「SB」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for purifying crude bis-β-hydroxyethyl terephthalate comprises distilling or evaporating under reduced pressures the crude bis-β- hydroxyethyl terephthalate ≤50 ppm in the total content of (i) cations including Na, Mg, Ca, Fe, Co, Zn, Ti Sn, Sb, Ge and P and (ii) anions including halogens, NO2, NO3, PO4 and SO4.例文帳に追加

（ｉ）Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、ＧｅおよびＰよりなるカチオンおよび（ｉｉ）ハロゲン、ＮＯ_2、ＮＯ_3、ＰＯ__4およびＳＯ_4よりなるアニオンの合計含有量が５０ｐｐｍ以下である粗ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレートを減圧下蒸発または蒸留することを特徴とする、ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレート精製方法。 - 特許庁

Further, the IC 13 turns OFF MOSFET 16-18 and effects synchronous and simultaneous switching of MOSFET 19-21 during non-receipt of the control signal Sa and under a condition that charging state signal Sb indicating a fact that a battery 7 is not in a full charged state is received, and the brushless motor 3 is rotated at a rotation speed exceeding a given valve by running air.例文帳に追加

また、ＩＣ１３は、制御信号Ｓａの非受信時であって且つバッテリ７が満充電状態でないことを示す充電状態信号Ｓｂを受信している条件の下で、走行風によってブラシレスモータ３が所定値以上の回転速度で回転している場合、ＭＯＳＦＥＴ１６〜１８をオフとしＭＯＳＦＥＴ１９〜２１を同期して一斉にスイッチングする。 - 特許庁

The photographic substrate is a biaxially oriented polyester substrate using a polyester resin having an intrinsic viscosity of 0.5-0.8 and such metal contents as 100-250 ppm Sb, 30-200 ppm Ca+Mg and 20-100 ppm P.例文帳に追加

固有粘度０．５以上０．８以下であり、かつ金属含有量（単位ｐｐｍ）が下記式（１）〜（３）を満たすポリエステル樹脂を用いた二軸延伸ポリエステル写真用支持体であって、少なくとも１層の写真構成層が塗設される前に、該支持体を下記式（４）、（５）を同時に満たす温度Ｔｐ（℃）、張力Ｔｓ（ｋｇ／ｃｍ^2）、時間Ｔｍ（ｍｉｎ）で搬送熱処理することを特徴とする写真用支持体の製造方法である。 - 特許庁

In this optical recording medium equipped with the information layer including the recording membrane, the recording membrane is made of a phase-change material containing mainly 79-95 atomic percentage of Sb and 5-21 atomic percentage of Ge and does not containing group 16 elements.例文帳に追加

記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

A bias current measurement value signal Sd detected by a bias current detecting circuit 17 is subtracted (negative feedback loop) from a reference value signal Sc with which a conversion circuit 18 generates from a gain control signal Sb and an attenuator control signal Sc, and bias voltage Sn integrated by an integrator 20 is outputted to the power amplifier 16.例文帳に追加

バイアス電流検出回路１７で検出したバイアス電流測定値信号Ｓｄを、変換回路１８が利得制御信号Ｓｂとアッテネータ制御信号Ｓｃとから生成した基準値信号Ｓｖから減算（負帰還ループ）し、積分器２０で積分したバイアス電圧Ｓｎを電力増幅器１６へ出力する。 - 特許庁

A straight line which is made inclined only by a tilt angle β from a tangential direction can be irradiated with a main beam MB and sub-beam SB on optical disk 100 by setting up a reference line SL in a diffraction grating DL in a state inclined only by a tilt angle β from a radial direction.例文帳に追加

回折格子ＤＬにおける基準線ＳＬをラジアル方向から傾斜角度βだけ傾斜させた状態で設置することにより、光ディスク１００上においてタンジェンシャル方向から傾斜角度βだけ傾斜させた直線上にメインビームＭＢとサブビームＳＢとを照射することができる。 - 特許庁

At least one or more among Fe oxide, Mo oxide, Mn oxide, Sn oxide, W oxide, Ga oxide, Ge oxide, Cu oxide, Cr oxide and Sb oxide are applied to a steel sheet into linear and/or dotted-line shape after primary recrystallization annealing and before secondary recrystallization annealing, or after secondary recrystallization annealing and before purification annealing.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍後二次再結晶焼鈍前に、もしくは二次再結晶焼鈍後純化焼鈍前に、Ｆｅ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｇａ酸化物、Ｇｅ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｓｂ酸化物のうちの少なくとも１種以上を、鋼板に線状および／または点列状に塗布する。 - 特許庁

The surface of a photosensitive drum 1 is irradiated with a laser beam Lb at a minute glazing angle θ and the scattered beam component Lb2 thereof is detected by the light detecting members SA, SB and SC arranged on a scattered beam region S3 due to a flaw and the light detecting member SAU arranged on a scattered beam region S2 due to a stain (surface roughness).例文帳に追加

感光ドラム１の表面に微小なグレージング角θでレーザ光Ｌｂを照射し、その散乱光成分Ｌｂ２を、傷による散乱光領域Ｓ３に配備された受光部材ＳＡ，ＳＢ，ＳＣと、汚れ（表面粗さ）による散乱光領域Ｓ２に配備された受光部材ＳＡＵとで受光する。 - 特許庁

The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

When a decision is made that the state of charge of the main battery MB decreased below a predetermined level, the main control section controls voltage converting operation of a DC/DC converter 42 such that the power supply passage from the main battery MB is interrupted and a DC voltage from an auxiliary battery SB is supplied to power supply lines PL1 and PL2 while being boosted.例文帳に追加

主制御部は、メインバッテリＭＢの充電量が所定値以下に減少したと判定されると、メインバッテリＭＢからの電力供給経路を遮断し、かつ補機バッテリＳＢからの直流電圧が昇圧されて電源線ＰＬ１，ＰＬ２に供給されるように、ＤＣ／ＤＣコンバータ４２の電圧変換動作を制御する。 - 特許庁

The processing part 1 of a knowledge and resources management server SB receives an invention registration statement showing that a series of workflow is finished from servers A11 to A13, classifies and adjusts the contents of the invention registration statement, stores the contents in an actual result database 2, also performs statistic processing on the basis of information stored in the database 2 and stores the results of the statistics processing in a plan database 3.例文帳に追加

知財管理サーバＳＢの処理部１は、サーバＡ１１〜Ａ１３から、一連のワークフローが終了した発明届出書を受け付け、この発明届出書の内容を分類・整理して、実績データベース２に格納するとともに、実績データベース２に格納された情報をもとに統計処理を行って、この統計処理結果を計画データベース３に格納する。 - 特許庁

The cover glass for the solid imaging element is made of inorganic oxide glass, which contains helium and/or neon of 0.0001-2 μL/g (0°C, 1 atm), a clarifying agent of 0.001-3 mass%, and one or more kinds of components selected among SO_3, Cl, H_2O, Sn, Sb, Ce, and F.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸化物ガラス製の固体撮像素子用カバーガラスにおいて、ヘリウム及びネオンの中から少なくとも一種の成分を０．０００１〜２μｌ（マイクロリットル）／ｇ（０℃、１ａｔｍ）含有し、清澄剤成分を０．００１〜３質量％であって、ＳＯ_３、Ｃｌ、Ｈ_２Ｏ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｅ及びＦの中から選択される一種以上の成分を含有する。 - 特許庁

The solder material includes: a tin-bismuth (Sn-Bi) alloy; copper (Cu); and an alloy represented by X-Y; wherein X is at least a metallic element selected from a metallic element group comprising Cu, Ni, and Sn and Y is at least a metallic element selected from a metallic element group comprising Ag, Au, Mg, Rh, Zn, Sb, Co, Li and Al.例文帳に追加

はんだ材料は、スズ-ビスマス（Ｓｎ-Ｂｉ）合金と、銅（Ｃｕ）と、Ｘ−Ｙで表記される合金、を含み、前記Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であり、前記Ｙは、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素である。 - 特許庁

The three-dimensionalic coordinate converter 34 converts the reception intensity signal Sb into a signal which represents it by the length of a straight line as a height of a target, along with converting the XY coordinate values into XY coordinate values of the law of perspective representation, and they are stored in a memory cell of a three-dimensional picture image memory 341 designated by the converted XY coordinate values.例文帳に追加

前記三次元的座標変換器３４は、前記ＸＹ座標値を遠近透視表示法のＸＹ座標値に変換するとともに、受信強度信号Ｓｂを物標の高さとして直線の長さで示す信号に変換して三次元画像メモリ３４１の前記変換されたＸＹ座標値で指定されるメモリセルに記憶する。 - 特許庁

In the winning combination lottery table 62 used during the game in which the win of the 2BB is carried over under the normal game, the duplicated win range of the SB and the specified winning combinations in the winning lottery table 62 used during the game in which the win of 2BB is not carried over is set for the single winning range of the specified winning combinations.例文帳に追加

通常遊技中であって２ＢＢの当選を持ち越している遊技中に用いられる役抽選テーブル６２は、２ＢＢの当選を持ち越していない遊技中に用いられる役抽選テーブル６２におけるＳＢ及び特定小役の重複当選領域が特定小役の単独当選領域に設定されている。 - 特許庁

This back light system is provided with a flat light source L having a light emitting surface 21 with an area SL smaller than an area SB of its light emitting surface 22 and a light magnifying means 12 expanding light from the light emitting surface of the flat light source as large as the area of the light emitting surface of the system before reaching the light emitting surface of the back light system.例文帳に追加

このバックライトシステムは、その発光面２２の面積ＳＢよりも小さな面積ＳＬの発光面２１を持つ平面型光源Ｌと、平面型光源の発光面からの光を、当該バックライトシステムの発光面に到達するまでの間に当該システムの発光面の面積まで拡大させる光拡大手段１２とを具備したものである。 - 特許庁

In this case, by means of adjusting (signal Sb, signal Sc) so that the amplitudes of the carrier wave part and phase modulation wave part become respectively an amplitude of the time hardly influenced by the crosstalk, the acquisition of the wobble signal (signal Sd) is attained, of which the influence of the crosstalk is accurately corrected simpler than heretofore and also in a short period of time.例文帳に追加

この場合に、搬送波部分の振幅及び位相変調波部分の振幅をそれぞれクロストークの影響がほとんどないときの振幅となるように調整する（信号Ｓｂ、信号Ｓｃ）ことにより、従来よりも簡単にしかも短時間でクロストークの影響が精度良く補正されたウォブル信号（信号Ｓｄ）を取得することが可能となる。 - 特許庁

To provide a flux-cored wire for gas shielded arc welding, when a hydrochloric acid and sulfuric acid dewpoint corrosion resistant steel is subjected to gas shielded arc welding, capable of obtaining a weld metal having excellent sulfuric acid corrosion resistance and hydrochloric acid corrosion resistance and also having excellent strength and impact toughness while suppressing occurrence in the liquid metal embrittlement cracks of the weld metal caused by Cu and Sb as low melting point components.例文帳に追加

耐塩酸及び耐硫酸露点腐食鋼をガスシールドアーク溶接した際に、低融点成分であるＣｕ及びＳｂに起因する溶接金属の液体金属脆化割れ発生を抑制しつつ、耐硫酸腐食性と耐塩酸腐食性とが共に優れ、かつ強度及び衝撃靱性に優れた溶接金属が得られるガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤを提供する。 - 特許庁

Signals of 1 or 0 for indicating whether the device A or device B accesses each block or not are supplied to the signal conductors so that a signal SA (S2, S1, S0) notifies a state of access of the device A to each block and that a signal SB (S5, S4, S3) notifies a state of access of the device B to each block.例文帳に追加

デバイスＡ又はデバイスＢが各ブロックにアクセスしているかどうかの状態を示す１又は０の信号を信号線に供給し、デバイスＡの各ブロックへのアクセス状態を信号ＳＡ（Ｓ２，Ｓ１，Ｓ０）で、デバイスＢの各ブロックへのアクセス状態を信号ＳＢ（Ｓ５，Ｓ４，Ｓ３）で通知する。 - 特許庁

A correlator 201 inputs input data Sa transmitted by inserting a fixed pattern for establishing the time slot synchronization into the same fixed position of the respective unique words indicating specific information for each time slot, and acquires correlated result data Sc by performing the correlation arithmetic operation of the fixed pattern in the unique word of the time slot with a reference pattern Sb.例文帳に追加

相関器２０１が、タイムスロットごとの固有情報を示すユニークワードのそれぞれの同一の固定位置にタイムスロット同期を確立するための固定パターンを挿入して伝送された入力データＳａに対して、タイムスロットのユニークワードにおける固定パターンを参照パターンＳｂと相関演算した相関結果データＳｃを得る。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体、Ｓｂを含む第２前駆体及びＴｅを含む第３前駆体間の化学反応により基板の表面にＧｅＳｂＴｅ薄膜を形成する第１ステップ及び前記ＧｅＳｂＴｅ薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第２ステップを含むＧｅＳｂＴｅ薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The single crystal of lead tungstate produced from tungsten trioxide and lead oxide or lead tungstate as main raw materials, contains at least two kinds of elements selected from Cd, Zn, Mo, Nb, Sb, La, Y and Gd in an amount of 0.01 to 20 mol % wherein a combination of Y and Nb is excepted.例文帳に追加

三酸化タングステン及び酸化鉛、又はタングステン酸鉛を主原料として使用し製造されるタングステン酸鉛単結晶に、添加剤としてＣｄ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄの内、Ｙ−Ｎｂ系を除く２種類以上の元素を合計で０．０１モル％以上２０モル％以下含有させる。 - 特許庁

In the front bumper 4, a projecting part 42 is protruded in a downwardly directed U-shape on a license plate back side part 41 located on the back side of a license plate 106, and a space Sb to be opened outwardly below the license plate 106 is formed between the license plate back side part 41 and the license plate 106.例文帳に追加

フロントバンパー４は、ライセンスプレート１０６の裏側に位置するライセンスプレート裏側部４１において、凸部４２が下方へ向いたコ字状に突出して形成されていることにより、ライセンスプレート裏側部４１とライセンスプレート１０６との間には、ライセンスプレート１０６の下側で外部へ開口する隙間Ｓｂが形成されている。 - 特許庁

When work for bonding the overcoat film only to either one of the upper and under surfaces Sa and Sb of a card S under heating and pressure is started, the leading end search of the overcoat film is performed by the sensor on the other side and, when the leading end search is completed normally, the set state of the carrier films is judged to be abnormal.例文帳に追加

そして、カードＳの上面Ｓａ又は下面Ｓｂの何れか一方のみにオーバコートフィルムを熱圧着する作業を開始する際に、装置１は、他方側のセンサによってオーバコートフィルムの頭出しを行い、その頭出しが正常に完了した場合には、キャリアフィルムのセット状態が異常であると判定する。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In this game machine, a pattern combination game can be performed with content of presentation that after performing super reach presentation (reach presentation Sa, Sb) having a low big prize reliability out of super reach presentation, super reach presentation (reach presentation Sc) having a higher big prize reliability than the reach presentation performed before a specific presentation is performed via the specific presentation.例文帳に追加

スーパーリーチ演出のうち大当り信頼度の低いスーパーリーチ演出（リーチ演出Ｓａ，Ｓｂ）の実行後、特定演出を経由して、特定演出前に実行したリーチ演出より大当り信頼度の高いスーパーリーチ演出（リーチ演出Ｓｃ）を実行させるという演出内容で図柄組み合わせゲームを実行可能に構成する。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor has: a base layer 103 formed on a collector layer 102 and consisting of a compound semiconductor configured by Ga, As, and Sb; a spacer layer 104 contacting with and formed on the base layer 103; and an emitter layer 105 contacting with and formed on the spacer layer 104 and consisting of a compound semiconductor configured by In and P.例文帳に追加

コレクタ層１０２の上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０３と、ベース層１０３の上に接して形成されたスペーサ層１０４と、スペーサ層１０４の上に接して形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを備える。 - 特許庁

An optical semiconductor element 1 comprising a semiconductor multilayer film L11, a separation layer SP, and a semiconductor multilayer film L12 formed sequentially on a semiconductor substrate SB, further includes an electrostatic breakdown voltage element 10 formed on the semiconductor multilayer film L11, and a surface emission semiconductor laser 20 formed on the semiconductor multilayer film L12 located above the semiconductor multilayer film L11.例文帳に追加

光半導体素子１は、半導体基板ＳＢ上に半導体多層膜Ｌ１１、分離層ＳＰ、及び半導体多層膜Ｌ１２が順に積層されており、半導体多層膜Ｌ１１に形成された静電耐圧素子１０と、半導体多層膜Ｌ１１の上方に位置する半導体多層膜Ｌ１２に形成された面発光型半導体レーザ２０とを含んで構成される。 - 特許庁

A CPU 11 of a microcontroller 1 of this touch panel input device 100 transmits output pulse to the touch panel 2 from an I/O port 12 through a driver 3 in signal control processing, receives response pulse from the touch panel 2 and simultaneously receives a clocking state signal sc or a clocking end signal sb from a timer 14.例文帳に追加

タッチパネル入力装置１００のマイクロコントローラ１のＣＰＵ１１は、信号制御処理において、Ｉ／Ｏポート１２から、ドライバ３を介してタッチパネル２に出力パルスを送信し、これに対する応答パルスをタッチパネル２から受信すると同時に、タイマ１４から計時状態信号ｓｃまたは計時終了信号ｓｂを受信する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device containing a nitride semiconductor layer, an electrode, and a dielectric film has an InGaNX contact layer containing one or more elements X selected from among As, P, and Sb in contact with an area between the nitride semiconductor layer and the dielectric film, thus preventing the dielectric film from being exfoliated.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体層、電極および誘電体膜を含む窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体層と前記誘電体膜との間に接して、Ａｓ、ＰまたはＳｂから選ばれる１種類以上の元素Ｘを含む、ＩｎＧａＮＸコンタクト層を具備することによって誘電体膜の剥離を防止することが可能である。 - 特許庁

An output strength distribution of a measuring ultrasonic beam SB of an ultrasonic transducer mounted to a short-side wall is adjusted in such a way as to have higher strength in a circumferential edge than in a center part of an ultrasonic emission surface in a cross-sectional short-side direction in a channel formation part having a rectangular channel cross section.例文帳に追加

長方形状の流路断面を有する流路形成部に対し短辺側壁部に取り付けられた超音波トランスジューサの測定用超音波ビームＳＢの出力強度分布を、断面短辺方向において超音波放射面の中央部よりも周縁部にて高強度となるように調整した。 - 特許庁

The integrated circuit device includes a scanning driver block SB for generating a control signal for driving a scanning line; a pad PDt electrically connected with the scanning line; and transistors pDTrt and nDTrt of which a connection node DNDt is electrically connected with the pad PDt and which are push-pull connected between a high-potential-side power source and a low-potential-side power source.例文帳に追加

集積回路装置は、走査線を駆動するための制御信号を生成する走査ドライバブロックＳＢと、走査線と電気的に接続するためのパッドＰＤｔと、その接続ノードＤＮＤｔがＰＤｔパッドと電気的に接続され、高電位側電源及び低電位側電源の間にプッシュプル接続されるトランジスタｐＤＴｒｔ、ｎＤＴｒｔとを含む。 - 特許庁

Here, a raw material containing at least one kind of element selected from the group of Bi and Sb and at least one kind of element selected from the group of Te and Se is formed into a thin film by a liquid quenching method and pulverized into powder, which is reduced with hydrogen gas and solidified and compacted without forming larger crystal particles, thereby manufacturing the thermoelectric material.例文帳に追加

また、Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜状にして、更に粉末化し、得られた粉末を水素ガスにより還元し、これを結晶粒が粗大化しない条件で固化成形することにより熱電材料が製造される。 - 特許庁

The method for manufacturing the thermoelectric material comprises the steps of first quenching to solidify a molten metal of a composition containing at least one type of element selected from the group consisting of Bi and Sb and at least one type of element selected from the group consisting of Te and Se by a liquid quenching method to manufacture a unidirectionally solidified thin piece or obtaining an ingot or its comminuted powder.例文帳に追加

熱電材料の製造方法は、先ず、Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とからなる組成の溶融金属を液体急冷法により急冷凝固させて一方向凝固した薄片を作製するか、又はインゴット若しくはその粉砕粉を得る。 - 特許庁

A thermoelectric material is configured by an alloy of at least one kind of element chosen from a group consisting of Bi and Sb and at least one kind of element chosen from a group consisting of Te and Se, and in which an atomic element is arranged to each surface of twenty one layers formed in a direction vertical to a c-axis in a unit cell.例文帳に追加

熱電材料を、Ｂｉ，Ｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｔｅ，Ｓｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素との合金であって、ユニットセルにおいてｃ軸に垂直な方向に形成される２１層の面のそれぞれに原子が配置される合金によって構成する。 - 特許庁

A mirror box (mirror driving device) is equipped with the four-joint link mechanism LM capable of switching a main mirror 103a held by a main mirror holder 1031 between mirror-down posture Pa and mirror-up posture Pb, and respective stoppers Sa and Sb abut on the main mirror holder 1031 to position the main mirror 103a in the mirror-down posture Pa.例文帳に追加

ミラーボックス(ミラー駆動装置)は、主ミラーホルダ１０３１に保持された主ミラー１０３ａをミラーダウン姿勢Ｐａとミラーアップ姿勢Ｐｂとの間で切替え可能な４節リンク機構ＬＭを備え、主ミラーホルダ１０３１に各ストッパＳａ、Ｓｂが当接して主ミラー１０３ａのミラーダウン姿勢Ｐａが位置決めされる。 - 特許庁

To provide a lead acid battery excelling in vibration resistance because strength of a welding part between positive/negative electrode cells is sufficiently rigid, excelling in durability of a cell-to-cell welding part by dissolving a minute quantity of Sb mainly included in a positive electrode member and redepositing it on a negative electrode surface, and improved in suppression of electrolyte decrease/charge acceptance property.例文帳に追加

正・負極セル間溶接部の強度が十分に強固で耐振動性に優れ、主に正極部材に含まれる微量のＳｂが電解液中に溶解し、負極表面に再析出することでセル間溶接部の耐久性が良く、さらに減液の抑制・充電受入性が改善された鉛蓄電池を提供することにある。 - 特許庁

To provide a laminated polyester (PEs) film which has high transparency, has less cyclic trimer content, can suppress obstruction of adhesive properties and decrease in transparency caused by the cyclic trimer, and has less defects caused by foreign substances caused by a catalyst by using a PEs polymerized by using a PEs polymerization catalyst which does not use Ge and Sb compounds as catalyst main components as a raw material.例文帳に追加

Ｇｅ、Ｓｂ化合物を触媒主成分として用いないＰＥｓ重合触媒を用いて重合されたＰＥｓを原料として用いた積層ＰＥｓフィルムにおいて、透明性が高く、かつ環状三量体含有量が少なく該環状三量体による接着性の阻害や透明性の低下を抑制することができ、さらに触媒に起因する異物による欠点が少ない積層ＰＥｓフィルムを提供する。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

The multiple oxide fine particles contain Ti, one or more kinds of metal elements selected from the element group L comprising Sb and Bi, and one or more kinds of metal elements selected from the element group M comprising Al, Zr, Zn, Sn, Ca and Mg.例文帳に追加

Ｔｉ、下記元素群Ｌから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素、及び下記元素群Ｍから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素を含有する複合酸化物微粒子であり、含有する金属元素中の元素群Ｌのモル比［Ｌ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．２であり、かつ含有する金属元素中の元素群Ｌと元素群Ｍの合計のモル比［Ｌ＋Ｍ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．５の範囲である複合酸化物微粒子。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with amorphous silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is 70 or more) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入するすることで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The device has a gallium-nitride-based semiconductor layer 19 containing at least one type that has nearly the same band gap as the active layer 15 and is selected from a group consisting of As, P, and Sb in layers 18 and 20 having a higher band gap energy than the active layer 15 at a position separated from an active layer 25.例文帳に追加

該素子は、活性層２５から離れた位置において、活性層１５よりもバンドギャップエネルギーが高い層１８、２０中に、活性層１５とほぼバンドギャップが等しく、かつＡｓ、ＰおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層１９を有する。 - 特許庁

The second heat seal Sb is constituted of a pair of sealer members 4, 4 provided with butt portions 4a butting against butt portions 4a of the other sealer member 4 while the cylindrical film F is being held between them, and concurrently surfaces of the butt portions 4a of these sealer members 4, 4 are provided with a plurality of fine dimples 4d.例文帳に追加

第二熱シールＳｂが、筒状にされたフィルムＦを間に挟んだ状態で他方のシーラ体４の突き当たり部４ａに突き当てられる突き当たり部４ａを備えた一対のシーラ体４、４によって構成されていると共に、これらのシーラ体４、４の突き当たり部４ａの表面に複数の微細なディンプル４ｄが施されている。 - 特許庁

This holder has a main body 3, a first support ring 4 projecting like a ring from the main body 3, and a second support ring 5 projecting like a ring from the outside of the first ring 4, with the first and second support rings 5, 4 forming a double ring to support a semiconductor wafer Sb.例文帳に追加

本体３と、この本体３からリング形状に突出した第１支持リング４と、この第１支持リング４の外側に同心に形成されリング形状に突出した第２支持リング５とを有し、この第２支持リング５と第１支持リング４との２重リングにより半導体ウェーハＳｂを支持する半導体ウェーハ熱処理用保持具。 - 特許庁