「difference pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

When an upper layer pattern is formed above a base layer in which difference in level is formed, correction amount of light shielding pattern 11 of a mask for exposure 10 for forming the upper layer pattern is determined corresponding to a distance from an end part of difference in level in the base layer.例文帳に追加

段差が形成された下地層の上方に上層パターンを形成する際、下地層の段差の端部からの距離に応じて、上層パターンを形成するための露光用マスク１０の遮光パターン１１の補正量が決定されている。 - 特許庁

Then, a difference image 53 is generated by calculating differences between the tile image 51 and approximation pattern image 52, and the difference image 53 is subjected to discrete wavelet conversion.例文帳に追加

そしてタイル画像５１と近似パターン画像５２の差分を取った差分画像５３を生成し、この差分画像５３に対して離散ウェーブレット変換を行う。 - 特許庁

To provide a difference comparison inspection method and a difference comparison inspection device capable of performing proper comparison inspection even in the case of a pattern having an angular part or a corner part.例文帳に追加

角部や隅部を有するパターンであっても適切な比較検査ができる差分比較検査方法および差分比較検査装置を提供すること。 - 特許庁

For a certain assembly of patterns, a difference between the characteristic vector of each pattern and an average characteristic vector of each right category is calculated to form an assembly of difference vectors.例文帳に追加

あるパターン集合について、各パターンの特徴ベクトルと各正解カテゴリの平均特徴ベクトルの差分をとり、差分ベクトルの集合を生成する。 - 特許庁

As a result, even the difference in the edge pattern caused by the difference in the positional relation between the edges can be identified to improve the identification accuracy of the person image, for example.例文帳に追加

この結果、エッジの位置関係の違いに起因するエッジパターンの違いをも識別し得、例えば人物画像の識別精度を向上できるようになる。 - 特許庁

To identify even difference in an edge pattern caused by difference in positional relation between edges to improve identification accuracy of a person image, for example.例文帳に追加

エッジの位置関係の違いに起因するエッジパターンの違いをも識別できるようにすることで、例えば人物画像の識別精度を向上させること。 - 特許庁

Moreover, a false signal is acquired and the variation pattern of the difference of the false signal is determined (S46).例文帳に追加

また、擬似信号を取得するとともに、その擬似信号の差分の変化パターンを決定する（Ｓ４６）。 - 特許庁

An interferometric lithography system produces a pattern having a sharp field edge and minimal optical path length difference.例文帳に追加

干渉型リソグラフィシステムは、鋭いフィールドエッジおよび最小の光路長差を有するパターンを生成する。 - 特許庁

The pattern compensates for the difference in oxidation rates between the bottom of the first trench and the first sidewalls.例文帳に追加

当該パターンは、第１のトレンチの底部と第１の側壁との間の酸化レートの差を補償する。 - 特許庁

A defect detecting part 15 determines whether a pattern defect is found based on the respective difference image detection results.例文帳に追加

欠陥検出部１５は、それぞれの差画像検出結果をもとに、パターン欠陥の有無を判定する。 - 特許庁

Thereby, a difference in the brightness level between a wiring pattern 5 and a cream solder 2 on the board 1 is produced.例文帳に追加

これによって、基板上の配線パターン５とクリーム半田２の明るさのレベルに差異が発生する。 - 特許庁

A command designating part 58 specifies a command corresponding to a difference value supplied from a pattern comparing part 57.例文帳に追加

コマンド指定部５８は、パターン比較部５７より供給された差分値に対応するコマンドを特定する。 - 特許庁

In the case of forming an upper pattern only on the lower pattern 2, using a scanning exposure system on the surface of a wafer where a difference in level exists by the lower pattern 2, dummy patterns 1 having the same height as the lower pattern 2 are arranged in the right and left positions of the lower pattern 2.例文帳に追加

下層パターン２により段差が存在するウェハ表面に，スキャン型の露光装置を用いて下層パターン２上にのみ上層のパターンを形成する場合，下層パターン２と同等の高さを有するダミーパターン１を下層パターン２の左右位置に配置する。 - 特許庁

The OPC method predicts the pattern obtained by transferring a master pattern to an object to be transferred through a simulation and determines a simulation error ΔF from the difference between the prediction pattern (a simulation value) of the simulation and the actual pattern obtained by actually transferring the master pattern to the object to be transferred.例文帳に追加

本ＯＰＣ方法は、マスクパターンを被転写物に転写して得られるパターンをシミュレーションにより予測し、シミュレーションの予測パターン（シミュレーション値）と、マスクパターンを前記被転写物に実際に転写して得られる実パターンとの差からシミュレーション誤差ΔＦを求める。 - 特許庁

To provide a color filter having phase difference control layers capable of obtaining phase difference amount suitable for each color pattern by changing the thickness of the phase difference control layers of liquid crystalline polymer used for improving the visibility of a liquid crystal display, etc., at every each color pattern of color filter layers made by laminating the phase difference control layers without accompanying an additional process.例文帳に追加

液晶ディスプレイ等の視認性を向上させるために用いる液晶性高分子の位相差制御層の厚みを、格別の工程の付加を伴なうことなく、位相差制御層が積層されるカラーフィルタ層の各色パターンごとに変えて、各色パターンに適した位相差量を実現することを課題とする。 - 特許庁

A pattern like splashed Kasuri pattern is developed by the apparent difference of the soft-twist part and the hard-twist part to obtain a woven or knit fabric having high added value from the viewpoint of design.例文帳に追加

甘撚部と強撚部の外観上の相違によって絣調地模様が描出され、デザイン的に付加価値の高い織編布帛が得られる。 - 特許庁

A short-circuit pattern 17 is provided to compose a potential difference elimination structure 16, and the short-circuit pattern 17 connects all the land layers with one another.例文帳に追加

電位差解消構造１６を構成する短絡パターン１７が設けられ、この短絡パターン１７によって全てのランド層が接続されている。 - 特許庁

The master pattern M and the object pattern P don't show any satisfactory coincidence in (a), and a large gradation difference is caused in the both patterns as shown in (b).例文帳に追加

（ａ）ではマスターパターンＭとオブジェクトパターンＰがあまりよい一致を示しておらず、両パターンには（ｂ）に示すような大きな階調差が生じている。 - 特許庁

A measured temperature pattern is compared with the temperature pattern of a reference table by a computer 45 to check to see if there are items with a large difference between them.例文帳に追加

測定された温度パターンと、基準テーブル５１の温度パターンとを、コンピュータ４５上で比較し、両者に大きな違いのある項目があるか否かを調べる。 - 特許庁

To provide a fan-out pattern having two or more fan-out areas capable of reducing or eliminating a difference in lengths of a route between conductive lines in the fan-out pattern.例文帳に追加

ファンアウトパターンの中の導電線間の経路の長さの差を減少、またはなくす、２つ以上のファンアウト域を有するファンアウトパターンを提供する。 - 特許庁

The photomask includes a fine pattern 53 in a mask pattern region corresponding to the formation of a hole He on an upper face of the optical path difference adjusting layer 57 which constitutes a color filter.例文帳に追加

カラーフィルタを構成する光路差調整層５７上面のホールＨｅの形成に対応したマスクパターン領域に微細パターン５３が設けられている。 - 特許庁

Shift amount absence or the address difference is set as an address shift amount depending on whether it is a first special pattern or a second special pattern.例文帳に追加

第１の特別図柄であるか第２の特別図柄であるかの別に応じてずれ量なし及びアドレス差のうちの何れかをアドレスずれ量に設定する。 - 特許庁

Then, the difference of density line width is corrected by changing only the line width of the image of the isolated line pattern Pa, without changing the line width of the image of the L/S pattern Pb.例文帳に追加

そして、Ｌ／ＳパターンＰｂの像の線幅を変化させることなく、孤立線パターンＰａの像の線幅のみを変化させて、疎密線幅差を補正する。 - 特許庁

A developed pattern is provided on a wafer by developing the exposed photoresist, and then, a 3 θ-aberration is measured when a lateral dimension difference of the develop pattern is measured.例文帳に追加

そして、露光されたホトレジストを現像し、ウェーハ上に現像パターンを得て、現像パターンの左右寸法差を測定することで“３θ収差”を測定する。 - 特許庁

The photomask PM2, in which a pattern corresponding to the optical path difference adjusting layer 28 is a transparent section 51 and a pattern corresponding to the overcoat layer 27 is a halftone section 52, is provided.例文帳に追加

光路差調整層２８に対応したパターンは透明部５１で、オーバーコート層２７に対応したパターンはハーフトーン部５２であるフォトマスクＰＭ２。 - 特許庁

Then, a difference value between the density of the formed patch pattern and the density of a patch pattern formed by using the first toner that is either of the two kinds of toners is calculated.例文帳に追加

そして、そのパッチパターンの濃度と、２種類のトナーの一方の第１のトナーを用いて生成されるパッチパターンの濃度との差分値を算出する。 - 特許庁

In automatic acquisition processing to acquire the difference amount, the MFP 100 executes pattern print processing to print a pattern image for specifying a correction value or annunciation processing to recommend printing of the pattern image, when it is impossible to acquire the difference amount within an allowable range.例文帳に追加

ＭＦＰ１００は，ずれ量を取得する自動取得処理において，許容範囲内のずれ量が得られない場合に，補正値を特定するためのパターン画像を印刷するパターン印刷処理，あるいはパターン画像を印刷するように促す報知処理を行う。 - 特許庁

With this arrangement, only a blue color phase, of which it is the most difficult to determine the luminance difference and chromaticity difference, is distributed around the illumination pattern, and accordingly, color unevenness can be hardly generated in the vicinity of a periphery of the illumination pattern.例文帳に追加

これにより、照射パターン周辺に輝度差と色度差の判断が最も難しい青色の色相のみが配光されるようになり、照射パターンの周辺近傍における色むらを生じ難くすることができる。 - 特許庁

Since difference between developing rate and etching rate due to difference in the density of gap can be eliminated at the opposite end parts in the arranging direction of the drive gap pattern 5a, variation of gap can be suppressed for the entire drive gap pattern 5a.例文帳に追加

駆動ギャップパターン５ａの配列方向の両端部にパターンの疎密差による現像レート及びエッチレートの差をなくすことができ、駆動ギャップパターン５ａ全体のギャップ間隔のバラツキを低減することができる。 - 特許庁

To provide an imaging system for always providing optimum quality of a finger vein pattern, in imaging of the finger vein pattern by using transmitted light, even if there is difference in external environment, without being affected by the difference.例文帳に追加

透過光による指静脈パターンの撮像において、外部環境の違いがあっても、それに影響されることなく、常に最適な静脈パターンの品質が得られる撮像方式を提供することにある。 - 特許庁

The difference between the light transmittance of the inside of the larger pattern 1a and that of the periphery of the pattern 1a therefore becomes smaller than the difference in transmittance between the insides of the smaller patterns 1b and the peripheries of the patterns 1b.例文帳に追加

そのため、大パターン１ａの内側の光の透過率と大パターン１ａの周囲の光の透過率との差が小パターン１ｂの内側と小パターン１ｂの周囲との透過率の差よりも小さくなる。 - 特許庁

In this case, the line width difference is a difference between a line width of a pattern extending in a first direction along a plane of the substrate and a line width of a pattern extending in a second direction perpendicular to the first direction along the plane of the substrate.例文帳に追加

ここで、前記線幅差は、基板の面に沿って第１方向に延びるパターンの線幅と該基板の面に沿って前記第１方向に垂直な第２方向に延びるパターンの線幅との差である。 - 特許庁

When a first pattern is formed in a first process using photolithography and then second process for reducing the pattern dimensions is performed, the first pattern is formed through a correction mask which previously takes account of the difference of density of pattern arrangement, asymmetry, and the difference of reduced dimensions due to irregularity.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた第１のプロセスにより第１のパターンを形成した後、さらにパターン寸法を縮小するための第２のプロセスを施す際に、パターン配置の疎密差、非対称性、不規則による縮小寸法量の差を予めマスク寸法に加味させた補正マスクを介して第１のパターンを形成する。 - 特許庁

Difference between the actual shape of a convex pattern or a concave pattern of each die formed on an inspection object, i.e., a semiconductor wafer 100, and the shape (false shape) of a convex pattern or a concave pattern recognized by a distance sensor 8 is calculated as a value C2 for correcting the effect of level difference in the die.例文帳に追加

検査対象物である半導体ウェハ１００に形成された各ダイが有する凸パターンや凹パターンの現実の形状と、距離センサ８が認識する凸パターンや凹パターンの形状（偽の形状）との差分を算出し、その差分をダイ内の段差による影響を補正するための補正値Ｃ２として算出する。 - 特許庁

For a test pattern printed at the first speed, difference is determined between the detected interval y' of two pattern elements and the specified interval x of designated value and then the widths h1, h2' of the pattern elements printed at the first speed and the widths h1 h2 of the pattern elements printed at the second speed are detected and the difference thereof is determined.例文帳に追加

第１の速度で印字されたテストパターンについて、２個のパターン要素の検出された間隔ｙ’と指示値の所定間隔ｘとの差分を求めるとともに、第１の速度で印字されたパターン要素の幅ｈ１’，ｈ２’と第２の速度で印字されたパターン要素の幅ｈ１，ｈ２とを検知し、その差分を求める。 - 特許庁

To provide a pattern matching apparatus that detects position information on image data corresponding to CAD data, wherein an accurate pattern matching is performed, even when there is a big difference in a shape between CAD data and a hole pattern.例文帳に追加

ＣＡＤデータに対応する画像データの位置情報を検出するパターンマッチング装置において、ＣＡＤデータの形状とホールパターンの形状が大きく異なる場合でも、正確にパターンマッチングする。 - 特許庁

A transmitter 3 inserts a prescribed test pattern into an undefined area of a transmission frame, compensates difference of parity by insertion of the test pattern and transmits the test pattern to the respective transmission lines with the redundancy configuration.例文帳に追加

送信装置３は、送信フレームの未定義領域に所定のテストパターンを挿入すると共に、テストパターンの挿入によるパリティの差分を補償し、冗長構成の各伝送路に送信する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has excellent sensitivity and resolution and reduces a dimensional difference between a sparse pattern and a dense pattern, and a manufacturing method of relief pattern and an electronic component using the resist composition.例文帳に追加

感度及び解像力に優れ、且つ疎密パターン寸法差を小さくするネガ型レジスト組成物、並びに、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁

A plurality of pattern tables are provided for one gray level and a pattern table suitable for eliminating the isolated dot or for reducing the dot level difference is selected from the plurality of pattern tables.例文帳に追加

１つの階調値に対して複数のパターンテーブルを設けて、この複数のパターンテーブルの中から孤立ドットをなくすのに、または、ドット段差をより小さくするのに適するパターンテーブルを選択する。 - 特許庁

In the case that the difference is out of the allowance, a comparison/selection means 7 selects, by comparing the measured thickness distribution pattern with the preliminarily typified thickness distribution patterns, a thickness distribution pattern to which the measured thickness pattern corresponds.例文帳に追加

許容範囲外の場合、比較・選択手段７は、測定された肉厚分布パターンと、予め類型化した肉厚分布パターンを比較し、どの肉厚分布パターンに該当するのかを選択する。 - 特許庁

To prevent a correcting circuit pattern from excessively being corrected under the influence of a level difference nearby a circuit pattern corner part of the correcting circuit pattern which is formed after rule-based OPC when model-based OPC is further performed.例文帳に追加

ルールベースＯＰＣ後に発生する補正回路パターンの回路パターンコーナ部近傍の段差の影響で、その補正回路パターンに対し更にモデルベースＯＰＣを行ったときの過剰な補正を防止する。 - 特許庁

A pattern having the level difference lower than height of a partition pattern is provided adjacent to the partition pattern, so that it is possible to delete or cancel the rise of the partition due to baking contraction when baking.例文帳に追加

隔壁パターンに隣接して隔壁パターンの高さよりも低い段差パターンを設けることで、焼成時の焼成収縮による隔壁の盛り上がりを無くすか、或いは相殺することが可能となる。 - 特許庁

A level difference between the position supporting the dome contact in the extraction wire pattern 14 of the center contact pattern 11 and the position where the periphery contact pattern supports the dome contact is adjusted.例文帳に追加

前記中央接点パターン１１の引出線パターン１４部分で前記ドーム接点を支える位置と、前記外周接点パターンが前記ドーム接点を支える位置の間の段差を調整している。 - 特許庁

Further, a spacer pattern of arbitrary height can be formed (d, e) by controlling the selection ratio of the etching according to the difference in height between the exposed lens pattern and spacer pattern and the necessary height of the spacer.例文帳に追加

また露光されたレンズパターンとスペーサパターンの高さの差と必要なスペーサの高さに応じてエッチングの選択比をコントロールすることで任意の高さのスペーサパターンを形成することができる（ｄ，ｅ）。 - 特許庁

With respect to hazardous spot information on the pattern of a semiconductor device, the difference between first pattern data corresponding to a case, where no dangerous spot exists in the pattern and second pattern data corresponding to another case, where a dangerous spot exists in the pattern is visually displayed as feature data indicating the feature of the hazardous spot.例文帳に追加

半導体装置のパターンに関しての危険箇所情報であって、同じパターンについて、危険な箇所がない場合に対応した第１のパターンデータと、危険箇がある場合に対応した第２のパターンデータとの差を、前記危険箇所の特徴を示す特徴情報として可視化して表示する。 - 特許庁