「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

In an optical reflection element, the connection structure 13 of first oscillation parts 8A and 8B and the mirror part 7 is a cantilever structure in which the connection part of one first oscillation part 8A and a movable frame 9 is used as a fixed end 14.例文帳に追加

この目的を達成する為、本発明は、第一振動部８Ａ、８Ｂとミラー部７との連結構造体１３は、一つの第一振動部８Ａと可動枠９との接続部位を固定端１４とした片持ち梁構造であるものとした。 - 特許庁

The p-i-n-type circularly polarized light modulating light emitting semiconductor element is equipped with a quantum well structure formed of a non-magnetic semiconductor layer, and a magnetic semiconductor layer which has a small band gap and is provided adjacent or adjoining to the barrier layer of the quantum well structure.例文帳に追加

非磁性半導体層からなる量子井戸構造と、該構造の障壁層に近接、又は、隣接して、バンドギャップの小さい磁性半導体層を備えることを特徴とするｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子。 - 特許庁

An element structure 4 to be measured having the same pattern as that of a structure 2 being the object of the management, of the film thickness of the residual film of an inter-layer insulating film in a chip 1 and optical film thickness measuring patterns 5 and 6 are arranged in a scribe line 3 outside the chip 1 as a pair.例文帳に追加

チップ１内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造２と同じパターンの被測定対象素子構造４と、光学式膜厚測定パターン５，６とを１組にして、チップ１外のスクライブライン３に設ける。 - 特許庁

A manganese oxide memory element having a huge electric resistance memory function uses manganese oxide having a 214 type crystal structure such as Eu_0.5Ca_1.5MnO_4 or a manganese oxide having a 327 type crystal structure such as PrCa_2Mn_2O_7.例文帳に追加

巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子において、Ｅｕ_0.5 Ｃａ_1.5 ＭｎＯ_4 のような２１４型結晶構造をもつマンガン酸化物、もしくはＰｒＣａ_2 Ｍｎ_2 Ｏ_7 のような３２７型結晶構造をもつマンガン酸化物を用いる。 - 特許庁

To provide a structure of carbon nanotubes having new characteristics which have not been obtained heretofore by forming carbon nanotube aggregates on faces parallel to a substrate, and to provide a technique for utilizing the structure as a circuit constituting element.例文帳に追加

カーボンナノチューブの集合体を基板に平行な面内に形成し、従来にない新規な特性を有するカーボンナノチューブの構造体を提供するとともに、かかる構造体を回路構成素子として利用する技術を提供するものである。 - 特許庁

The wavelength conversion element has a periodical polarization reversal structure in a single domain ferroelectric crystal substrate 10, and converts a wavelength of incident light subjected to wavelength conversion by pseudo phase matching based on the periodical polarization reversal structure.例文帳に追加

単一ドメイン強誘電体結晶基板10に周期的分極反転構造が形成されており、入射される被波長変換光の波長を周期的分極反転構造に基づく擬似位相整合により変換する波長変換素子である。 - 特許庁

To provide a method by which a capacitor structure for suppressing the accumulation of electric charges in an upper electrode film that causes the electrostatic damage of the insulating film of an MIM capacitor structure can be manufactured, and to provide a method of manufacturing a capacitor element with a low defect rate.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタ構造の絶縁膜の静電破壊の原因となる上部電極膜への電荷蓄積を抑制できるキャパシタ構造の製造方法及び不良品発生率の低いキャパシタ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes: a substrate 101; an anode layer 113 on the substrate 101, which includes WO_xN_y (2.2≤x≤2.6, 0.22≤y≤0.26); a light-emitting structure layer 120 on the anode layer 113; and a cathode layer 131 on the light-emitting structure layer 120.例文帳に追加

基板１０１、基板１０１上のＷＯ_ｘＮ_ｙ（２．２≦ｘ≦２．６、０．２２≦ｙ≦０．２６）を含むアノード層１１３、アノード層１１３上の発光構造層１２０、発光構造層１２０上のカソード層１３１を含む有機発光素子である。 - 特許庁

This organic electroluminescence element comprises a charge transport material having a compound including a partial structure expressed by a formula (I) and a partial structure expressed by a formula (II) in one molecule, and further has a layer formed by the wet film-forming method.例文帳に追加

一分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造と下記一般式（II）で表される部分構造とを有する化合物からなる電荷輸送材料を含有し、湿式製膜法により形成された層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The phase difference optical element 10 is configured to have a liquid crystal molecular structure of the planar aligned cholesteric regularity and to have a phase difference layer 12 regulated in the selective reflection wavelength based on the liquid crystal molecular structure of the cholesteric regularity to ≤360 nm.例文帳に追加

位相差光学素子１０は、プレーナー配向されたコレステリック規則性の液晶分子構造を有し、該コレステリック規則性の液晶分子構造に基づく選択反射波長が３６０ｎｍ以下とされた位相差層１２を有する構成とした。 - 特許庁

To obtain a feeder system of such a type as feeding power to a light emitting element, or the like, by fixing a magnetic body and a securing section of split structure to wiring in which power loss is reduced as much as possible by joining the magnetic bodies of split structure surely thereby decreasing reluctance.例文帳に追加

分割構造の磁性体と固定部を配線に装着して発光素子等に給電するタイプの給電装置において、分割構造の磁性体の結合を確実にして磁気抵抗を低くし、パワーロスの可及的減少を図る。 - 特許庁

To find a novel combination of metallic elements constituting a metal oxide having perovskite structure capable of obtaining a metal oxide phosphor having nanosheet structure that has a peak within the wavelength range of 400-550 nm and achieves higher luminous efficiency, and to provide a metal oxide phosphor having nanosheet structure produced from the metal oxide having perovskite structure having the novel combination of metallic elements, a method for producing the same, a metal oxide phosphor element, and an EL element.例文帳に追加

波長４００〜５５０ｎｍの範囲にピークを有し、より高い発光効率を実現できるナノシート構造を有する金属酸化物蛍光体を得ることの出来る、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を構成する新規な金属元素の組み合わせを見出し、当該新規な金属元素の組み合わせを有するペロブスカイト構造を有する金属酸化物から製造されたナノシート構造を有する金属酸化物蛍光体、およびその製造方法、金属酸化物蛍光体素子並びにＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the organic electroluminescent display element and its manufacturing method, and provides the organic electroluminescent display element and its manufacturing method capable of reducing damage of the organic light emitting element by improving the adhesive strength of the sealant by securing the sealant area for contacting with the inorganic insulating film by changing the wiring structure of the common power source supply Vdd line and the structure of the flattening film being the organic film.例文帳に追加

本発明は有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、共通電源供給Ｖｄｄラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic powder includes at least a first heating process of heating first powder containing at least a carbon element and an iron element to increase perlite structure contained in the first powder, and a second heating process of mixing second powder containing at least a silicon element with the first powder after the first heating process to make the silicon element to permeate a surface layer of the first powder to be diffused.例文帳に追加

本発明の磁性粉末の製造方法は、少なくとも炭素元素と鉄元素を含む第１粉末を加熱し、その第１粉末に含まれるパーライト組織を増加させる第１加熱工程と、第１加熱工程後に、少なくとも珪素元素を含む第２粉末と第１粉末を混合して加熱し、珪素元素を第１粉末の表層に浸透拡散させる第２加熱工程を少なくとも備えている。 - 特許庁

The temperature control structure of the optical module includes a temperature control element having an element upper surface whose temperature is controlled, a thermally conductive carrier having a carrier lower surface disposed on a predetermined region on the element upper surface and a carrier side face inclined to the outside upward from the carrier lower surface, and solder filled into a hollow formed of the element upper surface and carrier side face outside the predetermined region.例文帳に追加

光モジュールの温度制御構造は、温度が制御される素子上面を有する温度制御素子と、素子上面の所定領域上に配置されるキャリア下面と、キャリア下面から上方向に向けて外側に傾斜するキャリア側面とを有する導熱性キャリアと、所定領域の外側における素子上面とキャリア側面とによって形成される窪みに充填された半田とを備える。 - 特許庁

The foundation structure 10 using the soil improvement element 14 is provided with the wall-shaped soil improvement element 14 which is formed by continuously providing soil improvement piles 16 in the ground 12, a connection means 18 embedded over a plurality of soil improvement piles 16, and a foundation part 24 constructed at the top of the soil improvement element 14 and connected integrally with the soil improvement element 14 by the connection means 18.例文帳に追加

地中１２に地盤改良杭１６を連続して設けて形成された壁状の地盤改良体１４と、複数の地盤改良杭１６に亘って根入れされた接合手段１８と、地盤改良体１４の上部に構築され、接合手段１８により地盤改良体１４と一体的に接合された基礎部２４と、を備えた地盤改良体１４を用いた基礎構造１０とする。 - 特許庁

To improve a magnetic head and its manufacturing method, wherein a bias magnetic field caused by a hard film can be appropriately applied to a read element by controlling a property of the hard film near the read element, in the magnetic head provided with a read head with CPP structure.例文帳に追加

CPP構造のリードヘッドを備える磁気ヘッドにおいて、リード素子近傍のハード膜の特性を制御することを可能とし、これによってハード膜によるバイアス磁場を的確にリード素子に作用させることを可能にする磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of diffusing heat emitted from an optical function element and both of heat stored in an inner cavity which is regulated by a substrate and a window lid covering an element mounting surface of the substrate and the heat of the window lid itself to the outside of a semiconductor package.例文帳に追加

光機能素子から放出される熱と、基板と基板の素子搭載面を覆ったウィンドウリッドとによって規定された内部キャビティに蓄積される熱及びウィンドウリッドそのものの熱の両方を半導体パッケージの外側に放散できる構造を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 is arranged adjacent to part of wiring 5 extending in an arbitrary direction, and further, an external magnetic field protection structure 20 is provided that protects the magnetoresistance effect element 4 from a magnetic field effect caused by a reason other than the part of the wiring 5.例文帳に追加

任意の方向に延在する配線５に対して、その一部に磁気抵抗効果素子４を隣接配置し、更に、配線５の一部以外の要因で生じる外部磁界から磁気抵抗効果素子４を保護する外部磁界保護構造２０を備えるようにする。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、Ｂ、Ｃ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ及びＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

To provide a light-emitting element assembly integrated (single chip) with a light-emitting element in which a regrowth process of a compound semiconductor layer is not required in structure and a protective means effective for breakdown due to overcurrent flow in the forward or reverse direction is provided.例文帳に追加

発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。 - 特許庁

A light guide object 4 for coupling a light emitting element 2 and a light receiving element 3 optically is provided with a sensing part 5 having an interface structure where protrusions and recesses are formed regularly over a range of length L selected while taking account of the liquid level difference being predicted.例文帳に追加

発光素子２と受光素子３との間を光結合させる導光体４には、予測される液面の高低差を考慮して選定した長さ範囲Ｌに亘り規則的に凹凸が形成された界面構造としたセンシング部５を形成している。 - 特許庁

According to this method, the surface of the semiconductor element 100 will not receive danger, such as strain or abrasion, due to the change of temperature in the pressure welding type semiconductor device and, in addition, danger, such as breaking by damaging a delicate element structure upon manufacturing or the like, can be avoided.例文帳に追加

これにより、圧接型半導体装置においては温度の変化によって半導体素子１００の表面が歪みや磨耗というダメージを受けることが無いうえ、製造時に微細な素子構造を傷つけて破損するなどの危険を回避することができる。 - 特許庁

A phased array antenna 1 is obtained as a multi-layer structure in which plural radiating elements 15, phase shifting units 16 for changing the phase of a high frequency signal transmitted and received by each radiating element, and a distributing and synthesizing part 14 are formed in different layers so that inter-element intervals can be reduced.例文帳に追加

多数の放射素子１５、各放射素子で送受信される高周波信号の位相を変更する移相ユニット１６、分配合成部１４をそれぞれ異なる層に形成した多層構造で構成することにより、素子間隔の縮小化を図る。 - 特許庁

This sensor contains a structure wherein a board 9 is mounted with a light-emitting element 2 and a photo-detecting element 3, which are separated by a light-intercepting board 41, where translucent sealing resin 11 fills to enclose the elements in, and a sensor head 42 wherein optical fibers 44 and 45 are inserted in resin 43 is laminated thereon.例文帳に追加

基板９に発光素子２と受光素子３を実装して遮光板４１で隔て、透光性の封止樹脂１１を充填して素子を封入し、その上に樹脂４３に光ファイバー４４、４５をインサートしたセンサヘッド４２を積層した構造である。 - 特許庁

To provide a light-emitting device which can be connected with a replacing light-emitting element without removing a defective light-emitting element among a plurality of light-emitting elements and without causing such disadvantages as an increase of a thickness of the whole structure, the complication of wiring, and the deterioration of electric characteristics.例文帳に追加

複数の発光素子のうちの不良となった発光素子を取り外すことなく、かつ構造全体の厚みの増加,配線の複雑化,電気特性の低下などのデメリットを招くことなく代替の発光素子を接続できる発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element chip in which variation in luminous intensity distribution characteristics can be reduced by eliminating complex and uneven luminous intensity distribution characteristics at the stage before an external structure for controlling the luminous intensity distribution characteristics is fixed, i.e. at the stage of direct light from the light emitting element chip.例文帳に追加

外部の配光特性制御用の構造体をつける前の段階、すなわち発光素子チップからの直接光の段階における複雑で不均一な配光特性を解消し、配光特性のバラツキを低減できる発光素子チップを提供する。 - 特許庁

To provide a residual stress analysis method by a finite element method capable of effectively reducing the time required for the analysis while keeping high analysis precision when the residual stress of the welded part of a welded structure is analyzed by the finite element method.例文帳に追加

溶接構造物の溶接部残留応力を有限要素法により解析する場合に、高い解析精度を保持しつつ、解析に要する時間を効果的に短縮することが可能な、有限要素法による残留応力解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a connection wiring structure of a semiconductor chip in which load resistance of wiring is effectively reduced without increasing the thickness of the wiring and a liquid crystal display element having superior display quality is realized at low cost and to provide the liquid crystal display element.例文帳に追加

配線の厚みを厚くさせずに配線の負荷抵抗を有効に低減することができ、ひいては、表示品位に優れた液晶表示素子を安価に実現することができる半導体チップの接続配線構造および液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

This invention provides the memory structure provided with a first electrode (35); a second electrode (39); a third electrode (43); a control element (25) placed between the first and second electrodes; and a memory storage element (23) placed between the second and third electrodes.例文帳に追加

第１の電極（３５）と、第２の電極（３９）と、第３の電極（４３）と、第１および第２の電極の間に配置された制御素子（２５）と、第２および第３の電極の間に配置されたメモリ記憶素子（２３）とを備えるメモリ構造が提供される。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element in which a bilaterally equal overlapping structure can be formed by separately forming an overlapping electrode layer and an electrode layer formed on a second antiferromagnetic layer, and to provide a method of manufacturing the element.例文帳に追加

オーバーラップさせる電極層と第２反強磁性層上に形成される電極層とを別々に形成することで、左右均等のオーバーラップ構造を製造することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供すること目的としている。 - 特許庁

To make it possible to restrain photoelectrons from scattering from an X-ray optical element, eliminate a structure for preventing photoelectrons from scattering in an analyzer and make it unnecessary to take into account the photoelectrons scattering from the X-ray optical element in the constitution of the analyzer.例文帳に追加

Ｘ線光学素子からの光電子の飛散を抑制することができ、分析装置に光電子の飛散を防止するための構成を不要とし、また、分析装置の構成において、Ｘ線光学素子から飛散する光電子の考慮を不要とする。 - 特許庁

To enhance chroma of a coloring image, especially chroma of a coloring image from a middle wavelength region to a long wavelength region in a visible light region in spite of a comparatively simple structure in an optical modulation element and to provide a driving method of the optical modulation element.例文帳に追加

光変調素子について、比較的簡単な構造でありながら、発色画像の彩度、特に可視光領域内の中波長域から長波長域の発色画像の彩度を向上させること、および、かかる光変調素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting element array capable of preventing flow of a current from an upper electrode to an immediate below portion and ensuring conduction between a substrate electrode and a light emitting element without allowing a semiconductor multilayer mirror to employ an embedding structure requiring re-growth of an epitaxial layer.例文帳に追加

半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。 - 特許庁

To securely separate an insertion optical element from a photographic optical axis by a simple and inexpensive structure when a lens barrel is stored after photographing, in a lens barrel having the insertion optical element that can be selectively inserted/separated into/from a photographic optical path.例文帳に追加

撮影光路に対して選択的に挿脱可能な挿入光学要素を備えたレンズ鏡筒において、簡単かつ安価な構成で、レンズ鏡筒が撮影状態から収納状態になるときに挿入光学要素を確実に撮影光軸外へ離脱させる。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

As an additive added to the base material by 0.1 to 4% by mol, an element which is introduced in a B site of a perovskite crystal structure of an oxide of niobium, tungsten, tantalum, lantern, antimony, bismuth and thorium and serves as a low-elastic-modulus element to supply a donor to the base material, is preferable.例文帳に追加

母材に０．１〜４モル％添加される添加物としては、ニオブ、タングステン、タンタル、ランタン、アンチモン、ビスマス、トリウムの酸化物等の、ペロブスカイト結晶構造のＢサイトに導入され、低弾性率素子として母材にドナーを供給できる元素が好ましい。 - 特許庁

A data structure 300 of the decorative image data representing the decorative image added to the input image by an image processor is equipped with an element image storage where color element image data representing the image of a partial area of the decorative image are stored.例文帳に追加

画像処理装置により入力画像に付加される装飾画像を表す装飾画像データのデータ構造３００は、装飾画像の少なくとも一部の領域の画像を表すカラー要素画像データが格納される要素画像格納部を備えている。 - 特許庁

The photocatalytic body has a photocatalyst film (10) comprising a compound of a metal element and oxygen, it is characterized in that at least a part of the compound of a metal element and oxygen has an anatase structure and contains OH group.例文帳に追加

金属元素と酸素との化合物からなる光触媒膜（１０）を備えた光触媒体であって、前記金属元素と酸素との化合物の少なくとも一部がアナターゼ構造を有し且つＯＨ基を含むことを特徴とする光触媒体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an Si substrate 1 having a trench isolation structure which is formed on an isolation region where a main surface is divided into a plurality of element regions A1 to A3, wherein an epitaxial layer is selectively grown on the element regions A2, A3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、主面を複数の素子領域Ａ１〜Ａ３に区分する分離領域に形成されたトレンチ分離構造を有するＳｉ基板１を備え、素子領域Ａ２、Ａ３にはエピタキシャル層が選択的に成長させられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a load capacitance built-in type oscillator having structure, in which a capacitor element and a piezoelectric resonator element are stacked, the method by which an oscillation frequency can be set with high accuracy and the piezoelectric oscillator can be manufactured inexpensively.例文帳に追加

コンデンサ素子と圧電共振素子とが積層されている構造を有する負荷容量内蔵型圧電発振子の製造方法であって、発振周波数を高精度に設定することができ、かつ安価に製造することを可能とする方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device packaged to include a semiconductor has a structure in which a mesh-like conductive layer 16m is formed on the semiconductor substrate 10 having an active element formed thereon, and a semiconductor chip 19 having an active element formed thereon is mounted on its upper layer.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子が形成された半導体基板１０上にメッシュ状導電層１６ｍが形成されており、その上層に、能動素子が形成された半導体チップ１９がマウントされた構成とする。 - 特許庁

The light emitting device having the electroluminescent element has a structure in which the TFT, wiring, and electroluminescent element formed on a substrate are covered by a barrier membrane having a function of preventing moisture and oxygen from the outside.例文帳に追加

本発明は、電界発光素子を有する発光装置において、基板上に形成されたＴＦＴ、配線、および電界発光素子が外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ機能を有するバリア膜で覆われた構造を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁