「current process」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The backlight 24 is provided on the rear face of a liquid crystal display element 23 displaying the current time or the contents of the rice cooking process, and when the current application switching means 22 is in the state of supplying the power of the second output voltage V2, the backlight 24 is put out by a first backlight control means 25.例文帳に追加

現在時刻や炊飯工程内容等を表示する液晶表示素子２３の後面にバックライト２４を設け、通電切換手段２２が第二の出力電圧Ｖ２の電力供給を停止している状態のとき、第一のバックライト制御手段２５によりバックライト２４を消灯するよう構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the secondary battery includes a process in which electrodes are manufactured by drying a current collector with infrared radiation after a water dispersion liquid containing a binder and an active material is coated on the current collector in a secondary battery having the electrodes and an electrolyte containing ionic liquid.例文帳に追加

電極及びイオン液体を含有する電解質を有する二次電池において、集電体に結着剤及び活物質を含有する活物質の水分散液を塗布した後、赤外線照射により乾燥して電極を作製する工程を有することを特徴とする二次電池の製造方法。 - 特許庁

Usually in the case the resistance values of the resistance components r1 and r2 are high, the current supplied from the constant voltage source 152 to the resistance components r1 and r2 are a few, and the transfer process is not affected, but under an environment where the temperature and humidity are high, the shortage of the transfer current to the resistance component r1 becomes conspicuous.例文帳に追加

通常、抵抗成分ｒ１及びｒ２の抵抗値が大きい場合は、定電圧源１５２から抵抗成分ｒ１及びｒ２に供給する電流は僅かで、転写には影響しないが、高温高湿環境下では、転写のための抵抗成分ｒ１への電流不足が顕著となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which inhibits an increase of the number of power sources for inspection, makes it possible to supply a power source current over an amount of supply of a power source current of a single power source for inspection, and includes an inspection process that can efficiently, certainly inspect the semiconductor device; and provide a semiconductor device.例文帳に追加

検査用電源数の増大を抑制するとともに、単一の検査用電源の電源電流供給量を越える電源電流の供給を可能とし、半導体装置を効率的かつ確実に検査することができる検査工程を含む半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The fluctuations in the supply current to the solenoids 101-104, which is caused by the fluctuations in battery voltage to be monitored is deduced, while monitoring the battery voltage through an interruption process part 229 provided to the feedback path, and the correction for the duty ratio is performed, in a manner of the deduced fluctuations of the supply current being suppressed.例文帳に追加

そして、この帰還路に設けた割り込み処理部２２９を通じてバッテリの電圧をモニタしつつ、このモニタするバッテリ電圧の変動に起因するソレノイド１０１〜１０４への供給電流の変動を推定し、この推定した供給電流の変動が抑制される態様でデューティ比の補正を行う。 - 特許庁

In the B/I test process, a maximum current limit Ilmt (max) to be supplied from a B/I testing device to a B/I board BIBD is set based on a margin α in which a maximum operation current Icc (max) of a testing object device DUT, the number N of DUTs mounted on the BIBD, and a dispersion are taken into consideration.例文帳に追加

Ｂ／Ｉテスト工程の際に、Ｂ／Ｉテスト装置からＢ／ＩボードＢＩＢＤに供給する最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を被テストデバイスＤＵＴの最大動作電流Ｉｃｃ（ｍａｘ）とＢＩＢＤ上のＤＵＴの搭載数Ｎとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。 - 特許庁

The apparatus 1 for detecting the welding current is set up in the welding process of an electric resistance welding tube P, and equipped with a magnetic sensor 11 which is installed in the upper part of the groove M1 of the material M to be welded and a signal processing means 12 which detects the welding current flowing in the groove M1 on the basis of the output of the magnetic sensor 11.例文帳に追加

溶接電流検出装置１は、電縫溶接管Ｐの溶接工程に設置され、被溶接材料Ｍの開先部Ｍ１の上方に設置された磁気センサ１１と、磁気センサ１１の出力に基づいて開先部Ｍ１に流れる溶接電流を検出する信号処理手段１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a counter circuit for controlling an off-chip driver, capable of changing a DC (or AC) output current value of the off-chip driver, in response to the variations in process characteristics of a PMOS and an NMOS in a wafer state, and a DC (or AC) output current value changing method for the off-chip driver that uses the same.例文帳に追加

ウェーハ状態でＰＭＯＳとＮＭＯＳの工程特性の変動に応じてオフチップドライバのＤＣ（あるいはＡＣ）出力電流値を変更することが可能なオフチップドライバ制御用カウンタ回路およびそれを用いてオフチップドライバのＤＣ（あるいはＡＣ）出力電流値を変更する方法を提供する。 - 特許庁

In particular, since the current is extracted after the air system inlet valve 23 and the air system outlet valve 24 are closed, the consumption of oxygen of the oxidizer electrode side can be made less compared with the case the current is extracted before these valves 23, 24 are closed, and shortening of the time required for the stopping process can be realized.例文帳に追加

特に、空気系入口弁２３および空気系出口弁２４を閉じた後に電流を取り出すため、これら弁２３，２４を閉じる前に電流を取り出す場合と比較して、酸化剤極側の酸素の消費量を少なくすることができ、停止処理の時間短縮につなげることができる。 - 特許庁

The sub CPU 11b detects whether or not the transistors FET1, ..., FET4 are in an abnormal state based on the detected duration of the period for performing the directional output inhibition and the motor current IM corresponding to the fact that the directional output inhibition process is performed when the motor current IM becomes excessive.例文帳に追加

サブＣＰＵ１１ｂは、モータ電流ＩＭが過電流となる場合に方向出力禁止処理が実行されることに対応して、方向出力禁止処理が実行される期間の継続時間の検出値とモータ電流ＩＭとに基づき、各トランジスタＦＥＴ１，…，ＦＥＴ４が異常状態であるか否かを検知する。 - 特許庁

Gates of adjacent MOS transistors for composing a current mirror are connected to each other directly by polycrystalline silicon, and a fuse connected to a substrate is connected to a gate, thus relieving the influence of the charges on the gates of the adjacent MOS transistors for composing the current mirror circuit during in-process.例文帳に追加

カレントミラーを構成する隣合うＭＯＳトランジスタのゲート同士を、直接多結晶シリコンを用いて接続し、基板に接続されたヒューズをゲート部に接続することで、インプロセス中でカレントミラー回路を構成する隣り合うＭＯＳトランジスタのゲートが受けるチャージの影響を同量に緩和させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a power converter for detecting a reverse current flowing in a main circuit switching element without using an A/D conversion means, preventing a process in a microcomputer from being delayed, accurately and surely detecting the reverse current, and quickly finding an abnormality in a reverse voltage applying circuit.例文帳に追加

主回路スイッチング素子等に流れる逆方向電流をＡ／Ｄ変換手段を用いずに検出することで、マイクロコンピュータの処理遅延を防止するとともに、逆方向電流を精度良く確実に検出して逆電圧印加回路の異常を早期に発見することができる電力変換装置を提供する。 - 特許庁

The power source control method for the plasma reactor includes a process for calculating the thrown power amount from the measured voltage value and the current value to the plasma reactor; and a process for feedback-controlling the high voltage power source such that the required power amount is fed to the plasma reactor based on the calculated thrown power amount.例文帳に追加

また本発明のプラズマリアクター電源制御方法は、測定された電圧値及び電流値からプラズマリアクターへの投入電力量を算出し、算出された投入電力量に基づいて、要求電力量がプラズマリアクターに供給されるように、高電圧電源をフィードバック制御することを含む。 - 特許庁

The electric arc welder operated to perform a short circuit welding process between an electrode and a workpiece, where the process comprises a succession of alternate short circuit conditions and arc conditions, with a first current waveform during the short circuit condition and a second voltage waveform during the arc condition.例文帳に追加

電極と被加工物との間で短絡溶接プロセスを実行するように作動する電気アーク溶接機であって、該プロセスが、短絡状態中の第１の電流波形と、アーク状態中の第２の電圧波形とを用いた、該短絡状態とアーク状態とが連続的に入れ代わることを含む、電気アーク溶接機。 - 特許庁

This method for the oscillation cutter 1000 of the present invention has a driving process for inputting an alternating current into an actuator part 200 to oscillate a plate-like blade part 212 connected to the actuator part 200, and the blade part 212 is oscillated along the plate face direction and the thickness direction of the blade part 212, in the driving process.例文帳に追加

本発明にかかる振動カッター１０００の駆動方法は、アクチュエータ部２００に交流を入力して、アクチュエータ部２００に接続された板状の刃部２１２を振動させる駆動工程を有し、駆動工程において、刃部２１２は、刃部２１２の板面方向および厚み方向に振動される。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

Threshold voltages (V_t) of certain transistors is lowered at low power supply voltage (VCC) levels, low temperature and/or high V_t process conditions to assure adequate transistor drive but can also be raised at high VCC levels, high temperature and/or low V_t process conditions to reduce leakage current.例文帳に追加

いくつかのトランジスタのしきい値電圧（Ｖ_t）を、低電源電圧（ＶＣＣ）レベル、低温および／または高Ｖ_tプロセス条件において下げて適切なトランジスタ駆動を確実にする一方、高ＶＣＣレベル、高温および／または低Ｖ_tプロセス条件において上昇させて漏れ電流を減少させることもできる。 - 特許庁

Then, a voltage is applied to the voltage application position to thereby send a current into the structure, and a measurement potential difference at the potential difference measuring position is measured (process S4), and it is determined whether the repaired welding crack is developed or not based on the reference potential difference and the measurement potential difference (process S5), to thereby monitor development of the repaired welding crack.例文帳に追加

その後、電圧印加位置に電圧を印加して構造物に電流を流し、電位差測定位置における実測電位差を測定し（工程Ｓ４）、基準電位差および実測電位差に基づいて補修溶接き裂が進展したか否かを判定する（工程Ｓ５）ことにより、補修溶接き裂の進展を監視する。 - 特許庁

When an icon 'DISP' is selected, the data (replay data) of individual solution process expressions stored in the ALG memory 18a are switched to an optional stage before or after a current stage by clicking icons 'BACK', 'NEXT' and displayed, and when icon 'DEL' is clicked, invalid information is written in the data record of the solution process expression being displayed at present.例文帳に追加

[DISP]を選択すると前記ALGメモリ18aに保存された個々の求解過程式のデータ（リプレイデータ）が[BACK][NEXT]のアイコン操作により前後任意の段階の求解過程式に切り替えられて表示され、[DEL]のアイコンを操作すると現在表示中の求解過程式のデータレコードに無効情報が書き込まれる。 - 特許庁

To provide an alternating current power-supply unit suitable for inhibiting arc from forming in a process of particularly sputtering or the like, which is used in a manufacturing apparatus field for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or the like, and minimizing generated arc energy, and to provide a process for inhibiting the arc in the unit.例文帳に追加

特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。 - 特許庁

This method at least includes a process to form each luminescent layer 5b, 5c so that the chromaticity variation of display light with respect to current density becomes larger than 0.02, and a process for applying the energizing treatment to impress the prescribed voltage between both electrodes after forming both electrodes and the organic layer 5.例文帳に追加

電流密度に対する表示光の色度変化量が０．０２より大きい値となるように各発光層５ｂ，５ｃを形成する工程と、前記両電極及び有機層５形成後に前記両電極間に所定の電圧を印加する通電処理を行う工程と、を少なくとも含んでなる。 - 特許庁

The peak-to-peak voltage to be impressed to an electrostatic charging member of the image forming device which has the plural process speeds and varies the electrostatic charge frequencies in correspondence to the respective speeds is calculated by measuring the relation between the peak- to-peak voltage of the electrostatic charge and the AC current by using one process speed and the electrostatic charge frequency.例文帳に追加

複数のプロセススピードを持ち、それぞれに対応して帯電周波数を可変する画像形成装置において、帯電部材に印加するピーク間電圧は一つのプロセススピードと帯電周波数をもちいて、帯電のピーク間電圧と交流電流の関係を測定することから算出すること。 - 特許庁

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

In this method for manufacturing the lithographic printing plate support, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution 14 containing at least, nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid and an etching process in an aqueous alkali solution, to an aluminum plate 11 in that order.例文帳に追加

アルミニウム板１１に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中１４での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、および、アルカリ水溶液中でのエッチング処理をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

To provide a charging circuit structure of a storage battery charger mounted on a work vehicle which generates a current distortion of a commercial power supply in the process of converting AC voltage into DC voltage and which removes defects of a filter device provided to reduce a current distortion by commercial frequency which prevents generation of electromagnetic interference due to a harmonic current in a peripheral electric device, and a charging circuit control method.例文帳に追加

交流電圧を直流電圧に変換する過程で商用電源の電流歪を発生させ、周辺電気機器に高調波電流による電磁障害の発生を防止する商用周波数で電流歪を低減するために設けるフィルタ装置の欠点を除去する、作業車に搭載した蓄電池充電器の充電回路構造及び充電回路制御方法を開発する。 - 特許庁

In a process of forming the anodic oxide film on the aluminum material by electrolyzing the aluminum material in an acidic solution, the method for obtaining the aluminum material having the anodic oxide film with a film thickness of 150 μm or more formed on the surface includes using a direct current superimposed with an alternating current, and electrolyzing the aluminum material while controlling the current density with time.例文帳に追加

アルミニウム材を酸性浴中で電解することにより、該アルミニウム材の表面に陽極酸化皮膜を形成するアルミニウム材の陽極酸化皮膜形成方法において、電解処理を、直流電流に交流電流を重畳させて印加し、経時的に電流密度を制御することにより行い、これによって、表面に膜厚１５０μｍ以上の陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム材を得る。 - 特許庁

The all-solid lithium secondary battery has a positive electrode composed of a positive electrode current collector, an orientation layer formed on the positive electrode current collector, and a LiCoO_2 positive electrode layer formed on the orientation layer by using a wet process, and an axis c of the above LiCoO_2 is inclined against a normal of the positive electrode current collector.例文帳に追加

本発明は、正極集電体と、上記正極集電体上に形成された配向層と、上記配向層上に湿式法を用いて形成されたＬｉＣｏＯ_２正極層とからなる正極電極体を有し、上記ＬｉＣｏＯ_２のｃ軸が上記正極集電体の法線に対して傾いていることを特徴とする全固体リチウム二次電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The device is provided with a bias circuit which includes an adjustment resistance adjustable in resistance with an applied current and supplies the bias voltage of the gate of an active field-effect transistor and an auxiliary field-effect transistor which is formed on the same semiconductor substrate with the active transistor in the same process, and a saturated drain current is supplied from the auxiliary field-effect transistor as the applied current to the adjustment resistance.例文帳に追加

印加電流に応じて抵抗値が調整できる調整抵抗を含み能動電界効果トランジスタのゲートのバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前記能動トランジスタと同じ半導体基板に同じプロセスで形成された補助電界効果トランジスタとを設け、この補助電界効果トランジスタからの飽和ドレイン電流を前記印加電流として、調整抵抗に供給する。 - 特許庁

A process in which copper metallic layers are formed by depositing copper metals to recessed sections 4 formed in broad widths towards the opening direction to insulating layers 3 formed to the surface of the conductive base material 2 under a first current density and the copper metal is deposited on a copper surface in a black or a brown under a second current density larger than the first current density is conducted in one copper-sulfate plating bath.例文帳に追加

導電性基材２の表面に形成された絶縁層３に開口方向に向かって幅広に形成された凹部４に第１電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成し、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に銅表面に黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行う。 - 特許庁

To provide a constant current circuit, capable of not only performing accurate adjustment of constant current but also reducing the manufacturing process number to reduce the manufacturing prime cost, compared with in the past, in which characteristics of various electric circuits can be obtained even before trimming adjustment, the trimming adjustment can be performed based on the characteristics, and trimming processing of the constant current circuit and a load can be collectively performed.例文帳に追加

トリミング調整を行う前であっても、各種電気回路の特性が得られ、この特性に基づいてトリミング調整を行うことができ、定電流回路及び負荷双方のトリミング処理が一括して行え、高い精度の定電流の調整が行えるのみでなく、製造の工程数を削減して製造原価を従来に比較して低下させることを可能とする定電流回路を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

To provide a charging amount evaluation element, its transformation method, and a charging amount evaluation method for stably manufacturing a highly-sensitive detection element for detecting an excessive current and reducing an inspection process.例文帳に追加

帯電量評価素子、その変形方法、及び、帯電量評価方法に関し、高い感度を持つ過大電流を検出する検出素子を安定して製造するとともに、検査工程を大幅に短縮する。 - 特許庁

To provide a niobium solid electrolytic capacitor capable of reducing a leakage current caused by high temperature heat processing such as a reflow process and the like, and keeping a capacity before and after the heat treatment, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

リフロー工程などの高熱処理により発生する漏れ電流を低減することができ、かつ熱処理前後における容量を維持することができるニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The above silica and glass are manufactured by mixing silica and alumina powder of a grain size from 0.1 to 500 μm and using the pulse electroheating process capable of controlling square wave electric current from 2 to 20 kA and pressure from 10 MPa to 5 GPa.例文帳に追加

粒径０．１から５００μｍのシリカおよびアルミナ粉末を混合し、２から２０ｋＡの矩形波電流、１０ＭＰａから５ＧＰａの圧力制御可能なパルス通電加熱法を用いて作製する。 - 特許庁

To provide a MR element which can surely prevent current shunt to SAL and does not make a manufacturing process complex thereby, a thin film magnetic head provided with the MR element and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加

ＳＡＬへの電流分流を確実に防止でき、なおかつそのために製造工程が煩雑とならないＭＲ素子、このＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of recovering a current amplification factor of an L-PNP transistor lowered by the irradiation of an ultraviolet ray without impairing a wire bond property in a post-assembling process.例文帳に追加

後の組み立て工程でのワイヤボンド性を損なうことなく、紫外線照射により低下したＬ−ＰＮＰトランジスタの電流増幅率を回復させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection, which suppresses an off-state leakage current and has a satisfactory ESD protection function, without increasing the process steps and the footprint.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an operating circuit for generating ratio current, which can be composed of only elements with CMOS process, is capable of reducing the number of elements to be used and high integration, and is operable at a low cost and a low voltage.例文帳に追加

ＣＭＯＳプロセスによる素子のみで構成でき、使用する素子数を抑えると共に高集積化が容易にでき、低コストで且つ低電圧で動作可能な比電流生成用の演算回路を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can obtain a thin film transistor whose leak current is suppressed to be small without adding a process, while variation with time of transistor characteristics is small and carrier mobility is high.例文帳に追加

トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、リーク電流の発生を小さく抑えた薄膜トランジスタを、工程を追加することなく得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a clean room device which is easy of maintenance, and can keep high degree of cleanness, and in which a chemical filter can be set to its minimum, being linked to a manufacture process, and which can perform the formation of an air current of up flow together with appropriate heat treatment.例文帳に追加

メンテナンスが容易で、クリーン度やケミカルフィルタは製造工程にリンクさせてミニマムに設定でき、かつアップフローの気流を適切な熱処理とともに行うことができるクリーンルーム装置を提供することにある。 - 特許庁

Then, a formula specifying part 34 specifies formula of welding conditions on the basis of the process information, wherein calculation parts 35-37 determines welding conditions (pressurizing force, welding current, and energization time) on the basis of the formula.例文帳に追加

そして、計算式特定部３４は工程情報に基づき溶接条件の算出式を特定し、計算部３５〜３７は計算式に基づき溶接条件(加圧力，溶接電流，通電時間)を算出する。 - 特許庁

The elastic member is transformed through the process of applying an electric current to it and heating it over the martensitic transformation temperature.例文帳に追加

形状記憶合金製弾性部材に電流を通電し、該弾性部材のマルテンサイト変態温度以上に加熱することにより、該弾性部材を変形させるようにしたアクチュエータを、消火器のレバー間に装着するようにした。 - 特許庁

An analogue charge amplifier 58 is constituted by integrated bipolar technique and the reader circuit 48 of the amplifier is embodied by a BICMOS process being a system of digital technique, preferably, current mode logic(CML) technique.例文帳に追加

本発明では、アナログ電荷増幅器５８が、集積バイポーラ技術で構成され、増幅器の読出し回路４８はデジタル技術、好適には電流モード論理（ＣＭＬ）技術の形式であるＢＩＣＭＯＳプロセスで具現化される。 - 特許庁

To shorten the access processing time when a defect region exists between a current position of a pickup and a target position, by omitting a process resetting from defocusing and tracking drift in the defect region.例文帳に追加

ピックアップ現在位置と目標位置の間にディフェクト領域が存在した場合、ディフェクト領域におけるフォーカス外れおよびトラッキング流れからの復帰処理を省略することにより、アクセス処理時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide an igniter for an inflater and its manufacturing method enabling the secure contact of a heat generation body generating heat by an ignition current with a pyrotechnic material without damaging the heat generation body and the simplification of a manufacturing process.例文帳に追加

着火電流で発熱する発熱体を損傷させることなく、且つ発熱体と火工材料とを確実に接触させ、更に製造工程を簡略化できるインフレータ用点火器及びその製造方法の提供。 - 特許庁