「ばんそうこう」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

ダイヤモンド砥粒を分散させたニッケルメッキ液Ｍ内に浸漬した基材１１に堆積した堆積砥粒層Ｄ２の上部を、均し板１２を基材１１に対して相対的に移動させて均しながら多層構造の砥粒層を形成させることにより、砥粒層形成に要する時間を短縮することができる。例文帳に追加

An upper part of a deposited abrasive grain layer deposited on a substrate 11 immersed in nickel plating liquid M in which diamond abrasive grains are dispersed is evened by moving an evening plate 12 relatively to the substrate 11 for forming a multilayer structure of abrasive grain layers, so time required for forming the abrasive grain layers can be shortened. - 特許庁

液晶表示基板等に用いられる薄膜積層構造の一部または全部の薄膜を、真空処理装置を用いずに成膜して、初期投資コスト及びランニングコストの低減と共にスループットを高めて、製造コストを大幅に低減することができる薄膜デバイス及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film device that greatly reduces the manufacturing cost by reducing initial investment cost and running cost and increases throughput by forming some or all thin films of a thin film laminated structure used for a liquid crystal display substrate etc., without using a vacuum processing apparatus, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

警告制御装置２１は、徴収エリア１を走行する車両の運転手が通行料金を支払う所定の操作を行ったか否かを確認し、通行料金を支払わずに徴収エリア１を通過したと判定した場合、その車両に対して、車両のナンバープレート番号を含む支払い要求を警告表示部１０７に表示させる。例文帳に追加

A warning controller 21 confirms whether or not the driver of a vehicle traveling on a toll collection area 1 performs a prescribed operation for paying a toll and displays a payment request including the number plate number of the vehicle on a warning display part 107 when the driver is judged to pass the toll collection area 1 without paying the toll. - 特許庁

液滴吐出法を用いて接続配線を形成する際に、吐出ヘッドと、基板上の配線パターンと、電子デバイスの接続端子とを正確に位置合わせすることができ、これにより得られる信頼性に優れた接続配線によって高信頼性の実装構造を実現し得る電子デバイスの実装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging method of an electronic device that can accurately align a discharge head, a wiring pattern on a substrate, and a connection terminal of the electronic device when using a droplet discharge method for forming connection wiring, and can achieve a reliable packaging structure by reliable connection wiring obtained by the accurate alignment. - 特許庁

本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が（０００１）面から［１１−２０］方向に第１の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。例文帳に追加

The method for manufacturing the gallium nitride compound semiconductor element comprises a step for forming an aluminum nitride layer having conductivity on the surface of a silicon carbide substrate, whose surface is inclined at a first angle from the (0001) plane toward the [11-20] direction, and a step for forming a gallium nitride compound semiconductor laminated structure on the aluminum nitride layer. - 特許庁

本発明指先痛防止絆創膏は、内側方向に可撓性を備えたシート又はフィルム状の基材に、縦方向に弾発性を備えたプラスチック製の細幅縦筋状突起が左右間隔をおいて形成されたリブ材が固着され、前記リブ材の内側面上に少なくとも粘着剤層を含む表面材が粘着されていることを特徴とする。例文帳に追加

As for the fingertip pain prevention adhesive plaster, a rib material where plastic small-width, vertical-stripe protrusions provided with spring-like properties are formed in a vertical direction with right and left intervals is fixed to a sheet or film-like base material which is flexible inward, and a surface material including at least an adhesive layer is stuck onto the inner surface of the rib material. - 特許庁

クレーンのガーダ上に設置した巻上及び横走行用モータをそれぞれ駆動するインバータ等の制御を行う制御盤と、クラブに配設したコントローラとを接続する通信手段の構成を簡易化することにより、信号線の接続ミス等を原因とするクレーンの動作エラーを低減した信頼性の高いクレーンの駆動制御システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a crane drive control system of high reliability involving reduced errors in the crane operation originating from misconnection, etc., of signal line(s) by simplifying the configuration of a communication means to connect a control board with a controller installed at a crab, wherein the control board controls inverter, etc., to drive a windup motor and traversing motor mounted on a crane girder. - 特許庁

導体層上に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミドフィルムを、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２及び第３ポリイミド層３の３層構造とし、第２ポリイミド層２として導体と略同一の熱線膨張係数を有するものを使用し、導体層に接する側に配設する第１ポリイミド層１をスルホン基含有ポリイミドから構成する。例文帳に追加

A polyimide film for constituting an insulation layer of a flexible board composed of this insulation layer laid on a conductor layer has a three- layer structure composed of a first, second and third polyimide layers 1, 2, 3, the second layer 2 uses one having approximately the same thermal linear expansion coefficient as the conductor, and the first polyimide layer 1 adjacent the conductor layer is made of sulfo group-contg. polyimide. - 特許庁

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

本溶接機１０は、突き合わせ継ぎ手を形成する２枚の金属板の接合間隙に沿って設けられた軌道上を走行するロボットにそれぞれ保持された溶接トーチと、銅製当て金板とを備え、溶接トーチ１２は、縦方向ウィービングを行う手段と、トーチ先端近傍に臨んで出口開口を有するシールドガス供給管とを有する。例文帳に追加

This welding equipment 10 is provided with a welding torch, which is each retained by a robot running on a rail installed along the welding gap between two metallic plates that forms a butt joint, and with a copper backing plate, while the welding torch 12 is provided with a means for performing vertical weaving and with a shielding gas feeding pipe having an exit opening near the tip end of the torch. - 特許庁

本発明は、相互接続線は、配線の長さの差による画像不良を積層構造方式のキャパシタンスに補償するため、ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネルに印加するための相互接続線部の厚さを異にしたり、相互接続線部の基板上の中央部分が周辺部分より更に広い面積を有するように導電層を形成してあることを特徴とする。例文帳に追加

In order to compensate the defective image caused by the difference of length between the interconnection lines with the capacitor of a layered structure type, a conductive layer is formed so that thicknesses of interconnection line parts for applying a signal from a driving integrated circuit to a liquid crystal display panel are differentiated, or the center part on a substrate of the interconnection line part has a wider area than the peripheral part thereof. - 特許庁

アクティブ型EL表示装置において、ELパネル３０，４０の陰極５５から信号入力基板３５の接続端子３６までの配線を、陰極材料と薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料との多層構造とするか、薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料のみで構成する。例文帳に追加

In this active-type EL display device, wiring from a negative electrode 55 of an EL panel 33 to a connection terminal 36 of a signal input board 35 is integrated into a multilayer structure along with a negative electrode material and a conductive material used in a thin-film transistor forming process, or formed of only the conductive material used in the thin-film transistor forming process. - 特許庁

ワイヤソー駆動装置７によってダイヤモンドワイヤソー５を走行駆動して床版を水平切断すると共に、吸引機９で溝２の内の空気を吸引して秒速２０ｍ以上の空気流をおこし、ダイヤモンドワイヤソー５に付着した切り粉を吸引除去すると共にダイヤモンドワイヤソー５を冷却する。例文帳に追加

The diamond wire saw 5 is driven by a wire saw driving device 7 to horizontally cut a floor slab, and air in the groove 2 is sucked by a sucking machine 9 to cause an air flow having a velocity of 20 m/s or more, whereby cutting chips adhered to the diamond wire saw 5 is removed and the diamond wire saw 5 is cooled. - 特許庁

前記のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後の感光性樹脂膜の露光部を除去するためにアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含むパターンの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a pattern includes the step of applying the positive photosensitive resin composition on a supporting substrate and drying it, the step of exposing the photosensitive resin film obtained by the drying step, the step of implementing development using an alkali solution to remove the exposure portion of the photosensitive resin film after the exposure, and the step of heat-treating the photosensitive resin film after the development. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。例文帳に追加

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor. - 特許庁

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。例文帳に追加

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28. - 特許庁

システムＬＳＩ等のような大型化されたＬＳＩチップを熱膨張係数が大きく異なるプリント配線板に直接接続実装して小型化および薄型化を図った場合において、ＬＳＩチップやはんだボール等の接合部材の部品を破壊することなく接続信頼性を十分確保することができるようにしたＬＳＩチップ実装構造体を提供することにある。例文帳に追加

To provide an LSI chip mounting structure by which an enough connection reliability can be ensured without destroying the LSI chip and bonding members such as solder balls when reduction in size and thickness of a large- sized LSI such as system LSI is aimed by directly connecting and mounting the LSI on a printed wiring board which exhibits a coefficient of thermal expansion largely different from that of the LSI chip. - 特許庁

ワイヤソー３４を走行させて昇降機構１６によってワイヤソー装置部１４を下降させ、切削部３４ａによって突起２を上下方向へ切断し、その後、回転板２２を回転させて切削部３４ａによって突起２の底部を水平方向に切断し、突起２を穴１から除去する。例文帳に追加

The wire saw 34 is traveled to lower the wire equipment section 14 by the rising and falling mechanism 16, a projection 2 is cut off in the vertical direction by the cutting section 34a, and then, the rotational plate 22 is rotated to cut off the bottom of the projection 2 in the horizontal direction by the cutting section 34a, and the projection 2 is eliminated from a hole 1. - 特許庁

自動車の緩衝器におけるピストンロッドとオイルシールやピストンバンドとシリンダ等摺動部の摩擦力を適度に高めるとともに、自動車の高速走行時の操縦安定性、危険回避性能およびワインディング道路での旋回性能などの向上を図ることができる自動車緩衝器用潤滑油組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a lubricating oil composition for an automobile shock absorber capable of moderately increasing the frictional force at a sliding portion of an automobile shock absorber such as the part between a piston rod and an oil seal and between a piston band and a cylinder and improving the steering stability of an automobile on high-speed running, the danger avoiding performance, the turning performance on a winding road, etc. - 特許庁

半導体素子、モジュール基板、表示素子等の電子部品とシート上にパターニングされた配線導体との間の接続実装を簡単なプロセスで接続信頼性を向上させて実現して高歩留まりで、且つ低コストで製造することができるようにした電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線ＩＣカードおよびその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To realize in a simple process connection and mounting between electronic components of semiconductor elements, module boards, indication elements, etc., and a wiring conductor patterned on a sheet with a raised connection reliability to manufacture with a high yield a low cost. - 特許庁

民間の力の活用が十分でない分野等での規制・制度改革を断行するため、国家戦略特区関連法案や産業競争力強化法案の次期臨時国会提出をはじめとして、戦略地域単位、企業単位、全国単位の三層構造で構造改革を推進する制度的基盤を整備する。例文帳に追加

In order to force through regulatory and institutional reform in fields where private-sector power has not been exercised sufficiently, the government will submit bills for related Acts on National Strategic Special Zones and the Industrial Competitiveness Enhancement Act at the next extraordinary Diet session, and will endeavor to develop an institutional structure to promote structural reforms with the three-area approach: on a region-wide basis, on a corporation basis, and on a nation-wide basis. - 経済産業省

コンテンツ産業における部門別の市場の推移を見てみると、音楽やキャラクター部門はマイナス成長が見込まれる一方で、放送（広告をのぞいたドラマ等のテレビ番組）が2009 年から2014 年にかけて年平均7.0%増、ゲームが同5.5%増、映画が同4.5%増、アニメが同4.3％増等大きな成長をとげると予想されている（第3-3-2-6 図）。例文帳に追加

Looking at the market trend of the contents industry by division, broadcasting (TV programs such as dramas, excluding advertisement) is expected to significantly grow during 2009 to 2014 by an annual average of 7.0%, as well as games (5.5%), movies (4.5%), and animated films (4.3%), while the music and character division is expected to remain in negative growth (Figure 3-3-2-6). - 経済産業省

当初は、琵琶湖から日本海と瀬戸内海を結ぶ阪敦運河構想を北栄造福井県知事が調整し始めたが、当時の平田佐矩四日市市長が熱心だったこともあり、福井県・滋賀県・岐阜県・愛知県・三重県、名古屋市・敦賀市・四日市市の間で、自民党副総裁の大野伴睦を会長に、総工費2500億円～3500億円に及ぶ若狭湾～琵琶湖～伊勢湾を結ぶ運河の建設期成同盟が結成された。例文帳に追加

Initially, the governor of Fukui Prefecture, Eizo KITA, accommodated the plan 'Framework on Hanko Canal' (阪敦運河構想) to connect the Sea of Japan and the Seto Inland Sea via Lake Biwa, but because Sukenori HIRATA, who was then the mayor of Yokkaichi City, was keen on the plan, the alliance for the construction of the canal to connect Wakasa Bay and Ise Bay via Lake Biwa (at a total cost of 250 to 350 billion yen) was formed with Banboku ONO, the Vice President of the Liberal Democratic Party, as chairman, among Fukui Prefecture, Shiga Prefecture, Gifu Prefecture, Aichi Prefecture, Mie Prefecture, Nagoya City, Tsuruga City and Yokkaichi City.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体基板１２上に形成した電極パッド１４と、半導体基板を覆い電極パッド部分に開口部を有する絶縁膜１６と、ストレートウォール形状の突起電極２２を備えた半導体装置の製造方法において、突起電極上面部をエッチングにより除去することにより突起電極下部よりも小さい凸部電極４４を形成する半導体装置の製造方法方法、その製造方法で製造された半導体装置、及びその半導体装置の実装構造を提供する。例文帳に追加

The upper surface of the projecting electrode is removed by etching, so that a convex electrode 44 smaller than the lower side of the projecting electrode is formed. - 特許庁

アルミニウム板の一面または両面に、下層には融点２４０℃以下の酸変形ポリエステル樹脂フィルムと、上層には融点２５０℃以上の結晶性２軸配向ポリエステル樹脂フィルムから構成される２層構造のポリエステル樹脂フィルムが接着され、又は、アルミニウム板の一面に接着剤が塗布された結晶性２軸配向ポリエステル樹脂フィルムが接着されていることを特徴とする電解コンデンサ外装容器。例文帳に追加

An electrolytic capacitor outer case is formed of an aluminum plate where a polyester resin film, which is a two-layered structure composed of a lower acid-deformation polyester resin film, whose melting point is 240°C or below and an upper crystalline biaxially oriented polyester resin film whose melting point is 250°C or above, is bonded to its one side or both its sides. - 特許庁

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。例文帳に追加

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer. - 特許庁

ボール・グリッド・アレイを実装するためのパッドおよび配線を含む回路基板、ボール・グリッド・アレイの実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器において、回路基板が、ボール・グリッド・アレイを実装するためのパッドと、当該パッドおよび外部端子を接続するための配線と、ソルダーレジストと、を含み、当該ソルダーレジストが、パッドおよび配線を一括的に露出させるための開口部を有している。例文帳に追加

In the circuit board including pads for the mounting ball grid array and wiring, in the mounting structure of the ball grid array, in the electro-optical device and in the electronic apparatus; the circuit board includes the pads for mounting the ball grid array, includes the wiring for connecting the pads and external terminals, and includes a solder resist which has an aperture part for collectively exposing the pads and the wiring. - 特許庁

埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。例文帳に追加

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge. - 特許庁

水素化ポリスチレン系樹脂から主としてなる基板、記録層および接着層または保護層がその順に積層された積層体（Ｌ）を少なくともその層構成の一部に含む光記録媒体において、該接着層に下記式（Ｉ）で定義される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶解度パラメータと接着層の平均溶解度パラメータとの乖離度（Δ）が、９．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるカチオン系紫外線硬化樹脂硬化層を用いることを特徴とする水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。例文帳に追加

In the optical recording medium having a laminated body (L) of a substrate essentially made of a hydrogenated polystyrene resin, a recording layer and an adhesive layer or a protective layer laminated in this order as at least a part of the layer structure, a cationic UV-curing resin hardened layer having the following property is used as the adhesive layer. - 特許庁

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film. - 特許庁

水素化ポリスチレン系樹脂から主としてなる基板、記録層および接着層がその順に積層された積層体Ｌを少なくともその層構成の一部に含む光記録媒体において、該接着層に下記式（Ｉ）で定義される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶解度パラメータと接着層の平均溶解度パラメータとの乖離度（Δ）が、９．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるアクリル系粘着剤を用いることを特徴とする水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。例文帳に追加

In the optical recording medium having a laminated body (L) of a substrate essentially made of a hydrogenated polystyrene resin, a recording layer and an adhesive layer laminated in this order as at least a part of the layer structure, an acrylic adhesive having the following property is used as the adhesive layer. - 特許庁

後側板状部材の変形に対して前側板状部材がその形状を保持することができ、ラジエータに対する剛性が確保され、衝突時にラジエータが変形することを防止し得ると共に、左右のフロントサイドフレームがバルクヘッドを介して連結されるため、車体前端部分の剛性が高くなり、走行中の路面の凹凸による振動や旋回時の車体を傾ける力などによるねじれ（首振り）や振動の発生を抑制でき、操縦安定性が向上する。例文帳に追加

Right and left front side frames are coupled to each other through the bulkhead, thereby the rigidity of the vehicle body front end is increased, it is possible to suppress the generation of torsion (yawing) and vibration caused by vibration generated by the unevenness of a road surface during travelling and a force to incline the vehicle body in turning, and steering stability is improved. - 特許庁

交差点等の要所要所に設置され直進方向や左右方向の行き先地名を表示した地図型表示板において、何れかの行き先の道路に工事や事故・渋滞等の交通に支障となる事象が発生した場合に、該道路を走行しないで迂回させるために前記各地図型表示板の地名表示部分を前記交通に支障となる事象が発生している道路の行き先地名に変更して車両を誘導するようにした車両誘導方法である。例文帳に追加

A vehicle guidance method using map type signboards installed at intersections and the like to indicate forward, right and left destination place names guides vehicles when an event obstructing traffic such as construction, an accident or congestion occurs on any destination road by changing a place name indication part of each map type signboard to the destination place name for a road with the event obstructing traffic so that the road is detoured. - 特許庁

異方性エッチングされない半導体基板３２の上に等方性エッチングされないバリア金属層３４が積層され、バリア金属層３４の上に等方性エッチングされる金属層３６が積層された積層構造の表面に、開口３８ａを持つレジスト層３８を形成し、バリア金属層３４が露出するまで金属層３６を等方性エッチングし、レジスト層の庇部３８ｂを除去し、半導体基板３２が露出するまでバリア金属層３４を異方性エッチングする。例文帳に追加

On the surface of this multilayer structure, a resist layer 38 having an opening 38a is formed, the metal layer 36 is isotropically etched until the barrier metal layer 34 is exposed, then an eaves 38b of the resist layer is removed, and the barrier metal layer 34 is anisotropically etched until the semiconductor substrate 32 is exposed. - 特許庁

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。例文帳に追加

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure. - 特許庁

珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板上に、緩衝層を介して、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成する際に、緩衝層を、基板上に接して形成された砒素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）の少なくとも一方と硼素（Ｂ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の緩衝層と、第１の緩衝層上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の緩衝層とから構成する。例文帳に追加

When a laminated structure made of a group III nitride semiconductor crystal is formed on a substrate made of Si signal crystal via a buffer layer, the buffer layer is constituted by a first buffer layer, formed on the substrate and made of III-V compound semiconductor which includes at least one of arsenic or phosphorus and boron and a second buffer layer formed on the first buffer layer and made of III-V nitride semiconductor. - 特許庁

発光波長に対して透明な基板１、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第１導電型クラッド層４、および該第１導電型クラッド層上に形成された活性層構造５を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第１導電型クラッド層の間に第１導電型低屈折率層３が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率ｎ_sub、前記第１導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分ｎ_clad1、および前記第１導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率ｎ_LIL1が以下の関係式（式１）を満足することを特徴とする発光素子。例文帳に追加

A light-emitting element of a refractive index waveguide-type includes: a substrate 1 transparent to a light-emitting wavelength; a first conductivity-type clad layer 4 showing the same conductivity type as the substrate formed on the substrate; and an active layer structure 5 formed on the first conductivity-type clad layer. - 特許庁

ＣＤＭＡ／ＷＣＤＭＡ基盤移動通信システム用デジタル伝送中継器において、デジタル復調ステップ及びデジタル変調ステップを通じて、伝送に要する帯域幅を減らし、伝送効率を高めることができ、また、入力信号に関係なく、低い拡散係数を用いることにより、復調に必要な時間を減らすことができるデジタル伝送中継器、及び該中継器を利用した信号伝送方法を提供する。例文帳に追加

To provide a digital transmission repeater, capable of improving transmission efficiency by reducing band width required for transmission through a digital demodulation step and a digital modulation step and capable of shortening time required for demodulation by using a low diffusion coefficient, independently of an input signal in the digital transmission repeater for a CDMA/WCDMA based mobile communication system, and to provide a signal transmission method which utilizes the repeater. - 特許庁

本発明の導電パターン形成方法によれば、ＡｌＮ粉末、ガラスフリット及び溶剤を含むペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記ペーストを乾燥し、乾燥塗膜を形成する乾燥工程と、レーザー光の照射により、前記乾燥塗膜に導電パターンを描画するレーザー描画工程と、前記乾燥塗膜のうち、前記レーザー光の未照射部分を、現像液を用いて除去する現像工程とを含むことを特徴とする例文帳に追加

The method of forming the conductive pattern includes: a coating step to apply paste containing AlN powder, glass frit and a solvent on a substrate; a drying step to dry the paste applied and to form a dry coating film; a laser drawing step to draw conductive patterns on the dry coating film by irradiation of laser beams; and a development step to remove unirradiated part of laser light out of the dry coating film by using a developer. - 特許庁

第１の張力を加えられながら搬送されるキャリアフィルム３０と、前記第１の張力より大きい第２の張力を加えられながら搬送されるガラスクロス２４とを重ね合わせる工程と、前記第２の張力を加えた状態で搬送される前記ガラスクロスに樹脂ペーストを塗布する塗布工程と、前記樹脂ペーストが塗布された前記ガラスクロスを乾燥する乾燥工程と、を有することを特徴とする多層プリント基板の製造方法。例文帳に追加

The production method for multilayer printed boards is characterized by including the processes of: overlapping a carrier film 30 conveyed while a first tension is applied, and a glass cloth 24 conveyed while a second tension greater than the first tension is applied; applying a resin paste to the glass cloth conveyed in such a state that the second tension is applied; and drying the glass cloth on which the resin paste is applied. - 特許庁

本発明は、情報処理装置などの電子機器装置で、外部との接続インタフェース部などを追加するために構成する拡張カードと呼称されるプリント回路板の実装構造に関わり、当該拡張カードを電子機器装置に装着して移動あるいは運搬した場合や設置後の環境において、当該拡張カードの不完全な固定による障害の発生を防止することができる、拡張カードの抜け防止構造を提供する。例文帳に追加

To provide a coming-off preventing structure for expansion card, which can prevent the occurrence of a fault due to imperfect fixation of an expansion card which is constituted to add in interface section, etc., for outside connection to electronics, such as information processor, etc., when the electronics are moved, transported, or installed, while the card is inserted into the electronics. - 特許庁

そして、本発明による光学記録媒体は、基板１上に、単層もしくは多層構造による記録膜を有する光学記録媒体であって、その記録膜は、主としてレーザ光を吸収して分解し、屈折率変化を生じる有機物質材料層２よりなり、かつ波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの再生レーザ光に対する光学記録媒体としての反射率が、上述の分解前の反射率が１５％〜２５％であり、分解の後の反射率が０％〜１０％とされる。例文帳に追加

The recording film comprises a layer 2 of an organic material which is degraded mainly by the absorption of laser light and causes a refractive index change and the reflectance of the optical recording medium to laser light of 380-450 nm wavelength for reproduction is 15-25% before the degradation and 0-10% after the degradation. - 特許庁

冷媒を流す内管と、片面若しくは両面に金属蒸着層を備える高分子フィルムとメッシュサイズが５〜３０番の有機材料からなるネットレースを重ね合わせた断熱テープを該内管の外側に螺旋状に巻き付けて積層構造とした断熱層と、該断熱層の外側に設けられる外管とで構成される超電導ケーブル用断熱管において、前記断熱層の厚みが９ｍｍ以上、且つ厚み方向の層密度が２．５枚／ｍｍ以上４．５枚／ｍｍ以下であることを特徴とする超電導ケーブル用断熱管。例文帳に追加

The thickness of the heat-insulating layer is ≥9 mm, and the lamination density in the direction of its thickness is ≥2.5 sheets/mm but ≤4.5 sheets/mm. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁