ga-sとは 意味・読み方・使い方

In the case of the equal glossiness of the respective sides (Ga=Gb), the operation is progressed to S 7 and ordinary image formation is performed.例文帳に追加

各面の光沢度が異なる場合にはＳ４にてａ面の光沢度Ｇａがｂ面の光沢度Ｇｂより低いかどうかが判断される。 - 特許庁

Similarly, an optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-As-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

同様に、Ｇｅ−Ｇａ−Ａｓ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

As the multi-exciton generator, a compound semiconductor containing at least one or more kinds of elements selected from Cu, In, Ga, Se, S, Te, Zn and Cd is used.例文帳に追加

多励起子発生剤は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ、及びＣｄから選ばれる１種以上の元素を含む化合物半導体が用いられる。 - 特許庁

The oxide semiconductor is expressed by InMO_3(ZnO)_m (M= one or a plurality of element(s) selected from Ga, Fe, Ni, Mn, Co and Al; and m is a non-integer of at least 1 and less than 50).例文帳に追加

ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｍは１以上５０未満の非整数）である。 - 特許庁

The manufacturing method has a step of receiving the molten glass gob GA into the recessed surface 11 so that the upper end part 114 of the second surface 112 is positioned below the widest part S where the width in the horizontal direction in the molten glass gob GA is widest.例文帳に追加

本発明の製造方法は、溶融ガラス塊ＧＡのうち水平方向に関する幅が最も大きい最広部Ｓの下方に、第２面１１２の上端部１１４が位置するように、溶融ガラス塊ＧＡを凹面１１に受ける工程を有する。 - 特許庁

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。 - 特許庁

The sputtering target contains, by atomic%, 20 to 40% Ga, 0.05 to 2% Na and 0.025 to 1.0% S, and the balance comprising Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、 さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。 - 特許庁

This ultraviolet photodetector has an ultraviolet photoreceiving element provided with a photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group of Al, Ga and In, and nitrogen, and an electrode, on a substrate, and an end face of the substrate is a photoreceiving face.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記基板の端面が受光面である紫外線受光器である。 - 特許庁