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thickness patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1339件
The antenna system includes antenna parts formed by applying patterning to a conductor pattern to a printed circuit board and dielectric parts laminated on the antenna parts, and the dielectric part is characterized in being laminated with thickness in a direction wherein the directivity is provided thicker than the thickness in other directions.例文帳に追加
プリント配線板に導体パターンがパターンニングされたアンテナ部と、アンテナ部に積層された誘電体部とを有し、誘電体部はアンテナ部の指向性を持たせる方向に他の方向より厚く積層されていることを特徴とする。 - 特許庁
To raise the contrast of an EUV light absorbing pattern without increasing the thickness of an EUV light absorbing layer which is formed on an EUV light reflecting multilayered film and into which the pattern is engraved in a reflection type mask for EUV exposure used for pattern transfer at manufacturing of a semiconductor, etc.例文帳に追加
半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるEUV露光用反射型マスクにおいて、EUV光を反射する多層膜上に成膜されEUV光を吸収するパターンの刻まれるEUV光吸収体層において、吸収体層の膜厚を厚くすることなく、パターンのコントラストを上げる。 - 特許庁
To provide a pattern forming method which is excellent in roughness performance such as line width roughness, local pattern dimension uniformity, and exposure latitude and capable of suppressing reduction in film thickness (so-called film reduction) at a pattern portion formed by development, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the method, and a resist film.例文帳に追加
ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁
By using an exposure mask having a transfer pattern narrower than a limit value of photolithography and having a part of a slit connected thereto, first and second patterns and a third pattern are formed, wherein the third pattern connects the first and second patterns to each other and is smaller in thickness than the first and second patterns.例文帳に追加
フォトリソグラフィの限界値よりも狭く、かつスリットの一部が接続されている転写パターンを有する露光マスクを用ることにより、第1および第2のパターンと、第1および第2のパターンを接続し、かつ第1および第2のパターンより膜厚が薄い第3のパターンとをレジスト層に形成する。 - 特許庁
A photomask 1 is manufactured by forming a transparent protective film 1c comprising quartz, an intermetallic compound of metal and silicon, or the like on a circuit pattern film 1b of a quartz substrate 1a, the protective film 1c having a film thickness equal to or larger than that of the circuit pattern film 1b, and removing a surface rugged pattern formed during forming the protective film by polishing.例文帳に追加
石英基板1aの回路パターン膜1b上に、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる透明な保護膜1cを回路パターン膜1bの膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより除去してフォトマスク1を製造する。 - 特許庁
To provide a resist pattern thickening material etc., which have no dependence of resist patterns on materials and sizes, thickness of the resist pattern increases uniformly and stably in the state of reducing the roughness of surface, and can form a fine resist drop-out pattern exceeding the exposure threshold of a light source in an exposure device used during patterning.例文帳に追加
レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジストパターンを均一にしかも安定に、表面のラフネスを低減した状態で厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁
When propagating light in the display plate 55 hits the pattern, the light spreads and the pattern emits light, and thereby, the patterns of two display plates 55 independently emit light with a desired color and a lighting pattern by controlling a light source section, and thickness of the display apparatus is made thin, as the LED substrate 70 is mounted in a standing form.例文帳に追加
表示プレート55内を伝播する光が模様に当たると拡散して模様が発光するので、光源部を制御して2枚の表示プレート55の模様を個別に所望の色や点灯パターンにて発光可能になると共に、LED基板70が立設して装着されているので表示装置の厚みを薄くできる。 - 特許庁
In the pattern forming method for forming the desired resist pattern by making photosensitive a resist 2 formed on a substrate 1 to be processed, the film thickness and transmissivity of the resist 2 are determined, so as to balance an etching selection ratio with the substrate 1 to be processed and to make the sidewall of the formed pattern vertical to the substrate 1 to be processed.例文帳に追加
被処理基板1の上に形成されたレジスト2を感光させることにより所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、被処理基板1とのエッチング選択比がとれ、かつ、形成されたパターンの側壁が被処理基板1に対して垂直となるようにレジスト2の膜厚及び透過率を決定する。 - 特許庁
Silver paste pattern is printed by expanding silver paste by a squeegee, and when the screen for printing is removed, the silver paste becomes loose due to the viscosity of the silver paste to flow into an area where the silver paste pattern is not printed by a second shielding part 5, making the thickness of an end part of the silver paste pattern in a width direction thinner.例文帳に追加
銀ペーストをスキージによって押し広げることで銀ペーストパターンが印刷され、印刷用スクリーンを取外すと、第2遮蔽部5によって銀ペーストパターンが印刷されなかった領域に、銀ペーストの粘性によって銀ペーストがだれて流れ込み、銀ペーストパターンの幅方向の端部の厚みがより薄くなる。 - 特許庁
This method comprises a step of moving a metal mask for every component which has a certain thickness and is provided with only opening grooves corresponding to a foot pattern of a printed wiring board so that the grooves are aligned with the position corresponding to the foot pattern, and a step of vertically moving the mask to adjust a clearance between the foot pattern and the grooves.例文帳に追加
プリント配線板のフットパターンに対応する開口溝のみを設けた一定の厚さの部品毎メタルマスクを、フットパターンに対応した位置に開口溝が一致するように移動させるとともに、フットパターンと開口溝の下端との間のクリアランスを調整するように上下方向に移動させる構成とした。 - 特許庁
The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1.例文帳に追加
図1(ロ)に示すように、T型ゲート電極の下部電極部レジストパタン21を得た後、パタンシュリンク材1を3000〜4000オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン21からの酸をパタンシュリンク材1に拡散させ、パタンシュリンク材1が架橋するミキシングベーク7を行う。 - 特許庁
The method for increasing the thickness of the electrically conductive pattern on the dielectric substrate comprises the steps of: immersing the substrate with the electrically conductive pattern present thereon in an electrolytic bath; electrolytically contacting in the electrolytic bath a negatively charged electrode with the pattern during immersion of the substrate; and effecting contacting movement in the electrolytic bath of the electrode and the pattern relative to each other during immersion of the substrate.例文帳に追加
導電性パターンを有する基材を電解液に浸漬するステップと、電解液中に基材が浸漬されている間に、負に帯電した電極を導電性パターンと電解液中で電気的に接触させるステップと、電解液中に基材が浸漬されている間に電解液中で電極と導電性パターン間の接触相対移動を行なわせるステップを有する。 - 特許庁
A color filter having at least a transparent colored pattern layer 3 sectioned into pixels with a black matrix pattern layer 2 on a transparent substrate 1 and a transparent common electrode layer 5 on the transparent colored pattern layer 3 is provided with a photospacer part 4 for cell gap adjustment, formed having a large layer thickness in a projection shape, at a portion of the transparent colored pattern layer 3.例文帳に追加
透明基板1上に少なくともブラックマトリクスパターン層2により画素区分された透明着色パターン層3と、該透明着色パターン層3上に透明な共通電極層5とを備えたカラーフィルタにおいて、前記透明着色パターン層3の一部に、その層厚を突起状に厚く形成したセルギャップ調整用のフォトスペーサ部4が設けられている。 - 特許庁
When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加
被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状(膜厚及びテーパ角度)を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁
The manufacturing method of the test mask includes steps of forming a pattern of a light shielding film on a glass substrate and of changing the film thickness of the light-shielding film in the pattern, wherein the step of changing the film thickness of the light-shielding film is repeated to produce a test mask.例文帳に追加
テストマスクは、数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するようにしたものであり、テストマスクの製造方法は、ガラス基板上の遮光膜のパターン形成を行う工程と、パターンの遮光膜の膜厚を変える工程と、を備え、前記遮光膜の膜厚を変える工程を繰り返し、テストマスクを作製する。 - 特許庁
There is an adhesive layer 3 with a thickness of 8 μm on each side of a polyimide film, and there is a wiring pattern 2 on which an inner lead 2A and an outer lead 2B are formed by using an electrolytic copper foil which has a rough adhesion surface with a thickness smaller than the adhesion layer 3 on the adhesion layer 3 on the wiring pattern forming side.例文帳に追加
ポリイミドフィルム1の両面に厚さ8μmで設けられる接着剤層3と、配線パターン形成面の接着剤層3に接着剤層3の厚さより小なる表面粗さを有する接着面を有する電解銅箔によってインナーリード2A、アウターリード2Bを形成される配線パターン2を有するようにした。 - 特許庁
In a semiconductor device using an insulation substrate on which conductor patterns 11 and 12 are junction-formed on either side of a rectangular ceramic substrate 10, the thickness (t1, t2) of the conductor pattern are made to be thicker than the thickness (t3) of the ceramic substrate and solder bonding is performed between a conductor pattern 11 of a front surface and heat generating parts mounted thereon.例文帳に追加
方形状のセラミック基板10の両面に導体パターン11,12を接合形成してなる絶縁基板を用いた半導体装置において、前記導体パターンの厚さ(t1、t2)を前記セラミック基板の板厚(t3)より厚くし、おもて面側の導体パターン11とここにマウントした発熱部品との間をはんだ接合する。 - 特許庁
To provide a conductive thin film substrate having a reduced film thickness of a metal film forming a conductive pattern thereon, with excellent conductivity and adhesiveness between the substrate and the conductive pattern, and easily manufacturable, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
導電性パターンを形成する金属膜の膜厚を薄くしつつ、導電性及び基材と導電性パターンとの密着性に優れ、かつ容易に製造することができる導電性薄膜基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a solder resist pattern forming method which allows formation of a high-resolution resist pattern with good reproducibility regardless of the thickness of a solder resist layer and the influence of a blue pigment, and a photosensitive composition suitable for use in the forming method.例文帳に追加
ソルダーレジスト層の膜厚や青色顔料の影響によらず、再現性よく高解像度のレジストパターン形成を可能とするソルダーレジストパターンの形成方法、並びに該形成方法に好適に用いられる感光性組成物を提供すること。 - 特許庁
In this apparatus for producing the special yarn, the rotation of a front roller 17 is changed on the basis of a plurality of pattern data showing the changes in the thickness of a spun yarn to produce the special yarn SY corresponding to the pattern data including at least the information of pitches between slubs.例文帳に追加
特殊糸製造装置は紡出糸の太さの変化を示す複数のパターンデータに基づいてフロントローラ17の変速を行って、少なくともスラブ間ピッチの情報を含む前記パターンデータに対応する特殊糸SYを製造する。 - 特許庁
Also, line impedance with the same pattern width matches by making the tester board substrate 101 a film substrate with the same material and thickness as the film substrate 70 and a phase difference is eliminated by mutually equalizing line lengths of the line pattern on the substrate 70.例文帳に追加
またテスタボード基板101をフィルム基板70と同じ材質で同じ厚みのフィルム基板にすることで、同一のパターン幅で線路のインピーダンスを合わせ、さらにフィルム基板70上線路パターンの線路長を互いに等しくして位相差を無くす。 - 特許庁
To provide a device for pattern correction, with which electrical resistance of a section to be corrected is made lower by forming a correcting layer with uniform film thickness on a defective section of a broken pattern (wire), without repeating operations and with a simple process.例文帳に追加
繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線しているパターン(配線)の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能なパターン修正装置を提供する。 - 特許庁
In the three-layer resist process wherein an underlayer resist layer 2, an intermediate layer 3 and a photoresist layer (upper resist layer) 4 are laminated and used, exposure dimension of the pattern is made small as the thickness of the underlayer resist layer 2 of a part corresponding to the pattern becomes thin.例文帳に追加
下層レジスト層2、中間層3、フォト・レジスト層(上層レジスト層)4を積層して用いる3層レジスト・プロセスに於いて、パターンに対応する部分の下層レジスト層2の層厚が薄くなるにつれて前記パターンの露光寸法を小さくする。 - 特許庁
After an exothermic body film which has not been patternized and which has a uniform film thickness is formed, pattern formation is carried out by sand blast treatment or dry etching treatment using a resist pattern to that exothermic body film.例文帳に追加
セラミックス基板の表面上にスクリーン印刷やローラーコートなどにより、均一な膜厚のパターン化されていない発熱体膜を形成した後、その発熱体膜にレジストパターンを用いたサンドブラスト処理又はドライエッチング処理によりパターン形成する。 - 特許庁
To provide a pattern correcting method in which: a correction layer having a uniform film thickness is formed at a defective part of a broken pattern (wiring) in a simple process without repetitive operation; and the electronic resistance of the corrected part is made lower.例文帳に追加
繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線しているパターン(配線)の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能なパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
A nozzle is allowed to descend from a waiting position A only by an initial descending distance nh which is determined by a maximum value UH of undulations on the substrate surface 28a and a thickness NH of a paste pattern 29 drawn by coating a substrate, when coat-drawing of the paste pattern is started.例文帳に追加
ペーストパターンの塗布描画を開始するに際し、基板表面28aのうねりの最大値UHや基板に塗布描画するペーストパターン29の厚みNHなどで決まる初期下降距離nhだけ待機位置Aからのズルを下降させる。 - 特許庁
To decrease resistance by increasing the conductor thickness of a conductor pattern constituting a transmission line equivalently, and to suppress a transmission loss caused by the concentration of an electric field on a bend in the case of a conductor pattern having a bend.例文帳に追加
伝送線路を構成する導体パターンの導体厚を等価的に厚くして抵抗値を下げることができると共に屈曲部分を有する導体パターンであっても屈曲部分での電界集中による伝送損失を抑制できるようにすること。 - 特許庁
To enable the formation of a pattern having a finer width which exceeds the limit of dimensional shape such as a film thickness of the layer which is lifted off and is patterned and a cut shape of resist when the pattern having the narrow width is formed by means of the lift-off method.例文帳に追加
リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。 - 特許庁
The green sheet substrates L1 and L2 are formed so as to be rectangular, and the patterns 3 are provided at positions where the thickness of the green sheet substrate or the pattern 2 or shifting of the pattern 2 in the direction along the surface of the green sheet substrate can be observed from the side.例文帳に追加
グリーンシート基板L1、L2は矩形状に形成されて、検査用パターン3は、グリーンシート基板又は導電パターン2の厚み、或いは導電パターン2のグリーンシート基板面に沿う向きのズレを側方から確認できる位置に設けられている。 - 特許庁
To provide a pattern forming method by which positional deviation of a discharged liquid drop and thermal damage of a substrate are avoided and film thickness uniformity of a pattern comprising a liquid body having high viscosity is enhanced, to provide a liquid drop discharging device and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加
吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避して、高い粘度の液状体からなるパターンの膜厚均一性を向上させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high-sensitivity and high-resolution photosensitive resin composition having high safety, excellent in uniformity of a coating film, capable of enhancing the curing density of a cured resin pattern, and forming a fine resist pattern having a large film thickness and a high aspect ratio.例文帳に追加
安全性が高く、塗膜の均一性に優れ、硬化樹脂パターンの硬化密度を向上することができ、さらに高膜厚、高アスペクト比の微細なレジストパターンを形成できる高感度、高解像性の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated ceramic molding which has no delamination or corruption of a conductor pattern, the molding also being capable of increasing the thickness of the conductor pattern, decreasing the resistance value, improving the adhesiveness between ceramic moldings and easily improving high frequency property.例文帳に追加
導体パターンの剥がれや崩れがなく、しかも、導体パターンの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、セラミック成形体間の接着性の向上、高周波特性の向上を容易に図ることができるセラミック積層成形体を提供する。 - 特許庁
The interlayer insulating film 15 on the metallic layer 6 can be set equal in thickness to the interlayer insulating film on a wiring pattern inside an LSI, and a length measuring contact hole can be formed with qualifications near to those of a contact hole located on an actual wiring pattern.例文帳に追加
そして、金属層6上の層間絶縁膜15の膜圧をLSI内部の配線パターン上の層間絶縁膜と同等にすることができ、実際の配線パターン上のコンタクトホールと近い条件の測長用コンタクトホールが形成される。 - 特許庁
To provide a method for forming pattern using a chemically amplified resist by which formation of a surface insoluble layer is prevented without reducing thickness of a resist layer and the profile and dimensional accuracy of the resist pattern can be improved.例文帳に追加
化学増幅型レジストを用いたパターン形成方法において、レジスト層を膜減りさせずに表面難溶化層の形成を防止し、レジストパターン形状及び寸法精度を向上させることのできるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To obtain a standard coating painting pattern for a simulation by correcting an initial standard coating painting pattern which is obtained by spraying a coating material for a predetermined time with a coater fixed, so that the precision of the simulation of a coating film thickness can be improved.例文帳に追加
塗装機を固定した状態で所定時間だけ塗料を噴射することで得られる初期基準塗装パターンを修正してシミュレーション用の基準塗装パターンを獲得し、もって塗装膜厚シミュレーションの精度向上を実現する。 - 特許庁
To provide a resin board with metal foil, and an electronic component, in which the metal foil can be polished conveniently and accurately up to a specified film thickness by providing the metal foil with a mark indicative of the specified film thickness and a fine circuit pattern can be formed with high accuracy.例文帳に追加
所定の膜厚を示すマークを金属箔に設けることにより、簡便に金属箔を所定の膜厚まで精度良く研磨することが可能で、高精度な微細回路パターン形成が可能な金属箔付き樹脂基板、並びに電子部品を提供する。 - 特許庁
In comparison with the case where the thickness direction of each mounting part 62 is made parallel to the thickness direction of the printed wiring board P, parasitic capacitance between a conductive pattern P3 provided in the printed wiring board P and each mounting part 62 is reduced, thereby reducing an insertion loss.例文帳に追加
各実装部62の厚さ方向がプリント配線板Pの厚さ方向に平行とされる場合に比べ、プリント配線板Pに設けられた導電パターンP3と各実装部62との間の寄生容量が低下することで、インサーションロスが低減される。 - 特許庁
To provide a printing plate cylinder and a printing apparatus capable of using viscous, water or oil ink, resin and conductive paste, etc., also, capable of optionally increasing/decreasing the thickness of a transfer film, and achieving an image line, a pattern and the like of thick film-thickness.例文帳に追加
粘度の高い水性または油性のインキ、樹脂、導電ペーストなどを用いることが可能であり、かつ転写する膜の厚さを任意に増減でき、更に膜厚の厚い画線やパターン等を実現する印刷用版胴および印刷装置を提供することにある。 - 特許庁
Thus, the side etching is suppressed and the decrease in film thickness of the mask is also suppressed, so that even the conductive film whicih is thick having a thickness of 1 to 10 μm and contains aluminum or aluminum alloy is etched to have the steep slope at the end, to secure the desired film thickness, and to suppress the difference in shape from the mask pattern.例文帳に追加
サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚1μm以上10μm以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 - 特許庁
To restrict a reduction in contrast of a pattern caused by unevenness in the film thickness of an etching stepper which is formed on a multilayer film which reflects EUV beams in an EUV beams exposure reflection type mask for use in transferring a pattern in a semiconductor manufacture, or the like.例文帳に追加
半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるEUV光露光用反射型マスクにおいて、EUV光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。 - 特許庁
The wire grid polarizing plate comprises a substrate having a grid-like concavo-convex pattern on a surface thereof and a conductor provided adjacent to at least one side face of a convex portion in the grid-like concavo-convex pattern, in which the substrate surface is provided with a region where the film thickness of the conductor differs.例文帳に追加
表面に格子状凹凸形状を有する基材と、格子状凹凸形状の凸部の少なくとも一方の側面に接して設けられた導電体とを有し、基材表面において導電体の膜厚が異なる領域を設ける。 - 特許庁
A base pattern 10 having predetermined thickness is formed at a position corresponding to the contact hole 7, and a connection part (source region 3a and drain region 3b) to the second wiring 8 of the multi-crystal semiconductor layer 3 is formed on the base pattern 10.例文帳に追加
コンタクトホール7に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン10が形成され、この下地パターン10上に多結晶半導体層3の第2配線8との接続部分(ソース領域3a及びドレイン領域3b)が形成されている。 - 特許庁
In the removing step, one end side of the wiring pattern 104 is removed so that a shortest distance from one end of the wiring pattern 104 to an end surface of the metal substrate 102 through a surface of the insulating layer 103 becomes longer than a thickness of the insulating layer 103.例文帳に追加
除去工程では、配線パターン104の一端から絶縁層103の表面を経て金属基板102の端面に到達するまでの最短距離が、絶縁層103の厚みよりも長くなるように、配線パターン104の一端側を除去する。 - 特許庁
A transparent pressure-sensitive adhesive sheet 1 with a thickness of 50-2,000 μm and a holding force (JIS Z0237) of 0.2-10 mm and a transparent surface material 3 are successively laminated on the base material 4 having an embossed pattern or a printed pattern to constitute the designed laminated material.例文帳に追加
凹凸模様或いは印刷模様を備えた基材4に、厚み50μm〜2000μmで、保持力(JIS Z0237)0.2mm〜10mmである透明粘着シート1と、透明な表面材3とを、順次積層して意匠性積層材を構成する。 - 特許庁
To provide a pattern defect inspection device capable of detecting a defect with high inspection accuracy even when a pattern is formed with a transparent film on an object under inspection and the film thickness of the transparent film is varied according to the position on the object under inspection.例文帳に追加
被検査物体上に透明薄膜でパターンが形成されていて、その透明薄膜の膜厚が被検査物体上の位置によって変化している場合においても、高い検査精度で欠陥を検出できるパターン欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁
The resist pattern 11 is removed, and the entire surface of the silicon oxide film 3 is etching-processed until the remaining silicon oxide film 3 is completely removed, thus thinning the thickness of the silicon oxide film 3 covered with the resist pattern 11 and forming a side wall spacer 7.例文帳に追加
レジストパターン11を除去して、残ったシリコン酸化膜3が完全に除去されるまで、シリコン酸化膜3の全面をエッチング処理することにより、レジストパターン11で覆われていたシリコン酸化膜3の厚みを薄くするとともにサイドウォールスペーサ7を形成する。 - 特許庁
To enhance pattern printing accuracy and to provide an electronic component and method of manufacturing, capable of forming a pattern or an electrode film of proper prescribed thickness for each electronic component, to form an electrode on place of high aspect ratio.例文帳に追加
従来の問題点であったパターン印刷精度を高めるだけでなく、電子部品の使用場所に適した所定の膜厚で、パターン及び電極を形成したり、更には、アスペクト比の高い部分にも電極を形成可能な電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A standard pattern using a wavelength as a parameter for the differential value of interference light with reference to the prescribed step of a first material to be treated and a standard pattern using a wavelength as a parameter for the differential value of interference light with reference to the prescribed mask residual film thickness of the material to be treated are set.例文帳に追加
第1の被処理材の所定段差に対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンと被処理材の所定マスク残膜厚さに対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンを設定する。 - 特許庁
In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加
図1(a)に示すように、半導体基板1の表面に段差パターン2を形成する工程と、段差パターン2の上に化学気相成長法を用いて膜厚d1が1μmを超えるCVD酸化膜10を形成する工程を行う。 - 特許庁
Only the relatively thin adhesive layer 3 with a thickness of 50 μm or below is interposed between the circuit patterns 4 and 5, and these circuit patterns 4 and 5 are allowed to approach each other to be capable of enhancing the heat conductivity from one circuit pattern 4 to the other circuit pattern 5.例文帳に追加
回路パターン4、5の間には厚みが50μm以下で比較的薄い接着層3が介在するだけであり、しかも、回路パターン4、5を近接させて一方の回路パターン4から他方の回路パターン5への熱伝導性を高めることができる。 - 特許庁
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