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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element valueの意味・解説 > element valueに関連した英語例文

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element valueの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4760件



例文

To provide an RF powder-containing substrate including a function element part for making it difficult to prepare any forged card or document or false paper money or the like, and for making it possible for each of a plurality of particles to store such information as identification numbers concerning a sheet-shaped object whose property value is high such as various cards, paper money or securities.例文帳に追加

各種カード、紙幣や有価証券等の財産的価値の高いシート状等の対象物について、偽造のカードや書類、偽紙幣等を作製することが困難であり、多数の粒子の各々が識別番号などの情報を記憶できる機能要素部を含んだRFパウダー含有基体を提供する。 - 特許庁

A resistance value change detection means 207 is provided with: a pair of EL elements (203A, 203B) connected in parallel; a TFT 124 for light emission control connected to an anode 10 of one of the EL elements; and a resistance element 205 connected in series to the TFT 124 for light emission control.例文帳に追加

抵抗値変化検出手段207は、並列に接続された一組のEL素子(203A、203B)と、前記一組のEL素子のいずれか一方の陽極10に接続された発光制御用TFT124と、発光制御用TFT124に直列接続された抵抗素子205とを備える。 - 特許庁

After an output video signal of the image pickup element 2 is processed by an AGC circuit 4 and an analog/digital converter circuit 5 and the processed signal is fed to a camera signal processing circuit 6, in which the white balance WB is corrected by a WB correction value by each field of long time exposure and short time exposure supplied from WB correction circuits 16a, 16b.例文帳に追加

その出力映像信号は、AGC回路4,A/D変換回路5で処理された後、カメラ信号処理回路6に供給され、WB(ホワイトバランス)補正回路16a,16bから供給される長時間露光,短時間露光のフィールド毎のWB補正値でWB補正がなされる。 - 特許庁

A plurality of correction values is stored in response to storage conditions of the substrate estimated preliminarily, the storage condition of the substrate is determined in the temperature measuring instrument when used, the correction value corresponding to the determined storage condition is read out, and the temperature detected by the thermosensitive element is corrected therewith to compensate a cold junction.例文帳に追加

予め想定される基板の収納状態に応じた複数の補正値を格納しておき、使用時における温度測定機器の基板の収納状態を判別し、判別した収納状態に応じた補正値を読み出して感温素子で検出される温度を補正して冷接点補償を行うようにしている。 - 特許庁

例文

An electrolyte material of the present invention is a gelatinized product of MO_a(OH)_b (in the formula, M represents an element belonging to group-4, -13 or -14 on the periodic table, and each of a and b is a value determined according to a valence of M so that the gelatinized product is electrically neutral) and contains a basic hydroxide.例文帳に追加

本発明は、MO_a(OH)_b(式中、Mは周期表第4族、13族、または14族の元素を表し、aおよびbは、Mの原子価に応じて電気的に中性となるように定められる値)のゲル化物であって、塩基性水酸化物を含むことを特徴とする電解質材料である。 - 特許庁


例文

In the scroll compressor, a center Vc of a turning spiral element 24 is deviated from a driving center shaft D so as to make a distance L between gravity center G and the driving center shaft D in a turning scroll 20 smaller than a predetermined permissible value set according to theoretical displacement and the mass of the turning scroll 20.例文帳に追加

スクロール圧縮機において、旋回スクロール20における重心Gと駆動中心軸Dの距離Lが理論押しのけ量と旋回スクロール20の質量に基づき設定される所定の許容値より小さくなるように、旋回渦巻き体24の中心Vcは駆動中心軸Dに対してずれている。 - 特許庁

In the rotation detection apparatus, a sensor part comprising a magnetoresistive element for detecting changes in the angle of a magnetic vector as changes in resistance value and its processing circuit part are integrated into a circuit as one IC chip 11 and provided in such a way as to be opposed to a rotor RT comprising helical gears used for an automatic transmission.例文帳に追加

回転検出装置は、磁気ベクトルの角度変化を抵抗値の変化として検出する磁気抵抗素子からなるセンサ部およびその処理回路部が1つのICチップ11として集積回路化され、自動変速機に使用されている斜歯歯車(ギア)からなるロータRTに対向するように設けられている。 - 特許庁

A pixel circuit controlled by a drive circuit through a write scan line WSL and a video signal line DTL comprises a light emitting element (organic light emitting diode) varying in applied voltage value with the potential (Vs) of one electrode (source node NDs), a drive transistor having a control node NDc, a sampling transistor, and a holding capacitor.例文帳に追加

書込走査線WSLおよび映像信号線DTLを介して駆動回路によって制御される画素回路が、一方電極(ソースノードNDs)の電位(Vs)によって印加電圧値が変化する発光素子(有機発光ダイオード)と、制御ノードNDcを有する駆動トランジスタと、サンプリングトランジスタと、保持キャパシタと、を含む。 - 特許庁

Image processing ASIC 155 of a printer 100 performs half tone processing with respect to each picture element constituting image data by referring to in order an encode table ET, a predecode table DT1, a post decode table DT2 and a sequence value table ST stored in a RAM 152 to determine dot arrangement formed on a printing medium.例文帳に追加

プリンタ100の画像処理ASIC155は、RAM152に記憶されたエンコードテーブルETとプレデコードテーブルDT1とポストデコードテーブルDT2と順序値テーブルSTとを順次参照することで、画像データを構成する各画素についてハーフトーン処理を行い、印刷媒体上に形成されるドットの配置を決定する。 - 特許庁

例文

The electrolytic capacitor 1 includes: a case 3 housing a capacitor element 1a including the electrolytic solution in a sealed state and provided with a safety valve 6 which spouts out the evaporating gas of the electrolytic solution when internal pressure becomes a prescribed value or more; and a coloring agent intervened in a route through which the generated evaporating gas flows out.例文帳に追加

電解液を含むコンデンサ素子1aを密封状態に収納するとともに内部圧力が所定以上になった場合に電解液の蒸発ガスを噴出する安全弁6が設けられたケース3と、前記蒸発ガス発生から流出の経路中に介在された着色剤とを備えた電解コンデンサ1である。 - 特許庁

例文

To provide a radiation detector which precludes an erroneous counter value from being output, even when a counter in a detection signal processing circuit for processing a detection signal detected by a radiation detecting element is malfunctioned by a radiation, and also to provide a radiation inspection device using the radiation detector.例文帳に追加

放射線検出素子により検出された検出信号を処理する検出信号処理回路におけるカウンタが、放射線により誤動作したとしても、誤ったカウンタの値が出力されないようにした放射線検出装置及び該放射線検出装置を用いた放射線検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method comprises steps of adding a precipitate containing a compound of lanthanide element to the plating bath containing nickel sulfamate, of which the concentration of the azo disultonic acid has reached the predetermined value; obtaining a precipitate by reacting at least a part of the azo disultonic acid with the above precipitant; and removing the above precipitate from the plating bath.例文帳に追加

アゾジスルホン酸の濃度が所定値に達したスルファミン酸ニッケルを含むめっき浴に、ランタニド元素の化合物を含む沈殿剤を添加する工程と、前記アゾジスルホン酸の少なくとも一部を、前記沈殿剤と反応させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物を前記めっき浴から取り除く工程とを有する。 - 特許庁

A variable power supply 140 adjusts the intensity of an ultrasonic wave transmitted by the transmission element 50 in the next measuring period on the basis of the held maximum value such that the first reflection component appears in the next measuring period and that the appearance of a second reflection component is suppressed.例文帳に追加

可変電源140は、保持された最大値に基づいて、次の測定期間において受信信号に第1の反射成分が出現するとともに第2の反射成分の出現が抑制されるように、次の測定期間において送信素子50により送信される超音波の強度を調整する。 - 特許庁

In the formation method for forming the plurality of resistance elements on a wiring circuit board using the metal film, different treatment is made to the plurality of specific resistance elements formed by the same metal film, thus forming the resistance element having a different resistance value depending on the presence or absence of treatment.例文帳に追加

金属膜を用いた配線回路基板上に、複数の抵抗素子を形成する形成方法において、前記同一の金属膜で形成した複数の特定の抵抗素子に異なる処理を施し、処理の有無により異なる抵抗値の抵抗素子を形成することにより解決することができた。 - 特許庁

An abutting part 51 retractable on a moving passage of a connection part 32 to constitute a link mechanism when the valve element 15 is at the valve opening position is provided below the connection part 32 at the elevated position, and the abutting part 51 is made to protrude when the pressure in the cylinder 31 is below a predetermined value.例文帳に追加

弁体15が開弁位置にあるときに、リンク機構20を構成する連結部32の移動経路上に出没する当接部51を上昇位置にある連結部32の下方に設けると共に、その当接部51を、シリンダ31内の圧力が所定値以下になったときに突出するように構成する。 - 特許庁

A dot defect decision circuit 9 detects the value of the voltage developed at a resistance element and decides whether or not the switching transistors 4 mounted on the liquid crystal display device 1 are broken according to voltage values generated at the respective resistance elements.例文帳に追加

前記抵抗素子R1〜Rnに生ずる電圧値を検出するドット欠陥判定回路9が具備されており、このドット欠陥判定回路9は、各抵抗素子R1〜Rnに生ずる電圧値に基づいて液晶表示装置1に実装されたスイッチング用トランジスタ4が破損しているか否かを判定する。 - 特許庁

The rough movement table 7 which is large in mass and long in positioning time is only moved to the desired value and is not subjected to positioning, and a fine movement table 11 which is small in mass is subjected to positioning by the piezoelectric element 10 which is large in generating force and high in responsiveness, and a positioning time is thereby considerably shortened.例文帳に追加

質量が大きく、位置決め時間の長い粗動テーブル7では位置決めを行わず、目標値までの移動のみとし、発生力が大きく、高応答性の圧電素子10により質量の小さな微動テーブル11を位置決めすることで、位置決め時間の大幅な短縮をはかることができる。 - 特許庁

In a sampling period, a driving current I is given to a specific segment and a stabilized power supply Vout is optimized so that the current I becomes constant by a control loop made up with a current detecting circuit 25, a current value sample-and-hold circuit 26, a driving voltage controlling circuit 24 and a driving voltage control element 22.例文帳に追加

サンプリング期間では、特定セグメントに駆動電流Iを与えつつ、電流検知回路25、電流値サンプルホールド回路26、駆動電圧制御回路24及び駆動電圧制御素子22からなる制御ループにより駆動電流Iが一定となるように安定化電源Voutを最適化する。 - 特許庁

A phase comparator circuit consisting of a multiplication circuit 11 and a loop filter 12 outputs a signal S12a of a level corresponding to the phase difference between an FM signal Sin and a signal S13, and a VCO 13 generates the signal S13 of a frequency corresponding to the level of the signal S12a and the absolute value dispersion and temperature characteristic of the circuit element.例文帳に追加

乗算回路11およびループフィルタ12からなる位相比較回路においてFM信号Sinと信号S13の位相差に応じたレベルの信号S12a を出力し、この信号S12a のレベルならびに回路素子の絶対値ばらつきおよび温度特性に応じた周波数の信号S13をVCO13で生成する。 - 特許庁

When the frequency versus temperature characteristic of the piezoelectric substrate 2 is expressed by a quadratic curve or a cubic curve, the operation temperature range of the SAW element is set not to include a temperature to be an extremal value but allow the quadratic curve or the cubic curve to always change in a positive direction for the rise of a temperature.例文帳に追加

SAW素子の動作温度範囲は、圧電基板2の周波数温度特性が2次曲線又は3次曲線で表される場合に、その極値となる温度を含まないように設定し、該2次曲線又は3次曲線が温度の上昇に関して常に正方向に変化するようにする。 - 特許庁

In the case where it is known that the ejection amount of ink is varied by each production lot, it is possible to obtain a representative value of the lot by measuring the dummy ejection nozzle or to measure the area of the opening of the dummy ejection nozzle 17 by each recording element substrate 12.例文帳に追加

吐出量のばらつきが製造ロット毎にばらついていることが分かっている場合、ダミー吐出口17を製造ロット毎で測定し、そのロットの代表値を求めるようにしてもよいし、あるいは、個々の記録素子基板12についてダミー吐出口17の開口面積を測定するようにしてもよい。 - 特許庁

For the ignition ceramic heater element of a combustion type on-vehicle heater, a changing rate to the initial resistance value after 10,000 cycles is 10% or less at an endurance test for intermittent electric conduction for which conduction for two minutes and cooling for one minute at 1,300°C are taken as one cycle, and the ceramic heater has an ignition and flame sensing function.例文帳に追加

燃焼式車載暖房機の点火用セラミックヒータにおいて、1300℃、2分通電−1分冷却を1サイクルとした断続通電耐久試験で10000サイクル後の初期抵抗値に対する変化率が10%以下とし、点火及び火炎検知機能を有するセラミックヒータとした。 - 特許庁

A resistance element 1 to be determined from a wiring resistance 5 to a smoothing capacitance C1 of a booster circuit 2 and a desired ripple value at the feeding point of a booster voltage is arranged between a booster circuit output (A point) and a booster voltage feeding point (B point), so that ripple components included in the booster voltage can be pressure-divided and attenuated.例文帳に追加

昇圧回路2の平滑容量C1までの配線抵抗5と昇圧電圧の供給点での所望のリップル値とから決定される抵抗素子1を昇圧回路出力(A点)と昇圧電圧供給点(B点)との間に入れることで、昇圧電圧に含まれるリップル成分を分圧して減衰させる。 - 特許庁

More specifically, by detecting that the voltage between the collector and the emitter of a switching element (IGBT) is moderately raised at the time of a low current compared with a normal time, and by increasing a gate-on resistant value at the time of succeeding switching, a switching operation is moderately performed, thus suppressing the surge voltage at FWD reverse restoration and the vibration of the high frequency.例文帳に追加

即ち、低電流時はスイッチング素子(IGBT)のコレクタ・エミッタ間電圧が通常時に比べ緩やかに上昇することを検出して、次のスイッチングではゲートオン抵抗値を大きくすることにより、スイッチング動作を緩やかにして、FWD逆回復時のサージ電圧と高周波の振動を抑制する。 - 特許庁

When an electromagnetic force acting on the armature 13 rises above a predetermined value, the end of a valve element 28 is moved rightward via a cylinder member 31 and an atmospheric valve 34 opens to allow the atmosphere to be introduced into a variable pressure chamber 6 so that the armature 13 is pushed back leftward by the differential pressure between itself and the constant pressure chamber 5.例文帳に追加

アーマチュア13に作用する電磁力が所定値以上になると、筒部材31を介して弁体28の先端部が図1右方に移動して大気弁34が開弁し、変圧室6に大気が導入され、アーマチュア13は定圧室5との差圧力により図1左方向に押し戻される。 - 特許庁

A semiconductor device having an insulating resin layer in contact with a semiconductor element, in which the insulating resin layer has a breaking stress (D) at cooling temperatures of the heat cycle test of three times or more of the internal stress value (σ) in the heat cycle test.例文帳に追加

半導体素子に接して絶縁樹脂層を有する半導体装置であって、絶縁樹脂層が、温度サイクル試験における内部応力値(σ)に対して、温度サイクル試験の冷却温度における破断応力(D)が3.0倍以上である絶縁樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

An actual dimension calculation part 6 calculates the actual dimension corresponding to the plurality of measuring points in the object Ob, based on the distance value found from the distance image generated in the image generation part 4 as to the picture element in the position of the measuring point extracted by the measuring point extraction part 5, and the position of the measuring point within the distance image.例文帳に追加

実寸算出部6は、計測点抽出部5で抽出した計測点の位置の画素について画像生成部4で生成された距離画像から求めた距離値と距離画像内での計測点の位置とから対象物Obにおいて複数の計測点に対応する部位間の実寸を算出する。 - 特許庁

The power semiconductor device includes a power semiconductor switching element, a control resistor, a drive circuit, a control voltage determination part for determining whether a difference in voltage across the control resistor is smaller than a predetermined voltage difference, and a sensing current determination part for determining whether a sensing current exceeds a predetermined current value.例文帳に追加

本発明の電力用半導体装置は、電力用半導体スイッチング素子と、制御抵抗と、駆動回路部と、制御抵抗の両端の電圧の差が所定の電圧差より小さいかどうかを判定する制御電圧判定部と、センス電流が所定の電流値を超えるかどうか判定するセンス電流判定部とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of giving a reduction in size of the device by enabling designing of a sheet resistance value freely irrespective of a channel density of a hetero device in the case of monolithically forming the hetero type device and a resistance element and realizing desired high sheet resistance.例文帳に追加

ヘテロ系デバイス及び抵抗素子をモノリシックに形成する際、ヘテロ系デバイスのチャネル濃度とは無関係に自由にそのシート抵抗値を設計することを可能にし、所望の高シート抵抗を実現して、装置の小型化に寄与することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The acceleration and angular velocity detection element includes: a base; a support of which the shape or property value changes through the application of force; a weight placed on the support; detection electorides for detecting a signal corresponding to a change in the shape or property value of the support; and a detection unit which is placed with its lower surface being in contact with the base.例文帳に追加

基体と、力の印加により形状または物性値が変化する支持体と、前記支持体上に配置された重錘体と、前記支持体の変形または物性値の変化に応じた信号を検出する検出電極と、を有し、その下面を前記基体上に接触させた状態で配置された検出部と、を有し、前記検出電極は、互いに離間して配置された第1検出電極と第2検出電極とで構成される、加速度・角速度検出素子。 - 特許庁

The matching lines are each 0.10 to 0.25 times as long as the basic resonant wavelength, each being equal to or larger than the monopole radiating element unit in resistance value per unit length, provided with a longer direction vertical to that of the monopole radiating element unit, and equipped with ends opposite to their other ends on the monopole radiating element unit side being open ends.例文帳に追加

基本共振波長の0.01から0.13倍の長さのモノポール放射素子部と、前記モノポール放射素子部の接地導体側に設けられた給電点と、前記モノポール放射素子部の接地導体側と反対側またはその先端に設けられた複数の整合線路とを備え、前記のそれぞれの整合線路は、基本共振波長の0.10から0.25倍の長さであり、上記のモノポール放射素子と比べて同じまたは高い単位長あたりの抵抗値を有し、前記モノポール放射素子部の長手方向と直交する方向の長手方向を備え、前記モノポール放射素子部側の反対端は開放端とする。 - 特許庁

To surely detect a connection state while reducing a resistance value of resistors for current consumption detection, and to prevent from being affected by wraparound noise when detecting the connection state of an integrated antenna based on consumption of currents flowing into the integrated antenna equipped with a VICS optical transmitting/receiving element.例文帳に追加

VICS光送受信素子が搭載された統合アンテナに流入する消費電流に基づいて統合アンテナの接続状態を検出する際に、消費電流検出用の抵抗の抵抗値を小さくしながら接続状態を確実に検出することができると共にノイズの回り込みの影響を受けることがないようにする。 - 特許庁

In the insular magnetic thin film where isolated insular particles composed of a magnetic material are arranged like a discontinuous film, the magnetic material contains a rare earth element, the in-plane diameter of the insular particles has an average value in the range of 40-140 nm, and the thickness of the thin film is in the range of 2-25 nm.例文帳に追加

磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配置された島状磁性薄膜であって、前記磁性材料が希土類元素を含有するものであり、前記島粒子の面内直径の平均値が40〜140nmの範囲にあり、且つ、前記薄膜の厚みが2〜25nmの範囲にあることを特徴とする島状磁性薄膜。 - 特許庁

The wearing state of the contact lens is calculated by applying a numerical value analysis technique, such as a finite element method, by taking the physical change rate by the external force assumed in wearing the contact lens into consideration and the shape and properties of the contact lens are selected in such a manner that the desired characteristics of the contact lens in wearing can be obtained in accordance with the results of such calculation.例文帳に追加

コンタクトレンズの装用時に想定される外力による物理的な変化量を考慮して、コンタクトレンズの装用状態を、有限要素法等の数値解析手法を適用して算出し、かかる算出結果に基づいて、装用時に目的とするコンタクトレンズの特性が得られるように、コンタクトレンズの形状や物性を選定するようにした。 - 特許庁

The protection circuit includes a switching element 16 interposed between input and output, a means 17 for detecting an input voltage Vin, and a processor 18 which controls a ratio D between on-time and off-time of the switching means 16 such that an output voltage does not exceed a set value Vlimit corresponding to a breakdown voltage to be protected, based on the detected signal of the input voltage Vin.例文帳に追加

入出力間に介装されるスイッチング素子16と、入力電圧Vinを検出する手段17と、前記入力電圧Vinの検出信号に基づいて出力電圧が保護対象の耐圧に対応する設定値Vlimitを超えないように前記スイッチング手段16のオン時間とオフ時間との比率Dを制御するプロセッサ18と、を備える。 - 特許庁

To reduce fluctuation in characteristics of an element formed in a processing circuit part in spite of installation of the processing circuit part, which processes a value detected by a detection part, in a semiconductor chip in a mechanical quantities detector, in which the semiconductor chip having the detection part detecting impression of a dynamic quantity is connected to a base via a connection layer.例文帳に追加

力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。 - 特許庁

Under such conditions, displacement to Z-axial of the vibrator 550 caused by the Z-axial Coriolis force, applied to the vibrator 550 is detected, based on the voltage between another unshown upper and lower electrodes formed on both surfaces of the piezoelectric element 520, then the detected voltage is output as a value showing Y-axial angular velocity.例文帳に追加

その状態において、振動子550に加わるZ軸方向のコリオリ力による振動子550のZ軸方向への変位を、圧電素子520の両面に形成された図示されていない別な上部電極および下部電極間の電圧に基づいて検出し、検出した電圧をY軸まわりの角速度を示す値として出力する。 - 特許庁

To ensure an opening/closing characteristic of offering straightaway valve opening when a given value of exhaust pressure is reached, in an exhaust passage control valve so constructed that a spiral valve element 21 is mounted on a valve seat portion 20a of a housing 20 where engine exhaust gas flows and is urged to the closing side by a valve spring 22, by lowering the spring constant without enlarging the valve spring.例文帳に追加

エンジンの排気ガスが流通するハウジング20の弁座部20aに渦巻状の弁体21を装着し、弁体を弁ばね22で閉じ側に付勢するようにした排気流路制御弁において、弁ばねを大形化せずにばね定数を低くして、排気圧力が所定値に達したら一気に開弁するような開閉特性を得られるようにする。 - 特許庁

In the control valve 32 composed of a solenoid valve, a valve element 32C moves against energizing force of a spring 32B to the fuel tank main body side 32D to open the valve when internal pressure P1 of a fuel tank main body side 32D decreases by a specified value P3 or more in comparison with internal pressure P2 of the canister side 32A.例文帳に追加

電磁弁によって構成されている制御弁32においては、駐車時に燃料タンク本体側32Dの内圧P1が、キャニスタ側32Aの内圧P2に比べて所定値P3以上下がった場合に、弁体32Cがスプリング32Bの付勢力に抗して燃料タンク本体側32D方向へ移動し開弁するようになっている。 - 特許庁

An electrode cap and a resistor assembly element are integrated to form a resistor, after a resistance value is adjusted and an insulating protective film is formed, flaws and dirt sticking to the electrode cap surface made of Sn/Sn alloy plating during a manufacturing process and an oxidized layer formed on the surface are removed by hydrochloric acid to cleans them, and an oxidation preventing film is formed on the cleansed surface.例文帳に追加

電極キャップと抵抗体を一体化して抵抗器を形成し、抵抗値調整、絶縁保護膜を形成した後に、Sn/Sn合金メッキからなる電極キャップ表面に製造工程で付いた傷や汚れや表面に形成された酸化層を塩酸系溶液で除去して清浄にし、清浄にした表面に酸化防止膜を形成する。 - 特許庁

Here, a control unit 13 for controlling the power supply device turns on/off the switching element 3c, based on the compared result between the detected input current detected by an input current detection part 10 and the current command value of a modeling waveform reduced in the harmonic component of a prescribed order from a current waveform of the first half-part section in the half cycle of an AC power source.例文帳に追加

このとき、当該電源装置を制御する制御部13は、交流電源半周期のうち前半部分の区間、入力電流検出部10による検出入力電流と、電流波形から所定次数の高調波成分を減少させたモデリング波形の電流指令値との比較結果によりそのスイッチング素子3cをオン、オフする。 - 特許庁

The print 3 of the electroconductive material is formed on a valuable printed matter 1 such as a document of value or a passport, thereafter the optical changeable element 2 constituted of a resin layer 5 having fine unevenness diffracting light and a commonly used foil including a metal layer 7 on the uneven face of the resin layer is pasted so as to be overlapped on the print 3 of the electroconductive material.例文帳に追加

有価証券または旅券冊子等の貴重印刷物1に、導電体の印刷3後、前記導電体の印刷3上に重なるように、光を回折する微小な凹凸を有する樹脂層5と前記樹脂層の凹凸面上に金属層7が含まれる一般的な箔から構成される光学的変化素子2を貼付する。 - 特許庁

The induction type proximity sensor includes a U-shaped core 1, a coil 2 as an oscillation element wound around the U-shaped core 1, an oscillation circuit 43 including the coil 2, a comparison circuit 45 for generating a binary ON or OFF signal on the basis of a Q value of the coil, and an output circuit 46 for amplifying an output of the comparison circuit.例文帳に追加

本発明の誘導型近接センサは、U形コア1と、前記U形コア1に巻かれた、発振要素としてのコイル2と、前記コイル2を含む発振回路43と、前記コイルのQ値に基づいて二値のONまたはOFF信号を発生させる比較回路45と、前記比較回路の出力を増幅する出力回路46と、を有する。 - 特許庁

The voltage monitoring circuit 33 is arranged in the vicinity of a device to monitor supply voltage to the device, the MOS FETs 32 and 31 are subjected to on/off control in accordance with a monitored voltage value Vdet, and the adjusting resistance element R3 is connected separately from or in parallel with the feedback circuit resistance R2 to adjust the output voltage Vout of the linear regulator IC 21.例文帳に追加

電圧監視回路33をデバイスの近傍に配置してデバイスへの供給電圧を監視し、監視電圧値Vdetに応じてMOS FET32、31をオン/オフ制御し、調整用抵抗素子R3を帰還回路抵抗R2から分離又は並列に接続してリニアレギュレータIC21の出力電圧値Voutを調整する。 - 特許庁

When a synchronization request to the model information 1a is input from the business form 2a, an attribute value of the attribute to be synchronized in correspondence to the cells arranged in the row or the column is set by a model synchronizing means 5b with respect to the model element to be synchronized in the model information 1a corresponding to an identifier set to the row or the column.例文帳に追加

帳票2aからモデル情報1aへの同期要求が入力されると、モデル同期手段5bにより、行または列に設定された識別子に対応するモデル情報1a内の同期対象モデル要素に対して、行または列に並べられたセルに対応する同期対象属性の属性値が設定される。 - 特許庁

A computing element 15 identifies the peak in the amount of received light for the convergence spot SP by using numerical value data; output as serial data from the linear sensor 14, of the amount of the light received for each of 102 light-receiving elements 18; and calculates the distance to the object A1 to output a calculated result as 4-bit parallel data through output terminals OUT1-OUT4.例文帳に追加

演算素子15は、リニアセンサ14からシリアルデータで出力される102個の受光素子18のそれぞれの受光量の数値データを用いて収束スポットSPの受光量ピークを識別して、測定対象A1までの距離を演算し、演算結果を出力端子OUT1〜OUT4を通じて4ビットのパラレルデータで出力する。 - 特許庁

A controller 115 supplies the output of the spot position loop filter 109 to a tracking actuator 104 before supplying the output of the transfers loop filter 111 to a traverse motor 113, preliminarily moves the light spot to the neighborhood of the center of the light receiving element 105, and starts traverse control in a state that the value of the spot position signal at the time of starting traverse control is reduced.例文帳に追加

コントローラ115はトラバースループフィルタ111の出力をトラバースモータ113に供給する前に、スポット位置ループフィルタ109の出力をトラッキングアクチュエータ104に供給し、光スポットをあらかじめ受光素子105の中心付近に移動させ、トラバース制御開始時のスポット位置信号の値を小さくした状態で、トラバース制御を開始する。 - 特許庁

This method for producing the lithium complexed metal nitride expressed by general formula Li_3-xM_xN (M is at least a metal element selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Al; x is a value more than 0 and less than 0.8) comprises the steps of mixing lithium hydride powder with metal M powder and a heat treating the mixture.例文帳に追加

一般式Li_3−xM_xN(MはTi、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Alより選ばれた少なくとも一種の金属元素、xは0<x<0.8の範囲の値)で表されるリチウム複合金属窒化物の製造方法であり、水素化リチウム粉末と金属Mの粉末とを混合し、加熱処理する構成とする。 - 特許庁

The cord-like heater includes a heating wire and a detection wire, and the detection wire includes a detection element wire of which resistance value is changed by changes in temperature.例文帳に追加

発熱線と検知線とを有し、該検知線は温度変化により抵抗値が変化する検知素線を有しており、上記検知線を複数本有し、該複数の検知線における検知素線同士が検知素線に被覆される絶縁被膜により絶縁されており、上記複数本の検知線における検知素線同士が直列に電気的接続されているコード状ヒータ。 - 特許庁

例文

The problem mentioned above is solved by forming configuration reducing output from the three-terminal regulator to a specified voltage lower than a specified set voltage by turning on a switching element arranged to connect a terminal for setting the output voltage from the three-terminal regulator for supplying the power voltage to the given circuit to ground with short circuit or a low resistance value.例文帳に追加

所定回路に電源電圧を供給する三端子レギュレータの出力電圧設定用端子とグランドを短絡または低抵抗値で接続するように配設されたスイッチング素子をオンにすることによって、三端子レギュレータの出力を所定の設定電圧より低い所定の電圧に低減する構成として、上記問題を解決した。 - 特許庁




  
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