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surface processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9598件
A dummy substrate the surface of which is covered with a dark color material is subjected to a cleaning process and a printing process as required, and then inspected to diagnose the aforementioned processes.例文帳に追加
表面が暗色材料で覆われているダミー基板を洗浄工程や印刷工程に適宜流動させた後に前記ダミー基板を検査し、前記工程の診断を行う。 - 特許庁
To appropriately clean the external surface of a heat roller, to prevent degradation in the quality of a fixing process, which results from insufficient cleaning, and to maintain the quality of the fixing process.例文帳に追加
この発明によれば、加熱ローラの外周面を適切にクリーニングすることができ、クリーニング不足による定着処理の品質悪化を防ぎ、定着処理の品質を維持することができる。 - 特許庁
Before the cutting process, a protective film forming process of forming a protective film 16 is carried out so that the whole surface of a side in which the TFT 3 of the large substrate 15 will be covered.例文帳に追加
切断工程の前に、大型基板15のTFT3が形成された側の表面の全体を覆うように保護膜16を形成する保護膜形成工程を行なう。 - 特許庁
To provide a method for preventing local corrosion on the inside surface of a steel pipe in the manufacturing process of the steel pipe in prevention of tar-like degeneration of processing oil caused by work heat-generation in the manufacturing process of the steel pipe.例文帳に追加
本発明は、鋼管製造工程における加工発熱による加工油のタール状変質防止における鋼管内面局部腐食防止方法を提供する。 - 特許庁
Barrier metals 21 and solder bumps 31 are formed at predetermined positions on an Si wafer 11 after the wafer is subjected to a diffusion process and a multilayer wiring process, and an insulating resin layer 41 is formed on the whole surface.例文帳に追加
拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成し、全面に絶縁樹脂層41を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a hybrid electronic circuit device which simplifies processes, by conducting a process for pretreating before solder sealing simultaneously with a process for surface mounting the components.例文帳に追加
はんだ封止の前処理を表面実装される部品の接続工程と同時に行うことで、工程を簡素化できる混載型電子回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In particular, since the process failure detection circuits have the function as the dummy pattern provided in the peripheral part of the cell array, the chip surface for the process failure detection circuit is saved.例文帳に追加
特に、プロセス不良検出回路がセルアレイの周辺部に設けられたダミーパターンとしての機能を備えることによって、プロセス不良検出回路によるチップ面積を抑制できる。 - 特許庁
To provide a surface plasmon measuring technology to be incorporated in a process line and capable of performing the specific high-sensitivity in-line measurement of a particular substance in fluid having passed a preceding process.例文帳に追加
プロセスライン上に組み込んで、前のプロセスを通過した流体内の特定の物質を特異的、高感度にインラインで計測可能な表面プラズモン測定技術を提供する。 - 特許庁
In the third process S3, the electrode sheet 3 is bonded to a surface of a lower magnetic substrate 2 and in the fourth process S4, the coil electrode 30 of the electrode sheet 3 is sealed.例文帳に追加
そして、第3の工程S3において、電極シート3を下部磁性基板2表面に接着し、第4の工程S4において、電極シート3のコイル電極30を封止する。 - 特許庁
The method for producing fermented soybean comprises performing a fermentation process after a packaging process where steamed soybean and bacillus natto 11 are disposed on the side of the back surface 4 of a salted bract leaf 1 and are packaged.例文帳に追加
本発明は、蒸した大豆および納豆菌11を、塩漬けした朴葉1の裏面4側に配置して包む包装工程を経た後、醗酵工程を行うことを特徴とする。 - 特許庁
Further, in the case of oxidizing the surface inside the trench 14, a stress is relaxed by oxidation in excess of 1,000°C and execution of an anneal process at a temperature higher than that in the oxidation process.例文帳に追加
また、トレンチ14内の表面を酸化する際、1000℃を越えて酸化し、さらに、この酸化工程より高温でアニール工程を実施することにより、ストレスを緩和させる。 - 特許庁
The method for manufacturing the noncontact data carrier is provided with a process for executing etching by injecting an etching solution and a process for executing the etching processing over the whole surface.例文帳に追加
このような非接触データキャリアの製造は、エッチング液を噴射してエッチングする工程の後に、全面のエッチング処理を行う工程を設けることにより製造することができる。 - 特許庁
To provide a polishing method to provide high flatness by removing a protrusion part by selective polishing in a CMP flattening process for a micro uneven surface in a semiconductor process.例文帳に追加
半導体プロセスでの微小な凹凸面に対するCMP平坦化加工において、凸部の選択的研磨による除去によって、高度な平坦度を得るようにした研磨方法を提供する。 - 特許庁
When the process tank 22 used for a PS plate processor is method by expansion molding, an aqueous silicone coating material or liquid rubber coating material is applied on the surface of the process tank.例文帳に追加
PS版プロセッサーに用いられる処理タンク22を、発泡成形によって形成したときに、この処理タンクの表面に水性シリコン塗料又は液状ゴム塗料を塗布する。 - 特許庁
The process for pre-coat treating the outer peripheral surface of the fiber preform 12 includes a process for performing a pre-treatment spraying a plasma gas to the fiber preform 12 by an atmospheric pressure plasma device 24.例文帳に追加
ファイバ母材12の外周表面をコート前処理する工程は、大気圧プラズマ装置24によりプラズマガスをファイバ母材12に吹き付ける前処理を行なう工程を含む。 - 特許庁
Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加
次に、前記第1の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板1の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁
The method of manufacturing the electromagnetic shield film comprises a process for forming recesses 3 on a surface of a transparent substrate 1 by embossing and a process for forming the metal mesh patterns 4 in the recesses 3.例文帳に追加
電磁波シールドフィルムの製造方法は、エンボス加工により透明基材1の表面に凹部3を形成する工程と、該凹部3内に金属メッシュパターン4を形成する工程とを含む。 - 特許庁
After the adjacent substrates 1, 1 are coupled with the tape material 3, at least any one of the pressurizing process to pressurize the tape material 3 from the front surface side and the heating process to heat the tape material 3 is performed.例文帳に追加
隣り合う基板1、1をテープ材3で連結した後、テープ材3を表面側から加圧する加圧処理とテープ材3を加熱する加熱処理の少なくとも一方を行なう。 - 特許庁
In a liquid chamber forming process (S2), resist 30 is formed on the surface of stainless material of a clad material formed in a rolling process (S1) to cover only a part where a liquid chamber 16 is not formed.例文帳に追加
液室形成工程(S2)では、圧延工程(S1)で形成されたクラッド材のステンレス材の表面に、液室16を形成しない部分のみを覆うようにレジスト30を形成する。 - 特許庁
In this manufacturing method of a light source bulb, drying of a paint P for a shading film applied to the circumferential surface 18a of a shroud tube 18 is carried out in two processes: a preliminary drying process (b) and a main drying process (c).例文帳に追加
シュラウドチューブ18の外周面18aに塗布された遮光膜用の塗料Pの乾燥を、仮乾燥工程(b)および本乾燥工程(c)の2工程で行う。 - 特許庁
To provide an exposure device which is capable of detecting positions of a plurality of pattern forming regions set up on the surface of a substrate, carrying out an alignment process with high accuracy, and performing an exposure process accurately for the pattern forming regions.例文帳に追加
基板上に設定された複数のパターン形成領域の位置検出及びアライメント処理を精度良く行って精度良い露光処理ができる露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a processing apparatus and a method of processing, capable of yielding high processing uniformity over a surface of an object to be processed, without contaminating the object to b processed during the steps between a cleaning process and an oxidation process.例文帳に追加
洗浄処理から酸化処理の間に被処理体が汚染されることなく、被処理体の面内の処理均一性が高い処理装置及び処理方法を提供すること。 - 特許庁
Since the surface of the blue BAM phosphor for the plasma display panel is relatively rich in Al, it is stable during a heat-treatment process carried out in a production process of the panel, and the plasma display panel equipped with the fluorescent film formed therefrom achieves an extended life.例文帳に追加
これにより、パネルの製造過程で加えられる熱処理過程で安定しており、これから形成された蛍光膜を備えたプラズマディスプレイは、改善された寿命を示す。 - 特許庁
The storage elements are mounted not in the process to generate the sheet itself but in the process to carry out the surface working processing of the sheet so that the storage elements can be mounted on the sheet as necessary.例文帳に追加
用紙自体を生成する過程ではなく、用紙の表面加工処理が行われる際に記憶素子が実装されるため、必要に応じて用紙に記憶素子を実装することができる。 - 特許庁
To provide a ceramic heater hardly causing trouble such as generation of a gap in an interfacial surface between an insulating base body and a heat generation resistor in a manufacturing process or a usage process.例文帳に追加
製造過程や使用過程で、絶縁基体と発熱抵抗体との界面で隙間が生じる等の不具合が起こりにくいセラミックヒータ及びこれを用いたグロープラグを提供すること。 - 特許庁
In a method for manufacturing a glass substrate for an information-recording medium, the surface of a glass substrate is made to contact a liquid at least for 10 minutes before a scrub washing process after a polishing process.例文帳に追加
情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、研磨工程後スクラブ洗浄工程前に、ガラス基板の表面を液体と10分間以上接触させることを特徴とする。 - 特許庁
To avoid a situation where a creation process of light leakage correction data and, eventually, a correction process of an effective image are excessively executed due to increase of the quantity of light emitted to an imaging surface.例文帳に追加
撮像面に照射される光量の増大に起因して漏光補正データの作成処理、ひいては有効画像の補正処理が過度に実行される事態を回避する。 - 特許庁
A fixing-side end 50b of the holding part 50 provided on an upper surface of the process cartridge 32 or 35 is fixed to the process cartridge 32 or 35, and a movable end 50c thereof is connected to the switching part 51.例文帳に追加
プロセスカートリッジ32,35の上面に備えられた把持部50は、固定側端50bがプロセスカートリッジ32,35に固定され、可動側端50cが切替部51に接続される。 - 特許庁
This laser machining method for irradiating laser beams along a scribe-scheduled line on the surface of a brittle-material substrate to form a scribe groove, includes a preliminary machining process and a scribing process.例文帳に追加
このレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成する方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を含む。 - 特許庁
To provide a method for producing a carbon fiber excellent in adhesion between a resin and carbon fiber in the method for producing carbon fibers which has a burning process and surface electrolytic process.例文帳に追加
焼成工程と表面電解処理とを有する炭素繊維の製造方法において、炭素繊維と樹脂との接着力に優れた炭素繊維の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this method, the depth of a pattern can be controlled by the process performing anisotropic etching, and by the process performing isotropic etching, a curved surface structure can be produced.例文帳に追加
本発明の構成によれば、異方性エッチングを行う工程によりパターンの深さを制御することが出来、等方性エッチングを行う工程にり曲面構造にすることが出来る。 - 特許庁
A method of manufacturing a magnet has a process for forming a polysilazane film on the surface of a rare-earth element-containing magnet main body, and a process for obtaining a glassy protective film from the polysilazane film.例文帳に追加
希土類元素を含む磁石本体の表面にポリシラザン被膜を形成する工程と、前記ポリシラザン被膜からガラス状保護被膜を得る工程とを有する磁石の製造方法。 - 特許庁
In the wafer after formation of a semiconductor circuit, the grinding or polishing surface of a semiconductor wafer activated with the grinding or polishing process is inactivated by the inactivation process.例文帳に追加
半導体回路が形成された後のウエハにおいて、研削または研磨工程によって活性化された半導体ウエハの研削または研磨面を不活性化処理することを特徴とする。 - 特許庁
The method comprises a process of forming a layer doped with fluorine on the surface of a glass material, and a process for immersing the glass material in an etching liquid and processing.例文帳に追加
ガラス材料表面に予めフッ素をドープした層を形成する工程と、そのガラス材料をエッチング液に浸漬して加工する工程とを具備することを特徴とするガラス加工方法。 - 特許庁
To provide a method by which a desired mask can be formed on the surface of a substrate through the process of a relatively short time without degrading the work environment with a means requiring no photographic process.例文帳に追加
フォトプロセスを要しない手段で、比較的短時間の処理で、かつ、作業環境を悪化することなく所望のマスクを基板表面に形成することのできる方法を提供する。 - 特許庁
Accordingly, a process to coat colorant to the surface of the ceramic substrate 11 as before is unnecessary and a rise of a manufacturing cost by an increase of the process can be evaded.例文帳に追加
したがって、従来のように着色剤をセラミック基体11表面へ塗布する工程は不要であり、工程の増加による製造コストの上昇を回避することができる。 - 特許庁
To provide a decorative sheet which is excellent in impact resistance and strength, has flexibility and can be used for the application of a curved surface at normal temperature without a special process of striking with water, heat process or the like.例文帳に追加
耐衝撃性、強度に優れる上、フレキシビリティであり、水打ちや熱加工等の特殊な処理無しでかつ常温において曲面用途に用いることのできる化粧板を得る。 - 特許庁
To avoid a problem that a yield is lowered due to cracks at a cutting surface, the littering of debris or the like in a process of cutting a base plate, in case a multiple pattern process is adopted.例文帳に追加
多面取りプロセスを採用した場合、基板を切断する工程において、切断面での欠け、破片飛散等により歩留まりを低下させてしまうという課題を回避する。 - 特許庁
The transparent conductive material is obtained by two-step film forming processes including a process of forming a seed crystal layer on one surface of the substrate and a process of further forming a zinc oxide layer on the seed crystal layer.例文帳に追加
基材の片面に種結晶層を形成し、この種結晶層の上に酸化亜鉛層をを形成するという2段階の成膜プロセスを経て得られる透明導電性材料。 - 特許庁
The method of manufacturing the lead frame on which a semiconductor element is loaded includes: a process of forming a first recess on one of a first surface of the lead frame and a second surface which is on the opposite side from the first surface and mounted with the semiconductor element; and a process of forming a second recess by pressing the second surface of the lead frame.例文帳に追加
半導体素子を搭載するリードフレームの製造方法であって、前記リードフレームの第1の面又は該第1の面とは反対側で前記半導体素子を搭載する第2の面のいずれか一方に第1の凹部を形成する工程と、前記リードフレームの前記第2の面をプレス加工することにより第2の凹部を形成する工程とを有する。 - 特許庁
In the surface wave excitation plasma CVD device 100, a material gas comprising silicon element is introduced into a chamber 1 by at least one of an upper surface side introduction tube and a side surface side introduction tube 7, and a process gas which makes material gas cause chemical reaction by activation by surface wave excitation plasma P is introduced into the chamber 1 by a process gas introduction tube 5.例文帳に追加
表面波励起プラズマCVD装置100は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管7の少なくとも一方によりチャンバー1内に導入し、表面波励起プラズマPにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管5によりチャンバー1内に導入する。 - 特許庁
To provide a surface protecting tape used in the dicing, which is pasted onto a surface of a cut object and is cut together with the cut object in the dicing process, thus protecting the surface of cut objects from being contaminated by adherence of dusts such as cut wastes, etc., the surface protecting tape easily peeled off and removed from each chip after the dicing process.例文帳に追加
ダイシング工程において、表面保護テープを被切断体表面に貼り付け、被切断体と一括して切断することにより、被切断体表面を切削クズ等のダスト等の付着による汚染から保護し、且つ、ダイシング工程後に、個々のチップから容易に剥離・除去される、ダイシング工程で用いられる表面保護テープを提供する。 - 特許庁
A semiconductor device manufacturing method comprises: (a) a process of applying a resin member 3 on a surface of a semiconductor wafer 1 having a stepped structure 2 on a first principal surface; and (b) a process of flattening a surface of the resin member 3 by heating the resin member 3, and the resin member 3 is formed on a lateral surface of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(a)第1主面に段差構造2を有する半導体ウェハ1の表面上に樹脂部材3を塗布する工程と、(b)樹脂部材3を加熱して、当該樹脂部材3の表面を平坦化する工程とを備え、樹脂部材3は半導体ウェハ1側面上にも形成されている。 - 特許庁
The wafer W is diced through a first dicing process of making laser light L incident on a top surface side WA of the wafer W to form a reformed region P at the top surface side WA and a second dicing process of turning over the wafer W and making the laser light L at the reverse surface side WB to form a reformed region P at the reverse surface side WB.例文帳に追加
ウェーハWの表面側WAからレーザー光Lを入射して表面側WAへ改質領域Pを形成する第1ダイシング工程と、ウェーハWを反転させて裏面側WBよりレーザー光Lを入射し裏面側WBへ改質領域Pを形成する第2ダイシング工程とによりウェーハWのダイシングを行う。 - 特許庁
The method is constituted so that it may include a process of putting the equipment surface in the semiconductor material processing chamber into contact with an atmosphere including a proton donor, and causing it to react with the porogen deposited on the equipment surface, and a process of putting the equipment surface into contact with an atmosphere including a fluorine donor, and causing it to react with a thin film deposited on the equipment surface.例文帳に追加
半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁
In a mixing process 2, carbon black 3 having characteristics of 3 to 4 in pH value and 100 to 150 m^2/g in specific surface area and/or the fine powder 4 produced in a classifying process in a toner manufacturing process are added to the raw materials, by which the surface of wax is coated with the carbon black 3 and/or the fine powder 4.例文帳に追加
混合工程2において、pH値が3以上4以下、比表面積が100〜150m^2/gの特性を持つカーボンブラック3および/またはトナー製造工程における分級工程で生じた微紛4とを加えることで、該カーボンブラック3および/または微紛4によりワックスの表面が被覆される。 - 特許庁
This flaw detection method of the semiconductor wafer has a longitudinal direction specifying process for specifying the longitudinal direction of a flaw, by observing the surface of the semiconductor wafer and a flaw detection process for scanning a light along the longitudinal direction of the flaw specified in the longitudinal direction specifying process, to detect the flaw present on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェーハの表面を観察して欠陥の長手方向を特定する長手方向特定工程と、長手方向特定工程で特定された欠陥の長手方向に沿って、光を走査することにより、半導体ウェーハ表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程とを行う。 - 特許庁
The method of preparing a catalyst for purifying an exhaust gas comprises a coating process for coating a cell wall surface of a monolithic substrate with an organic binder and an inorganic binder, an adhesion process for causing carrier particles on which a metal catalyst is deposited to adhere to the cell wall surface by spraying them thereon in a dry state, and a sintering process for sintering the sprayed carrier particles.例文帳に追加
モノリス基材のセル壁面に有機バインダー及び無機バインダーを塗布する塗布工程と、金属触媒を担持した担体粒子を乾式で散布して前記セル壁面に固着させる固着工程と、前記担体粒子を焼結させる焼結工程と、を有する排ガス浄化用触媒の製造方法。 - 特許庁
A silicon substrate processing method, wherein hydrogen is introduced from the surface of a silicon substrate to inactivate the defect of the silicon substrate, comprises a process for heating the silicon substrate, a process for quickly cooling the silicon substrate, and a process for irradiating hydrogen against the surface of the silicon substrate.例文帳に追加
本発明のシリコン基板の処理方法は、シリコン基板の表面から水素を導入し、シリコン基板の欠陥を不活性化する処理方法であって、シリコン基板を加熱する工程と、シリコン基板を急冷する工程と、シリコン基板の表面に水素を照射する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
In the thin film formation method for forming a thin film in a surface of a processing object S by sputtering, a prevention film formation process for forming a charging damage prevention film 80 for preventing charging damage in the surface of the processing object by sputtering is carried out as a preceding process of a thin film formation process for forming a thin film 82.例文帳に追加
被処理体Sの表面にスパッタリングにより薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記薄膜82を形成する薄膜形成工程の前工程として、前記被処理体の表面にチャージングダメージを防止するためのチャージングダメージ防止膜80をスパッタリングにより形成する防止膜形成工程を行う。 - 特許庁
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