「V-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, when a leakage protection plug for 100 v appliance is connected to a 200 v plug outlet, the pseudo earth leakage circuit 8 conducts applied with high voltage and the pseudo earth leakage current runs to the test circuit 16 in the same manner as a test switch 7a is pressed.例文帳に追加

例えば１００ｖ機器用の漏電保護プラグが２００ｖコンセントに差し込まれると、擬似漏電回路８が過電圧を印加されて導通し、テストスイッチ７ａが押されたときと同様にテスト回路１６に擬似漏電電流が流れる。 - 特許庁

Here, the amount of the citric acid and the malic acid is selected in such a range that the additive amount of the citric acid is 0.15 w/v% or less based on the total drink and the additive amount of the malic acid is 0.15 w/v% or less based on the total drink.例文帳に追加

本発明において、クエン酸及びリンゴ酸の量は、クエン酸の添加量が、飲料全量に対して、０．１５ｗ／ｖ％以下であり、リンゴ酸の量が、飲料全量に対して、０．１５ｗ／ｖ％以下である範囲が選択される。 - 特許庁

This paper sheet carrying device regulates an upper specified value (2.4 V) higher than an upper limit value of a specified value range (1.0-1.8 V), and is initially set so that output of a light receiving part of detecting the light from a light emitting part in a state of detecting paper sheets, becomes higher than the upper specified value.例文帳に追加

規定値範囲（１．０Ｖ〜１．８Ｖ）の上限値より高い上規定値（２．４Ｖ）を規定し、発光部からの光を、紙葉類を検知した状態で検出した受光部の出力が、上規定値より高くなるように初期設定されている。 - 特許庁

Since the I-V characteristics of the fuel cell changes in accordance with supplying oxidation gas volume, the oxidation gas volume (that is, a stoichiometric air ratio) supplied to the fuel cell is adjusted to control the power generating efficiency by changing of the I-V characteristics.例文帳に追加

燃料電池のＩ−Ｖ特性は、供給する酸化ガス量に応じて変動するため、本発明では燃料電池に供給する酸化ガス量（すなわちエアストイキ比）を調整し、Ｉ−Ｖ特性を変えることで発電効率の調節を行う。 - 特許庁

Crude atorvastatin hemicalcium wet-form V (10 g) is agitated in acetone (10 mL per g of wet ATV hemicalcium having 55-60% water and ethanol), anhydrous ethanol (8 mL per g of wet ATV hemicalcium), and water (2 mL per g of wet hemicalcium) at a reflux temperature (65°C) for 2.5 h.例文帳に追加

粗アトルバスタチンヘミ−カルシウム湿潤フォームV（10g）を、アセトン（55〜60％の水及びエタノールを有する湿潤ATVヘミカルシウム1g当たり10ml）、無水エタノール（湿潤ATVヘミ−カルシウム1g当たり8ml）及び水（湿潤ヘミカルシウム1g当たり2ml）において、還流温度（65℃）で2.5時間、撹拌する。 - 特許庁

The DC voltage command value selection section 11 selects one of the DC voltage command values, V^*dcc and V^*dch which are stored in the DC voltage command value storage section 12, based only on the cooling/heating command S^* for switching cooling and heating.例文帳に追加

直流電圧指令値選択部１１は、冷房と暖房とを切り替える冷暖指令Ｓ^＊のみに基づいて、直流電圧指令値記憶部１２に記憶された前記直流電圧指令値Ｖ^＊ｄｃｃ，Ｖ^＊ｄｃｈの一を選択する。 - 特許庁

Then, the displacement amount of each point of fall is measured, and prescribed relational expressions are used to measure the volume susceptibility χ of the particulates X, the volume V of the particulates X, or the volume V of the magnetic substance in the particulates X, or the mass of the particulates X.例文帳に追加

次いで、前記落下点の変位量を計測し、所定の関係式から微粒子Ｘの体積磁化率χ、微粒子Ｘ中の体積Ｖあるいは微粒子Ｘ中の磁性物質の体積Ｖ、又は微粒子Ｘの質量を測定する。 - 特許庁

After coated optical fibers 5 are arranged in the V-grooves 7 of a V-grooved glass substrate 2 constituting the fiber array 1, silicon powder 6A is supplied thereon and cover glass 4 is superposed thereon and is irradiated with a YAG laser beam 12L from the outer side thereof.例文帳に追加

ファイバアレイ１を構成しているＶ溝ガラス基板２のＶ溝７に光ファイバイ芯線７を配置した後に、その上にシリコン粉末６Ａを供給し、カバーガラス４を重ねて、その外側からＹＡＧレーザー光１２Ｌを照射する。 - 特許庁

The creeping discharge electrode 3 forms minute channels V, V,... in succession by successively installing minute notches 8, 8,... of a predetermined shape (the triangle with two edges of a length) on the side of the side 7 of the electro-conductive flat plate M on the dielectric 2.例文帳に追加

沿面放電電極３は、誘電体２上の導電性平板Ｍの一側面７の側に所定の形状（２等辺三角形）の微細な切り欠き８，８，…を連続して設けることにより、微細流路Ｖ，Ｖ，…を連続して形成している。 - 特許庁

By this, the equipment to be actuated by the 200 V power supply can carry out the demonstration by the 100 V power supply also, and can be used without mistaking as the failure because the demonstration setting is carried out intentionally even in the case the equipment is installed mistakenly.例文帳に追加

これにより、２００Ｖ電源で動作する機器も、１００Ｖ電源でデモ動作をさせることができるとともに、デモ設定が意図的に行なわれるために機器が誤って設置された場合にも故障と間違うことなく使用することができる。 - 特許庁

A hydrogen storage alloy with a BCC structure, containing a Ti-Cr-V-Mo based alloy as a major component and having a composition in the componential ratios of 10 to 17.5 mol% V and 1 to 5 mol% Mo is incorporated into a main tank 2.例文帳に追加

水素吸蔵合金としてＢＣＣ結晶構造を有するＴｉ−Ｃｒ−Ｖ−Ｍｏ系合金を主成分とし、Ｖが１０〜１７．５ｍｏｌ％、Ｍｏが１〜５ｍｏｌ％の成分比率の組成とした水素吸蔵合金を主タンク２に内蔵する。 - 特許庁

In this state, a pair of the electrode tabs 5, 6 adjacent to each other are held by a pair of V-shaped or inverse V-shaped surface 7a, 7b and a pair of surfaces 9a, 9b on bellows-like insulation sheets 7, 9.例文帳に追加

この状態において、互いに隣接した一対の電極タブ５，６は、蛇腹状の絶縁シート７，９におけるＶ字状または逆Ｖ字状に対向した一対の面７ａ，７ｂおよび一対の面９ａ，９ｂによって挟持される。 - 特許庁

(v) Statement that the juridical person who continues to exist after the merger or is established by the merger, or the juridical person succeeds to air transport services upon demerger, complies with the criteria listed in the provisions of Article 101 paragraph (1) item (iii) and (v) of the Act. 例文帳に追加

五　合併後存続する法人若しくは合併により設立される法人又は分割により航空運送事業を承継する法人が、法第百一条第一項第三号及び第五号に掲げる基準に適合する旨の説明 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The arithmetic unit 30 is supplied with the measured values (P; Pn; Pn-1) and the movement value (v), specifies the time interval between the measurements of actual measured values (P; Pn; Pn-1) in a sequence electronic part 100, and calculates the correction value K of the movement value (v).例文帳に追加

算術ユニット３０は測定値（Ｐ；Ｐｎ；Ｐｎ−１）及び移動値ｖが供給されて、シーケンス電子部１００における実際の測定値（Ｐ；Ｐｎ；Ｐｎ−１）の測定間の時間間隔を特定し、移動値ｖの訂正値Ｋを算出する。 - 特許庁

In this power assist device 20, an assist force F found by a control device 60 is found by an equation of motion; F=mV×a+c×v+k×x and a viscosity coefficient c is defined based on the moving speed v of a work W.例文帳に追加

パワーアシスト装置２０では、制御装置６０により求められるアシスト力Ｆは、運動方程式；Ｆ ＝ ｍ_V ×ａ ＋ ｃ×ｖ ＋ ｋ×ｘによって求められ、粘性係数ｃは、ワークＷの移動速度ｖに基づいて定められている。 - 特許庁

The cutter for opening containers has a protruding lever mounted on a side face of a gripper, which can move a cutting blade in the gripper out of/into a V shape recess through a bottom face of the V shape recess and a protrusion on which the fingers are hooked.例文帳に追加

把持体の側面に突設させたレバーの操作によって把持体内から前記Ｖ状凹部内の谷底を経由してＶ状切欠凹部に対して切開切刃を出入自在とした容器切開用カッターであって、指引っ掛け用の隆起部を設ける。 - 特許庁

In this alloy for glass sealing having a composition containing Ti, V and Mn, containing, by weight, 35 to 60% Ni and 3 to 8% Cr, and the balance Fe with inevitable impurities, (Ti+V)/Mn is controlled to 0.2 to <2.0 by weight ratio.例文帳に追加

Ｔｉ、ＶおよびＭｎを含有し、重量比でＮｉ ３５〜６０％、Ｃｒ ３〜８％を含み、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるガラス封着用合金において、（Ｔｉ＋Ｖ）／Ｍｎが重量比で０．２以上２．０未満であるもの。 - 特許庁

A movable-side bag bottom bearer B which moves to return to the stop position in the stage V from a next stage VI is elevated to the elevated position from a lowered position to support the bag bottom nearly at the same height position as the bearer A, and the bearer A is lowered to the lowered position.例文帳に追加

次工程VIからVの停止位置に復帰移動してきた可動側袋底受け台Ｂを下降位置から上昇位置まで上昇させて、受け台Ａと略同じ高さ位置で袋底を支持させ、受け台Ａを下降位置へ下降させる。 - 特許庁

In the meantime, though the actuating solenoids 534a-534c need the voltage of +32 v when starting drive, once the solenoid is attracted, sufficient attraction force is obtained even by relatively low +12 v and an attracted state is maintained.例文帳に追加

一方、投入ソレノイド５３４ａ〜５３４ｃは、駆動開始時には＋３２ｖの電圧が必要となるものの、ソレノイドが一旦吸引された後は、比較的低い＋１２ｖであっても十分な吸引力を得られ、吸引状態を維持できる。 - 特許庁

In this group III-V nitride compound semiconductor device, the material of the electrode 5 formed on the surface of an n-type layer 4 composed of a group III-V nitride compound semiconductor represented by a GaN compound semiconductor is a silicide alloy.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体で代表されるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体から成るｎ型層４の表面に形成される電極５の材料がシリサイド系合金であるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体装置。 - 特許庁

To grow a group III-V compound semiconductor crystal whose V group contains phosphate using an MOCVD method by reducing a phosphate raw material flow rate necessary for growing a thin film crystal whose surface is finished to a mirror surface than a flow rate in a conventional manner.例文帳に追加

Ｖ族にリンを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶をＭＯＣＶＤ法を用いて成長するとき、表面が鏡面状態の薄膜結晶を成長するために必要なリン原料流量を、従来よりも少なくすること。 - 特許庁

A V-shaped groove 11 having an opening of about 90 degrees is formed near a longitudinal central portion of a foamed synthetic resin plate 10 constituting each heat radiation unit, and a plurality of cut portions 12 are formed in the direction orthogonal to the V-shaped groove 11.例文帳に追加

各放熱ユニットを構成する発泡合成樹脂板１０の長手方向中央部近傍に一条の開度が略９０度のＶ字形溝１１を形成し、Ｖ字形溝１１と直交する方向に複数の切込み部１２を形成する。 - 特許庁

Each of the notching cutting blades 34 is constituted of a V-shaped edge 36 consisting of two notching edges 36a, 36a crossing each other in a V-shape and the slitting edge 40 extending from the crossing point 38 of both notching edges 36a, 36a.例文帳に追加

各切欠き用切断刃３４は、Ｖ字状に交わる二つの切欠き用刃先３６ａ,３６ａからなるＶ字状刃先３６と、両切欠き用刃先３６ａ,３６ａの交点３８から延びる切目用刃先４０とから構成される。 - 特許庁

The medical device is coated with the polymer matrix containing pharmaceutical agents, and the polymer matrix includes at least one biodegradable polymer and at least one pharmaceutical agent in an amount of about 0.01 to 10% (w/v), wherein the pharmaceutical agent is a nucleic acid.例文帳に追加

薬剤を含むポリマーマトリックスでコーティングされた医療用具であって、前記ポリマーマトリックスが少なくとも一種の生分解性ポリマー及び0.01%〜10%(w/v)の量の少なくとも一種の薬剤を含むものであり、かつ前記薬剤は核酸である、前記医療用具。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity.例文帳に追加

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。 - 特許庁

In a method for polishing a group III-V nitride semiconductor substrate by using slurry, the slurry contains a substance having chemical potential sufficient for unbonding an ionic bond of a molecule composing the group III-V nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

スラリーを用いてIII−Ｖ族窒化物半導体基板を研磨する研磨方法であって、前記スラリーは、前記III−Ｖ族窒化物半導体基板を構成する分子のイオン性結合を切断するために十分な化学ポテンシャルを有する物質を含む。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element 1, a semiconductor area 5 consists of a first III-V compound semiconductor, and the layer of the first III-V compound semiconductor consists of a semiconductor containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements and nitride elements.例文帳に追加

窒化物半導体素子１では、半導体領域５は、第１のIII−Ｖ化合物半導体から成り、第１のIII−Ｖ化合物半導体の層はインジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含む半導体から成る。 - 特許庁

as regards Japan, a period of contributions under the legislation of Japan concerning the Japanese pension systems specified in paragraph 1(a)(i) to (v) of Article 2, and any other period taken into account under that legislation for establishing entitlement to benefits,例文帳に追加

日本国については、日本国の法令のうち次条１(a)(i) から(v)までに掲げる日本国の年金制度に関するものによる保険料納付期間及び給付を受ける権利の確立に際して当該法令に基づき考慮されるその他の期間。 - 厚生労働省

When the V wining hole specified by the wining hole specification information stored in the RAM 52 is accorded with the V wining hole where the game ball W actually enters, the maximum winning balls of an attacker 16 is set to 20.例文帳に追加

ＲＡＭ５２に記憶された入賞口特定情報によって特定されるＶ入賞口が、実際に遊技玉Ｗが入賞したＶ入賞口に一致する場合、アタッカー１６の最大入賞可能個数が２０個に設定される。 - 特許庁

In the diode 40, the rising voltage of a forward current of the diode is about 0.6 V which is the value of the, energy gap of silicon, and the dielectric breakdown electric field of the diode becomes about 3×106 V/cm which is the dielectric breakdown electric field of silicon carbide.例文帳に追加

ダイオード４０において、ダイオードの順方向電流の立ち上がり電圧は、シリコンのエネルギーギャップの値である約０.６Ｖであり、ダイオードの絶縁破壊電界はシリコンカーバイドの絶縁破壊電界である約３×１０^6Ｖ／ｃｍとなる。 - 特許庁

A volume of musical sound is set based on key pressing speed V of the key 3 calculated according to pieces of two key pressing information which are in a relationship having no let-off therebetween among the first and the second key pressing information and the second and the third key pressing information.例文帳に追加

第1および第2押鍵情報、ならびに第2および第3押鍵情報のうち、互いの間にレットオフをまたがない関係にある2つの押鍵情報に基づいて算出した鍵3の押鍵速度Vに基づき、楽音の音量を設定する。 - 特許庁

In this image correcting method, a read-out control part 2 calculates rear number coordinates (u, v) corresponding to integer coordinates (x, y) on a liquid crystal panel 4 by the coordinate transformation system of this invention and reads out pixels existing at surroundings of the real number coordinates (u, v) from a frame memory 1.例文帳に追加

読み出し制御部２は、液晶パネル４上の整数座標（ｘ，ｙ）に対応する実数座標（ｕ，ｖ）を、本発明の座標変換方式によって算出し、実数座標（ｕ，ｖ）の周囲にある画素をフレームメモリ１から読み出す。 - 特許庁

To provide a game machine configured to transfer the game state to a specific game state when V winning is generated, capable of attracting a player's attention to the structure of a generator, etc. even in the period before the V winning.例文帳に追加

Ｖ入賞が生じたときに特定遊技状態に移行させるように構成された遊技機において、Ｖ入賞が生ずるときよりも前の時期でも役物の構造等に対する遊技者の注目を集めさせることを可能にする。 - 特許庁

A coefficient generation circuit 136 generates the coefficient data of each class by a generation expression including parameters (h) and (v) on the basis of the coefficient basic data of each class and the values of image quality adjustment parameters (h) and (v) by a user operation and stores the coefficient data in a memory 134.例文帳に追加

係数生成回路１３６では、各クラスの係数種データと、ユーザ操作による画質調整パラメータｈ，ｖの値とに基づいて、パラメータｈ，ｖを含む生成式により、各クラスの係数データを生成し、メモリ１３４に格納する。 - 特許庁

Thus the click impact of desired magnitude can be obtained in engaging the suspended wheel 5 and the V-shaped projecting portion 14 and the V-shaped recessed portion 17, thus an operation can surely know that the door 4 reaches a prescribed closing position.例文帳に追加

吊り車輪５と前記Ｖ字状張出部１４及び前記Ｖ字状陥没部１７との係合時に所要大きさのクリック衝撃が得られ、操作者は前記扉４が所定の閉鎖位置に到達したことを的確に知ることができる。 - 特許庁

The alloy element(s) Y is one or more kinds selected from Al in ≥1 mass% as concentrated quantity, Si in ≥2 mass%, P in ≥0.5 mass%, Ti in ≥0.5 mass%, V in ≥2 mass%, Cr in ≥13 mass%, Zn in ≥7 mass%, Sn in ≥2 mass% and W in ≥5 mass%.例文帳に追加

合金元素Ｙの濃縮量が、Al：１質量％以上，Si：２質量％以上，Ｐ：0.5質量％以上，Ti：0.5質量％以上，Ｖ：２質量％以上，Cr：13質量％以上，Zn：７質量％以上，Sn：２質量％以上，Ｗ：５質量％以上のうちの１種または２種以上である。 - 特許庁

First folds P11-P14 for peak-folding and first folds V11-V13 for V-folding are made in parallel to each other at intervals.例文帳に追加

第１の山折り用折り目Ｐ１１〜Ｐ１４と、第１の谷折り用折り目Ｖ１１〜Ｖ１３とは、互いに間隔を隔てて平行に付される。 - 特許庁

For example, the detection apparatus 10 generates a detected signal Sv at a level according to the velocity V of a moving body in which an electronic device D is installed.例文帳に追加

例えば、検出装置１０は、電子機器Ｄが設置される移動体の速度Ｖに応じたレベルの検出信号Ｓvを生成する。 - 特許庁

When a [V] button of the page switching key 17i is depressed, a control section 56 switches the pages of the electronic program guide in the direction of time.例文帳に追加

例えばページ切換キー１７ｉの［Ｖ］ボタンが押下されたのであれば、制御部５６は電子番組表のページを時間方向に切り換える。 - 特許庁

In a control system 1, an arithmetic unit 2 outputs an equivalent signal v preliminarily set as a value equivalent to a speed command signal.例文帳に追加

図１の制御系１では、演算器２が、速度指令信号に相当する値として予め設定された相当信号ｖを出力する。 - 特許庁

To provide a 2 V system control valve type lead-acid battery capable of being formed into a mono-block with a battery case having a simple open structure in structuring a battery pack.例文帳に追加

組電池を構成する場合、簡易な開放構造の電槽でモノブロック化することができる２Ｖ系制御弁式鉛蓄電池を得る。 - 特許庁

The inner space V in the case K partitioned from the chimney passage 20 by the board 2 is forcilbly air-cooled by an electric fan 31.例文帳に追加

基板２によって煙突通路２０とは仕切られたケースＫ内の内部空間Ｖは、電動ファン３１を利用した強制空冷が行われる。 - 特許庁

The battery panel 12 is configured by connecting a number of battery cells 100 in series and its open voltage is set to 100 to 180 [V].例文帳に追加

電池パネル１２は、電池セル１００を多数、直列に接続して構成されたものであり、開放電圧が１００〜１８０［Ｖ］とされている。 - 特許庁

To correctly adjust a SW point even in the case that a rising edge of a SW pulse overlaps with a position of V-SYNC exactly.例文帳に追加

ＳＷパルスの立ち上がりエッジがちょうどＶ−ＳＹＮＣの位置と重なっているような場合でも、ＳＷポイントを正確に調整する。 - 特許庁

A radial distance of the formation wedge distal end 8 from the tool shaft A is increased in a direction opposite to a direction V that the tool 1 is progressed.例文帳に追加

工具軸Ａからの形成くさび先端８の径方向距離は、工具１が押し進められる方向Ｖの反対方向に増大している。 - 特許庁