「First steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the film-forming method comprises the steps of: forming the first dielectric film (PZT thin film 3a) with high orientation on the substrate 1; and forming the second dielectric film (PZT film 5a) with the high orientation inherited from the first dielectric film on the first dielectric film, by the method of spraying the fine particles.例文帳に追加

又は、基板１上に、高配向な第一の誘電体膜（ＰＺＴ薄膜３ａ）を形成した後、前記第一の誘電体膜上に、当該第一の誘電体膜の配向を引き継いだ高配向な第二の誘電体膜（ＰＺＴ膜５ａ）を微粒子吹き付け法によって形成する。 - 特許庁

The method comprises steps for accessing information indicating a first mobile unit 120(1) in response to a signal from the first mobile unit; accessing information indicating at least one second mobile unit 120(2); and comparing the information indicating the first and second mobile units.例文帳に追加

この方法は、第１のモバイル・ユニットを示す情報に、第１のモバイル・ユニットからの信号に応答してアクセスすること、少なくとも１つの第２のモバイル・ユニットを示す情報にアクセスすること、および、第１および第２のモバイル・ユニットを示す情報を比較することを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: defining a computational domain comprising a first, second and intermediate grids; performing a first update procedure after a first-grid time step; performing a coupling procedure; and performing a second update procedure after a second-grid time step.例文帳に追加

方法は、第１、第２及び中間グリッドを有する計算領域を定義するステップと、第１グリッド時間ステップの後に第１の更新プロシージャを実行するステップと、結合プロシージャを実行するステップと、第２グリッド時間ステップの後に第２の更新プロシージャを実行するステップとを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of connecting a first wiring layer 5h and a first wiring layer 5i connected to an impurity diffused layer for constituting a transistor and the layer 5a, and a first wiring layer 5j by a second wiring layer 7h and a second wiring layer 7i so as to short circuit them.例文帳に追加

トランジスタを構成する不純物拡散層に接続された第１配線層５ｈと第１配線層５ｉ、および、第１配線層５ｉと第１配線層５ｊが、第２配線層７ｈおよび第２配線層７ｉにより、短絡するように接続されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming the first film, made of polycrystalline silicon containing impurity, by thermally treating an amorphous silicon film provided on an insulating film and reducing the thickness of the first film by etching back the first film.例文帳に追加

また、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜をエッチバックして、前記第１の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

A method of manufacturing an IC comprises the steps of: preparing a substrate having a first side and a second opposite side; forming an STI opening on the first side of the substrate; forming a partial TSV opening on the first side of the substrate; and extending the partial TSV opening.例文帳に追加

ＩＣを製造する方法は、第１の側、および第２の対向する側を有する基板を用意すること、基板の第１の側にＳＴＩ開口を形成すること、および基板の第１の側に部分的ＴＳＶ開口を形成すること、および部分的ＴＳＶ開口を延長することを含む。 - 特許庁

This method comprises steps of receiving a signal, processing the symbol sample in the received signal by using N and L, and calculating the correlation function γ(d) regarding a first column of the L sample and a second column of the L sample, subsequent to the N samples after the first column.例文帳に追加

本方法は、信号を受信し、受信した信号中のシンボルサンプルをＮ，Ｌを用いて処理し、Ｌサンプルの第１列と第１列後のＮサンプルに続くＬサンプルの第２列とについての相関関数γ（ｄ）を求める。 - 特許庁

When the character or the symbol corresponding to the combination of the first and second keys does not exist, the terminal device obtains a character or a symbol corresponding to the first key, retreats the information of the second key and waits for succeeding user's operation (steps S18, S19).例文帳に追加

第１のキーと、第２のキーとの組み合わせに対応する文字や記号が無い場合には、端末装置は第１のキーに対応する文字や記号を得て、第２のキーの情報を退避し、次のユーザの操作を待つ（ステップＳ１８、Ｓ１９）。 - 特許庁

The protection step number updating section 14 detects that the predetermined term is changed from a first term to a second term longer than the first term, and decreases the number of backward protection steps to be used for determining the radio frame synchronism establishment.例文帳に追加

保護段数更新部１４は、予め定められた周期が第１の周期からそれよりも長い第２の周期へ変更されたことを検出し、無線フレーム同期確立の判定に用いられる後方保護段数を減少させる。 - 特許庁

A steps portion is covered by a first and a second slopes 15, 16 formed of a liquid drop of an insulating ink, and a first and a second metal wiring 18, 19 are respectively prepared on the slope top surfaces by a liquid drop of a conductive ink.例文帳に追加

絶縁性インクの液滴により形成された第１及び第２スロープ１５，１６によって段差部を覆い、それらスロープ上面にそれぞれ導電性インクの液滴により第１又は第２金属配線１８，１９を敷設する。 - 特許庁

The method for displaying colors includes steps of: applying an alternating voltage to display a first color; applying a first direct voltage to display a third color; and applying a second direct voltage to display a second color.例文帳に追加

色表示方法は、交流電圧を印加して、第１カラーを表示するステップと、第１直流電圧を印加して、第３カラーを表示するステップと、第２直流電圧を印加して、第２カラーを表示するステップとを含む。 - 特許庁

The method also comprises steps of exposing the first film 13B and the second film 15B to nitrogen plasma, and thereby forming a first gate insulating film 13C and a second gate insulating film 15C in which the nitrogen atom is further introduced.例文帳に追加

次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。 - 特許庁

The diffraction grating includes a first region 21a which is a region surrounded by the innermost step of the coaxial circular steps and the central part of which region is concave, and a second region 21b which surrounds the periphery of the first region 21a.例文帳に追加

回折格子は、同心円状の段差の最も内側の段差によって囲まれる領域であって中央部がへこんでいる第１の領域２１ａと、第１の領域２１ａの周囲を囲む第２の領域２１ｂとを含む。 - 特許庁

The method comprises steps of using a sequence number in a first protocol entity as a security function, and reuses the sequence number in a second protocol entity being the lower layer of the first protocol entity for another predetermined function.例文帳に追加

方法は、第一プロトコルエンティティーにおいて、シーケンス番号をセキュリティー機能に利用し、第一プロトコルエンティティーの下位層プロトコルエンティティーである第二プロトコルエンティティーにおいて、該シーケンス番号を別途の所定機能に再利用するステップからなる。 - 特許庁

Between the steps for forming the first and second layers, a transition step is inserted wherein the raw material gas flow rate and the high-frequency power are gradually shifted from those employed for forming the first layer to those employed for forming the second layer.例文帳に追加

第１の層を形成する工程と第２の層を形成する工程の間には、原料ガス流量、高周波電力を、第１の層における量から第２の層における量へと徐々に変化させる遷移領域を設ける。 - 特許庁

The method for operating the gas turbine engine comprises steps for operatively joining the PTO shaft 36 to the first and second drive shafts 28, 26 and supplying starting torque to the first and second drive shafts 28, 26 via the shaft 36.例文帳に追加

ガスタービンエンジンを動作させる方法は、ＰＴＯシャフト３６を第１および第２駆動シャフト２８、２６に動作可能に結合し、シャフト３６を介して前記第１および第２駆動シャフト２８、２６に始動トルクを供給することを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a plurality of first trenches on a surface of a semiconductor substrate; and changing the plurality of first trenches into one planar cavity by subjecting the semiconductor substrate to heat treatment.例文帳に追加

半導体基板の表面に複数の第１のトレンチを形成する工程と、 前記半導体基板に熱処理を施すことによって、前記複数の第１のトレンチを１つの平板状の空洞に変える工程と を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The first-time charge/discharge efficiency is raised by performing two or more steps of charging processes for the first-time charging, and a raise in capacity and an improvement in cycle characteristics are attained, without spoiling many cell characteristics by reducing a preparation of wasteful materials.例文帳に追加

２段階以上の充電工程により初回充電を行い、初回充放電効率を高め、無駄な材料の仕込みを少なくし、電池諸特性を損なうことなく高容量化とサイクル特性向上を達成する。 - 特許庁

In a method comprising the steps of forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of a substrate on the substrate, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface; atomic hydrogen is used at least in a part of these steps.例文帳に追加

本発明は、基板上に基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成する工程において、該工程の少なくとも一部に原子状水素を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

A cell selection method includes steps of: A for determining whether or not a first CSG cell satisfies a prescribed condition at a mobile station UE when using a first macro cell as a standby cell; and B for changing the standby cell from the first macro cell to the first CSC cell when the mobil station UE determines that the first CSG cell satisfies the prescribed condition.例文帳に追加

本発明に係るセル選択方法は、移動局ＵＥが、第１マクロセルを待ち受けセルとしている場合に、第１ＣＳＧセルが所定条件を満たすか否かについて判断する工程Ａと、移動局ＵＥが、第１ＣＳＧセルが所定条件を満たすと判断した場合、待ち受けセルを第１マクロセルから第１ＣＳＧセルに変更する工程Ｂとを有する。 - 特許庁

This method includes steps for: locating a first reference frame portion from a first frame in a first pass, storing the first reference frame portion in a memory; locating a second reference frame portion from a second frame in a second pass, and combining the first reference frame portion and the second reference frame portion to form a bi-directionally predicted portion.例文帳に追加

１巡目において第１のフレームから第１の参照フレーム部分の位置を見つけること、メモリ中に第１の参照フレーム部分を記憶すること、２巡目において第２のフレームから第２の参照フレーム部分の位置を見つけること、そして２方向に予測された部分を形成するために第１の参照フレーム部分及び第２の参照フレーム部分を統合すること、を含む。 - 特許庁

The method comprises the steps of obtaining a signed firmware image that includes a first code module signed by a first code owner and a second code module signed by a second code owner, verifying that an updated first code module is signed by the first code owner, and updating the signed firmware image with the updated first code module.例文帳に追加

第１のコードのオーナによって署名されている第１のコード・モジュールと、第２のコードのオーナによって署名されている第２のコード・モジュールを含む署名付きファームウェア・イメージを取得し、アップデートされた第１のコード・モジュールが第１のコードのオーナによって署名されていることを検証して、アップデートされた第１のコード・モジュールにより、署名付きファームウェア・イメージをアップデートする。 - 特許庁

The method of manufacturing the variable capacitor includes the steps of: forming a first electrode on a substrate; forming a first sacrificial film above the first electrode; forming a second electrode on the first sacrificial film; forming a second sacrificial film on the second electrode; forming a stopper on the second sacrificial film; and removing the first and the second sacrificial films.例文帳に追加

本発明の可変キャパシタ製造方法は、基材上に第１電極を形成する工程と、第１電極の上位に第１犠牲膜を形成する工程と、第１犠牲膜上に第２電極を形成する工程と、第２電極上に第２犠牲膜を形成する工程と、第２犠牲膜上にストッパ部を形成する工程と、第１および第２犠牲膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming a plurality of first conductive layers over a substrate, forming a first insulating layer to fill the gaps of the plurality of the first conductive layers, forming a second insulating layer over the first insulating layer and the plurality of the first conductive layers, and forming a semiconductor region and a second conductive layer over the second insulating layer.例文帳に追加

本発明は、基板上に複数の第１の導電層を形成した後、該第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層及び複数の第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に半導体領域及び第２の導電層を形成して半導体装置を作製することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.例文帳に追加

絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises the steps of forming a first porous insulation film 38 on a semiconductor substrate; forming a second insulation film 40 having higher density than that of the first insulation film; and irradiating the first insulation film with electron beams, ultraviolet rays, or plasmas to cure the first insulation film while the second insulation film exists on the first insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より密度の高い第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜が存在している状態で、電子線、紫外線又はプラズマを照射し、第１の絶縁膜を硬化させる工程とを有している。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical element includes steps of: applying a first solution including a luminous material and a first solvent into a pixel area surrounded by a partition wall; removing the first solvent included in the applied first solution; applying a second solvent differed in surface tension from the first solvent within the pixel area before perfectly drying the applied first solution; and drying the applied first solution and second solvent.例文帳に追加

隔壁に囲まれた画素領域内に、発光材料および第１の溶媒を含む第１の溶液を塗布し；塗布された前記第１の溶液に含まれる第１の溶媒を除去し；塗布された前記第１の溶液が完全に乾燥する前に、前記第１の溶媒と表面張力の異なる第２の溶媒を、前記画素領域内に塗布し；塗布された前記第１の溶液および前記第２の溶媒を乾燥させるステップとを含む、光学素子の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing process of the metal mask screen plate includes two plating steps suitable for manufacturing the metal mask screen plate 20, one section of the metal plate 2 and the meshes 4 are made of the plating layer of the first layer of the two plating steps, and the second plating layer is laminated on the metal plate 2.例文帳に追加

および、本発明のメタルマスクスクリーン版２０を製造するのに適した、２段階のメッキ処理の工程により１層目のメッキ層で金属板２の１部およびメッシュ４を形成し、２層目のメッキ層で金属板２を積層して完成させるメタルマスクスクリーン版の製造方法である。 - 特許庁

When it is decided to carry out electrolytic rinsing (YES at step S6), electrolytic rinsing is carried out in a rinsing stage (the second rinsing stage; steps S17 to S19) carried out after a rinsing stage (the first rinsing stage; steps S13 to S15) in which the softener is fed into the outer tub.例文帳に追加

電解すすぎを実行すると決定されている場合には（ステップＳ６でＹＥＳ）、外槽内にソフト剤が供給されるすすぎ行程（１回目のすすぎ行程；ステップＳ１３〜Ｓ１５）よりも後に行われるすすぎ行程時（２回目のすすぎ行程；ステップＳ１７〜Ｓ１９）に電解すすぎを実行する。 - 特許庁

First, a schema information element is prepared from schema information in a database (steps 51 to 53) and it is utilized as a template for reading and converting a database item and preparing a data information element (steps 54 to 57), thereby converted XML data is made to have an XML document instance form.例文帳に追加

まず、データベースのスキーマ情報からスキーマ情報エレメントを作成し（ステップ５１〜５３）、それをテンプレートとして、データベース項目の読み出し、変換、およびデータ情報エレメントの作成などに利用する（ステップ５４〜５７）ことにより、変換後のＸＭＬデータを、ＸＭＬ文書インスタンス形式とする。 - 特許庁

A plurality of housing grooves 12a extending from one end to the other end are provided in parallel with one another at a parts housing portion 12 of a parts tray 10, and first sloped steps 12b and second sloped steps 12c are formed at the upper parts on both sides of each of the housing grooves 12a.例文帳に追加

部品トレイ１０の部品収容部１２には、その一端から他端に向けて伸びる収容溝１２ａが複数並列した状態に形成され、この収容溝１２ａの両側面の上部に第１傾斜段部１２ｂ及び第２傾斜段部１２ｃが形成されている。 - 特許庁

A main DC/DC converter 8m receives the first DC link voltage V_DC_m and steps it up or down for supply to the secondary battery 1, and a sub DC/DC converter 8s receives the second DC link voltage V_DC_s and steps it up or down for supply to the secondary battery 1.例文帳に追加

メインＤＣ／ＤＣコンバータ８ｍは、第１直流リンク電圧Ｖ_ＤＣ＿ｍを受け、それを昇圧または降圧して２次電池１に供給し、サブＤＣ／ＤＣコンバータ８ｓは、第２直流リンク電圧Ｖ_ＤＣ＿ｓを受け、それを昇圧または降圧して２次電池１に供給する。 - 特許庁

Import statements are executed in two steps: (1) find a module, and initialize it if necessary; (2) define a name or names in the local namespace (of the scope where the import statement occurs).The first form (without from) repeats these steps for eachidentifier in the list.例文帳に追加

import 文は、(1) モジュールを探し、必要なら初期化 (initialize) する;(import 文のあるスコープにおける) ローカルな名前空間で名前を定義する、の二つの段階を踏んで初期化されます。 第一形式 (from のない形式) は、上記の段階をリスト中にある各識別子に対して繰り返し実行していきます。 - Python

The layout designing method makes preparations (second to twelfth steps) for making wiring corrections for eliminating a redundant via wiring rule violation place by changing the direction of a cell if a redundant via wiring rule is violated during detailed wiring (first steps), and then making the wiring corrections by changing the direction of the cell (thirteenth to fifteenth steps) and performing route update (sixteenth step).例文帳に追加

詳細配線（第１工程）で冗長ビア配線ルール違反が発生した場合、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消する配線修正を行うための準備（第２工程〜第１２工程）を行い、その後、セルの向きを変更して配線修正を行い（第１３〜第１５工程）、経路更新を行う（第１６工程）工程を用意する。 - 特許庁

Deployment of the interatrial pressure vent preferably occurs in a series of steps comprising first advancing the placement catheter through a septal opening, second deploying a first flange, third retracting the placement catheter to position the first flange against a septal wall, and fourth deploying a second flange on the other side of the septal wall from the first flange.例文帳に追加

心房間圧力抜き装置の配備は、好ましくは、第１に、隔壁開口を通して配置カテーテルを前進させ、第２に、第１のフランジを配備し、第３に、配置カテーテルを引っ込めて、第１のフランジを隔壁に対して位置付け、そして第４に、第１のフランジとは別の隔壁の側に第２のフランジを配備することを含む一連のステップにおいて行われる。 - 特許庁

This manufacturing method also includes steps of exposing parts outside the opening in the first photosensitive organic film 1, removing the parts outside the opening in the first photosensitive organic film 1 by development, and forming a first organic film 11 by curing parts in the opening in the first photosensitive organic film 1 with ultraviolet light.例文帳に追加

この製造方法は更に、第１感光性有機膜１において開口外の部位を露光する工程と、第１感光性有機膜１において開口外の部位を現像により除去する工程と、第１感光性有機膜１において開口内の部位を紫外線により硬化させることによって第１有機膜１１を形成する工程を有する。 - 特許庁

The method comprises the steps of: generating the first signal by performing a first operation using a first channel signal in the multi-channel signals; and generating the second signal by performing a second operation using a combination of the first channel signal and a second channel signal in the multi-channel signals.例文帳に追加

多チャンネル信号を構成する第１チャンネルの信号を利用して、所定の第１演算を行って、第１信号を生成するステップと、第１チャンネルの信号及び前記の多チャンネル信号を構成する第２チャンネルの信号を組み合わせて利用して、所定の第２演算を行って、第２信号を生成するステップとを含むことを特徴とする符号化方法。 - 特許庁

A method for inspecting the compressor includes steps for: operating the compressor at a first output level; measuring a flow rate of the working fluid at the first output level; adjusting a pressure of the working fluid to equal a first predetermined pressure; and measuring operating parameters of the compressor at the first output level.例文帳に追加

本圧縮機を検査する方法は、第１の出力レベルで圧縮機を作動させるステップと、第１の出力レベルで作動流体の流量を測定するステップと、作動流体の圧力を第１の所定の圧力に等しくなるように調整するステップと、第１の出力レベルで圧縮機の作動パラメータを測定するステップとを含む。 - 特許庁

The method for making the data storage medium includes: steps of providing a substrate; depositing on the substrate a first layer that includes a magnetic material and a non-magnetic material; heating the first layer; depositing on the first layer a second layer that includes the magnetic material and the non-magnetic material; and heating the second layer and the first layer.例文帳に追加

基板を供給するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第１の層を基板上に堆積するステップと、第１の層を加熱するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第２の層を第１の層上に堆積するステップと、第２の層および第１の層を加熱するステップと、を含むデータ記憶媒体の作製方法。 - 特許庁

A first CPU 11 checks a first reception bit and performs a data write processing to a first data buffer in the case that it is writable in a step S1, inverts a first transmission bit in a step S2, and performs the data write processing similarly to a second data buffer and inverts a second transmission bit in steps S3 and S4.例文帳に追加

第１CPU１１は、ステップＳ１において第１受信ビットをチェックし、書き込み可能な場合第１データバッファに対してデータ書き込み処理を行い、ステップＳ２において第１送信ビットを反転させ、ステップＳ３およびＳ４において第２データバッファに対して同様にデータ書き込み処理を行い、第２送信ビットを反転させる。 - 特許庁

The method of fabricating the liquid crystal display device comprises steps for: providing the first and the second substrates having the display region and the driver region; forming the first sealant overlapping the driver region on at least one of the first and the second substrates; and forming a liquid crystal layer between the first and the second substrates.例文帳に追加

また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板を形成する工程と、第１基板及び第２基板の少なくとも一つの上に、ドライバ領域と重畳される第１シーラントを形成する工程と、第１基板及び第２基板間に液晶層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In first and second electrode printing steps, a plurality of internal electrode patterns 611 to 616 are formed by screen-printing in a first region of a ceramic green sheet 51 in a first direction, and a plurality of internal electrode patterns 611 to 616 are formed by screen-printing in a second region in a second direction opposite to the first direction.例文帳に追加

第１及び第２の電極印刷工程において、セラミックグリーンシート５１の第１の領域に第１の方向へスクリーン印刷して複数の内部電極パターン６１１〜６１６を形成し、第２の領域に第１の方向と逆方向の第２の方向へスクリーン印刷して複数の内部電極パターン６１１〜６１６を形成する。 - 特許庁

The method for fabricating the LCD includes steps of loading a first substrate having liquid crystal dropped thereon and a second substrate having sealant coated thereon on a bonding chamber, aligning the first and the second substrate, bonding the first and the second substrates with a varied pressure applied thereto and unloading the bonded first and second substrates.例文帳に追加

本発明は、液晶が滴下された第１基板とシール剤が付与されている第２基板を合着機チャンバ内にローディングする工程と、前記第１、第２基板を整列する工程と、圧力を可変して前記第１、第２基板を合着する工程と、また、前記合着された第１，第２基板をアンローディングする工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The method for tracking a keyword search abuser comprises steps of connecting to a first Web site through a virtual machine; checking the first Web site for keyword search abusing based on the connecting result to the first Web site; determining, in the event of keyword search abusing, that the first Web side is a keyword search abuser; and extracting keyword search abuser information.例文帳に追加

このキーワード検索アビューザー追跡方法は、仮想マシンで第１ウェブサイトに接続する段階と、第１ウェブサイトの接続結果からキーワード検索アビュージング発生有無を判断する段階と、キーワード検索アビュージングが発生すると、第１ウェブサイトをキーワード検索アビューザーと判断し、キーワード検索アビューザー情報を抽出する段階と、を含む。 - 特許庁

The method for injection molding comprises the steps of injection molding a first molten resin having flexibility, molding a first molding portion having flexibility, then injection molding to cover at least part of the first portion having the flexibility with a harder second molten resin than the first resin, and thereby molding the second molding portion.例文帳に追加

柔軟性を有する第１の溶融樹脂を射出成形して、柔軟性を有する第１の成形部分を成形した後、柔軟性を有する第１の成形部分の少なくとも一部を第１の溶融樹脂よりも硬質な第２の溶融樹脂で被覆するように射出成形することによって、第２の成形部分を成形する。 - 特許庁