「type pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve light fitting efficiency with enough brightness assured of a hot zone of a light distribution pattern, in a light fitting unit for a vehicle of a reflective type with a light-emitting device as a light source.例文帳に追加

発光素子を光源とする反射型の車両用灯具ユニットにおいて、配光パターンのホットゾーンの明るさを十分に確保した上で、灯具効率を高める。 - 特許庁

The inspection condition of the electron beam type pattern inspection device is prepared using an inspection condition of several kinds of defaults set in advance and an inspection condition prepared in the past.例文帳に追加

電子線式パターン検査装置の検査条件は、予め設定された数種のデフォルトの検査条件、及び、過去に作成した検査条件を利用して作成する。 - 特許庁

To provide a coin identifying device capable of easily identifying the type and truth/falsehood of a coin with high accuracy by paying attention to recessed/projecting information made by a punched pattern on the coin surface.例文帳に追加

コイン表面における打抜模様がなす凹凸情報に着目して、その種別や真偽を簡易に、精度良く識別することのできるコイン識別装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition which improves line edge roughness(LER), has high sensitivity and high resolving power and ensures improved surface roughness of a resist pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改良し、高感度、高解像力を有し、更にレジストパターンの表面荒れが改良されたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

When an image forming device 107 prints out a test pattern instructed by a pattern instruction 13 on output paper used for a printout in calibration relating to the printout characteristics of an image forming device 107 and an image reader 126 reads the pattern, a read changeover device 11 is used to select an image reading function in response to the type of output paper on which the test pattern is printed out.例文帳に追加

画像形成装置１０７のプリント出力特性に関するキャリブレーションにおいて、プリント出力に用いる出力用紙に対しパターン指示１３によって指示されたテストパターンを画像形成装置１０７によってプリントし、そのパターンを画像読取り装置１２６で読取る際、読み取り切り替え１１によって、テストパターンをプリント出力した出力用紙の種類に応じた画像読取りの機能に切り替える。 - 特許庁

It is estimated what property each combustion zone of a stoker type incinerator will have in future by assuming a flow rate of air supplied to the zone over future, and on the basis of an estimated result an optimum combustion pattern is obtained using an evaluation function, on the basis of which pattern the stoker type incinerator is controlled in combustion.例文帳に追加

ストーカ式焼却炉の各燃焼ゾーンに供給する空気流量を将来に亘って仮定することにより燃焼ゾーンが将来どのような性状になるかを推定し、推定結果をもとに評価関数を用いて最適燃焼パターンを求め、この最適燃焼パターンに基づいてストーカ式焼却炉を燃焼制御する。 - 特許庁

The second electrode is divided into a plurality of parts by slits formed continuously to the hole type pattern part and potential distribution is formed by applying voltage for setting a pair of electrodes opposed to each other in the diameter direction of the hole type pattern to the same potential to variably control optical characteristics on the basis of elliptic refractive index distribution.例文帳に追加

第２の電極が前記穴型パターン部と連続的に設けられたスリットにより複数部分に分割され、穴型パターンの直径方向に対向する対の電極を同電位とする電圧を加えて電位分布を形成することで、楕円形状の屈折率分布に基づいて光学的特性を可変制御できるようにしている。 - 特許庁

To provide a new base resin for a positive type resist giving a radiation sensitive chemical amplification type positive resist composition having high sensitivity and high resolution, ensuring good heat resistance, good focal depth-width characteristics, good aging stability relating to pattern form and good shelf stability of a resist solution and capable of forming a resist pattern having no substrate dependency and excellent in profile shape.例文帳に追加

高感度、高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性がよく、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できる、放射線に感応する化学増幅型のポジ型レジスト組成物を与える新規なポジ型レジスト用基材樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a two-layer photoresist in which the bottom of a groove is made stably flat and the groove has no variation in depth with respect to a pattern forming method for a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of a light source for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光源の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストのパターン形成方法について、グルーブの底が安定して平らになり、グルーブの深さの変動がない２層フォトレジストのパターン形成方法を工夫すること。 - 特許庁

To provide a method of determining a type of an optical disk further rapidly determining the type of the loaded disk by varying the type determination sequence of the optical disk by taking the user's pattern of using the optical disk, a frequency and a point of time of using the optical disks by the types into consideration.例文帳に追加

ユーザーの光ディスク使用パターン、類型別の光ディスクの使用頻度及び使用時点を考慮して、光ディスクの類型判別順序を可変させることによって、ローディングされた光ディスクの類型をさらに迅速に判別できる光ディスクの類型判別方法及びそのデータ記録及び／または再生装置を提供する。 - 特許庁

On the silicon layer 33, an n-type well area 34 is formed in a racetrack shape pattern, in inner area and outer area of which p-type base areas 35a, 35b of the MOSFETs 21a, 21b are respectively formed to reach a silicon oxide film 32 through p-type well areas 44a, 44b.例文帳に追加

シリコン層３３に、ｎ型ウェル領域３４がレーストラック形状のパターンで形成され、その内側領域および外側領域にＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂのｐ型ベース領域３５ａ、３５ｂがｐ型ウェル領域４４ａ、４４ｂを介してシリコン酸化膜３２に到達するようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

In this titanium dioxide, an average secondary particle size is 2-30 μm; an average primary particle size is ≤1.5 μm; and when main peak intensity of bronze type titanium dioxide in a powder X-ray diffraction pattern is assumed to be 100, main peak intensity of each of rutile type titanium dioxide and anatase type titanium dioxide is ≤5.例文帳に追加

本発明の二酸化チタンは、平均二次粒子径が２μｍ〜３０μｍ、平均一次粒子径が１．５μｍ以下であり、粉末Ｘ線回折パターンにおけるブロンズ型二酸化チタンの主ピーク強度を１００としたとき、ルチル型二酸化チタン及びアナターゼ型二酸化チタンの主ピーク強度がいずれも５以下である。 - 特許庁

The semiconductor device is configured to include: a first conductive type pillar region 12; and second conductive type pillar regions 13 which are periodically disposed in a direction substantially in parallel to a main face of a semiconductor substrate, and are disposed in a stripped pattern substantially in the same direction to the first conductive type pillar region 12.例文帳に追加

第１導電型のピラー領域１２と、半導体基体の主面に対して略平行な方向に周期的に配置され、第１導電型のピラー領域１２と略同一方向の縞状に配置されている第２導電型のピラー領域１３とを備える半導体装置を構成する。 - 特許庁

The contact pressure of a wiping roll 20 after it is adjusted in accordance with printing specifications such as a type of ink and a type of a pattern is stored, and when printing is performed in accordance with the same print specifications again, the stored contact pressure of the wiping roll 20 is read and set.例文帳に追加

インキの種類や絵柄の種類等の印刷仕様に応じて調整された後のワイピング・ロール２０の接触圧を記憶し、再度、同じ印刷仕様を印刷する際、記憶されたワイピング・ロール２０の接触圧を読み出して設定するようにした。 - 特許庁

Also, when the latency conditions are satisfied, a transition lottery of a performance mode is executed, and expectation of a high probability game state and a type of the performance mode are allowed to differ according to a type of the variation pattern determined in the variation.例文帳に追加

また、潜伏条件の成立時には、演出モードの移行抽選が実施されるとともに、高確率遊技状態の期待度や演出モードの種別が当該変動時に決定された変動パターンの種別に応じて異なるようにした。 - 特許庁

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields.例文帳に追加

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。 - 特許庁

The chemical amplification type resist material 3 containing a base resin, a photo-acid generating agent and a cationic polyelectrolyte is applied on a substrate 1, heat-treated and developed with an aqueous alkali solution to form a positive type resist pattern 5.例文帳に追加

ベース樹脂、光酸発生剤、及びカチオン性高分子電解質を含有してなる化学増幅型レジスト材料３を基板１上に塗布し、熱処理を行った後、アルカリ水溶液により現像を行い、ポジ型のレジストパターン５を形成する。 - 特許庁

To realize an AC type plasma display device in which sustain block driving is performed, the AC type plasma display device having high operation stability by solving problems due to more complicated routing of wiring pattern.例文帳に追加

維持ブロック駆動を行うＡＣ型プラズマディスプレイ装置において、配線パターンの引き回しが複雑になることに起因する課題の発生を抑制することにより、動作安定性の高いＡＣ型プラズマディスプレイ装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

To adjust the threshold voltage of a p-channel type field effect transistor and n-channel type field effect transistor with a relatively thin gate insulating film, without increasing the number of photomasks and the number of formation/removal processes for the photoresist pattern.例文帳に追加

フォトマスクの枚数およびフォトレジストパターンの形成・除去工程数を増やすことなく、相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｐチャネル型の電界効果トランジスタおよびｎチャネル型の電界効果トランジスタのしきい値電圧を調整する。 - 特許庁

Inside the vacuum chamber 100, a resist film 102 is irradiated with the EUV light, emitted from an EUV light source through the reflection type mask 106, from which the deposit film is removed, and the pattern of the reflection-type mask 106 is transferred to the resist film 102.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を、堆積膜が除去された反射型マスク１０６を介してレジスト膜１０２に照射して、反射型マスク１０６のパターンをレジスト膜１０２に転写する。 - 特許庁

To provide an antenna device for a vehicle window which improves receiving performance, wherein an antenna element facilitates broadband impedance matching regardless of a small and simple pattern and can be used both as a ground type and as a non-ground type.例文帳に追加

小型でシンプルなパターンのアンテナ素子でありながら、広帯域でインピーダンス整合を取ることが容易であり、さらに、接地型としても非接地型としても用いることができ、受信性能を向上させた車両ウィンドウ用アンテナ装置を提供する。 - 特許庁

Next in an ultraviolet irradiation process B, the ultraviolet setting type ink is cured by irradiating the synthetic resin-made film pattern-printed with the ultraviolet setting type ink containing the luminous pigment with ultraviolet light using a high pressure mercury lamp 6 or the like.例文帳に追加

次に、紫外線照射工程Ｂにおいて、蓄光顔料を含有する紫外線硬化型インキをパターン印刷した合成樹脂製フィルムに高圧水銀ランプ６等により紫外線を照射することによって、紫外線硬化型インキを硬化させる。 - 特許庁

When the shape, pattern, or color of the specification tags 62, 64 and 66 or their combinations are different according to the different type of the game machine, the player can identify the type of the game machine 10 by just seeing the specification tags 62, 64 and 66.例文帳に追加

このように、遊技機のタイプが異なると仕様票６２、６４、６６の形状、模様若しくは色彩又はこれらの結合が相違していると、遊技者は、仕様票６２、６４、６６を一目するだけで、遊技機１０のタイプを識別することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an inkjet head related to a positive type resist which does not generate cracks even when a resin composition becoming an ink passage wall is solvent-coated on the upper layer of the positive type resist which forms a liquid chamber pattern of a thick film, and to provide the inkjet head.例文帳に追加

厚膜の液室パターンを形成するポジ型レジストの上層に、インク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートしても、クラックを生じることがないポジ型レジストに係るインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドの提供。 - 特許庁

Alignment marks 25a, 25b are provided in an inner region inside the outer periphery of an electrode pattern constituted of a plurality of electrodes 24 of a first conductivity type and a plurality of electrodes 25 of a second conductivity type formed on one surface side of a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板２１の一方の面側に形成された複数の第１導電型用電極２４および第２導電型用電極２５からなる電極パターンの外周より内側の内部領域にアライメントマーク２５ａ，２５ｂを有する。 - 特許庁

An image area separating device for separating a character portion and a pattern portion of an image is provided with an SIMD (single instruction-stream multiple data-stream) type processor, and a table converter 81 performing table conversion using data of a register 53 of a register file 43 of the SIMD type processor as an address.例文帳に追加

画像の文字部と絵柄部とを像域分離する像域分離装置は、ＳＩＭＤ型プロセッサと、ＳＩＭＤ型プロセッサのレジスタファイル４３のレジスタ５３のデータをアドレスとするテーブル変換を行なうテーブル変換器８１とを備えている。 - 特許庁

FILM TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE PROVIDED WITH TEST PAD HAVING SHARED OUTPUT CHANNEL, TEST METHOD FOR FILM TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE, TEST DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH PATTERN SHARED WITH TEST CHANNEL, AND TESTING METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

出力チャンネルが共有されるテストパッドを備えるフィルム型半導体パッケージ及びフィルム型半導体パッケージのテスト方法、テストチャンネルが共有されるパターンを備えるテスト装置及び半導体装置、並びに半導体装置におけるテスト方法 - 特許庁

To provide a small-sized mobile type electronic apparatus and a mobile type electronic clock which can prevent malfunction due to the influence of noise, regarding a circuit board wherein constraints are placed in a wiring layout by the design of a product, and the wiring pattern of a micronic signal becomes long.例文帳に追加

製品のデザインによって配線レイアウトに制約が生じ、微小信号の配線パターンが長くなる回路基板に関して、ノイズの影響による誤動作を防止できる小型の携帯型電子機器および携帯型電子時計を提供する。 - 特許庁

A plurality of characteristic points such as characteristic points 3a-3d are extracted by characteristic point extraction processing from a captured image 1 obtained by imaging a circuit pattern 2 that is a standard pattern included in a standard material of the same type as that of an object to be aligned.例文帳に追加

位置合わせを行う対象物と同じ種類の基準物に含まれる基準パターンである回路パターン２を撮像した撮像画像１から、特徴点抽出処理により特徴点３ａ〜３ｄなどの複数の特徴点が抽出される。 - 特許庁

To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition which can suppress the dimples produced when using a halftone phase shift mask and permits the strict control of the variation of resist pattern sizes per unit temperature in order to cause the thermal flow of the resist pattern after development.例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスクを用いたときに生じるディンプルを抑制することができ、しかも現像後のレジストパターンを熱フローさせるため、単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量を厳密にコントロールできる化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁

To provide a projector type headlamp for a vehicle capable of performing light condensing or diffusion not causing unevenness to a light distribution pattern, making a space in front of the vehicle brighter, forming the light distribution pattern having a desired illuminance distribution, and improving visibility in front of the vehicle.例文帳に追加

配光パターンにムラのない集光や拡散ができ、車両前方をより明るくでき、所望の照度分布をもった配光パターンを形成でき、車両前方の視認性向上を図ることができるプロジェクタ型の車両用前照灯を提供する。 - 特許庁

To restrict a reduction in contrast of a pattern caused by unevenness in the film thickness of an etching stepper which is formed on a multilayer film which reflects EUV beams in an EUV beams exposure reflection type mask for use in transferring a pattern in a semiconductor manufacture, or the like.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ光露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。 - 特許庁

In this case, the adding pattern of pixel output is determined according to the type of image processing to be performed by an image processor 4 of a later stage, and an image is generated by adding the pixel output of image signals to be outputted from the imaging device 1 by the adding pattern.例文帳に追加

その際、後段の画像処理装置４で行われる画像処理の種別に応じて画素出力の加算パターンを決定し、その加算パターンにより撮像素子１から出力される画像信号の画素出力を加算して画像を生成する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which is used to manufacture a circuit board of a semiconoductor element such as an IC, a liquid crystal display device, a thermal head, etc., and further for lithography processes of other photofabrication, and is not apt to have film reduction and pattern collapse, and a pattern forming method.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体素子、液晶表示装置、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィ工程に用いられる、膜減りしにくく、パターン倒れしにくいネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A pattern memory means 130 holds an expansion type variation pattern including a performance mode presenting a symbol candidate to be at least one symbol among symbols constituting a symbol combination presenting a result of win/lose lottery in a win/lose lottery means 112.例文帳に追加

パターン記憶手段１３０は、当否抽選手段１１２における当否抽選の結果を示す図柄組合せを構成する図柄のうち少なくともひとつの図柄となる図柄候補が提示される演出態様が含まれた拡張型変動パターンを保持する。 - 特許庁

After patterning a wiring pattern 2 and a connection terminal 3 with positive type photosensitive resist 6 on an insulating substrate 1, the photosensitive resist 6 on the wiring pattern 2a covering the connection terminal 3 part and solder resist 4 is removed selectively thus forming the solder resist 4.例文帳に追加

絶縁基板１上にポジ型の感光性レジスト６で配線パターン２と接続端子３をパターニングした後、接続端子３部およびソルダーレジスト４を被覆する配線パターン２ａ上の感光性レジスト６を選択的に除去した後、ソルダーレジスト４を形成する。 - 特許庁

To provide a laser marking device capable of simplifying the input work of marking information on each mark in its matrix arrangement pattern when marking a plurality of marks by a non-grid type matrix arrangement pattern, and rapidly executing the marking work.例文帳に追加

複数のマークを非マス目状の行列配置パターンでマーキングする場合に、その行列配置パターンにおける各マークに関するマーキング情報の入力作業が簡便であってマーキング作業を迅速に実行することができるレーザマーキング装置を提供する。 - 特許庁

To sufficiently ensure brightness of a diffusion region of a light distribution pattern after reducing the longitudinal length of a lamp unit, in a vehicular headlamp which is structured to form a predetermined light distribution pattern by light irradiation from a projector type lamp unit.例文帳に追加

プロジェクタ型の灯具ユニットからの光照射により所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの前後長を短くした上で、配光パターンの拡散領域の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

The scanning type probe microscope is provided further with an acquisition-registering means for acquiring and registering a reference pattern for alignment, and a recipe formation means for recipe-registering the luminous energy to an illuminance when registering an image pattern to a recipe by the acquisition-registering means.例文帳に追加

さらに走査型プローブ顕微鏡は、アライメントのための参照用パターンを取得・登録する取得登録手段と、この取得登録手段によって画像パターンをレシピに登録した時の照度に光量をレシピに登録するレシピ化手段とを備える。 - 特許庁

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom.例文帳に追加

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。 - 特許庁

A slit-like dummy pattern 7 is provided at the cell plate ends of a DRAM having a CUB(capacitor under bit line) structure with inner wall type cylinders, and the same material as that of stacked electrodes 8 is buried in the slit-like dummy pattern 7 as dam blocks for preventing the cylinder deformation at the cell plate ends.例文帳に追加

内壁型シリンダーを持つＣＵＢ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ ＵｎｄｅｒＢｉｔｌｉｎｅ）構造のＤＲＡＭのセルプレート端にスリット状のダミーパターン７を設け、このスリット状のダミーパターン７には、スタック電極８と同種の材質を埋め込んで、セルプレート端のシリンダー変形を防ぐ堤防としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method applicable to a roll-to-roll pattern forming method on a flexible web-type substrate, considering the increase in difficulty of forming a high-definition pattern on a hard flat substrate because of an increase in a substrate size, and to further improve quality and efficiency.例文帳に追加

硬い平面基板への高精細パターン形成が基板の大型化に伴い困難を増していることに着目し、柔軟性のあるウェブ状基材にロールｔｏロール型のパターン形成法を適用できる方法を提供し、さらに品質・効率を向上する。 - 特許庁