「difference pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for inspecting the pattern of the wafer is equipped with the step for inputting the inspection image of the pattern or chip of the wafer being an inspection target, comparing the inputted inspection image with a preliminarily stored reference image to judge the quality of the pattern or chip from the difference quantity of the compared image.例文帳に追加

ウェハパターン検査方法及び装置は、検査対象であるウェハのパターン又はチップの検査画像を入力し、入力した検査画像と予め記憶されたリファレンス画像とを比較し、比較画像の相違量よりパターン又はチップの良否を判定する段階を備える。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive photoresist composition having superior sensitivity and resolution, capable of giving a good section shape of a resist pattern and less susceptible to a light proximity effect, that is, ensuring a small size difference between an isolated resist pattern and a dense resist pattern.例文帳に追加

感度、解像性が優れ、かつ良好なレジストパターン断面形状を与えることができるという特性に加えて、光近接効果による影響の少ない、すなわち孤立レジストパターンと密集レジストパターンのサイズの差が少ない化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The etching shifting amount E in an L&S pattern and the density difference Δ between etching shifts ((the etching shift in an isolated pattern)-(the etching shift in the L&S pattern)) can be expressed by the function of OE and SO_2 (wherein, OE and SO_2 respectively denote an over etching amount and an SO_2/O_2 flow ratio).例文帳に追加

評価値として、Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト量をＥ、エッチシフトの疎密差（（孤立パターンにおけるエッチングシフト）−（Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト））をΔ、オーバーエッチング量をＯＥ、ＳＯ_２／Ｏ_２流量比をＳＯ_２とすると、Ｅ及びΔはＯＥ及びＳＯ_２の関数で表すことができる。 - 特許庁

The second transmitting pattern includes a phase shifter portion as recesses formed in the mask substrate, the recesses alternately laid as periodically repeated with the first transmitting pattern, and transmits the exposure light while imparting a phase difference to the exposure light transmitting the first transmitting pattern.例文帳に追加

また、第２の透過パターンは、第１の透過パターンと交互に、周期的に繰り返して配置され、マスク基板に形成された凹部である位相シフタ部を含み、かつ、位相シフタ部により、第１の透過パターンを透過する露光光に対して位相差を導入して露光光を透過する。 - 特許庁

To allow calculation of a difference value corresponding to one-to-multiple between an example sentence pattern and a word string of a text sentence without depending on pattern automatic extraction technology, and to translate an input sentence with high accuracy with a small calculation amount by use of an obtained reference parallel translation pattern.例文帳に追加

パターン自動抽出技術に依存することなく、例文パターンとテキスト文の単語列間で一対複数に対応した相違値の算出を可能とし、求められた参照対訳パターンを用いて、少ない計算量で精度良く入力文を翻訳できるようにする。 - 特許庁

An image analysis part 42 extracts a circular, triangular, rectangular or other shape used for a road sign, as well as a pattern drawn in the shape, from the binary image and the difference image, and matches the extracted pattern and shape with the pattern and shape of the road sign to determine a road sign image.例文帳に追加

画像解析部４２は、上記２値化画像及び差分画像から道路標識に使用されている円、三角形、四角形などの形状や、その形状の中に描かれたパターンを抽出し、これと道路標識のパターン及び形状とマッチングして道路標識画像を決定する。 - 特許庁

Then, in an exposure device B, the same L/S pattern is formed using the same mask, and the coherence factor of the exposure device B is adjusted to achieve the condition that the dimensional difference becomes minimum between the line width PB in that L/S pattern and the line width PA in the L/S pattern formed in the exposure device A.例文帳に追加

次に、露光装置Ｂにおいて、同一のマスクを用いて同一のＬ／Ｓパターンを形成するとともに、当該Ｌ／Ｓパターンのライン幅ＰＢと、露光装置Ａで形成したＬ／Ｓパターンライン幅ＰＡとの間の寸法差が最小になる条件に、露光装置Ｂのコヒーレンスファクタを調整する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film pattern capable of eliminating a volume difference among liquid droplets caused by the variations of droplets ejected into a bank by a droplet ejection method, of eliminating unevenness in the film pattern, and of enhancing the quality thereof, a film pattern, an electro-optical device, and electronic equipment.例文帳に追加

液滴吐出法によりバンク内に吐出した液滴のバラツキに起因する液滴の体積差を無くすことができ、膜パターンのムラを無くすことができ、その品質を向上させることができる膜パターンの形成方法と膜パターン及び電気光学装置並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

The film pattern consists of an opening-restricting film pattern for restricting the opening for laser beams of two wavelengths in accordance with the difference in the transmissivities and a rim strength correcting film pattern for reducing a transmitted light quantity, in an area including an ellipse major axis with respect to a laser beam of three wavelengths constituting the elliptic shape in the cross-sectional shape.例文帳に追加

膜パターンは、２波長のレーザビームを透過率の違いで開口制限する開口制限用膜パターンと、断面形状が楕円形を成す３波長のレーザビームに対してその楕円長軸を含む領域での透過光量を低下させるリム強度補正用膜パターンと、から成る。 - 特許庁

Since the pattern part 12b is formed into a pattern having a large width, and its heating value is set lower than that of the pattern part 12a to prevent occurrence of temperature irregularity, so that separation of the heating element 12 from the board 11 based on the difference of the thermal expansion rates can be prevented.例文帳に追加

湾曲パターン部１２ｂは幅広のパターンに形成され、直線状パターン部１２ａの発熱量よりも発熱量が小さくなり温度ムラも発生しにくいので熱膨張率の差に基づく抵抗発熱体１２の基板１１からの剥離を防止できる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor circuit board having a thick copper pattern layer and exhibiting excellent heat cycle resistance in which thermal stress due to difference of the coefficient of thermal expansion between a copper pattern and an insulating substrate is suppressed, stripping of the bonding interface between the copper pattern and the insulating substrate or cracking of the insulating substrate is retarded.例文帳に追加

銅パターンと絶縁基板の熱膨張係数差による熱応力が小さく、銅パターンと絶縁基板の接合界面の剥離や絶縁基板２の割れが生じ難く、銅パターン層が厚く、耐ヒートサイクル性に優れた高い信頼性を有する半導体回路基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask pattern correction method in which a difference between patterns is reduced in the amount of dimensional change due to light exposure differing depending on each pattern shape, dimensional change depending on the pattern shape is suppressed even with varied light exposure, and transfer accuracy is improved, and to provide a photomask.例文帳に追加

パターンの形状ごとに異なっていた露光量に対する寸法変化量のパターン間差を小さくし、露光量を変動させても、パターン形状に依存した寸法変化が抑制され、転写精度を向上させるマスクパターンの補正方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A conductive electrode pattern is formed on the tubular front surface made of high polymer materials, one or more electrode protecting layers are formed on it, and the difference of the belt thickness between a part having the electrode pattern and a part having no electrode pattern is set to not more than 10 μm.例文帳に追加

高分子材料の管状物表面に、導電性を有する電極パターンを形成し、その上に１層以上の電極保護層を形成し、電極パターンが存在する箇所と電極パターンが存在しない箇所のベルトの厚み差を１０μｍ以下に構成する。 - 特許庁

To obtain a multilayer structure metal mask in which by putting an electroless plating layer the difference of plate thicknesses between a region inside the pattern region and a region outside the pattern region becomes smaller and the plate thickness of the region outside the pattern region becomes thicker as compared with electroplating, the strength as the metal mask entirety is raised, and the elongation at the time of printing can be decreased.例文帳に追加

無電解めっき層を入れることで、パターン領域以内とパターン領域以外とで板厚の差が小さく、パターン領域外の板厚が電気めっきに比べて厚くなりメタルマスク全体としての強度が上がり、印刷時の伸びを減少できる多層構造メタルマスクを得る。 - 特許庁

During the process from initial stage of firing for forming the wring pattern to the latter stage of firing, the film pattern 40 is irradiated with laser beams 50 and 53 of two optimal wavelengths exhibiting good absorption efficiency while setting a time difference depending on the absorption spectrum of the film pattern 40 varying at each step.例文帳に追加

配線パターンが形成される焼成初期から焼成後期までの過程において、各過程で変化する膜パターン４０の吸収スペクトルに応じて、吸収効率の良い最適な２波長のレーザ光５０，５３を、膜パターン４０に時間差を持たせて照射する。 - 特許庁

In the same way, the CPU 1000 performs display control using the common image data 1011 and difference data (2) 1013 to perform display control of a second pattern, and performs display control using the common image data 1011 and difference data (3) 1014 to perform display control of a third pattern.例文帳に追加

同様に、ステップＳ８４０では、第２のパターンの表示制御を行なうべく共通画像データ１０１１と差分データ １０１３とを用いて表示制御を行ない、ステップＳ８５０では、第３のパターンの表示制御を行なうべく共通画像データ１０１１と差分データ １０１４とを用いて表示制御を行なう。 - 特許庁

A pattern for measurement configured of a reference phase transmitting part 3e and a phase difference transmitting part 3f whose phase difference with the reference position transmitting part 3e is in a degree other than 180° is projection-exposed to the surface of a semiconductor wafer applied with a resist simultaneously with a pattern to be exposed, and developed so that resist patterns for measurement can be formed.例文帳に追加

基準位相透過部３ｅ及び基準位相透過部３ｅとの位相差が１８０度以外の位相差透過部３ｆで構成された測定用パターンを、露光対象のパターンと同時にレジストを塗布した半導体ウェーハの表面へ投影露光し、現像処理して測定用レジストパターンを形成する。 - 特許庁

A simulation image of a pattern including the defects, and a simulation image of a pattern not including the defects are generated at first based on the plurality of imaging conditions, then, a difference signal between both in each of the plurality of imaging conditions is calculated, and the difference signal is displayed at last on a display in each of the plurality of imaging conditions.例文帳に追加

先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。 - 特許庁

A difference calculator 63 reads out data temporary stored in a data storage register 50 at every processing unit to be one group on the basis of each of a plurality of items of pattern information stored in an LUT 61 and calculates the difference between the data read out at the last time to specify the pattern information frequently making the same differences continuous.例文帳に追加

差分計算部６３は、データ保持レジスタ５０に一時記憶されたデータを、１まとまりとなる処理単位毎に、ＬＵＴ６１に保持される複数のパターン情報のそれぞれに基づいて読み出し、直前に読み出したデータとの差分を算出して、同じ差分が連続する場合が多いパターン情報を特定する。 - 特許庁

The driving pattern and the driving voltage are properly controlled, which are applied to the outer circumferential pattern electrodes 31 to 38 in accordance with the directivity of astigmatism due to the optical system; the light beam is passed in this state, imparting a phase difference based on the difference in refractive index, thereby enabling the astigmatism to be well corrected.例文帳に追加

光学系に起因する非点収差の方向性に対応して外周部のパターン電極３１乃至３８に印加する駆動パターンと駆動電圧を適切に制御し、この状態で光ビームを通過させて屈折率の違いに基づく位相差を付与することにより、非点収差を良好に補正することができる。 - 特許庁

A simulation image of a pattern including the defects, and a simulation image of a pattern not including the defects are generated at first based on the plurality of imaging conditions, then, a difference signal between both in every of the plurality of imaging conditions is calculated, and the difference signal is displayed at last on a display in the every of the plurality of imaging conditions.例文帳に追加

先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。 - 特許庁

The method for manufacturing an exposure mask includes: a step S1 of patterning a light shielding film 2 formed on a quartz substrate 1 to form a light shielding pattern 2c; and a step S4 of directly measuring the level difference H from the surface of the quartz substrate 1 to the upper face of the light shielding pattern 2c and obtaining the measured value of the level difference H.例文帳に追加

石英基板１上に形成された遮光膜２をパターニングして遮光パターン２ｃを形成するステップＳ１と、石英基板１の表面から遮光パターン２ｃの上面までの段差Hを直接測定して、該段差Hの実測値を得るステップＳ４と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。 - 特許庁

If there exists difference between the fixing angles of the camera when the template image is taken photographed and when the substrate image for pattern matching is taken photographed, the registered template image A is corrected corresponding to the difference between the fixing angles so that the position detection may be performed by the pattern matching with the corrected template image.例文帳に追加

テンプレート画像を取得したときのカメラの取り付け角度とパターンマッチングのために基板を撮像するときのカメラの取り付け角度に差があるときには、該取り付け角度の差に応じて登録したテンプレート画像Ａを補正し、補正したテンプレート画像とのパターンマッチングにより基板の位置検出を行う。 - 特許庁

A time-series expression image composing process part 1130 generates time-series expression shape data and time-series expression textures by specific time intervals according to the operation pattern function, difference shape data, and difference textures.例文帳に追加

時系列表情画像合成処理部１１３０は、動作パターン関数と差分形状データおよび差分テクスチャとに基づいて、所定の時間間隔ごとの時系列表情形状データおよび時系列表情テクスチャを生成する。 - 特許庁

Afterwards, the marge function 13 merges a difference Δ1 between the TDM0 and the TDM1 extracted by a Δ1 extraction function 14 and the difference Δ2 extracted by the TDM0_n based on a preliminarily registered processing pattern in response to calling.例文帳に追加

その後、マージ機能１３は、呼び出しに応じて、Δ１抽出機能１４が抽出したＴＤＭ０とＴＤＭ１の差分Δ１と、ＴＤＭ０＿ｎから抽出したΔ２とを、予め記憶された処理パターンに基づいてマージする。 - 特許庁

A potential difference taking-out wiring pattern for taking out a potential difference between both ends of a shunt resistance mounted or provided on a printed circuit board is drawn out from a spot where a current to be detected hardly flows on a shunt resistance mounting land.例文帳に追加

プリント基板上に取り付け、または設けたシャント抵抗両端の電位差を取り出すための電位差取り出し用配線パターンを、シャント抵抗取付け用ランド部にあって被検出電流が殆ど流れない個所から引き出す。 - 特許庁

This is because of the following reasons: In an ultraviolet region with a wavelength of 400 nm or less, the difference in reflectivity between a white ground and printed portions of the C, M, and Y colors becomes large, and concentration difference occurs among a plurality of patterns included in the test pattern.例文帳に追加

これは、波長４００ｎｍ以下の紫外域では、ＣＭＹ各色において白下地と印字部分との反射率差が大きくなり、テストパターンに含まれる複数のパターン間で濃度差が発生するためである。 - 特許庁

Next, the difference image of the sensor image and the reference image is formed and a light quantity measuring area 104 is set in the region of a part of the contact pattern 102 in the difference image to evaluate the brightness of the light quantity measuring area 104.例文帳に追加

次に、センサ画像と参照画像との差画像を作成し、この差画像において、コンタクトパターン１０２の一部の領域に光量測定エリア１０４を設定し、各光量測定エリア１０４の明るさを評価する。 - 特許庁

To reduce deterioration in electric characteristics by relaxing the difference in potential between ground conductors of a microstrip line or the difference in path between a microstrip line pattern and the ground conductor, in a multilayer substrate in which the microstrip lines are mutually connected.例文帳に追加

マイクロストリップ線路が相互接続される多層基板において、マイクロストリップ線路の接地導体間の電位差や、マイクロストリップ線路パターンと接地導体間の経路差を緩和し、電気特性の劣化を低減することを目的とする。 - 特許庁

A difference between an input data stream 307 to be inputted to a filter 221 and a data stream 308 to be outputted from the filter 221 is calculated, and whether or not preliminarily defined critical processing instructions are included in a difference data stream is detected by pattern matching.例文帳に追加

フィルタ２２１に入力する入力データストリーム３０７と出力されるデータストリーム３０８の差分を取り、予め定義したクリティカルな処理命令が差分データストリームに含まれているか否かをパターンマッチングにより検出する。 - 特許庁

A shading pattern, produced by an optical pattern 110 of a rotary scale 104, is formed by a first shading pattern group where plural light parts are formed at each angle on the circumference, having difference distances from the center 108 of a circle, and light parts are formed at different angles in the circumferential direction, and a second shading pattern group.例文帳に追加

ロータリスケール１０４の光学パターン１１０によって生じた明暗パターンは、円の中心１０８からの距離が異なる円周上に明部が同じ角度おきに形成されるように複数形成されると共に、円周方向に異なる角度に明部が形成された第１の明暗パターン群と第２の明暗パターン群とからなる。 - 特許庁

Then a pattern identification section 13 selects a first edge shape pattern of the same size as the first image block corresponding to an edge direction on the basis of the edge direction estimated by the edge direction estimate section 12 and the pixel value in the first image block, and identifies a second difference edge shape pattern of the size corresponding to the first edge shape pattern.例文帳に追加

次いで、パターン特定部１３において、あるエッジ方向に相当する第１画像ブロックと同じ大きさの第１のエッジ形状パターンをエッジ方向推定部１２で推定したエッジ方向と第１画像ブロック内の画素値とに基づいて選択し、かつ第１のエッジ形状パターンに対応するサイズの異なる第２のエッジ形状パターンを特定する。 - 特許庁

To provide a design method of mask pattern that can be simply corrected without increasing a chip area so as not to deform a circuit pattern on a film for forming a surface layer side circuit due to a level difference of a substrate side circuit.例文帳に追加

表層側回路を形成する為の膜上の回路パターンが、基板側回路の段差に起因して変形しないように、チップ面積を増大させることなく、簡易に補正することが出来るマスクパターンの設計方法の提供。 - 特許庁

When difference between an integral multiple of a frequency of a dither current and the engine speed is within a predetermined range, a dither current superposing means 6 changes a dither pattern and set a new dither signal according to the changed dither pattern.例文帳に追加

ディザ電流重畳手段６は、ディザ電流の周波数の整数倍とエンジンの回転数との差が所定範囲内である場合には、ディザパターンを変更し、変更したディザパターンに従ってディザ信号を新たに設定する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which the difference in etching shapes caused by the pattern density can be eliminated, and which is excellent in rapid response to the variation of the etching shift amount or the like and is at low cost.例文帳に追加

パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。 - 特許庁

To correctly extract a ruled line even if a shadow is present in a shading image or the density difference between the ruled line and a background is low, and to correctly extract a necessary pattern when the pattern is extracted from a multiple image.例文帳に追加

濃淡画像に影があったり、罫線と背景の濃度差が少ないような場合であっても、正確に罫線を抽出することと、多値画像からパターンを抽出する際に、必要なパターンを正確に抽出することが課題である。 - 特許庁

A circuit pattern made of two types of metal or alloy is provided to detect a temperature difference between sides of a sample and a control while an insulating substrate provided with a circuit pattern of a metallic resistor is fixed on a heat sump to control the temperature of the heat sump.例文帳に追加

試料側、参照側の温度差を検出するための２種類の金属または合金の回路パターンを設けると共に、金属抵抗体の回路パターンを設けた絶縁基板を熱溜に固定し、熱溜を温度制御する。 - 特許庁

Before the adjustment of the image forming condition using the pattern for measuring the image density, a pattern for inspection is formed in the margin area at the end of recording material and its density is detected by a color sensor, thereby detecting a density difference from reference density.例文帳に追加

画像濃度測定用パターンを用いた画像形成条件の調整を行う前に、記録材状の端部余白領域に検査用パターンを形成してその濃度をカラーセンサで検出し、基準濃度との濃度差を検出する。 - 特許庁

To provide a development method capable of securing desired lithography likelihood and suppressing a dimensional difference between pattern categories as well as controlling a pattern dimension with high accuracy even when the sensitivity of a photosensitive film varies, and to provide a method for manufacturing a photomask.例文帳に追加

感光膜の感度にばらつきがあったとしても、所望のリソグラフィ尤度を確保し、パターンカテゴリ間の寸法差を抑えるとともに、パターン寸法を高精度に制御可能な現像方法、及びフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of sufficiently securing a quantitative difference of reflected light between an intermediate transfer belt 5 as a base material and a registration correction control toner pattern when the toner pattern is detected by a reflection type optical sensor.例文帳に追加

反射型光学センサによるレジストレーション補正制御用のトナーパターンの検出時に、下地となる中間転写ベルト５とトナーパターンとの反射光量の差を十分に確保することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The convergence control part detects an angular error where the reference pattern is distorted by the earth magnetic field, based on the difference between the datum position of the reference pattern and the maximum brightness measurement position, and controls a deflection circuit so as to compensate the angular error in question.例文帳に追加

コンバージェンス制御部は基準パターンの標準位置と最大輝度測定位置との差に基づき基準パターンが地磁界により歪んだ角誤差を検出し、該角誤差が補償されるよう偏向回路を制御する。 - 特許庁

After signal processing of a high pass property shown in (b)(b') is performed, difference of amplitude Va'-Vb' of the burst pattern A, the burst pattern B showed in (c) is obtained, and this is used as a position error detecting signal.例文帳に追加

そして、磁気ディスク装置内で、（ｂ）（ｂ’）に示すようにハイパス特性の信号処理を施した後で、（ｃ）に示すようにバーストパターンＡ、バーストパターンＢの振幅の差Ｖａ’−Ｖｂ’を求め、これを位置誤差検出信号として用いる。 - 特許庁

The predistortion part 20 compares the test pattern added to the input signal Vin with a test pattern part included in an output signal Vout from the amplification part 30 and updates the distortion correction coefficient so that a difference of the compared result may be minimized.例文帳に追加

プリディストーション部２０は、入力信号Ｖinに付加されたテストパタンと、増幅部３０の出力信号Ｖoutに含まれるテストパタン部分とを比較して、比較結果の差分が最小となるように、歪み補正係数を更新する。 - 特許庁

In this case, the comparison inspection is performed by excluding a difference to an excessive domain which is a pattern domain of the object image formed more excessively than a pattern domain shown by the master image in the internal angle domain of the master image.例文帳に追加

このとき、マスタ画像における内角領域において、当該マスタ画像が示すパターンの領域より過剰に形成されているオブジェクト画像のパターンの領域である過剰領域に対する差分は除外して比較検査を行う。 - 特許庁

The device calculates the difference DC between the contrast values CR and CL as contrast difference, a component ERRDC which is included in a correlation value ERR calculated at a time when the correspondence pattern is extracted and corresponds to the contrast difference DC and decides matching as successful when a value obtained from subtracting a contrast difference component ERRDC from the value ERR is smaller than a prescribed threshold γ (S19 to S23).例文帳に追加

コントラスト値ＣＲとＣＬの差ＤＣをコントラスト差として算出し、対応パターン抽出時に算出された相関値ＥＲＲに含まれる、コントラスト差ＤＣに対応する成分ＥＲＲＤＣを算出し、相関値ＥＲＲからコントラスト差成分ＥＲＲＤＣを減算した値が所定閾値γより小さいときマッチング成功と判定する（Ｓ１９〜Ｓ２３）。 - 特許庁