V-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8949件
In the low alloy steel, the contents of C, Si, Cr, Mn, Al and N are optimized, the contents of Ni, Mo, W, V, Ti and O are regulated, further, the total content of Mo, W, V and Ti is regulated, and its structure is mainly composed of ferrite and pearlite.例文帳に追加
低合金鋼において、C、Si、Cr、Mn、Al及びNの含有量を最適化し、Ni、Mo、W、V、Ti及びOの含有量を規制すると共に、Mo、W、V及びTiの総含有量を規制し、組織を主にフェライト及びパーライトにより構成する。 - 特許庁
To manufacture easily and in a simple process nitride based III-V compound semiconductor substrates on which nitride based III-V compound semiconductor layers exhibiting a low defect density and a high quality can be grown, and to manufacture high-performance and long-life semiconductor devices by using them.例文帳に追加
欠陥密度が低い高品質の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させることができる窒化物系III−V族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。 - 特許庁
The device for detecting background level 11 employs operational amplifiers (IC1-IC5) applied with a supply voltage in the range of 0 V to 5 V, carries out a process of full-wave rectification or the like using an offset potential BL as reference applied to an offset potential line VMM, and thereby detects the background level.例文帳に追加
バックグランドレベル検出装置11は、0[V]〜5[V]の電源電圧が印加された演算増幅器(IC1〜IC5)を備えるとともに、オフセット電位ラインVMMに印加されているオフセット電位BLを基準として全波整流処理等を実行することで、バックグランドレベルを検出する。 - 特許庁
By using the seed crystal, a nitride based III-V compound semiconductor layer such as an n-type GaN layer 24 is grown in a lateral direction to manufacture a nitride based III-V compound semiconductor substrate such as an n-type GaN substrate.例文帳に追加
この種結晶を用いて基板上に例えばn型GaN層24のような窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させることにより例えばn型GaN基板のような窒化物系III−V族化合物半導体基板を製造する。 - 特許庁
This peeling device for an onion peeler has such a scheme that two parallel rotating shafts rotating in the same direction by the aid of the mechanical power of a motor are axially mounted with V-shaped rollers at moderate intervals and onions put to pretreatment are rolled on the respective V-shaped rollers and compressed air is blown against the onions under rolling motion.例文帳に追加
モーターの動力で同一方向に回転する2本の平行する回転軸に適度の間隔を保って夫々V型ローラを軸装し、該V型ローラ上で前処理を施した玉ねぎを転動させ、この転動中の玉ねぎに圧搾空気を吹付けるようにした。 - 特許庁
N≥49650/R^2, 22.1≤V≤315.5, wherein N is the number of bead-like cell adsorption material filled in the container, R is the radius (mm) of the bead-like cell adsorption material, and V is the capacity (cm^3) of the container filled with the bead-like cell adsorption material.例文帳に追加
0.1≦2R<2.0N≧49650/R^222.1≦V≦315.5ここで、N:容器に充填されたビーズ状の細胞吸着材料の個数(個)、R:ビーズ状の細胞吸着材料の半径(mm)、V:ビーズ状の細胞吸着材料が充填される容器の容量(cm^3) - 特許庁
With an electrolytic solution 3 caused to act on the relevant end faces 151 and 152, a voltage V is placed between both ends of the film part 150 in its length L direction to measure the value of an electric current I flowing through the film part 150, corrosion rate v is analyzed from the result of the measurement.例文帳に追加
そして、当該端面151、152に電解溶液3を作用させた状態で、金属薄膜部150の長さL方向の両端に電圧Vを印加して金属薄膜部150に流れる電流Iの値を計測し、この計測結果から腐食速度vを解析する。 - 特許庁
This electro-optic device is the electro-optic device for displaying images within a display region V by arranging electro-optic materials, for example, liquid crystals, between a pair of substrates 4a and 4b having electrodes 8a and 8b in the display region V and electrode wiring 15a, 15b and 17 within a non-display region X.例文帳に追加
表示領域V内に電極8a,8bを備え非表示領域X内に電極配線15a,15b,17を備えた一対の基板4a,4bの間に電気光学物質、例えば液晶を配置して表示領域V内に像を表示する電気光学装置である。 - 特許庁
This method for recovering the group III elements from a III-V compound semiconductor containing phosphorus has a process of evaporating only the phosphorus by roasting the III-V compound semiconductor at 900 to 1500°C in an inert atmosphere and a process of removing the evaporated phosphorus.例文帳に追加
Pを含むIII−V族化合物半導体からIII族元素を回収する方法であって、上記III−V族化合物半導体を不活性雰囲気中において900〜1500℃で焙焼してPのみを揮発させる過程と、上記揮発したPを除去する過程とを有する。 - 特許庁
(iv) Article 315 (except for item (v)), Article 315-2, Article 316, item (iv) or (v), Article 317, items (iv) to (vi) inclusive, Article 317-2 (except for item (ii)), or Article 318-2 to the preceding Article inclusive; a fine prescribed in the respective Articles. 例文帳に追加
四 第三百十五条(第五号を除く。)、第三百十五条の二、第三百十六条第四号若しくは第五号、第三百十七条第四号から第六号まで、第三百十七条の二(第二号を除く。)又は第三百十八条の二から前条まで 各本条の罰金刑 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To reduce a discharge amount of preliminary discharge executed for voltage adjustment immediately after battery assembly, in a nonaqueous electrolyte battery composed by combining a positive electrode of a metal oxide such as lithium titanate with a negative electrode of a lithium-aluminum alloy or the like, and having a battery voltage of 1.5 V to around 1.2 V.例文帳に追加
チタン酸リチウム等の金属酸化物正極とリチウムアルミ合金等の負極を組み合わせてなる電池電圧1.5Vから1.2V程度の非水電解液電池において、電池組み立て直後に電圧調整のため行う予備放電の放電量を削減する。 - 特許庁
This electric power steering device is provided with a vehicular speed sensor for detecting a vehicle speed V expressing an operation condition of a vehicle, a vehicle speed VS for computing is determined based on the detected vehicle speed V, and a command current value for electrifying an electric motor is determined in response to the determined speed VS.例文帳に追加
電動パワーステアリング装置は、車両の運転状態を表す車速Vを検出する車速センサを備え、検出された車速Vに基づいて演算用車速VSを決定し、決定された演算用車速VSに応じて電動モータに通電する指令電流値を決定する。 - 特許庁
In a method for manufacture of a solid spherical body of total volume V by injection molding a thermoplastic resin or an elastomer composition, the composition is injected by dividing N times, and a volume Vn of a molded part formed by the N-th injection molding satisfies the formula 0.4≤Vn/(V/N)≤1.6.例文帳に追加
熱可塑性樹脂又はエラストマー組成物を射出成形して、総体積Vの中実球体を製造する方法であって、前記組成物をN回に分けて射出し、且つN回目の射出成形により形成される成形部の体積V_n が、下記関係式を満足する。 - 特許庁
In order to prevent the voltage DC117 V and DC12 V generated by the switching regulator 10 from being influenced by the voltage induced by the reactor 331, a switch part 40 for interrupting the reactor 331 from the capacitor 332, when the switching regulator 10 is operated, is provided.例文帳に追加
また、スイッチングレギュレータ10にて生成されるDC117V及びDC12Vがリアクトル331に誘起される電圧に影響を受けないようにするために、スイッチングレギュレータ10の動作時にリアクトル331とコンデンサ332との間を断路するスイッチ部40が設けられている。 - 特許庁
To manufacture in a process simpler than that for a conventional horizontal trench power MOSFET breakdown voltage of up to 80 V, while a device pitch is smaller and on resistance per unit area is smaller compared with the conventional horizontal trench power MOSFET having the breakdown voltage lower than 80 V.例文帳に追加
従来の耐圧80V用の横型トレンチパワーMOSFETよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の80Vよりも低い耐圧用の横型パワーMOSFETよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。 - 特許庁
In some embodiments, the reaction between V-group precursor and the substrate is reduced by starting with relatively lower molar ratio of V-group precursor to III-group precursor, and then reducing the ratio during the growth of the first layer or using a nitrogen gas as an ambient gas.例文帳に追加
幾つかの実施形態においては、III族前駆体に対するV族前駆体の低いモル比で開始し、次に、第1層の成長においてこの比を増加させ、又は窒素を雰囲気ガスとして用いることによりV族前駆体と基板との間の反応が減らされる。 - 特許庁
In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加
強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁
A navigation system 8 of the vehicle V is configured to input a navigation signal Ns into a vehicle control ECU10 when it is detected that a position of the vehicle V meets any positions of the predetermined types of facilities or is in the vicinity of any positions of the predetermined types of facilities.例文帳に追加
車両Vのナビゲーション装置8は、車両Vの位置が所定の種類の施設の位置と一致したこと、又は車両Vの位置が所定の種類の施設の位置の近傍であることを検出すると、車両制御ECU10にナビゲーション信号Nsを入力するように構成する。 - 特許庁
For detecting a lateral inclination of a motorcycle V in a self- supported position on a conveyor pallet 101 with its rear wheel Wr clamped, a longitudinal type photoelectric sensor 96a, 96b, or a projector/photoreceptor pair, is arranged on each side of the body of the motorcycle V.例文帳に追加
コンベアのパレット101上に後輪Wrをクランプされて自立した自動二輪車Vの左右方向の倒れを確認すべく、自動二輪車Vの車体の左右両側部に、投光器および受光器よりなる前後の光電センサ96a,96bをそれぞれ配置する。 - 特許庁
The lithium ion secondary battery is composed of a cathode 2 having an active substance and a binder, an anode 3, and an electrolyte as well as a separator 4 positioned between the cathode 2 and the anode 3, and an open circuit voltage per a unit cell in a full charge is 4.25 V or more and 6.00 V or less.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池は、正極活物質とバインダーとを有する正極2と負極3と、正極2と負極3との間に介在された電解質およびセパレータ4とを有し、また、満充電における単セルあたりの開回路電圧が4.25V以上6.00V以下である。 - 特許庁
In the nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with an electrode group having a cathode, an anode, and a separating membrane, and nonaqueous electrolyte, the electrode group carries out charging so that a battery voltage at an initial charging is to be 4.23 V or more and less than 4.30 V.例文帳に追加
正極、負極及び隔離膜を有する電極群と、非水電解液を備えた非水電解液二次電池において、前記電極群は初期充電における電池電圧が4.23V以上4.30V未満になるよう充電を行うことを特徴とした非水電解液二次電池である。 - 特許庁
In an A/V server, editing data are managed in the style of 'edit data page (page for short)' corresponding to a so-called cut as a pair of IN point and OUT point in material data and data to be prepared and 'program' as the integration of this page.例文帳に追加
A/Vサーバにおいて編集データは、素材データ及び被作成データのIN点、OUT点の組でありいわゆるカットに相当する“エディットデータページ(以下、ページと略記する。)”と、このページの集積としての“プログラム”という形で管理される。 - 特許庁
A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加
GaAs基板1と能動層40との間に、平面内にInAs核をドット状(島状)に形成し、その上にInAs核が埋まる程度にIII−V族化合物半導体のバッファ層20を成長した構造を設ける。 - 特許庁
In the polarizing plate constituted of a polarizer and a phase difference film, the degree of polarization of the polarizer is set to ≥99.9% and the color in the case of arranging two polarizers in a crossed Nichol state is set to 0.35<v'<0.55 and 0.1<u'<0.3 in a u'v' chromaticity diagram.例文帳に追加
偏光子と位相差膜からなる偏光板において、該偏光子の偏光度を99.9%以上にして、該偏光子を二枚クロスニコルに配置した場合の色味をu’v’色度図で0.35<v’<0.55かつ0.1<u’<0.3となるようにする。 - 特許庁
Ratios of the components in the surface treatment agent are, by pts.mass, 40 to 55 for (A), 15 to 25 for (B), 3 to 10 in P terms for (C), 0.5 to 3 in Ti terms for (D), 0.5 to 3 in V terms for (E) and 3 to 10 for (F).例文帳に追加
表面処理剤中の成分比が、(A)40〜55質量部、(B)15〜25質量部、(C)P換算として3〜10質量部、(D)Ti換算として0.5〜3質量部、(E)V換算として0.5〜3質量部、(F)3〜10質量部である。 - 特許庁
In this regard, outer circumference of the guide ring 5 abuts against the V-shaped oblique side of a groove 2a provided in the outer circumference of a laminated core 2 and being pressure held in the central direction, and inner circumferential part of the stator segment 1a is stuck to the core 4b in the central part.例文帳に追加
このとき、ガイドリング5の外周は積層鉄心2の外周に設けた溝部2aのV字の斜辺に当接して中心方向に押圧保持され、固定子個片1aの内周部は中央部の中芯4bに密着される。 - 特許庁
An optical waveguide substrate 100 in which an optical waveguide 120 is formed and an optical fiber end substrate 200 which is in abutting contact with the waveguide substrate mutually at the end face are positioned by fitting inter substrate positioning guide pins 300 in guide pin V-grooves 130, 220 formed in each substrate.例文帳に追加
光導波路120 が形成された光導波路基板100 と、1つの端面を互いに突き合わせ接触する光ファイバ側基板200 とを、それぞれに形成されたガイドピン用V溝130,220 に基板間位置決めガイドピン300 をはめ込んで位置決めする。 - 特許庁
To take a smooth swing without feeling awkward in a grip while allowing the forcible V-shaped grip of a thumb and an index finger particularly on the back side of a hand in the grip with the left hand (in the case of a right-handed person) in golf.例文帳に追加
ゴルフにおける左手(右利きの場合)の握りにおいて、特に手の甲側における親指と人差し指のV字握りを強制的に行うことが出来ながら、握りに窮屈さを感じることなくスムースなスイングを行い得るようにすること。 - 特許庁
In the packing material, a number of fiber cloth pieces made of inorganic fiber or plants are arranged in a line in the interior thereof, and a bent part having a V-shaped section and a flat surface at the bottom is formed in the fiber cloth pieces, the upper parts of which are provided with confronting clamping projecting pieces.例文帳に追加
該包装材には、内部に無機質の繊維又は植物よりなる繊維布を多数列設し、この繊維布には、底部に平坦面を設けた断面V字状の折曲部を形成し、且つ上部に相対する挟持突片を形成する。 - 特許庁
(v) Drugs prescribed in paragraph (1) of Article 2 of the Pharmaceutical Affairs Act (Act No. 145 of 1960), quasi-drugs prescribed in paragraph (2) of said Article, cosmetics prescribed in paragraph (3) of said Article, and medical equipment prescribed in paragraph (4) of said Article 例文帳に追加
五 薬事法(昭和三十五年法律第百四十五号)第二条第一項に規定する医薬品、同条第二項に規定する医薬部外品、同条第三項に規定する化粧品及び同条第四項に規定する医療機器 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(v) an act, conducted in order to prevent rescission of a sales contract on goods specified by a Cabinet Order referred to in Article 24(1)(ii) of the Act, of having the purchaser use or consume in whole or in part said goods when concluding said sales contract. 例文帳に追加
五 法第二十四条第一項第二号の政令で定める商品の売買契約の解除を妨げるため、当該売買契約を締結した際、購入者に当該商品を使用させ又はその全部若しくは一部を消費させること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
In a preferred embodiment, the cross section in the direction perpendicular to the direction of the grooves of the base material has a shape in which projections in triangular mountain forms or recesses comprising V-shaped grooves are connected to one another, with the projecting parts and the recessed parts each having a vertical angle of 90° or smaller.例文帳に追加
また、好ましい態様においては、前記基材の溝方向と垂直な方向の断面形状が、三角山形の凸条またはV字溝からなる凹条が連結された形状であり、凸部および凹部の頂角が90°以下である。 - 特許庁
To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery in which in a 4 V class battery, the over-charge current is made to be consumed effectively by making the redox shuttle operate effectively even in an over-charge state, and which excels in security and has a high energy density.例文帳に追加
4V級電池において、レドックスシャトルを効果的に機能させることにより過充電状態になった場合でも過充電電流を効果的に消費させ、安全性に優れ、エネルギー密度の高い非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁
In the etching apparatus to spray the etching solution from a spray nozzle on a surface of the printed circuit board carried by a carrying roll in the horizontal direction, flat spray nozzles are arranged in an inclined manner in the V-shape to the axis of the carrying roll.例文帳に追加
搬送ロールにより水平に搬送されるプリント回路基板の表面に、スプレーノズルによりエッチング液を噴霧するようにしてなるエッチング装置において、スプレーノズルとしてフラット状スプレーノズルを搬送ロール軸に対しハ字状に傾斜配置してなる。 - 特許庁
In the initialization period in the initialization period including the sustaining period in driving a plasma display, a voltage Vr (V) exceeding the break-down voltage against column electrode is applied to the 1st row electrode after the sustaining operation in the sustaining period.例文帳に追加
プラズマディスプレイの駆動における維持期間を含む初期化期間における初期化動作において、維持期間における維持動作の後に第1の行電極に列電極に対し放電開始電圧を超える電圧Vr(V)の電圧パルスを印加する。 - 特許庁
Though the play was long out of performance, it was revived in 1913 by Sadanji ICHIKAWA (II) (written by Hakusei HIRAKI), in 1933 by Sansho ICHIKAWA (V) (written by Shiko YAMAZAKI), in 1958 by Zenshin-za Troupe (written by Kanesaburo HIRATA) and in 1982 by Shoroku ONOE (II) (written by Koichi TOSHIKURA). 例文帳に追加
長らく上演が絶えていたが、1913年に市川左團次(2代目)(平木白星作)、1933年に市川三升(5代目)(山崎紫紅作)、1958年に前進座(平田兼三郎作)、1982年に尾上松緑(2代目)(利倉幸一作)が復活上演している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In a high vehicle speed area in which a vehicle speed V is higher than a predetermined vehicle speed V1 or in a high rotation number area in which the number N of an engine revolutions is higher than a predetermined number N1 of revolutions, a high-pressure pressure regulator is driven according to a low-frequency driving pulse signal (steps 5, 6).例文帳に追加
車速Vが所定車速V1より高い高車速領域あるいは機関回転数Nが所定回転数N1より高い高回転数領域では、低周波駆動パルス信号により高圧プレッシャレギュレータを駆動する(ステップ5,6)。 - 特許庁
when the liquid crystals 4 shrink at a low temp., the liquid crystals 4 in the auxiliary liquid crystal region 17 flow into the display region V, thereby preventing the generation of air bubbles in the liquid crystals 4.例文帳に追加
低温時に液晶4が収縮するとき、補助液晶領域17内の液晶4が表示領域V内へと流れ込み、液晶4の内部に気泡が発生することを防止する。 - 特許庁
The sugar-reduced soy sauce where direct-reducing sugar content in soy sauce is ≤1.5 wt.% (W/V) is obtained through making soy sauce yeast come in contact with hydrated soy sauce Moromi to culture the Moromi followed by compressing the cultured Moromi.例文帳に追加
加水した醤油諸味に醤油酵母を接触させて培養し、その後圧搾することによって、醤油中の直接還元糖含量が1.5%(W/V)以下である糖低減化醤油を得る。 - 特許庁
The photocatalyst semiconductor element comprises an electroconductive substrate and the group III to V element nitride semiconductor formed thereon in a shape of a dot or in a shape of a rod.例文帳に追加
また、本発明の他の課題は、光照射により酸化還元反応を生じさせることができる光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法を提供することにある。 - 特許庁
This section conveyance device is constituted by attaching a support plate 3 supporting sections A, B in a reverse V-shape and a pusher plate 4 abutted on end parts of the sections A, B to a chain 1 moving and arranged in an endless manner.例文帳に追加
エンドレス状に配設されて移動するチェーン1に折丁A,Bを逆V字形に支える支持プレート3と折丁A,Bの端部に当接されるプッシャプレート4とが取付けられてなる。 - 特許庁
To improve the corrosion resistance of an alloy for a magnetic head of Fe-Si-Mn series and Fe-Si-Mn-V series high in saturation magnetic flux density and low in coercive force without deteriorating its magnetic properties.例文帳に追加
飽和磁束密度が高く保磁力が低いFe−Si−Mn系、及びFe−Si−Mn−V系の磁気ヘッド用合金の磁気特性を劣化させることなく、耐食性を向上すること。 - 特許庁
In this V-type engine E provided in the motorcycle 1, a bank space 12 is arranged between cylinders 6 and 7, and intake passages 71 and 72 of the respective cylinders 6 and 7 are extended to a side part through the bank space 12.例文帳に追加
自動二輪車1が備えるV型エンジンEはシリンダ6,7間にバンク空間12を有し、各シリンダ6,7の吸気流路71,72は前記バンク空間12を通って側方へ延設されている。 - 特許庁
A component of harmonics which are three times or more of the angular frequency ω contained in the output of the differential amplifier 6 is extracted by a lock-in amplifier 17, and information corresponding to a differential capacitance (C/V) image is obtained.例文帳に追加
差動増幅器6の出力に含まれる角周波数ωの3倍以上の高調波の成分を、ロックインアンプ17によって、抽出し、微分容量(∂C/∂V)像に相当する情報を得る。 - 特許庁
In the case a small margin mode is selected, a cleaning bias (-1500 V) is applied on the transfer roller in a gap between papers, that is, the gap between the trailing end of the preceding transfer material and the leading end of the following transfer material.例文帳に追加
余白小モードが選択された場合、先行する転写材の後端と後続する転写材の先端との間の紙間において、クリーニングバイアス(−1500V)を転写ローラに印加する。 - 特許庁
An A/V sever 1 has HDD(hard disk device) arrays 5A and 5B, video data and voice data of Ch 1-4 are accumulated in the array 5A, and video data and voice data of Ch 5-8 are accumulated in the array 5B.例文帳に追加
A/Vサーバ1は、HDDアレイ5A及び5Bを有し、アレイ5Aには映像データとCh1〜4の音声データ、アレイ5Bには映像データとCh5〜8の音声データが夫々蓄積される。 - 特許庁
In growing a silicon single crystal 15, in order to control the V/G value with high accuracy so as to yield a desired defect-free region, it is important to conduct the pulling at a constant pulling rate.例文帳に追加
シリコン単結晶15の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにV/Gを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。 - 特許庁
A mask frame has long edge side walls in parallel with a horizontal axis H, short edge side walls in parallel with a vertical axis V, and opposite corner side walls connecting the long edge side walls and the short edge side walls.例文帳に追加
マスクフレームは、水平軸Hに平行な長辺側壁部と、垂直軸Vに平行な短辺側壁部と、長辺側壁部及び短辺側壁部を連接する対角側壁部と、を有している。 - 特許庁
When the light guide plate 4 is divided into N regions in the length L direction, a reflection area S of the V-grooves 45 per unit width in a region of an arbitrary position X generally satisfies formula (1).例文帳に追加
導光板4を長さL方向にN個の領域に分割したとき、任意の位置Xの領域における単位幅当りのV溝45の反射面積Sは、概ね次式を満たしている。 - 特許庁
To prevent occurrence of accelerative defects or foreign sounds in the case of abrupt acceleration after sudden stop from high speed-traveling state in a vehicle provided with a centrifugal clutch between the driving shaft and the driving V-pulley.例文帳に追加
遠心クラッチを原動軸とドライブVプーリーとの間に設けたものにおいて、高速走行状態から急停車した後に急加速する場合における加速不良や異音の発生を防止する。 - 特許庁
| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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