「Bit lines」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Each CC cell holds a control condition signal to be preliminarily inputted by comparison condition input lines CL, CL/in addition to functions of each CM cell and invalidates detection of non- coincidence between the tag data and the retrieval keyword in the corresponding bit according to the control condition signal.例文帳に追加

各ＣＣセルは、各ＣＭセルの機能に加えて、比較条件入力線ＣＬ，ＣＬ／によって予め入力される制御条件信号を保持し、制御条件信号に応じて、対応するビットにおけるタグデータと検索キーワードとの間の不一致検出を無効とする。 - 特許庁

When a word line (WL) and a dummy word line (DWL) are activated and a potential of each line rises by a threshold voltage of access transistors (111 and 141), a main capacitor (112) and a dummy capacitor (143) are electrically connected to the bit lines immediately, and reading of data begins.例文帳に追加

そして、ワード線（ＷＬ）およびダミーワード線（ＤＷＬ）が活性化され、それぞれの電位がアクセストランジスタ（１１１，１４１）の閾値電圧だけ上昇すると、すぐさまメインキャパシタ（１１２）およびダミーキャパシタ（１４３）がビット線に電気的に接続され、データの滲み出しが始まる。 - 特許庁

At the time of data read-out operation, a word line WL and a column selection signal Y of Vcc voltage are simultaneously activated, minute potential difference is caused in the pair of bit lines, voltage of 1/2 Vcc-Vin is applied to gates of respective N type transistors 63, 64 through respective N type transistors 61, 62 of a reading/writing circuit 6.例文帳に追加

データ読み出し動作時、ワード線ＷＬ及び、Ｖcc電圧のコラム選択信号Ｙが同時に活性化され、前記ビット線対には微小電位差が生じ、読み/書き回路６の各Ｎ型トランジスタ61、62を通じて各Ｎ型トランジスタ63、64のゲートには1/2・Ｖcc−Ｖtnの電圧が印可される。 - 特許庁

In a semiconductor memory having a dummy memory circuit simulating read-out from a memory cell, it is characterized by that immediately before read-out is performed by a sense amplifier, a fixed potential corresponding to data being inverse to data previously given by a dummy memory cell is generated between dummy bit lines.例文帳に追加

メモリセルからの読み出しを模擬するダミーメモリ回路を有する半導体記憶装置において、ダミーセンスアンプで読み出しを行う直前には、ダミービットライン間に、ダミーメモリセルがあらかじめ与えられたデータと逆のデータに対応した一定の電位差を生じさせることを特徴とする。 - 特許庁

Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

The wirings act as channel shield lines to lower the capacitances between adjacent diffused layers sandwiching the element isolation region and between channel regions, thereby raising the channel potential of the memory cell connected to a not selected bit line (in self boosting and local self-boost write system) in a write operation.例文帳に追加

上記配線は、素子分離領域を挟んで隣り合う拡散層、及びチャネル領域間の容量を低減するチャネルシールド線として働き、書き込み動作時（セルフブースト及びローカルセルフブースト書き込み方式）の非選択ビット線に接続されているメモリセルのチャネル電位を大きくする。 - 特許庁

A capacitor (Cs) or a resistor (Rs) is connected intentionally to either of a pair of input/output node of a sense amplifier circuit amplifying potentials of bit lines (BL, /BL) being a pair in a memory array, and time constant of the pair of input/output node of the sense amplifier circuit is made unbalance.例文帳に追加

メモリアレイ内の互いに対をなすビット線（ＢＬ，／ＢＬ）の電位を増幅するセンスアンプ回路（ＳＡ）の一対の入出力ノードのいずれか一方に、意図的に容量（Ｃｓ）もしくは抵抗（Ｒｓ）を接続して、センスアンプ回路の一対の入出力ノードの時定数をアンバランスにさせるようにした。 - 特許庁

The writing voltage control circuit 104 changes the voltages to V0 and VP different from each other to be applied to two bit lines when writing data 1, but changes them to the same V0 and V0 or to VP and VP when writing data 0.例文帳に追加

書き込み電圧制御回路１０４は、データ１を書き込むとき、２つのビット線に印加する電位を互いに異なる電位Ｖ０及びＶＰに制御する一方、データ０を書き込むとき、２つのビット線に印加する電位を、互いに同じ電位Ｖ０及びＶ０、又は、ＶＰ及びＶＰに制御する。 - 特許庁

The second byte of an error command 81 is '55H (01010101B)' set and reset for each bit, so when a display control board accurately receives the error command 81 and displays an error, one can determine that there is no bridging (short circuit) between signal lines through which control commands are transmitted.例文帳に追加

エラーコマンド８１の２バイト目は、１ビット置きにセット及びリセットされた「５５Ｈ（01010101B）」とされているので、表示用制御基板Ｄがエラーコマンド８１を正確に受信してエラー表示をすれば、制御用コマンドを送信する信号線に信号線同士のブリッジ（短絡）がないことを確認することができる。 - 特許庁

When the first MOS field effect transistors Q1S and the second MOS field effect transistors Q2S are turned on, electric charges accumulated in a drain region of a non-volatile memory cell MC are extracted through the first MOS field effect transistors Q1S and the main bit lines BLM.例文帳に追加

第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ__１Ｓおよび第２のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_２Ｓをオンすると、不揮発性メモリセルＭＣのドレイン領域に蓄積された電荷が、第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_１Ｓおよびメインビット線ＢＬＭを介して引き抜かれる。 - 特許庁

After that, a conductive film is formed and anisotropically etched, thereby forming writing word lines 116a and 116b on a side face of the convex insulator 112 and forming a third contact plug 124 for connection to a word bit line 125 on a top of the convex insulator 112.例文帳に追加

その後、導電膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、凸状絶縁体１１２の側面に書き込みワード線１１６ａ、１１６ｂを形成し、凸状絶縁体１１２の頂部に書き込みビット線１２５へ接続するための第３コンタクトプラグ１２４を形成する。 - 特許庁

In this DRAM, after amplification of potential difference of non-bit lines (BL_j+1, /BL_j+1) is performed by a sense amplifier (5_j+1), (/BL_j) is driven to a potential in accordance with write-in data for selection memory cells (MC_i,_j).例文帳に追加

本発明によるＤＲＡＭでは、非選択ビット線（ＢＬ_ｊ＋１、／ＢＬ_ｊ＋１）の電位差の増幅がセンスアンプ（５_ｊ＋１）によって行われた後、ライトバッファ（８）によって選択ビット線（ＢＬ_ｊ、／ＢＬ_ｊ）が選択メモリセル（ＭＣ_ｉ，ｊ）への書き込みデータに応じた電位に駆動される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a sense amplifier SA including an equalizing circuit for equalizing a pair of bit lines BLT and BLB, an equalizing control circuit 64 for converting an amplitude of an equalizing signal EQB into a VDD level, and a word driver WD for controlling a sub-word line SWL according to a timing signal.例文帳に追加

ビット線対ＢＬＴ，ＢＬＢをイコライズするイコライズ回路を含むセンスアンプＳＡと、イコライズ信号ＥＱＢの振幅をＶＤＤレベルに変換するイコライズ制御回路６４と、タイミング信号に基づいてサブワード線ＳＷＬを制御するワードドライバＷＤとを備える。 - 特許庁

In a case where such an LSI is manufactured, defection analysis is carried out to create an FBM(fail bit map), if a plurality of continuous memory cells in the first row or column are defective, then it is judged that the contact plug 14 connecting the first and second wiring lines 12 and 13 is broken.例文帳に追加

このようなＬＳＩを製造し、不良解析を行ってＦＢＭを作成した場合、１ロウ又は１カラム内の連続する複数のメモリセルが不良であるときは、第１配線１２を第２配線１３に接続するコンタクトプラグ１４が断線していると判断する。 - 特許庁

Timing signals are generated by a first path which is used to read data from the dummy cell 22a using the dummy bit lines DBL and XDBL and a second path having a different delay characteristic with respect to the first path and either one of the timing signals are used for the timing control of the control circuit 18.例文帳に追加

ダミービット線ＤＢＬ，ＸＤＢＬを使用してダミーセル２２ａからデータを読み出すための第１のパスと、該第１のパスとは異なるディレイ特性を持つ第２のパスとでタイミング信号を生成し、該各タイミング信号のいずれか一方を制御回路１８のタイミング制御に使用する。 - 特許庁

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC.例文帳に追加

このメモリセルＭＣの読み出し動作時には、温度依存性がない第１の電圧がビット線ＢＬｓに印加され、ダイオード２１の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第１の電圧より低い第２の電圧がワード線ＷＬｓに印加された状態で、メモリセルＭＣを流れる電流の変化に応じて相変化素子２０の抵抗状態がリード回路３２により検知される。 - 特許庁

Each of the memory cells is targeted for writing by applying a common gate voltage to each gate terminal of the memory cells through word lines, and simultaneously writing a plurality of data having different values mutually in each of the memory cells by simultaneously applying the writing voltages corresponding to writing data respectively through the bit lines to drain-source terminals of the two or more memory cells targeted for writing.例文帳に追加

ワード線を介して該メモリセルの各々のゲート端子に共通のゲート電圧を印加して当該メモリセルの各々を書き込み対象とするとともに、書き込み対象とされた２以上のメモリセルのドレイン−ソース端子間に該ビット線を介して各書き込みデータに対応した書き込み電圧を同時に印加して当該メモリセルの各々に互いにデータ値の異なる複数のデータを同時に書き込む。 - 特許庁

The reference column has reference bit lines BL_ref coupled to both ends of the second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements and reference digit lines DL_ref0 coupled to the series-connected second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements so as to transmit an intermediate point resistance between Rmax and Rmin based on a whole resistance of the second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements.例文帳に追加

基準列は、該直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの両端に結合された基準ビットラインＢＬ_ｒｅｆと、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの全抵抗に基づいてＲｍａｘおよびＲｍｉｎ間の中間点抵抗を伝達するように前記直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントに結合された基準ディジットラインＤＬ_ｒｅｆ０とを有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device in which a conventional circuit easily prevents malfunction such as output noise and latch data break, output delay, etc., due to the data lines of a reading system from a pair of bit lines to an output buffer being influenced by the noise generated by the operation of a peripheral circuit without adding an unnecessary control circuit and an unnecessary layout for noise measurement and deterioration of a memory circuit.例文帳に追加

余分な制御回路やノイズ対策用の不要なレイアウトの追加、及びメモリ回路の性能を劣化させることなく、ビット線対から出力バッファまでの読み出し系のデータ線が、周辺回路の動作により引き起こされるノイズによって影響を受け、出力ノイズ、ラッチデータの破壊又は出力遅延といった誤動作を防止することが、既存の回路で容易にできる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

The storage element has an organic compound layer provided between a conductive layer forming the bit lines and a conductive layer forming the word lines, and a layer using a mixture of an inorganic compound and a organic compound is provided as the organic compound layer.例文帳に追加

第１の方向に延びた複数のビット線と、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた複数のワード線と、記憶素子部を備えたメモリセルと、複数のメモリセルからなるメモリセルアレイとを有し、記憶素子部は、ビット線を構成する導電層とワード線を構成する導電層との間に設けられた有機化合物層を有し、当該有機化合物層に、無機化合物と有機化合物とを混合して設けられた層を設けることを特徴としている。 - 特許庁

The lines of a group among the memory cell arrays selected by the prescribed line address signal X11 and X12 on an upper side are divided into an odd number of the blocks and the bit map of the prescribed line address signal groups X6 to X9 on a lower side has symmetry with the odd number of the blocks as repeating units.例文帳に追加

ここで、上位側の所定の行アドレス信号Ｘ１１，Ｘ１２により選択される前記メモリセルアレイ内の一群の行が奇数個のブロックに分割され、該奇数個のブロックを繰り返し単位として、下位側の所定の行アドレス信号群Ｘ６〜Ｘ９のビットマップが対称性を有する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the data transmission section 12 transmits transmission data in n-bits to a data reception section 22 via data lines D1 to Dn synchronously with the received transfer clock, and the data reception section 22 receives the n-bit received data sent from the data transmission section 12 synchronously with a delayed transfer clock outputted from a transfer clock delay section 23.例文帳に追加

このとき、データ送信部１２は送信された転送クロックに同期してｎビットの送信データをデータ線Ｄ１〜Ｄｎを介してデータ受信部２２へ送信し、データ受信部２２は送信されたｎビットの受信データを転送クロック遅延部２３から出力される遅延転送クロックに同期して受信する。 - 特許庁

SRAM includes a memory cell 100, a voltage dropping circuit 15 generating pre-charge voltage VBP in accordance with reference voltage VREF generated by resistance-voltage-dividing power source voltage Vcc, and a pre-charge circuit 11 controlling supply of pre-charge voltage VBP for bit lines BL0.例文帳に追加

本発明によるＳＲＡＭは、メモリセル１００と、電源電圧Ｖｃｃを抵抗分圧することで生成された参照電圧ＶＲＥＦに応じてプリチャージ電圧ＶＢＰを生成する降圧回路１５と、ビット線ＢＬ０に対するプリチャージ電圧ＶＢＰの供給を制御するプリチャージ回路１１とを具備する。 - 特許庁

The method and the structure provided therein reduce maximum write current consumption for writing a plurality of data bits to a NVM array by writing the data bits sharing an activated word line at different times (e.g., activating bit lines associated with an activated word line at different times).例文帳に追加

アクティブにされたワード線を共有するデータビットを異なる時刻において書込むこと（例えば、アクティブにされたワード線に関連付けられたビット線を異なる時刻においてアクティブにすること）によって、複数のデータビットを１つのＮＶＭアレイに書込むための最大書き込み電流の消費量を低減させる。 - 特許庁

The switching device provides an electrical connection between the voltage source and the single one of the three output lines in response to a switching signal, a voltage of the connected output line switching value in response to connection to a predetermined voltage and the multiple bit value represented by the output line is thereby selected.例文帳に追加

該切り替え装置は、切り替え信号に応答して、該電圧源と該３本の出力線のうちの１本との間の電気接続を提供し、該接続された出力線の電圧は、既定の電圧への接続に応答して値を切り替え、それによって、該出力線によって表される該複数ビット値が選択される。 - 特許庁

Since the second bite of an error command 81 is made "55H(01010101B)" which is set and reset at an interval of one bit, when a display control board D accurately receives the error command 81 and displays it, it is confirmed that no bridge (short circuit) between signal lines is present in the signal line to transmit the controlling command.例文帳に追加

エラーコマンド８１の２バイト目は、１ビット置きにセット及びリセットされた「５５Ｈ（01010101B）」とされているので、表示用制御基板Ｄがエラーコマンド８１を正確に受信してエラー表示をすれば、制御用コマンドを送信する信号線に信号線同士のブリッジ（短絡）がないことを確認することができる。 - 特許庁

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

To provide an image reader that improves image quality of a read image by subtracting a highly stable dark output correction value from an image signal by using dark output values from each element outputted from an image sensor that are averaged through the sum of two lines of the dark output value shifted by one bit for the dark output correction when shading an incident light.例文帳に追加

入射光遮断時に、イメージセンサから出力される各素子からの暗出力値を、１ビットシフトした値として２ライン分加算していた値を暗出力補正値として平均化した値を用いて、安定性の高い暗出力補正値を画像信号から差し引くことで、読みとられた画像の画質を向上させる。 - 特許庁

A control circuit CTL makes at least one of the plurality of switches turned on according to an input address in a test mode, in order to make a current flow across the 2nd and 3rd power source lines via a bit line, corresponding to the memory cell indicated by the input address, a latch circuit and the transfer transistors in the memory cell.例文帳に追加

制御回路ＣＴＬは、テストモード時に、入力アドレスが示すメモリセルに対応するビット線とそのメモリセル内のラッチ回路および転送トランジスタとを介して第２および第３電源線間に電流を流すために、入力アドレスに応じて複数のスイッチの少なくともいずれかをオンさせる。 - 特許庁

When reduction of drain voltage is caused in the center of a memory cell array 101 due to voltage drop in bit lines B0 to B4, a voltage correcting circuit 102 correcting gate voltage applied to the memory cells 103a, 103b in accordance with a position of a memory cell is arranged between the memory cell array 101 and a word line driving circuit 104.例文帳に追加

ビット線Ｂ０〜Ｂ４における電圧降下によりメモリセルアレイ１０１の中央でドレイン電圧の低下が発生する場合、メモリセル１０３ａ，１０３ｂに印加するゲート電圧をメモリセル位置に応じて補正する電圧補正回路１０２を、メモリセルアレイ１０１とワード線駆動回路１０４との間に介在させる。 - 特許庁

The read/write control circuit 3 applies different voltages depending on the information to be written in the bit lines BL0 to BL3 corresponding to a plurality of memory cells MC1-0 to MC1-3 when writing the information into a plurality of the memory cells MC1-0 to MC1-3 connected to the same word line WL1.例文帳に追加

読み出し／書き込み制御回路３は、同一のワード線ＷＬ１に接続された複数のメモリセルＭＣ１−０〜ＭＣ１−３に情報を書き込む際、複数のメモリセルＭＣ１−０〜ＭＣ１−３に対応するビット線ＢＬ０〜ＢＬ３に、書き込もうとする情報によって異なる電圧を印加する。 - 特許庁

Since a second bite of an error command 81 is set as "55H(01010101B)" which is set and reset at intervals of one bit, the absence of a bridge (short circuit) between the signal lines for transmitting the control command can be checked when a control board D for display accurately receives an error command 81 and performs error display.例文帳に追加

エラーコマンド８１の２バイト目は、１ビット置きにセット及びリセットされた「５５Ｈ（01010101B）」とされているので、表示用制御基板Ｄがエラーコマンド８１を正確に受信してエラー表示をすれば、制御用コマンドを送信する信号線に信号線同士のブリッジ（短絡）がないことを確認することができる。 - 特許庁

In this case, the upper semiconductor layer 200 has a drain penetrating part 501, formed at the upper part of the drain region 110D of the lower semiconductor layer 100, and each of the plugs, etc. of the bit lines BL is brought into contact with each of the drain region, etc. formed in the lower semiconductor layer 100 penetrating the drain penetrating part 501.例文帳に追加

このとき、上部半導体層２００は、下部半導体層１００のドレイン領域１１０Ｄの上部に形成されるドレイン貫通部５０１を有し、ビットラインＢＬのプラグ等はドレイン貫通部５０１を貫通して下部半導体層１００に形成されたドレイン領域等に各々接触する。 - 特許庁

This system comprises first resistance specification test circuits 108, 300, 400 which are connected to bit lines of a memory array 102, test resistance of each memory cell 310, 410 in the memory array 102, and decide whether the resistance is in a range of the highest limit and the lowest limit or not.例文帳に追加

メモリアレイ１０２のビット線に連結し、メモリアレイ１０２内の各メモリセル３１０、４１０の抵抗を試験し、その抵抗が所定の上限および下限内にあるか否かを決定する第１の抵抗仕様試験回路１０８、３００、４００を含んでいる磁気抵抗メモリアレイ集積回路用の組み込み自己試験システムを提供する。 - 特許庁

After a first interlayer insulating film 27 is formed on the first insulating film 23, a third opening (not shown) is formed, and insulating spacers 33 are formed only on the both side walls by forming a plurality of bit lines 29 in a direction perpendicular to the gate electrode, while filling the third opening.例文帳に追加

第１絶縁膜２３上に第１層間絶縁膜２７を形成した後、第１パッド層の表面を露出させる第３開口部（図示なし）を形成し、これを埋立てながら、ゲート電極と直交する方向に複数本のビットライン２９を形成してその両側壁のみに絶縁性スペーサ３３を形成する。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

The method is equipped with a step for making a first and a second transistors in an OFF state by inactivating a word line and a step for sequentially shifting the scan data inputted from a scan data input terminal to a memory cell arranged at a scan data output terminal side via a first and a second shift bit lines.例文帳に追加

ワード線を不活性化することにより、第１及び第２のトランジスタをオフ状態にするステップと、スキャンデータ入力端子から入力されるスキャンデータを、第１及び第２のシフトビット線を介して、スキャンデータ出力端子側に位置するメモリセルに順次シフトするステップとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The switch groups SD0a-SD7a connect whole data lines DQ0-DQ63 to the outside of a memory module MMa at the time of a memory operation, and connect them to the input terminal of an exclusive NOR circuit EXa after common one bit data are written into each memory devices MD0-MD7 at the time of a test operation.例文帳に追加

スイッチ群ＳＤ０ａ〜ＳＤ７ａはデータ線ＤＱ０〜ＤＱ６３の全てを、メモリ動作時にはメモリモジュールＭＭａの外部に接続し、検査動作時には各メモリデバイスＭＤ０〜ＭＤ７に共通の１ビットデータが書き込まれた後にエクスクルーシブＮＯＲ回路ＥＸａの入力端に接続する。 - 特許庁

Since the plurality of processing units configuring a multiprocessor system manage cache lines each of which is stored in the cache memory, status information 105 indicating with which processing unit the tag information composed of a partial bit field of main storage address information and the data of its cache line are shared is stored together with the cache line.例文帳に追加

マルチプロセッサシステムを構成する複数のプロセッシングユニットは、キャッシュメモリに保持されるキャッシュラインを管理するため、主記憶アドレス情報の一部のビットフィールドからなるタグ情報、そのキャッシュラインのデータがどのプロセッシングユニットと共有されているかを示す状態情報をキャッシュラインと共に保持する。 - 特許庁

Out of a wiring group which forms a first current path that passes through the selected memory cell RMC# and a second current path that passes a selected reference cell RMC# upon data reading, wirings (ground wirings GL1 and GL2, and bit lines BL and /BL) arranged along a different direction from a reference cell RMC are formed with metal wirings having low resistance.例文帳に追加

データ読出時に選択メモリセルＲＭＣ♯を通過する第１の電流経路および選択リファレンスセルＲＭＣ＃を通過する第２の電流経路を形成する配線群のうち、リファレンスセルＲＭＣと異なる方向に沿って配置される配線（接地配線ＧＬ１，ＧＬ２およびビット線ＢＬ，／ＢＬ）は、低抵抗の金属配線で形成される。 - 特許庁

The excessive increase of Vch2 is prevented by modifying the voltage applied to string select line and/or to the bit line BL, or the pass voltage Vpass applied to the unselected word lines WL<i+1 through WL<n->, only if the selected word line WL <i> location (i) is equal or greater than a predetermined location number (x).例文帳に追加

選択ワードラインＷＬ＜ｉ＞の位置ｉが予め決定、又は記憶された位置ナンバｘより大きい、或いは同一である場合に、第２ローカルチャンネルＣｈ２電位の過度な上昇は、ストリング選択ライン、ビットラインＢＬ、又は非選択ワードラインＷＬ＜ｉ＋１〜ＷＬ＜ｎ−＞に印加されるパス電圧Ｖｐａｓｓを調整することによって防止される。 - 特許庁

To obtain a DRAM semiconductor memory in which a high speed operation can be realized which securing operation margin by dissolving the restriction of connection relation between a pair of bit lines and a pair of data buses by a column selection gate in a DRAM of a direct sense system, and optimizing independently the internal timing control at the read-out and the internal timing control at the time of write-in.例文帳に追加

ダイレクトセンス方式のＤＲＡＭにおけるコラム選択ゲートによる、ビット線対とデータバス対との接続関係の制約を解消するとともに、読み出し時の内部タイミング制御と書き込み時の内部タイミング制御とを独立して最適化することで、動作マージンを確保しながら高速動作を実現できるＤＲＡＭ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

PN junction separation regions (regions 400) are formed in the region between the mutually adjacent bit lines 103, a region corresponding to the common source diffusion wiring 107, and the region between the region corresponding to the common source diffusion wiring 107 and the plurality of grooves 105 for element separation each, and the pn junction separation regions (regions 400) separate the mutually adjacent memory cells.例文帳に追加

また、互いに隣接するビット線１０３間の領域、かつ、共通ソース拡散配線１０７に対応する領域およびその領域と複数の素子分離用溝１０５との間の領域にＰＮ接合分離領域(領域４００)を夫々形成し、そのＰＮ接合分離領域(領域４００)により互いに隣接するメモリセル間を分離する。 - 特許庁

A lead gate 1 of a DRAM core cell, comprises N-channel MOS transistors 61, 63 whose gates are connected to bit lines BL, /BL via nodes N1, N2 respectively, and N-channel MOS transistors 2, 3 whose gates receive a row selection signal CSLR.例文帳に追加

ＤＲＡＭコアセルのリードゲート１は、各々のゲートがそれぞれノードＮ１，Ｎ２を介してビット線ＢＬ，／ＢＬに接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ６１，６３と、各々のゲートがともに列選択信号ＣＳＬＲを受けるＮチャネルＭＯＳトランジスタ２，３とを含み、ＭＯＳトランジスタ２，３のゲート酸化膜はＭＯＳトランジスタ６１，６３のゲート酸化膜よりも薄い。 - 特許庁