「embedded Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

This lithium-ion secondary battery provides high energy density suited to an embedded type medical device by having anode units 16, 19, 22, 25 and 28 and cathode units 90, 93, 96 and 99, spirally wound, differing in size, and having irregular shapes, such as semicircular shapes and semielliptic shapes.例文帳に追加

渦巻状に巻かれたサイズが異なる半円形や半楕円形のような不規則形状のアノードユニット（１６、１９、２２、２５、２８）及びカソードユニット（９０、９３、９６、９９）を有することにより、植え込み型医療装置に適した高エネルギー密度を提供するリチウムイオン二次電池である。 - 特許庁

One new respirator is driven by a main power source or one built-in or external battery (2, 4, 8, 9), is provided with one internal compressor (6), valves and sensors (3), and is provided with an embedded type web server (5) connectable to an external monitoring device.例文帳に追加

本発明は、主電源又は一つの内蔵又は外部の電池（２，４，８，９）により駆動され、更に一つの内部の圧縮機（６）、弁類およびセンサー類（３）を備え、又外部のモニタ装置と接続可能な埋め込み式Ｗｅｂサーバー（５）を設けた、一つの新規なレスピレータに関する。 - 特許庁

To provide a management method for concrete for efficiently and effectively grasping and managing the state of cast concrete even at a job site by using an embedded-type RFID module with a sensor, and simply taking out the state or history of concrete at the job site into the future for their effective use.例文帳に追加

センサ付きの埋込型ＲＦＩＤモジュールの利用により、打設コンクリートの状態を現場でも効率良く、効果的に把握・管理でき、またコンクリートの状態や履歴を将来に渡って現場で簡単に取り出し、有効利用可能なコンクリートの管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for easily determining the failure of a pump for an artificial heart, which is desired in view of the fact that the pump, particularly of the type embedded into the body, when a patient using it is in bad health, does not make it clear whether the artificial heart or another part of the body has failed.例文帳に追加

特に体内埋め込み型人工心臓用ポンプにおいては、これを利用する患者の体調の不調時に、人工心臓が異常であるのか生体内の他の部分が異常であるのか不明であり、簡単に人工心臓用ポンプの異常を判定する手法が望まれている。 - 特許庁

The sliding between the slot part and the arch wire is improved by arranging rotary bodies such as balls or rolls to the side wall surfaces and bottom surface of the slot part or the sliding between the twin-wing type bracket and the wire is improved by inserting a screw having a ball bearing embedded in the leading end thereof into the threaded part formed to the center part of the bracket.例文帳に追加

スロット部側壁面および底面にボールまたはロール等の回転体を設置することによって、あるいはツインウイング型ブラケットの中心部にネジを刻設し，該ネジ部に先端にボールベアリングを埋設したネジを挿入することによって、ブラケットとアーチワイヤー間の滑りを改善する。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

To prevent deterioration in operability and reading accuracy in an information reading apparatus capable of reading information recorded in a hybrid type information recording medium on which a two dimensional bar code is printed and an RFIC chip and antenna is embedded.例文帳に追加

二次元バーコードが印刷されるとともに、ＲＦＩＣチップとアンテナコイルが埋設されたハイブリッド型の情報記録媒体に記録された情報を読み取ることが可能であって、操作性の低下と読取精度の低下を防ぐことが可能な情報読取装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a slurry for chemical mechanical polishing which inhibits the generation of dishing or erosion and enables the formation of a highly reliable, electrically superior, embedded-type electrical joint at a high polishing speed when polishing a base plate having a tantalic metal film formed on an insulated film.例文帳に追加

絶縁膜上にタンタル系金属膜が形成された基板の研磨において、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、且つ高い研磨速度で、信頼性の高い電気的特性に優れた埋め込み型の電気的接続部の形成を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

This louver control method of the ceiling embedded type air conditioner is so formed that, when it is controlled to reduce the air quantity in a set louver position, the louver position is changed by a prescribed angle from the set position to the vertical direction.例文帳に追加

天井埋込型空気調和機のルーバ制御方法において、設定したルーバ位置における風量を減少するように制御するとき、上記ルーバ位置を前記設定位置から所定角度垂直方向に変更する天井埋込型空気調和機のルーバ制御方法である。 - 特許庁

To provide a cathode structure in which the same electron radiation function as the conventional one can be secured in a short arc-type discharge lamp which has a cathode and an anode disposed opposite to each other even if the use amount of emitter material is reduced in the inside of a light-emitting tube, and also has the emitter material embedded in the cathode.例文帳に追加

発光管の内部に陰極と陽極とが対向配置され、前記陰極にはエミッタ材が埋設されてなるショートアーク型放電ランプにおいて、エミッタ材の使用量を減じても、従来と同等の電子放射機能が確保できる陰極構造を提供することである。 - 特許庁

The embedded type lighting fixture 1 fixed to a hanging bolt C under the roof, includes: a reflecting body 31 with a reflecting top plate part 32; a fixture body 2 with the reflecting body 31 fixed; a terminal stage 19 fitted to the fixture body 2; and a fluorescent lamp (a light source) 41 arranged inside the reflecting body 31.例文帳に追加

天井裏の吊りボルトＣに固定される埋込み型の照明器具1であって、反射天板部32を備えた反射体31と、この反射体31が固定される器具本体2と、器具本体2に取付けられた端子台19と、反射体31の内側に配置される蛍光ランプ（光源）41を具備する。 - 特許庁

In the drain region 17, an n-type embedded drain 17a whose impurity concentration is lower than the drain region 17 is so formed that the end on the source region 16 side of the drain region 17 extends to the source region 16 side without reaching the surface of semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ドレイン領域１７には、ドレイン領域１７におけるソース領域１６側の端部が半導体基板１１の表面に達することなくソース領域１６側に延びるように、ドレイン領域１７よりも不純物濃度が小さいｎ型の埋込みドレイン部１７ａが形成されている。 - 特許庁

In order to form the impurity diffusion regions, trenches embedded with a conductive film 10 are formed in parts of the base region, and then an impurity having the same conductivity type as that of the base region are ion-implanted into the side walls and bottoms of the trenches in a lower concentration than that of the base region and then are diffused.例文帳に追加

ベース領域の一部に導電膜１０が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。 - 特許庁

The lattice mismatch of +1.0×10^-3 or over and +2.0×10^-3 or below exists between the embedded layer 16 and the p-type clad layer 14, a compressive stress is applied to an active layer 13, and a compressive strain is caused in advance in the active layer 13.例文帳に追加

埋め込み層１６とｐ型クラッド層１４との間には、＋１．０ｘ１０^-3以上、＋２．０ｘ１０^-3以下の範囲の格子不整合が生じており、これにより活性層１３に対して圧縮応力が加わり、活性層１３には予め圧縮歪みが生じている。 - 特許庁

At a source-terminating part, a sectorial region 14 which does not form the extension drain region is formed so as to surround the source region 2, in order to prevent the concentration of an electric field and further a region 15 which does not inject a p-type embedded region is formed so as to be overlapped with the sector form region 14.例文帳に追加

ソース終端部では、電界の集中を防ぐためソース領域２を取り囲むように延長ドレイン領域を形成しない扇形の領域１４が、さらに、扇形の領域１４と重なるようにＰ型埋め込み領域を注入しない領域１５が形成されている。 - 特許庁

In addition, a gate electrode 21 for reading is provided on the surface of the p-type substrate 11 in a manner that at least a part thereof may be close to the periphery of an image formation area 13b is constant wherein a distance from the central part 13a of the embedded photodiode 13.例文帳に追加

また、Ｐ型基板１１の表面上には、少なくとも一部が、埋め込みフォトダイオード１３の中心部１３ａからの距離が一定とされる結像領域１３ｂの外周部に近接するようにして配置された読み出し用ゲート電極２１が設けられている。 - 特許庁

A charge accumulator 22, a CCD embedded channel 23, and a channel stop layer 24 are formed on the front surface of a p-type silicon substrate 21; a transfer electrode 25 that also works as a signal charge reader, and an interlayer insulating film 26 are formed thereon; and a pixel electrode 27 is then formed thereon.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板２１の表面部に、電荷蓄積部２２、ＣＣＤ埋め込みチャネル２３、チャネルストップ層２４が形成され、その上に信号電荷読出し部を兼ねた転送電極２５、層間絶縁膜２６が形成され、その上に画素電極２７が形成されている。 - 特許庁

To provide an embedded type snow melting tank capable of facilitating the construction when a snow melting tank main body is installed, providing excellent stability after the installation, providing excellent reliability because accidents such as a crack and rupture of a pipe such as a drain pipe and disconnection of a power cord can be prevented, and providing excellent snow melting efficiency.例文帳に追加

融雪槽本体の設置時の施工が容易で、設置後の安定性に優れており、排水管等の配管の亀裂や破断、電源コードの断線等の事故を防止できるので信頼性に優れており、融雪効率も優れている埋設型融雪槽を提供する。 - 特許庁

The porous solid-state electrolytic capacitor element, formed by compacting valve-acting metal powder including an anode lead into a thin plate and baking it, is characterized in that a lattice or plate type metal reinforcing body, constituted of a valve-acting metal body is embedded and disposed in the solid-state electrolytic capacitor element.例文帳に追加

陽極リードを備えた弁作用金属粉末を薄板状に成形し、焼結してなる多孔質の固体電解コンデンサ素子において、弁作用金属体で構成された格子状または板状の金属補強体を前記固体電解コンデンサ素子内に埋設・配備したことを特徴とする。 - 特許庁

This ceiling embedded type air conditioner is equipped with a box-shaped air conditioner body 1 storing a heat exchanger 11, an air blower 9, and a drain pan 13 covering the lower surface of the heat exchanger, and a decorative panel 21 mounted on the lower surface of the air conditioner body 1.例文帳に追加

熱交換器１１、送風機９および熱交換器の下面を覆うドレンパン１３を収納した箱形の空気調和機本体１と、この空気調和機本体１の下面に取り付けられた化粧パネル２１とを備えた天井埋込型空気調和装置である。 - 特許庁

The semiconductor device, having the vertical PNP bipolar transistor, formed in a prescribed element area on a semiconductor substrate, is provided with a high-density embedded N+layer 3 formed in the prescribed element region and a P-type collector layer 5, formed on the layer 3 in close contact.例文帳に追加

半導体基板上の所定の素子領域に縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された半導体装置であって、所定の素子領域に形成された高濃度の埋め込みＮ＋層３と、埋め込みＮ＋層３上に密着して形成されたＰ型のコレクタ層５とを備える。 - 特許庁

This rubber crawler 10 is a friction drive type rubber crawler having lugs 3 formed on an outer peripheral side of a long rubber elastic body 1 and guides 2 formed on an inner peripheral side at a fixed interval, and the core body 4 embedded in a longitudinal direction thereof.例文帳に追加

長尺のゴム弾性体の外周側にラグを、内周側に一定間隔をもってガイドを形成し、その長手方向に芯体を埋設した摩擦駆動型ゴムクローラであって、芯体の中央埋設位置よりも左右の埋設位置が内周側に位置したことを特徴とするゴムクローラの構造。 - 特許庁

The structure for mounting the embedded type disk drive is provided with mounting dampers 162 and 161 connected to the edge part of a disk drive 100 so as to project from both surfaces of the disk drive 100, and mounting grooves 171 and 172 formed in the opposing surfaces 181 and 182 of an electronic system at positions corresponding to the mounting dampers 162 and 161.例文帳に追加

ディスクドライブ(100)の両面から突出されるようにディスクドライブ(100)のエッジ部に結合されたマウンティングダンパ(162,161)と、電子システムの対向面(181,182)のマウンティングダンパ(162,161)に対応する位置に形成されたマウンティング溝(171,172)とを備える内蔵型ディスクドライブの取付構造である。 - 特許庁

An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area.例文帳に追加

ｐ型基層１０２と埋め込み絶縁層１０４と活性層１０６が積層されているＳＯＩ基板１００の活性層１０６の一部に素子領域１２２が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁１２４が形成されている。 - 特許庁

A charge-detecting part has an n+ type FD region 1, which is formed continuous to the embedded channel of a horizontal CCD transfer part, and a potential change in the FD region 1 is transmitted to a gate electrode 70 of a drive transistor of a first stage via aluminum wiring 3 and electrode wiring 71.例文帳に追加

電荷検出部は、水平ＣＣＤ転送部の埋め込みチャネルに連続して形成されるｎ＋型ＦＤ領域１を有し、ＦＤ領域１の電位変化は、アルミニウム配線３、電極配線７１を介して初段ドライブトランジスタのゲート電極７０に伝えられる。 - 特許庁

In the stud bolt type terminal 4 including a screw part 61 having lead wire connected thereon, a large diameter flange part 62 and a terminal part 63, and embedded in a molded resin head 5, a horizontal hole 8 through which resin flows at a time of molding is formed on the flange part 62.例文帳に追加

リード線が接続されるネジ部６１、径大の鍔部６２および端子部６３を有し、この鍔部６２および端子部６３がモールド成型された樹脂ヘッド５に埋設されるスタッドボルト式ターミナル４において、鍔部６２にモールド成形時に樹脂が流入する横穴８を形成している。 - 特許庁

In a high-frequency region, a transition frequency far higher than the operating frequency is connected to a follower-type transistor T, in parallel with stray capacitors Cp1 and Cp2 in the board so as to make the inductor L and the embedded layer equal to each other in potential through a dynamic response, and the inductor L is kept functioning as an inductor.例文帳に追加

高周波域においてインダクタと埋込み層の間が動的応答で同電位となるように、基板内で漂遊キヤパシタンスＣＰ１〜２に並列に作動周波数よりはるかに高い遷移周波数をもホロワ型トランジスタＴに接続され、インダクタの機能を維持する。 - 特許庁

This motor-driven injection molder is driven directly by at least one brushless 3-phase DC motor 1, which has a stator 3 with concentrated winding coils, a rotor 2 of an embedded permanent magnet type, and at least 14 poles of the rotor.例文帳に追加

ステータ３のコイルが集中巻きであり、回転子２が埋込永久磁石型であって、回転子の極数が１４以上のブラシレス三相ＤＣモータ１を１以上用いて該ブラシレス三相ＤＣモータにより直接駆動することを特徴とする電動射出成形機を提供する。 - 特許庁

In this creation device, a plurality of recording medium-dedicated slots are provided on side faces of a main body, and a conversion part generating an HTML type file perfect for the home page from a plurality of formats or converting it into a data format capable of being embedded in a HTML is provided inside the main body.例文帳に追加

本発明は、複数の記録媒体専用のスロットを本体の側面に設け、又、本体内部に複数のフォーマットからホームページに最適なＨＴＭＬ形式のファイルを生成したり、ＨＴＭＬに組み込み可能なデータ形式に変換する変換部を設ける。 - 特許庁

On the surface of a mesa region inside a trench 26, where a gate electrode 28 is embedded via a gate insulating film 27 at a lower half part and between adjacent trenches 26; a glass film 29 containing n-type impurities is deposited to the thickness which is 1/2 the opening width of the trench 26.例文帳に追加

下半部にゲート絶縁膜２７を介してゲート電極２８が埋め込まれたトレンチ２６内および隣り合うトレンチ２６間のメサ領域の表面上にｎ型不純物を含有するガラス膜２９を、トレンチ２６の開口幅の１／２以下の厚さに堆積する。 - 特許庁

In the semiconductor nonvolatile memory device, a tunnel insulating film is provided between a tunnel region in a drain region and the side surface of a floating gate electrode formed in a form of being embedded in a fine hole, and a first conductivity type tunnel preventing region which is in an electrically floating state is provided in the vicinity of the surface of the drain region in contact with the fine hole.例文帳に追加

ドレイン領域内のトンネル領域と微細穴に埋め込まれる形で形成されたフローティングゲート電極の側面との間にはトンネル絶縁膜を設け、微細穴に接するドレイン領域の表面付近には、電気的にフローティング状態である第１導電型のトンネル防止領域を設けた。 - 特許庁

In the reflection type winding screen 10, a screen main body 11 as the image reflective part is fixed to the winding base material 13 to be laminated onto the back side of the screen main body 11 via a fixing resin layer 17, and at least a part of the edge surface 11c of the screen main body 11 is embedded in the fixing resin layer 17.例文帳に追加

映像反射部分となるスクリーン本体１１と該スクリーン本体１１の裏側に積層される巻取用基材１３とが固着樹脂層１７を介して固着されており、前記スクリーン本体１１の端面１１ｃの少なくとも一部が固着樹脂層１７に埋め込まれている反射型巻取式スクリーン１０。 - 特許庁

The closing body 40 has a section 41 which is complementarily formed to the seat 37 in a hollow conical shape, and a seal ring 42 which is concentric and rubber elastic type to an axis of the section 41, is provided in the section 41 so as to be embedded in the circumference surface thereof.例文帳に追加

閉鎖体４０が中空円錐状の弁座３７に対して相補的に形成された区分４１を有しており、該区分４１の軸線に対して同心的なゴム弾性的なシールリング４２が、その横断面の大部分で、前記区分４１の周面に埋設されるように該区分４１に配置されている。 - 特許庁

The apparatus for digital watermark comprises a pseudo- random-number sequence generator for always generating the same pseudo- random-number sequence when the same type is imparted, and a quantizing unit for quantizing by adding or subtracting numeric value data for constituting media contents to or by the first value and dividing the result by a second value, and changing the numeric value data by using the digital watermark desired to be embedded.例文帳に追加

同じ種を与えられると常に同じ擬似乱数列を生成する擬似乱数生成部と、メディアコンテンツを構成する数値データと第１の値とで加算又は減算し第２の値で除算し、埋め込みたい電子透かしデータを用いて上記数値データを変化させる事により量子化する量子化部とを備える。 - 特許庁

So, for a motor that uses a rotor comprising a permanent magnet, especially a motor with large inverse saliency such as a brushless DC motor of embedded permanent magnet type, in such high speed operation as sagging control is performed, the voltage phase angle δ is hardly affected by the position angle error of the rotor.例文帳に追加

よって永久磁石を有する回転子を用いたモータにおいて、中でも埋め込み永久磁石型のブラシレスＤＣモータのように逆突極性が大きいモータにおいて、更に垂下制御が行われるような高速運転において、電圧位相角δは回転子の位置角の誤差の影響を受けにくい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device preventing a semiconductor film from being damaged in peeling a substrate for growth by using a laser lift-off method and preventing adhesion of a foreign material to the semiconductor film with ablation of a resin material in a resin-embedded type semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

樹脂埋め込み型の半導体発光装置において、レーザリフトオフ法を用いて成長用基板を剥離する際の半導体膜へのダメージを防止し、更に樹脂材料のアブレーションに伴う半導体膜への異物の付着を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the image sensor comprises a step for forming the first conductive semiconductor substrate, a step for forming the trench, a step for growing the second conductive type first epitaxial layer in the trench to be embedded, and a step for forming the second epitaxial layer on the first epitaxial layer.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第２導電型の第１のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第１のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In the magnetic disk cartridge 10, provided with a flexible magnetic disk 14 and a housing 12 for freely rotatably housing the magnetic disk 14, loadable on a card disk drive to be inserted into an electronic appliance, the surface of the housing 12 is embedded with an identification piece 18 enabling identification of the type of the magnetic disk 14.例文帳に追加

電子機器に挿入されるカード型ディスクドライブに装填可能な、フレキシブルな磁気ディスク１４とこの磁気ディスク１４を回転自在に収容するハウジング１２とを備えた磁気ディスクカートリッジ１０において、ハウジング１２の表面に、磁気ディスク１４の種類の識別を可能にする識別片１８を埋め込む。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

In the chip type laminated balun element, two or more sets of λ/4 coupled strip lines mutually electromagnetically coupled are embedded in a dielectric chip in such a manner as overlapped in a vertical direction to the mounting surface of the chip, and one end of the strip line positioned within the dielectric chip and an external electrode are connected by a lead line.例文帳に追加

相互に電磁結合しているλ／４結合ストリップラインの組が２組以上、誘電体チップ中で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設され、誘電体チップ内に位置するストリップライン端と外部電極との間が引出しラインで繋がれているチップ型積層バラン素子である。 - 特許庁

The second isolation region 132 includes a trench 132a and a caulk 132b embedded in the trench 132a, and the structure caulk 132b is formed with an insulating film, thereby reducing an occupied area of the isolation region (second isolation region 132) on a surface of the n-type semiconductor layer where an element region is formed.例文帳に追加

第２分離領域１３２は、トレンチ１３２ａとトレンチ１３２ａに埋め込まれた充填材１３２ｂを有し、構造充填材１３２ｂを絶縁膜とすることで、素子領域が形成されるｎ−型半導体層表面の分離領域（第２分離領域１３２）の占有面積を縮小できる。 - 特許庁

The chip-type electrical device is provided with a body where a plurality of dielectric layers are laminated, a contact hole formed through at least one of the plurality of dielectric layers, a pair of connection electrodes embedded in the contact hole, and a pair of external electrodes, connected to the pair of connection electrodes and formed on the back surface of the body.例文帳に追加

チップ型電気素子は複数の誘電体層が積層された本体と、複数の誘電体層のうち少なくともいずれか一層を貫通するコンタクトホールと、コンタクトホール内に埋め込まれる連結電極対と、連結電極対と接続されるとともに本体の背面上に形成される外部電極対とを具備する。 - 特許庁