「SB」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

When the operating current monitor signal SB indicates, on the other hand, that the operating currents do not satisfy a prescribed reference, in order to obtain the operating currents satisfying the prescribed reference regardless of the indicated content of the leak monitor signal SA0, a discharge switch circuit 4P performs control to shallow the board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

一方、動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足しないと指示する場合、リークモニタ信号ＳＡ０の指示内容に関係なく、所定の基準を満足させる動作電流を得るため、ディスチャージスイッチ回路４ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを浅くする制御が行われる。 - 特許庁

The As content in the lead alloy for the lead storage batteries including Sb is specified to 0.095 mass% and Sn of 0.001 to 0.02 mass% and As of 0.001 to 0.02 mass% are incorporated into the lead alloy and thereby the mechanical strength, corrosion resistance and castability of the lead alloy can be remarkably improved despite the reduction of the As content.例文帳に追加

Ｓｂを含む鉛蓄電池用鉛合金中のＡｓ含有量を０．０９５質量％以下とし、０．００１％〜０．０２質量％のＳｎ、０．００１〜０．０２質量％のＡｇを含有させることにより、Ａｓ含有量の削減によっても、鉛合金の機械的強度や耐食性及び鋳造性を顕著に改善することができる。 - 特許庁

Control to stop reels in a stop state for displaying common opportunity patterns is performed when the operation state of a stop button is the second operation state concerning a game where the flag of a single bonus (SB) is set to be an internal winning state, and a game where the flag of a big bonus (BB) is set to the internal winning state.例文帳に追加

シングルボーナス（ＳＢ）のフラグが内部当選状態に設定されている遊技と、ビッグボーナス（ＢＢ）のフラグが内部当選状態に設定されている遊技とにおいて、ストップボタンの操作態様が第２の操作態様である場合に、共通のチャンス目が表示される停止態様でリールを停止させる制御を行う。 - 特許庁

When acquiring a pixel signal Sb of the other pixel 2b after acquiring a pixel signal Sa of one pixel 2a in a pixel sharing structure, a pixel signal Sab which is generated by synthesizing the signal charge of a plurality of the pixels 2a, 2b, is acquired by executing non-destructive reading, so that the signal charge of the pixel 2a read out first is not lost.例文帳に追加

画素共有の構造において、一方の画素２ａの画素信号Ｓａの取得後における他方の画素２ｂの画素信号Ｓｂの取得時には、初めに読み出した画素２ａの信号電荷が失われないように非破壊読出しをすることで、複数の画素２ａ，２ｂの信号電荷を合成した画素信号Ｓａｂを取得する。 - 特許庁

When a signal RFSH of a CPU 10 becomes 'L', based on the signal or the like, with the use of a control signal generated by a control circuit 21 for the control signal, bus drivers 16, 23 are controlled, then a data output circuit 20f is connected to an address bus AB, and a control sub-bus SB is connected to a control bus CB.例文帳に追加

ＣＰＵ１０の信号ＲＦＳＨ＼が「Ｌ」となると、この信号等に基づいてコントロール信号制御回路２１で作成される制御信号によりバスドライバ１６，２３を制御し、データ出力回路２０ｆとアドレスバスＡＢおよびコントロールサブバスＳＢとコントロールバスＣＢとを接続する。 - 特許庁

A sliding layer is formed from an alloy containing Sn, Sb, and Cu, wherein the mix proportion is 5-20 wt.% St, 0.5-20 wt.% Cu, and Sn as remainder, characterized by that lead content is <0.7 wt.%, the total content of the other components is <0.5 wt.%, and that Sn crystals in the sliding bearing layer have chiefly globular shape.例文帳に追加

滑り層は合金成分スズ、アンチモンおよび銅を含む合金から形成され、前記成分の割合が、アンチモン：５〜２０重量％、銅：０．５〜２０重量％、残部：スズであり、ここで、鉛の含有量が＜０．７重量％、他の成分の総含有量が＜０．５重量％であり、滑り軸受層においてスズ結晶が主に球状であることを特徴とする。 - 特許庁

The composite oxide catalyst contains a component X (X being at least one kind of element selected from alkaline earth metal elements and rare earth elements) and a component Y (Y being at least one kind of element selected from Te and Sb) and the atomic ratio (d) per one mol of the component X satisfies 0<d<0.01.例文帳に追加

少なくともＭｏ、Ｖ、成分Ｘ（成分Ｘはアルカリ土類金属元素および希土類元素から選ばれる少なくとも１種以上の元素）および成分Ｙ（成分ＹはＴｅおよびＳｂから選ばれる少なくとも１種以上の元素）を含む複合酸化物触媒であって、成分ＸのＭｏ１原子当たりの原子比ｄが、０＜ｄ＜０．０１の範囲で表されることを特徴とする複合酸化物触媒。 - 特許庁

The sub-picture control part performs processing to make the display region corresponding to the contact position generate the sub-picture SB whose size is set so that the sub-picture image to be viewed through the transparent object TOB can be displayed in the outline region of the transparent object TOB when the touch panel display 190 and the transparent object TOB are top-viewed.例文帳に追加

サブ画面制御部は、タッチパネルディスプレイ１９０及び透明物体ＴＯＢを平面視した場合における透明物体ＴＯＢの輪郭領域内に、透明物体ＴＯＢを介して見えるサブ画面画像が表示されるように、そのサイズが設定されたサブ画面ＳＢを、接触位置に対応する表示領域に発生させる処理を行う。 - 特許庁

Since the circuit 20 determines abnormality of the conduction passage based on the fact whether the voltage Sd at the joint is varying according to the control signal Sb or not, abnormality of the passage can be determined accurately even when the DC motor 2 is rotated forward through disturbance just like a fan motor for cooling engine.例文帳に追加

この回路２０では、接続点電圧Ｓｄが制御信号Ｓｂに応じて変化しているか否かによって通電経路の異常を判定するため、直流モータ２が、エンジン冷却用のファンモータのように、外乱によって順方向に回転される場合であっても、経路の異常を正確に判定することができる。 - 特許庁

The breast image display device is provided with a plurality of corresponding position detecting means 21, 22, ..., 26 for detecting right and left breast areas where the breasts are photographed, from right and left breast photographing images SA, SB and detecting predetermined corresponding positions in the detected right and left breast areas.例文帳に追加

右乳房撮影画像ＳＡおよび左乳房撮影画像ＳＢより乳房が撮影された右乳房領域および左乳房領域を検出し、検出された右乳房領域と左乳房領域中の予め設定された対応する位置を検出する対応位置手段２１、２２、・・・、２６を複数の備えるようする。 - 特許庁

The single crystal of the skutterudite is composed of a compound expressed by the formula, RT4X12 (R represents an element selected from rare earth metals and is an optionally additional component, T represents an element selected from Fe, Ru, Os and Co and X represents an element consisting of P, As and Sb) and the volume of the single crystal is ≥1 mm^3.例文帳に追加

化学式 ＲＴ4Ｘ12（R = 希土類元素から選ばれる元素であり、任意添加成分である。Ｔ は、 Ｆｅ, Ｒｕ, Ｏｓ及び Ｃｏから選ばれる元素を、X = Ｐ,Ａｓ及び Ｓｂからなる元素を表す。）で表されるスクッテルダイト化合物からなり、その容積が１ｍｍ３以上の単結晶であることを特徴とする化学式ＲＴ４Ｘ１２からなる化合物の単結晶、及びその製法。 - 特許庁

A series circuit comprising an alarm release contact RY1b that opens when the alarm output stops and a door alarm output transmission timer TM1, which activates 10 seconds after the door of the distribution panel PB is opened, is connected between an auxiliary busbar SB and the busbar AC_2, and at the same time an alarm circuit release confirmation timer TM2 is connected.例文帳に追加

補助母線ＳＢと母線ＡＣ_2との間には、警報出力停止時に開放する警報解除用の接点ＲＹ１bと、配電盤ＰＢの扉開後の１０秒経過後に動作する扉開警報出力送出用タイマＴＭ１との直列回路が接続されるとともに、警報回路解除確認用タイマＴＭ２が接続される。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

A measurement circuit 23 measures a leading time and a trailing time of a voltage across a load I2 in proportional relation to the load current IL, and a gradation control circuit 24 controls a gradual increasing ratio and a gradual decreasing ratio of the trapezoidal wave signal Sb so that the leading time and the trailing time are respectively equal to a reference leading time Ta and a reference trailing time Tb.例文帳に追加

計測回路２３は、負荷電流ＩL と比例関係にある負荷１２の両端電圧ＶL の立上り時間および立下り時間を測定し、傾き制御回路２４はその立上り時間および立下り時間がそれぞれ基準立上り時間Ｔａおよび基準立下り時間Ｔｂに等しくなるように台形波信号Ｓｂの漸増割合および漸減割合を制御する。 - 特許庁

In this tension lever 100 attached to the inner wall E of the engine by the shoulder bolt SB inserted through a pivotally supporting boss section 130, an oil guiding groove 131 guiding the engine oil O coagulated and adhered to a lever body 120 to the bolt insertion area 132 of the boss section 130 is formed by notching a part of the boss section 130 from the outer peripheral side to the inner peripheral side.例文帳に追加

軸支用ボス部１３０に挿通するショルダーボルトＳＢでエンジン内壁Ｅに取り付けられるテンショナレバー１００において、レバー本体１２０に凝集付着したエンジンオイルＯを軸支用ボス部１３０のボルト挿通領域１３２へ誘導するオイル誘導溝１３１が、軸支用ボス部１３０の一部分を外周側から内周側に向けて切り欠いた状態で形成されていること。 - 特許庁

LiMF_X is produced by bringing LiF into contact with an element M and/or a fluoride of the element M in the presence of fluorine gas and at 100°C or higher in a reaction vessel (wherein, M is an element selected from the group consisting of B, P, As, Sb, Bi, V, Nb and Ta; x is a number between 4-6).例文帳に追加

ＬｉＦと、Ｍ元素及び／又はＭ元素のフッ化物とを、フッ素ガス存在下において、反応槽内にて１００℃以上の温度で接触させることによりＬｉＭＦ_Ｘ（ＭはＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａよりなる群から選択される元素を示し、ｘは４〜６の数である。）を製造する。 - 特許庁

The photomask has four annularly arranged main patterns MP1-MP4 based on design information of a circuit pattern to be formed on a wafer SB, and a sub-pattern SP is arranged at an intersection point O of two diagonal lines L1 and L2 of a quadrangle Q formed by four vertices inside the four main patterns MP1-MP4 in order to increase a depth of focus of an exposure pattern.例文帳に追加

このフォトマスクは、ウェハＳＢ上に形成すべき回路パターンの設計情報に基づいて、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４を環状に配置し、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４の内側の４つの頂点によって形成される四角形Ｑの２本の対角線Ｌ１，Ｌ２の交点Ｏに、露光パターンの焦点深度を増大させるためのサブパターンＳＰを配置する。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

The control device 30 controls the charger 42 so that charging current IB may become zero in the midst of plug-in charging in which a relay SMRB is in a connection state, and corrects the output value of the current sensor 11 in a state of setting up a value below the voltage of the auxiliary battery SB as an output command value, while giving output circuit break signal to the DC-DC converter 6.例文帳に追加

制御装置３０は、リレーＳＭＲＢが接続状態であるプラグイン充電中において、充電電流ＩＢがゼロとなるように充電器４２を制御し、かつＤＣ−ＤＣコンバータ６に対して出力遮断信号を与えるとともに補機バッテリＳＢの電圧以下の値を出力指令値として設定した状態で、電流センサ１１の出力値の補正を行なう。 - 特許庁

The gold alloy for forming the optical recording disk reflection film has a composition containing at least one kind of element selected from the groups consisting of Mg, Al, Ti, Co, Ge, Zr, Sb, Zn, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ca in 0.05 to 0.2 wt.%, and the balance Au.例文帳に追加

光記録ディスク反射膜形成用の金合金であって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．２重量％含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする光記録ディスク反射膜形成用金合金。 - 特許庁

In the electronic components formed with a plurality of bumps for connection to the outside on a circuit formed surface, when the number of bumps 1b formed in a side B opposite to a side A is smaller than that of bumps 1a formed on the side A, an area Sb of the joint surface of the bump 1b is set larger than that Sa of the joint surface of the bump 1a.例文帳に追加

回路形成面に複数の外部接続用のバンプが形成された電子部品において、辺Ａに形成されたバンプ１ａよりも辺Ａと対向する辺Ｂに形成されたバンプ１ｂの数が少ない場合には、バンプ１ｂの接合面の面積Ｓｂをバンプ１ａの接合面の面積Ｓａよりも大きく設定する。 - 特許庁

In a press brake in which work stations SA, SB, SC are constituted of a split die D and a split punch P and by which a work W is bent, a length of a bending line is read from CAD information, a die layout deciding means 75 decides a combination based on the length information of the split die D and the split punch P stored in a memory 75.例文帳に追加

分割ダイＤおよび分割パンチＰにより加工ステーションＳＡ、ＳＢ、ＳＣを構成してワークＷに曲げ加工を行うプレスブレーキ１では、ＣＡＤ情報から曲げ線の長さを読み取って、金型レイアウト決定手段７７がメモリ７５に記憶されている分割ダイＤおよび分割パンチＰの長さ情報に基づいて組み合せを決定する。 - 特許庁

A solar cell is equipped with a transparent anti-reflection film 1 which contains crystalline fine particles that are 0.1 μm or below in grain diameter and is formed on a light receiving surface 2, where the crystalline fine particles are doped with at least one element selected out of an element group composed of Ce, Eu, Tb, Sm, Yb, Au, Cu, Mn, and Sb.例文帳に追加

粒子径０．１μｍ以下の結晶性微粒子を含む透明反射防止膜１を受光面２に形成してなり、この結晶性微粒子が、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍ、Ｙｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素がドープされたものであることを特徴とする太陽電池を構成する。 - 特許庁

The Ta and/or Nb oxide from which Sb has been removed is manufactured by obtaining a purified Ta solution and/or a purified Nb solution by the solvent extraction method, mixing the same with a precipitant, conducting the solid-liquid separation to obtain a Ta and/or Nb hydroxide, and roasting the Ta and/or Nb hydroxide at 450-1,200°C.例文帳に追加

更に、溶媒抽出によって分離精製してＴａ精製液及び／又はＮｂ精製液を得、沈澱剤と混合、固液分離し水酸化Ｔａ及び／又はＮｂを得、この水酸化Ｔａ及び／又はＮｂを４５０〜１２００℃の温度で焙焼して酸化Ｔａ及び／又はＮｂを得るＳｂが除去された酸化物を製造する。 - 特許庁

The ammonia gas sensor 200A includes a first solid electrolyte layer 6A, containing one or more oxides selected from among a group of V, Bi and Sb as the major component; a reference electrode 4A, formed on the surface of the first solid electrolyte layer and where a combustible gas is burned on the surface; and a detection electrode 2A where the combustible gas does not burn on the surface.例文帳に追加

Ｖ、Ｂｉ及びＳｂの群から選ばれる１種以上の酸化物を主成分とする第１固体電解質層６Ａと、該第１固体電解質層の表面にそれぞれ形成された可燃性ガスが表面にて燃焼する基準電極４Ａ及び可燃性ガスが表面にて燃焼しない検知電極２Ａとを備えたアンモニアガスセンサ２００Ａである。 - 特許庁

In this biosensor for detecting the interaction between substances based on surface plasmon resonance, the substrate has a metal thin film including ≥90 mol% and less than 99.95 mol% of Ag as a first metal element, and ≥0.05 mol% and less than 10 mol% of at least one of Au, Pt, Cu, Bi, Nd, Ti or Sb as a second metal element.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴に基づいて物質間の相互作用を検出するバイオセンサーにおいて、前記基板が、第一の金属元素としてのＡｇを９０モル％以上９９．９５モル％未満と、第二の金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種を０．０５モル％以上１０モル％未満と、を含む金属薄膜を備えたバイオセンサー。 - 特許庁

The infrared transmitting glass for molding comprises 2-22 mol% Ge, 6-34 mol% at least one chosen from the group consisting of Sb and Bi, 1-20 mol% at least one chosen from the group consisting of Sn and Zn and 58-70 mol% at least one chosen from the group consisting of S, Se and Te.例文帳に追加

モル濃度で、Ｇｅ：２〜２２％、Ｓｂ及びＢｉからなる群から選択される少なくとも１種：６〜３４％、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも１種：１〜２０％、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される少なくとも１種：５８〜７０％を含有する、モールド成型用赤外線透過ガラス。 - 特許庁

In this case, since the same privilege more advantageous than the SB is set for the small roles 1-3, a player advances a game while aiming at the small roles 1-3 in a normal game, however, since whether or not one of the small roles 1-3 is internally won is unknown, even a skilled person can not win all the small roles.例文帳に追加

ここで、小役１乃至３は、ＳＢよりも有利な特典、かつ同一の特典が設定されているので、遊技者は、通常遊技においては、小役１乃至３を狙いつつ遊技を進行させるが、小役１乃至３のいずれかに内部当選していることはわからないので、熟練者であっても、すべての小役に入賞させることができない。 - 特許庁

In the electronic musical device, musical sound signals SB and SA formed based on the performance operation (manual performance) and/or the automatic performance data and an external input sound signal SC which is input from outside, by a sound source, are constantly recorded in a digital recorder for predetermined time T1-T2 to T1 as a recorded data SQ.例文帳に追加

この電子音楽装置では、音源により演奏操作（手動演奏）及び／又は自動演奏データに基づいて形成された楽音信号ＳＢ，ＳＡと、外部から入力される外部入力音信号ＳＣが、記録データＳＱとして、所定時間Ｔ１−Ｔ２〜Ｔ１にわたりディジタルレコーダに常時記録される。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic shape-memory alloy which includes Ni, Mn, at least one element selected from the group consisting of In, Sn and Sb, Co and/or Fe, and unavoidable impurities, and has high mechanical hardness, and to provide a method for easily manufacturing the ferromagnetic shape-memory alloy which has the high mechanical hardness.例文帳に追加

Ｎｉと、Ｍｎと、Ｉｎ、ＳｎおよびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｃｏおよび／またはＦｅと、不可避不純物と、からなる強磁性形状記憶合金に関し、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金、および、高い機械的硬度を有する強磁性形状記憶合金を容易に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The thermoelectric material is a P type thermoelectric material containing at least one kind of element selected from a group of Bi and Sb and at least one kind of element selected from a group of Te and Se and restricted to a mean crystal particle size of ≤50 μm and an oxygen content of ≤1500 mass ppm.例文帳に追加

熱電材料は、Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有するＰ型の熱電材料であって、結晶粒の平均粒径が５０μｍ以下、酸素含有量が１５００質量ｐｐｍ以下に規制されている。 - 特許庁

The copolyester resin comprises, as acidic components, 20-60 mol.% adipic acid and ≤55 mol.% terephthalic acid each based on the whole acidic components and, as glycol components, 20-40 mol.% neopentyl glycol and 10-25 mol.% triethylene glycol each based on the whole glycol component and contains each specific amount of Sb, Zn and Ti.例文帳に追加

酸成分として全酸成分に対して20〜60モル％がアジピン酸、55モル％以下がテレフタル酸からなり、グリコール成分として全グリコール成分に対して20〜40モル％がネオペンチルグリコール、10〜25モル％がトリエチレングリコールからなるポリエステル樹脂であって、かつ、アンチモン、亜鉛、チタンの各原子の添加量が特定量である。 - 特許庁

The communication system has the server devices S (Sa, Sb, ..., Sz), and the terminal units (portable telephones) T1, T2 that are connected via a communication network N.例文帳に追加

通信ネットワークＮを介して接続されたサーバ装置Ｓ（Ｓａ、Ｓｂ…Ｓｚ）及び端末装置（携帯電話）Ｔ１、Ｔ２を有する通信システムであって、サーバ装置Ｓが複数設けられ、端末装置Ｔ１、Ｔ２は、当該端末装置Ｔ１、Ｔ２の位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、この位置情報に基づいて通信するサーバ装置Ｓを決定するサーバ装置決定手段と、を有する通信システムにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a Sb-Te sputtering target which effectively prevents generation of particles, abnormal electric discharge, generation of nodules, occurrence of cracks or breakage, etc., in sputtering and of which the oxygen content is reduced; its production method; and a powder for sintering suitable for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用粉末を提供する。 - 特許庁

A/D converting parts 3a and 3b sample a received baseband signal Sb with an asynchronous sampling clock CK of doubled symbol rate and on the basis of these sampled data sequences Ii and Qi, a transmission complex symbol frequency generating part 5 generates data sequences Ei and Di of transmission complex symbol frequency components.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換部３ａ，３ｂがシンボルレートの２倍の非同期サンプリングクロックＣＫで受信ベースバンド信号Ｓｂをサンプリングし、このサンプリングしたデータ系列Ｉi，Ｑiをもとに、送信複素シンボル周波数生成部５が、送信複素シンボル周波数成分のデータ系列Ｅi，Ｄiを生成する。 - 特許庁

This flux for smelting the copper is the flux containing range of 3:1-1:1 wt. ratio of soda ash and lime or the range of 3:1-1:1 wt. ratio of soda ash and silica rock, and used for removing this impurities containing As and Sb in a crude copper in a copper smelting converter.例文帳に追加

ソーダ灰と生石灰との重量比率が３：１〜１：１の範囲であるフラックス、又はソーダ灰と硅石との重量比率が３：１〜１：１の範囲であるフラックスであることを特徴とする銅製錬用フラックスであり、銅製錬転炉の粗銅中のＡＳ、Ｓｂを含む不純物の除去に用いられるものである。 - 特許庁

The oxidation reaction catalyst represented by the formula: MO_1V_aX_bNb_cZ_dO_n is manufactured by the use of a catalyst raw material liquid containing a precursor of Mo, a precursor of V, a precursor of Sb and/or Te, a precursor of Nb and at least two kinds of elements among elements constituting the catalyst.例文帳に追加

Ｍｏのプレカーサー、Ｖのプレカーサー、Ｓｂおよび／またはＴｅのプレカーサー、Ｎｂのプレカーサー、および触媒を構成する元素の少なくとも二種の元素を含む複合酸化物を含む触媒原料液を用いて化学式（１）で示される触媒を製造し、この触媒を用いて不飽和ニトリルまたは不飽和カルボン 酸を製造する。 - 特許庁

For scanning, n pieces of focus-detector sets having planar detectors are moved on the coaxial spiral orbit SB_n and simultaneously a moving signal 18 of the moving subject is measured for detecting a moving time phase and a resting time phase, and a time interrelation of the moving data and the detector output data is stored.例文帳に追加

走査のために、平面状の検出器を有するｎ個の焦点−検出器セットが同軸のスパイラル軌道ＳＢ_n上で移動され、同時に、運動する被検体の運動信号１８が運動時相と休止時相の検出のために測定され、運動データと検出器出力データとの時間的相関関係が記憶される。 - 特許庁

The memory element includes a first and second impurity areas in which one substance among Sb, Ga, or Bi is contained as a dopant and are formed on a semiconductor substrate, respectively, a dielectric film which is formed adjacent to each of the first and second regions on the semiconductor substrate and contains an charge storage layer and a high dielectric layer, and a gate electrode layer formed on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板にＳｂ、ＧａまたはＢｉのうち何れか一つの物質をドーパントとして含んでそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び前記第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、電荷保存層及び高誘電体層を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁

The fiber cord (f) of a reinforced layer 2 disposed between an inner tube 1 and an outer tube 3 contains a composite cord obtained by twin-twisting a yarn fa obtained by twisting aliphatic polyketone fiber filaments sa, and a yarn fb obtained by twisting an organic fiber filaments sb having a higher cutting elongation than the aliphatic polyketone fiber.例文帳に追加

内管１と外管３との間に配置した補強層２の繊維コードｆを、脂肪族ポリケトン繊維フィラメントｓａ を撚り合わせたヤーンｆａ と、脂肪族ポリケトン繊維より切断伸度の高い有機繊維フィラメントｓｂ を撚り合わせたヤーンｆｂ とを双撚りにした複合コードから構成する。 - 特許庁

The optical recording medium that is configured so that laser beams are applied and data are recorded and reproduced includes a laminate in which a recording layer 7 and a light absorption layer 5 sandwich a second dielectric layer 6, and the light absorption layer 5 contains Ge, or Sb and Ge as main constituents.例文帳に追加

レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録媒体であって、記録層７と、光吸収層５とが、第二の誘電体層６を挟んで形成された積層体を含み、光吸収層５が、Ｇｅ、またはＳｂとＧｅを主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the electrically heated catalyst device 2b provided in an exhaust passage 10 of an internal combustion engine 1, supplying electricity to a catalyst carrier 30 formed in a plate shape to generate heat and heating an exhaust emission control catalyst, the catalyst carrier 30 is provided with narrow sections Sa, Sb of which with in an electricity supply route direction gets partially narrow.例文帳に追加

内燃機関（１）の排気通路（１０）に配設され、板状に形成された触媒担体（３０）に通電して発熱させ排気ガス浄化用触媒を加熱するようにした電気加熱触媒装置（２ｂ）において、前記触媒担体（３０）には、その通電経路方向の幅が部分的に狭くなる狭窄箇所（Ｓａ，Ｓｂ）が設けられている。 - 特許庁

In the phase change type optical information recording medium having a recording layer made of a phase change type recording material, the phase of which reversibly changes between an amorphous phase and a crystalline phase through the irradiation with electromagnetic waves, the phase change type recording material consists of Ge, Ga, Sb, Te and Mg and/or Ca.例文帳に追加

電磁波の照射により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁

In a pixel shared structure, after the pixel signal Sa of one pixel 2a is acquired, when acquiring the pixel signal Sb of another pixel 2b, non-destructive read is performed not to lose the signal charge of the pixel 2a that is read first, thereby acquiring a pixel signal Sab which are obtained by combining signal charges of the plurality of pixels 2a, 2b with each other.例文帳に追加

画素共有の構造において、一方の画素２ａの画素信号Ｓａの取得後における他方の画素２ｂの画素信号Ｓｂの取得時には、初めに読み出した画素２ａの信号電荷が失われないように非破壊読出しをすることで、複数の画素２ａ，２ｂの信号電荷を合成した画素信号Ｓａｂを取得する。 - 特許庁