「current process」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device reducing both the reverse leak current at the time of reverse bias and the on voltage at the time of forward bias, and also to provide its fabricating process and a bidirectional switch employing it.例文帳に追加

逆バイアス時の逆漏れ電流と順バイアス時のオン電圧が共に低減できる半導体装置およびその製造方法とそれを用いた双方向スイッチ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which the leak current source of a capacitor being generated by a gap caused by attack can be removed at the time of etching an etching stop insulating film.例文帳に追加

エッチング停止絶縁膜のエッチング時のアタックによる隙間が原因で生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

You can monitor the execution of a BPEL process within a debugger session on the diagram in the Design view: the activities that are being executed are highlighted on the diagram as the current execution position advances. 例文帳に追加

デバッガセッション中の BPEL プロセスの実行は、デザインビューの図の中で監視できます。 現在の実行位置が進むにつれて、実行されるアクティビティーが図の中で強調表示されます。 - NetBeans

In the operation process, a current obtained by compensating the influence of dispersion in the threshold voltage of the first transistor can be supplied to the light-emitting element and the dispersion of luminance can be suppressed.例文帳に追加

この動作過程により、発光素子に第１のトランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を補償した電流を供給することができ、輝度のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

In this way, the current configuration of the imaging device is dynamically adapted to reflect the request to process electronic documents, which is issued to the imaging device itself or to other imaging devices.例文帳に追加

このようにして、画像処理装置の現在設定を動的に適合させて、自分自身または他の画像処理装置に向けられた電子文書の処理要求を反映させる。 - 特許庁

In a crystal structure, element positioning recognition patterns (trapezoidal protruded parts 7a and 7b) formed with the same photoresist etching process as for a current mesa stripe 6 which acts as an emission part are provided.例文帳に追加

結晶構造内に、発光部となる電流メサストライプ部６と同一のフォトレジスト・エッチング工程で形成された素子位置決め用認識パターン（台形凸部７ａ、７ｂ）を有する。 - 特許庁

An air current is jetted to the filmy particulates sticking on the lifted substrate to control the rate of a drying process and the expansion direction of a dried area.例文帳に追加

引き上げられた基板に付着して膜状になった微粒子に対し気流を噴射することによって乾燥工程の速度および乾燥領域の移動方向を制御する。 - 特許庁

Further a heating process is performed by performing induction-heating of the metallic mold by making alternating current flow through the upper and lower induction coils disposed integrally with the respective upper and lower metallic molds.例文帳に追加

そして、加熱工程は、前記上下金型のそれぞれに一体に配設された上下誘導コイルに交番電流を通じて金型を誘導加熱することにより行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which ion implantation is conducted before the silicide process and leak current in MISFET can be controlled more reliably.例文帳に追加

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置およびその製造方法であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。 - 特許庁

To provide a drinking electrolytic water which can be obtained by electrolysis with a high electrolytic current of near-neutral pH and does not dispose of acidic water in its production process.例文帳に追加

高い電解電流で電解して得られるｐＨが中性付近の飲用電解水であって、その製造課程において酸性水を廃棄しない飲用電解水を提供する。 - 特許庁

The method relates to a MIG welding process of aluminum and its alloy with spray mode or pulse mode without current modulation, using gas shielding at least on a part of a welding zone.例文帳に追加

本発明は、溶接ゾーンの少なくとも一部にガスシールドを用いる電流変調しないスプレーモードまたはパルスモードでの、アルミニウムおよびその合金のＭＩＧ溶接方法に関する。 - 特許庁

To reduce leakage current in a solid electrolytic capacitor using a porous bulb metal sintered body by supervising the sintering process of the sintered body in a specific atmosphere.例文帳に追加

多孔質バルブメタル焼結体を使用した固体電解コンデンサにおいて、焼結体の焼結プロセスを特定雰囲気下で管理することによって漏洩電流を小さくしようというものである。 - 特許庁

If the current player's voice communication is blocked, a step 334 determines that the game console need not process voice communications and instead, proceeds to a next speaker, in a step 336.例文帳に追加

現行のプレーヤの音声コミュニケーションがブロックされた場合、ステップ３３４が、ゲームコンソールが音声コミュニケーションを処理しなくてもよいことを判定し、ステップ３３６で、代わりに次の話し手に進む。 - 特許庁

If the administrator specifies a recovery point and initiates the recovery process, the configuration at the recovery time point is reproduced by undoing configuration changes between the current time point and the recovery time point.例文帳に追加

管理者が回復点を指定し、回復プロセスを開始する場合、回復時点の構成が、現時点と回復時点の間の構成変更を取り消すことによって再生される。 - 特許庁

Thereby, at the time of mass production, when the activation current value is included in the range, the impression time of pulse for measuring the characteristics of the element can be shortened and a cycle time of process at manufacturing can be improved.例文帳に追加

量産時には活性化電流値が範囲に含まれる場合に素子の特性を計測するパルスの印加時間を短くすることができ、製造時のプロセスタクトが改善できる。 - 特許庁

A target direction setting process part 112 obtains directions from an azimuth sensor 111 one after another in response to the rectilinear signal and finds the current target direction Ψ0 from the mean of the directions.例文帳に追加

目標方位設定処理部１１２は、直進信号に応答して、方位角センサ１１１から方位を逐次に取得し、方位の平均から現在の目標方位Ψ0を求める。 - 特許庁

An image process circuits 7-5 performs a subtraction process between the first signal and second signal output with the first frame and a subtraction process between the first signal and second signal output with the second frame, and makes correction for reducing a noise component due to the dark current variance of the charge holding unit using at least one of results of those subtraction processes.例文帳に追加

画像処理回路7-5は、第１のフレームで出力された第１の信号と第２の信号との減算処理を行い、第２のフレームで出力された第１の信号と第２の信号との減算処理を行い、これらの減算処理の結果の少なくとも一方を用いて、電荷保持部の暗電流バラツキに起因するノイズ成分を低減する補正を行う。 - 特許庁

In the guidance information generating process S220, guidance map information is generated through a guidance map generating process S221 by selecting map data for the current position and destination according to detailedness determined from data of a searched route; and a landmark is extracted through a guidance language generating process S222 and guidance language information including the relation between landmarks is generated.例文帳に追加

案内情報生成処理Ｓ２２０では、上記現在位置、目的位置に対して、案内地図生成処理Ｓ２２１により、探査経路のデータなどから決定した詳細度に応じて地図データを選択して案内地図情報を作成し、案内言語生成処理Ｓ２２２により、ランドマークを抽出し、ランドマーク間の関係を含む案内言語情報を作成する。 - 特許庁

The process for acquiring the backside layout data includes a process for detecting the light-emitting position of emission light 6 by a detector 7, which is generated by passing a forward current into a light-emitting device 5 that has a pn junction provided in the semiconductor chip, and a process for superposing the light-emitting position and the surface side layout data of the semiconductor chip.例文帳に追加

また、裏面側レイアウトデータを得る工程は、半導体チップ内に設けられたｐｎ接合を有する発光素子５に順方向電流を流すことによって生じる発光光６の発光位置を検出器７によって検出する工程と、発光位置と半導体チップの表面側レイアウトデータとを重ね合わせる工程とを有する。 - 特許庁

This manufacturing method for the igniter for the inflater comprises a process for manufacturing pyrotechnic material slurry produced by containing and dispersing a fuel component and an oxidizer component in a solvent, a process for dropping the pyrotechnic material slurry on the heat generation body generating heat by an ignition current of a header member formed like a plate, and a process for drying the dropped pyrotechnic material slurry.例文帳に追加

溶媒中に燃料成分と酸化剤成分を含んで分散させてなる火工材料スラリーを製造する工程、板状に形成されたヘッダ部材の、着火電流で発熱する発熱体の上に、火工材料スラリーを滴下する工程、及び滴下した火工材料スラリーを乾燥する工程を含むインフレータ用点火器の製造方法。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

In this method, at least a first process to electrochemically roughen a plate surface by running AC current in an aqueous solution containing hydrochloric acid 221 and nitric acid and a second process to roughen the plate surface by running AC current in an aqueous solution containing the hydrochloric acid 221, are performed, in that order, to an aluminum plate 204, and thus the support for the lithographic printing plate is manufactured.例文帳に追加

アルミニウム板２０４に、少なくとも、塩酸２２１および硝酸を含有する水溶液中で交流電流を流す第１電気化学的粗面化処理と、塩酸２２１を含有する水溶液中で交流電流を流す第２電気化学的粗面化処理とをこの順に施して、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

The layout method of semiconductor integrated circuit is constituted for conducting (ST31) layout/wiring process, extracting (ST33) a resistance value, a capacitance value, and an allowable current value of signal wire from layout data obtained by the layout/wiring process, and calculating (ST37) signal electromigration of the signal wire from the resistance value, capacitance value, and allowable current value obtained (ST34).例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト方法であって、配置・配線処理を行い（ＳＴ３１）、該配置・配線処理により得られたレイアウトデータから信号配線の抵抗値、容量値および許容電流値を抽出し（ＳＴ３３）、該抽出した該抵抗値，該容量値および該許容電流値（ＳＴ３４）から、前記信号配線のシグナルエレクトロマイグレーションを計算する（ＳＴ３７）ように構成する。 - 特許庁

To improve current characteristics or to prevent the current characteristics from degrading without making its manufacturing process more complex in a semiconductor device comprising a stress applying insulating film on the top surface of a gate electrode of a MOS type transistor element.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ素子のゲート電極上面に応力印加用絶縁膜を備える半導体装置において、製造工程を複雑化させることなく電流特性の向上若しくは電流特性の悪化防止を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the first current constriction layer 17 requiring the oxidation process is formed at a portion separated from the active layer 14, effect of strain (stress) incident to formation of an Al oxide layer 17B as the first current constriction layer 17 on the active layer 14 is reduced.例文帳に追加

酸化工程を要する第１の電流狭窄層１７が活性層１４から離れた部位に形成されるので、この第１の電流狭窄層１７としてのＡｌ酸化層１７Ｂを形成する際、その生成に伴う歪（応力）が活性層１４に与える影響が軽減される。 - 特許庁

When a voltage Vf is applied on an electron emission element, a current If1 of the element flowing through the electron emission element is measured (S2), and when the voltage Vf is applied on the electron emission element after the measurement process, a current If2 of the element flowing through the electron emission element is measured.例文帳に追加

電子放出素子に電圧Ｖ1を印加した際に、その電子放出素子を流れる素子電流Ｉf1を測定し（Ｓ２）、その測定工程以降に、その電子放出素子に電圧Ｖ1を印加した際に、その電子放出素子を流れる素子電流Ｉf2を測定する。 - 特許庁

For each pixel of interest on a previous frame 34, a pattern matching process is applied between the previous frame 34 and a current frame 32 (see reference numeral 36), to calculate, for each pixel of interest, a mapping address to the current frame 32 as a movement destination or a two-dimensional movement vector (see reference numeral 38).例文帳に追加

前フレーム３４上の注目画素ごとに前フレーム３４と現フレーム３２の間においてパターンマッチング処理を実行することにより（符号３６参照）、注目画素ごとに現フレーム３２上の移動先又は二次元移動ベクトルとしてのマッピングアドレスが演算される（符号３８参照）。 - 特許庁

A control part 46 calculates a resultant resistance value in a primary transfer position from a current value detected by the current detection part 44 and determines a proper transfer bias on the basis of the resultant resistance value and a reference resistance value per each process speed to control a primary transfer bias power source 52.例文帳に追加

制御部４６は、電流検出部４４で検出された電流値から一次転写位置における合成抵抗値を演算し、この合成抵抗値とプロセススピード毎の基準抵抗値に基づき適切な転写バイアスを決定し、一次転写バイアス電源部５２を制御する。 - 特許庁

The control system, which transmits a current signal corresponding to a process value from the field measuring instrument to control equipment, includes a signal relay for sending to the control equipment a false signal selectively switched from the current signal.例文帳に追加

プロセス値に対応する電流信号をフィールド計器から制御機器へ送信する制御システムにおいて、前記電流信号と選択的に切り替えた擬似信号を前記制御機器に送出することを特徴とする信号中継器を備えたことを特徴とする制御システム。 - 特許庁

To provide a constant current source that is not restrained by a manufacturing process therefor, not affected by a variation in the threshold value of an MOS transistor and the temperature dependence, and can be jointly used with an ED type standard voltage source, and an amplifier circuit and a constant voltage circuit using the constant current source.例文帳に追加

製造プロセスの制約がなく、ＭＯＳトランジスタのしきい値のバラツキや温度依存性の影響を受けず、更にＥＤ型基準電圧源と共用することが可能な定電流源、並びにその定電流源を使用した増幅回路及び定電圧回路を得る。 - 特許庁

Therefore, the liquid crystal display device has no photo-current generating in the active layer by light, which is advantageous to minimize wavy noises and characteristics of a leak current in a thin film transistor, and the cost and time can be saved by simplification in the mask process.例文帳に追加

従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for detecting a welding current of an electric resistance welded tube, a method and apparatus for properly monitoring a welding condition by accurately detecting a welding current flowing in the groove of a material to be welded, in a welding process of an electric resistance welded tube.例文帳に追加

電縫溶接管の溶接工程において、被溶接材料の開先部に流れる溶接電流を精度良く検出することにより、溶接状態を適切に監視するのに供し得る電縫溶接管の溶接電流検出方法及び検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing device having a compact stage structure that can irradiate respective surfaces of an object to be processed which has a three-dimensional structure with a gas cluster ion beam and can measure a beam current value and a beam current distribution at an irradiation position on a surface of the object to be processed even during the process.例文帳に追加

３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。 - 特許庁

The volume of charge calculated by the operation means 19a is preferred to be charge energy that is obtained by measuring a charging current and a charging voltage that flow into the piezoelectric-stack 7 during the charging process, and by integrating the product of the measured charging current and charging voltage over time.例文帳に追加

なお、演算手段１９ａにより算出された充電量は、ピエゾスタック７へ流れる充電電流と充電電圧とを充電行程中測定し、測定した充電電流と充電電圧の積を時間積分した充電エネルギであることが好ましい。 - 特許庁

A transistor of the same specification as that of an input/output transistor (having characteristics of being easy to secure high voltage, low leakage current and a current capacity) constituting an I/O 5 is properly used even in circuits (1 to 4) consisting of the microtransistors based on process technique of ≤0.13 μm.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ部５を構成する入出力用トランジスタ（高耐圧、低リーク電流、電流容量を確保しやすいといった特性をもつ）と同様の仕様のトランジスタを、０．１３μｍ以下のプロセス技術に基づく微細トランジスタにより構成される回路（１〜４）においても、適宜、使用する。 - 特許庁

To easily and precisely visualize a turbulence in an air current flowing at a slow wind velocity, and to easily and precisely visualize the turbulence in the air current (turbulence in a boundary layer) generated in the vicinity of an applied film face, even when the wind velocity of drying air is low, for example, as in a drying process for an applied film.例文帳に追加

遅い風速で流れる気流の乱れを簡易且つ高精度に可視化でき、例えば塗布膜の乾燥工程のように、乾燥風の風速が小さい場合においても、塗布膜面近傍に生じる気流の乱れ（境界層の乱れ）を簡易且つ高精度に可視化できる。 - 特許庁

To solve such a problem that in a CMOS inverter, as the number of manufacturing process is increased, a manufacturing cost and a manufacturing time are increased, in a conventional NMOS inverter having constitution in which a gate of a MOS transistor of a pull-up side is connected to a power source Vdd, current consumption is increased owing to flow of a through current.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータでは、製造プロセスの工程数が多くなるため製造コストや製造時間が増大し、プルアップ側のＭＯＳトランジスタのゲートが電源Ｖｄｄに接続された構成の従来のＮＭＯＳインバータでは、貫通電流が流れるため消費電流が増加する。 - 特許庁

The flow differences between the region near the gas exhaust opening 17 and the region distant therefrom are suppressed in the region of the lower side of the boat 14, owing to the second current plate 19 arranged between the boat 14 and the gas exhaust opening 17, with respect to the process gas 21 which is extended with the first current plate 18.例文帳に追加

第１整流板１８によって広げられたプロセスガス２１は、ボート１４とガス排気口１７との間に設けられた第２整流板１９によって、ボート１４下側の領域における、ガス排気口１７側に近い領域と遠い領域との流れ方の差が抑えられる。 - 特許庁

To provide a non-aqueous secondary battery that has an excellent large current discharge characteristics and charge and discharge cycle characteristics, and has a large battery capacity with simple manufacturing process by specifying the ratio of thickness between the thickness of a mixture layer containing active material and the thickness of a conductive painting provided on the surface of the current collector.例文帳に追加

活物質を含む合剤層の厚みと集電体の表面に設ける導電性の塗料の厚みとの比を規定することによって、高率放電特性、充放電サイクル特性に優れ、かつ製造工程が簡単で電池容量の大きい非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

Since the output current error due to the variance in the manufacturing process of the constant current source 11e composed of the first and second MOSFETs 11f, 11g can be averaged by the third resistor 11k, the INL and DNL characteristics of the DA converter can be enhanced.例文帳に追加

このため、第１のＭＯＳＦＥＴ１１ｆと第２のＭＯＳＦＥＴ１１ｇから構成される定電流源１１ｅのプロセスばらつきによる出力電流値誤差を第３の抵抗器１１ｋにより平均化することができるため、ＩＮＬ特性とＤＮＬ特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) In the electroplating process, an average cathode current density of all plating baths is controlled within 1-3 A/dm^2 and a ratio of maximum value to minimum value of the cathode current density in each plating bath is controlled within 1-5, and further a film carrying speed is adjusted within 80-300 m/h.例文帳に追加

（２）前記電気めっき工程において、全めっき槽の平均陰極電流密度を１〜３Ａ／ｄｍ^２に、及び各めっき槽内での陰極電流密度の最小値に対する最大値の比を１〜５に制御するとともに、フィルムの搬送速度は、８０〜３００ｍ／ｈに調整する。 - 特許庁

A CPU 32 of the control unit 30 performs a layer short circuit detection process according to a program stored in a memory 33, and determines whether the abnormal electric current flowing in the electric line 25 due to the occurrence of the layer short circuit based on an amount of change in the electric current per predetermined period of time (di/dt).例文帳に追加

制御部３０のＣＰＵ３２は、メモリ３３に格納されたプログラムに従ってレアショート検出処理を実行し、所定時間当たりの電流の変化量（ｄｉ／ｄｔ）に基づき、レアショートの発生により電線２５に異常な電流が流れているか否かを判定する。 - 特許庁

In manufacturing process of the distance detector, the power current value which a current controller 7a itself generates is controlled so that the difference in the I-L characteristics generated by each product is absorbed so that the radiant power output of the laser emitted by a radiant part 2 does not scatter.例文帳に追加

距離検出装置の製造工程中に、電流調整部７ａ自身が発生する出力電流値の調整を行うことで、各製品ごとに発生しているＩ−Ｌ特性の差を吸収し、発光部２が出射するレーザ光の発光出力がばらつかないようにする。 - 特許庁

To ease or tighten a security level matching actual operation by executing an authentication process when power is on, in such a way that the process is not fixed at all times but changed according to the total off time of the power supply from the previous switching off to the current switching on of the power supply.例文帳に追加

電源オン時に実行される認証処理を常時固定せず、前回の電源オフ時から今回の電源オン時までのオフ累計時間に応じて認証処理を変更することにより、実際の運用に即したセキュリティレベルの緩和、強化を図るようにする。 - 特許庁