, single crystallinity is obtained in the channel forming region by irradiating the semiconductor film with the laser beam by aligning the moving direction of carriers with the scanning direction of the laser beam.例文帳に追加

チャネル幅が、連続発振のレーザー光によって形成される結晶粒の、レーザー光の走査方向と垂直な方向における幅と同じ程度の大きさになるような半導体膜を成膜し、該半導体膜にキャリアが移動する方向と走査方向を合わせてレーザー光を照射することで、チャネル形成領域において単一な結晶性を得る。 - 特許庁

The sapphire single crystal substrate 1 includes approximately parallel and linear steps 2a each having the height of one molecular layer on a main surface, wherein the degree of the slope from a specific crystalline surface of the sapphire of the main surface or the width of a specific terrace 3a formed between the steps 2a takes a value in a specific range and each terrace described in the above has about the same width.例文帳に追加

主面に１分子層の高さを有する略平行な略直線状のステップ２ａを有し、前記主面のサファイヤの特定結晶面からの傾斜の大きさ、又は前記ステップ２ａの相互間に形成された特定のテラス３ａの幅が、所定の範囲内のいずれかの値であり、かつ前記テラスの幅が各々略等しいサファイヤ単結晶基板１。 - 特許庁

The incandescent lamp has a filament formed by being arranged in a row at a plane state in a bulb so as to arrange a plurality of filament segments made of a single coil made by winding one wire at a plane state along an axial direction of the bulb, and a pitch width of the filament segments arranged at the center of the bulb is smaller than a pitch width of the filament segments arranged on both sides.例文帳に追加

この白熱電球は、バルブ内に、１本の線材が巻回されてなるシングルコイルよりなるフィラメントセグメントの複数がバルブの軸方向に沿って並列に並ぶよう平面状に配設されて形成されたフィラメントを具えてなり、バルブの中心部に配置されるフィラメントセグメントのピッチ幅が、両側部に配置されるフィラメントセグメントのピッチ幅より小さい構成とされている。 - 特許庁

The instantaneous values of the reactor current is of a higher harmonic filter and capacitor voltage vc comprising a reactor and a capacitor provided on the alternating current side of the current pulse width modulation system converter of a single phase or three phases are controlled by the pulse width of the input current ix of the converter generated in a one-control period and its generating timing, and stabilized after the one-control period.例文帳に追加

単相又は三相の電流形パルス幅変調方式変換器の交流側に設けられた、リアクトルとコンデンサからなる高調波フィルタのリアクトル電流ｉ_S、コンデンサ電圧ｖ_Cの瞬時値を、一制御周期内に発生する変換器入力電流ｉ_Xのパルスの幅とその発生するタイミングによって制御し、一制御周期後に整定する。 - 特許庁

A required number of flanges 11 in a state of parts before assembly and single side corrugated fiberboard pieces 23 for cylindrical formation are transported/stored in delivery/storage, cylinders 22 of various winding width are formed while adjusting breadth of the corrugated fiberboard pieces 23 by cutting them, and the reels 1 of optional winding width are completed of the same material by mounting the flanges 11, 11 on their both sides.例文帳に追加

出荷・在庫時には、組立て前の部品の状態のフランジ（１１）と円筒形成用片面段ボール片（２３）を必要数まとめて輸送・保管し、使用に際し、上記段ボール片（２３）の横幅を裁断により調節しつつ各種巻き幅の円筒（２２）を形成し、その両端にフランジ（１１、１１）を取付けて、同じ材料から任意の巻き幅のリール（１）を完成する。 - 特許庁

When the laser 700 having suitable pulse width and wavelength is selected in such a system and laser light particularly having the pulse width of femtoseconds to picoseconds and the wavelength in the range from 750 to 850 nm or from 1,000 to 1,100 nm is used, repairs in all steps can be performed using only a single laser apparatus without the need for additional or different repair devices for each test process.例文帳に追加

このような方式で、適切なパルス幅及び波長を有するレーザー装備７００を選択し、特にフェムト秒乃至ピコ秒のパルス幅及び７５０ｎｍ乃至８５０ｎｍまたは１０００ｎｍ乃至１１００ｎｍの波長範囲のレーザー光を使用すれば、テスト段階別に別途の修理装置を使用せずに一つのレーザー装備を使用して全工程で修理を行うことができる。 - 特許庁

A staple unit 5 of the paper post-processing device 1 has an intermediate tray 21 loading paper 3, an edge aligning mechanism 22 capable of moving the paper 3 in the width direction Y1 by registering the paper 3 loaded in the intermediate tray 21 in the width direction Y1, and a single stapler 20 movable along the tip side 23 of the paper 3 loaded in the intermediate tray 21.例文帳に追加

用紙後処理装置１のステイプルユニット５は、用紙３を積載する中間トレイ２１と、中間トレイ２１に積載された用紙３を幅方向Ｙ１に揃え、用紙３を幅方向Ｙ１に移動させることができる幅寄せ機構２２と、中間トレイ２１に積載された用紙３の先端辺２３に沿って移動することができる単一のステイプラ２０とを有する。 - 特許庁

Systems from a digital control system composed of a pulse-width modulation/intensity modulation signal generator 11 that generates a light emission instruction signal to perform pulse-width modulation and intensity modulation simultaneously to input data based on the input data, to an analog drive system such as an error amplifier 8 and current driver 7 are all mounted on a single chip IC 9 in a highly integrated structure.例文帳に追加

入力データに基づいて、入力データに対してパルス幅変調と強度変調とを同時に行う発光指令信号を生成するパルス幅変調・強度変調信号生成部１１なるデジタル制御系から、誤差増幅部８や電流駆動部７のようなアナログ駆動系まで、全てを１チップの集積回路９として高集積化して構成した。 - 特許庁

A high frequency is applied to each strip electrode 11 and 11 from a single high frequency power supply 17 through a cable 18 and each strip electrode 13 and 13 are connected (shortened) by a strip conductor 19 having an approximately same width as that of the strip electrode 13.例文帳に追加

そして、各帯状電極１１、１１には単一の高周波電源１７からケーブル１８を介して高周波が印加され、各帯状電極１３、１３間は帯状電極１３と略同幅の帯状導電体１９にて接続（短絡）されている。 - 特許庁

In this case, since the polishing cloth 13 is a specific thickness of pad consisting of a single material even in the width direction, the polishing property of the cloth surface at almost the initial time can be regenerated by only cutting off the cloth surface without changing with a new polishing cloth.例文帳に追加

この際、研磨布１３が、厚さ方向に均一な単一素材からなる所定厚さのパッドであるので、このように新規な研磨布１３に張り替えずに布表面を削り取るだけで、略初期の布表面の研磨性を回復させることができる。 - 特許庁

The characters and spaces related thereto on a single or more lines composed of the grid boxes are tracked by an amount determined as the ratio of em (full size width) to the character or the space related thereto and a function of the global tracking amount.例文帳に追加

グリッドボックスからなる１つ又はそれ以上のラインにおけるキャラクタ及びそれらの関連するスペースは、キャラクタ及びそれらの関連するスペースに対するエム（全角幅）の割合及びグローバルトラッキング量の関数として決定された量だけトラッキングされる。 - 特許庁

The driving mechanisms 30 are provided coaxially with the reciprocating direction of the leaves 21 of the multileaf collimator 20 and, for example, for every four leaves 21 exceeding the width of a single driving mechanism 30, four driving mechanisms 30 of the leaves 21 are disposed in the leaf height direction.例文帳に追加

マルチリーフコリメータ２０のリーフ２１の往復移動方向と同軸上に駆動機構３０を設けるようにし、ひとつの駆動機構３０の幅を超える例えば４枚のリーフ２１ごとに、これらリーフ２１の４台の駆動機構３０をリーフ高さ方向に配置する。 - 特許庁

At the cross section, the reinforcement member 4 is secured immovably in the width direction and the height direction of the groove 12, by contacting the front plate 2 at a single contact point 24 and contacting the pair of the ridge lines 23 of the rear plate 3 at two contact points 25, 26.例文帳に追加

補強部材４は、この一断面では、表板２に１つの接点２４で接触するとともに裏板３の一対の稜線２３に２つの接点２５、２６で接触することによって溝部１２の幅方向及び高さ方向に不動に保持されている。 - 特許庁

By appropriately selecting the interval and thickness of a resist pattern, a fine pattern having a three-dimensional height or a fine pattern having a pattern width equal to or smaller than the resolution of exposure light can be formed in a single lithographic process.例文帳に追加

本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、３次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The coupling line has a structure, in which the width of a void is widened and lines each contacting the void between the line conductors between both sides facing each other at a portion, where a void exists in the middle of the line conductor provided on a single substrate and the void divides the line conductor.例文帳に追加

単一の基板に設けられた線路導体の途中に空隙が存在し、該空隙が該線路導体を分断している部位で、該空隙の幅を広くとり、かつその対向する両側の線路導体間の空隙に接する線路を長くとった構造を有する。 - 特許庁

To provide a cutting method for a film circuit board in which high cutting precision can be obtained as a method for cutting a flexible film circuit board where a plurality of columns are arranged into a single column or a plurality of columns narrower than a film width, and to provide a film circuit board used therefor.例文帳に追加

複数列が配置された可撓性フィルム回路基板を、単列またはフィルム幅より狭い幅の複数列に切断する方法において、高い切断精度が得られるフィルム回路基板の切断方法及びそれに用いるフィルム回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide electroless gold-plating liquid embedding a single or a plurality of opening parts having the width of an exposed base material part of the micrometer order, in particular, ≤100 μm formed on a resist covered over a substrate in a short period of time.例文帳に追加

基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に１００μｍ以下の素地露出部の幅を有する高さ３μｍ以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。 - 特許庁

Then, if it is defined that the width of a part arranged in the outside of the groove 5 from between the gate extraction electrode 8 and the resistivity of an n^- type single-crystal silicon layer 1B are CHSP and ρ (Ω cm), respectively, the CHSP is set to satisfy the relation: CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

The vicinity of about the center between the side wall parts 3 is linearly formed, and the linear position is set to a movable part, whereby the manufacturing form for the top wall part 2 can be varied, so that products of different inner hollow width dimensions can be manufactured by use of a single form.例文帳に追加

また、両側壁部３間方向の略中央部付近を直線状に形成して、直線状位置を可動部にすることで頂壁部２製造用型枠を可変可能とし、異なる内空幅寸法の製品を単一の型枠で製造可能とする。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも大きくされている。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも小さくされている。 - 特許庁

This method for manufacturing the antenna and antenna array having the desired beam width is applied to a polarization antenna for both single and double polarization and the radiation pattern of the radiation elements of the antenna is controlled and varied by arranging an adequately designed parasitic element nearby them.例文帳に追加

望ましいビーム幅でアンテナとアンテナ・アレイを製造する方法が、単一と二重の両方の偏波アンテナに適用されて、アンテナの放射素子の放射パターンを、それらの近くに適切に設計したパラスティック素子を配置することにより制御し変更する。 - 特許庁

The pulse generation part 1 may have the light source which emits light in single longitudinal mode and an optical resonator having an optical modulator inside and control the driving electric power of the optical modulator to control the pulse width of the light pulses generated by the pulse generation part at a high speed.例文帳に追加

パルス発生部１は、単一縦モードで発光する光源と、光変調器を内部に有する光共振器とを有し、光変調器の駆動電力を制御することでパルス発生部から発生する光パルスのパルス幅を高速に制御するとしてもよい。 - 特許庁

An output from a single-phase amplifier circuit 20, to which an output from a differential amplifier circuit 10 is input, is input to a clamp circuit 41 using a source follower consisting of an N channel MOS transistor MN5, and the charging time of the capacitance Cp can be shortened narrowing a necessary charging voltage width without providing a new constant voltage source, by limiting an input of the single-phase amplifier circuit 20 using the clamp circuit 41.例文帳に追加

差動増幅回路１０の出力が入力される単相増幅回路２０の出力をＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ５からなるソースフォロワによるクランプ回路４１に入力し、当該クランプ回路４１により単相増幅回路２０の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Ｃｐの充電時間を短くすることができる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a polyamide based simultaneously biaxially oriented laminated film wherein the central part in the film width direction has the double layer structure and both end parts have a single layer structure, a cooling speed of the single layer part is made slower than that of the double layer part in a process wherein a polymer discharged from a die lip is bonded onto a cooling roll to make a film by quenching.例文帳に追加

フィルム巾方向の中央部が複層構造であり、両端部が単層構造であるポリアミド系同時２軸延伸積層フィルムを製造する方法において、ダイリップから吐出されたポリマを冷却ロール上に密着させて急冷製膜させる工程で、単層部の冷却速度を複層部のそれよりも遅くすることを特徴とするポリアミド系同時２軸延伸積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To make rapidly obtainable a high-quality image having uniform image density over the entire width of an image carrier even in the case of a large-sized image carrier by providing only an ultrasonic oscillator being a single ink atomization means with a simple constitution and maintaining appropriate ink particle size.例文帳に追加

簡易な構成で、単一のインク霧化手段である超音波振動子のみを設け、好適なインク粒径を維持し、所謂、大判の像担持体であっても像担持体全幅に渡って均一な画像濃度の高画質画像を速やかに得ることが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In a high load transmission V belt, a monofilament with 200 dtex or more is used as a single yarn in a width direction of the tension band 10 and upper and lower sailcloth layers 14, 15 of the tension belt 10 are made up by using woven fabric crowded with 30,000 dtex or more per 5 cm of whole cloth.例文帳に追加

張力帯１０の幅方向の単糸として２００ｄｔｅｘ以上のモノフィラメントが使用され且つ原反５ｃｍあたりに３００００ｄｔｅｘ以上打ち込まれている織物を用いて、張力帯１０の上帆布層１４及び下帆布層１５を構成する。 - 特許庁

In the nozzle unit 10 and the blasting device 20, the nozzle 11m and the nozzle 11n is arranged so as to be aligned with a machining width of the blasting by a rotating device 16, so that a wide region can be blasted by single scan, to thereby improve machining efficiency.例文帳に追加

ノズルユニット１０、ブラスト加工装置２０によれば、回動装置１６によりノズル１１ｍとノズル１１ｎとをブラスト加工の加工幅に合わせた配置をすることにより、１回の走査により幅広い領域のブラスト加工を行うことができ、加工効率を向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

To provide a low-cost spoiler as improvement of the conventional one consisting of a single piece, long stretching article formed in a length corresponding to the overall width of the under-part of a bumper and requiring replacement of the whole spoiler of its one part is broken owing to a vehicle touch accident etc. or the user wishes to change the design of the spoiler.例文帳に追加

従来のスポイラーは、バンパーの下部全幅に対応した長さに形成された長尺な一体物であり、接触事故等によりスポイラーの一部が損壊した場合、あるいは、スポイラーの意匠を替えたい場合等においては、スポイラー全体を交換しなくてはならないので、費用がかかる。 - 特許庁

The crown block 16 includes a shift block 27 which is segmented into two small pieces 21, 21 by a single slit 20 extending in the tire circumferential direction in a center in its width direction and in which the two block pieces 21, 21 are shifted from each other via the slit 20 in the tire circumferential direction.例文帳に追加

クラウンブロック１６は、その幅方向の中央部をタイヤ周方向にのびる１本のスリット２０により２つのブロック小片２１、２１に区分されるとともに、該２つのブロック小片２１、２１がスリット２０を介してタイヤ周方向に位置ずれしたシフトブロック２７を含む。 - 特許庁

An H-type antenna 1 in the IC tag for a radio frequency comprises a single antenna formed of a so called H-type with an antenna width D narrowed in the center portion and widened in both side portions of the length L, having an IC chip 2 mounted in the central narrowed portion.例文帳に追加

無線用ＩＣタグにおけるＨ型アンテナ１は、１枚のアンテナからなり、中央部でアンテナ幅Ｄを細くして長さＬの両側部分でアンテナ幅Ｄを広くした、いわゆるＨ型形状として中央の細い部分にＩＣチップ２を搭載した構成となっている。 - 特許庁

The light from the second network has a wavelength width which is settled within a band of a light wavelength to be used in the first network, and the light from the second network is processed by the connection node so that light wavelengths from a plurality of access nodes can occupy a passband of a single wavelength on the first network.例文帳に追加

第２のネットワークからの光は第１のネットワークで使用される光波長の帯域に内に入る波長幅とし、複数のアクセスノードからの光波長が第１のネットワーク上の単一波長の通過帯域を占有できるよう接続ノードで第２のネットワークからの光を処理する。 - 特許庁