「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory transistor has a semiconductor substrate (for example, well W), first and second source-drain regions SSL, SBL, a bottom insulating film BTM, a charge accumulating film CHS, a top insulating film TOP, and a gate electrode (for example, word line WL).例文帳に追加

メモリトランジスタが、半導体基板（たとえばウェルＷ）と、第１および第２のソース・ドレイン領域ＳＳＬ,ＳＢＬと、ボトム絶縁膜ＢＴＭ、電荷蓄積膜ＣＨＳおよびトップ絶縁膜ＴＯＰと、ゲート電極（たとえばワード線ＷＬ）とを有する。 - 特許庁

File names of the files which are stored in external memory devises 30 loaded on first and second connection terminal 14, 15 are displayed on a display part 13 and the direct printing of the file indicated from the displayed file name by the user is started.例文帳に追加

第１、２接続端子１４、１５に装着された外部記憶装置３０に記憶されているファイルのファイル名を表示部１３に表示させ、表示されたファイル名の中からユーザにより指示されたファイルのダイレクト印刷が開始される。 - 特許庁

To provide a game machine reducing a control load of a first control device (a main control board) mainly controlling a progress of a game including a lottery and expanding variations of performance effects requiring a large memory capacity such as a forenotice and a continuous notice of lottery results.例文帳に追加

主として抽選を含む遊技の進行を司る第１の制御機器（メイン制御基板）の制御負担を軽減し、かつ、抽選結果の事前予告や連続予告等、メモリ容量を多く必要な演出効果のバリエーションを拡大する。 - 特許庁

A cantilever support part of the first contact 90 includes a pressing part 92 capable of pressing by a side part of the memory card 150, and a tongue part 94 formed at a lower part of the cantilever support part and extending to an up-and-down direction entering into a concave part 66 of the housing 50.例文帳に追加

第１コンタクト９０の片持支持部には、メモリカード１５０の側部によって押圧可能な押圧部９２と、片持支持部の下方に形成されて、ハウジング５０の凹部６６に入り込む上下方向に延びた舌部９４とを有して構成される。 - 特許庁

To provide a generator device which can reduce a control load on a first control device (main control board) to mainly manage the progress of a game including a lottery and expand variation of performance effect requiring much memory capacity such as previous notice, continuous notice, etc. of lottery results.例文帳に追加

主として抽選を含む遊技の進行を司る第１の制御機器（メイン制御基板）の制御負担を軽減し、かつ、抽選結果の事前予告や連続予告等、メモリ容量を多く必要な演出効果のバリエーションを拡大する。 - 特許庁

A plurality of memory cells are two-dimensionally disposed in two different directions together with connection regions 411, conductive bit lines 4010 extending in a first direction, conductive word lines 6030 extending in a second direction, and conductive control lines 6010 and 6020.例文帳に追加

複数のメモリセルは、接続領域４１１、第１の方向に延びる導電ビット線４０１０、第２の方向に延びる導電ワード線６０３０、および導電制御線６０１０，６０２０と共に２つの方向に２次元で配置されている。 - 特許庁

If the memory recall key 102g is pressed after a predetermined time is elapsed from the point of time when the image desired to be again outputted is outputted at first, the image is re-outputted on condition that a recitation number is inputted.例文帳に追加

一方、メモリリコールキー１０２ｇが、再度出力させたい画像データが最初に出力されてから所定時間が経過した後に押圧されれば、暗証番号が入力されたことを条件として、当該画像データは再出力される。 - 特許庁

A processor predicts predicted slack which is a predicted value of local slack of an instruction to be stored at a memory address of a main storage device and executed by the processor by using a first predicting method, and executes the instruction using the predicted slack.例文帳に追加

プロセッサ装置は、主記憶装置のメモリ・アドレスに記憶されかつプロセッサ装置で実行される命令のローカル・スラックの予測値である予測スラックを第１の予測方法を用いて予測し、上記命令をその予測スラックを利用して実行する。 - 特許庁

This semiconductor memory card 100 has: a first operation mode to transfer data in a four-bit unit by use of DAT0 to DAT3 terminals; and a second operation mode to transfer the data in one-bit unit by use of the DAT0 terminal.例文帳に追加

半導体メモリカード１００は、ＤＡＴ０乃至ＤＡＴ３端子を使用して４ビット幅単位でデータ転送を行う第１の動作モードと、ＤＡＴ０端子を使用して１ビット幅単位でデータ転送を行う第２の動作モードを備える。 - 特許庁

Specifically, before an oxidation process for allowing the bird's beak to enter, the memory cell is covered with an oxidation-resistant film 308 or an oxide-nitride film, or an STI trench of the peripheral circuit is formed first, then the bird's beak of the end of the element region of the peripheral circuit is formed large.例文帳に追加

具体的には、バーズビークを入れる酸化工程の前に、メモリセル部を耐酸化性膜（３０８）あるいは酸窒化膜で覆うか、周辺回路部のＳＴＩ溝を先に形成し、周辺回路素子領域端部のバーズビークを大きく形成しておく。 - 特許庁

A first disk ID reproduced from a PMA (program memory area) area and a second disk ID recorded in a PA (program area) area and obtained by reproducing the PA area and read, the disk is determined to be an authentic one when both IDs are identical, and the disk is determined to be a copied one if not.例文帳に追加

ＰＭＡエリアから再生した第１のディスクＩＤと、ＰＡエリアを再生してここに記録された第２のディスクＩＤを読み出し、両者が一致しているときは真正ディスクと判断し、そうでないときはコピーディスクと判断する。 - 特許庁

A ferroelectric memory element is formed by removing the etching resistant mask TiN film 42a in a third dry etching process after a second dry etching process for removing deposit sticking on the etching resistant mask TiN film 42a by the first dry etching.例文帳に追加

第１のドライエッチングにより耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａ上に付着した析出物を除去する第２のドライエッチング工程を経て、第３のドライエッチング工程で耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを除去して、強誘電体メモリ素子を形成する。 - 特許庁

The microcomputer 10 is configured not to execute an instruction stored in an ROM 12 but to execute the code for the debug stored in a memory 24 when a microprocessor 14 performs access to the ROM 12 by performing access to an address stored in a first register 16.例文帳に追加

本発明のマイクロコンピュータ１０は、マイクロプロセッサー１４が、ROM１２にアクセスした際、第１レジスタ１６に記憶されたアドレスにアクセスをすると、ROM１２に記憶された命令を実行せずに、メモリ２４に記憶されたデバッグ用コードを実行するように構成する。 - 特許庁

The computer system includes a CPU core, a DSP core, a data cache, a first and a second sequential buffer modules, and an external memory, and sequentially accesses input or output data transmitted in or from the DSP core using a sequential buffer instead of the data cache.例文帳に追加

ＣＰＵコア、ＤＳＰコア、データキャッシュ、第１及び第２シーケンシャルバッファモジュール、及び外装メモリを含み、ＤＳＰコアに／から伝達される入力または出力データをデータキャッシュを使用せず、シーケンシャルバッファを使用してシーケンシャルにアクセスする。 - 特許庁

The controller fetches data of a predetermined address output from the nonvolatile memory designating the normal output mode for each cycle of the read control signal in response to a first change in synchronization with a second change of the read control signal at the same cycle.例文帳に追加

コントローラはノーマル出力モードを指定した不揮発性メモリがリード制御信号の周期毎にその第１の変化に応答して出力する所定のアドレスのデータを同一周期におけるリード制御信号の第２の変化に同期して取り込む。 - 特許庁

An inner force sense-imparting table 80 for a keyboard, stored in a flash memory 52 of this electronic keyboard instrument 1, includes first escapement driving control information for reproducing an operation sense of an escapement domain in the keyboard of a natural keyboard instrument.例文帳に追加

電子鍵盤楽器１のフラッシュメモリ５２に記憶されている鍵盤用力覚付与テーブル８０は、自然鍵盤楽器の鍵盤におけるエスケープメント領域の操作感覚を再現するための第１のエスケープメント駆動制御情報を含む。 - 特許庁

When the user data related to the first write command received through the external interface unit 10 is recorded onto the flash memory 18, the block managing unit 12 updates the management information so as to indicate that the parity data corresponding to the user data is invalid.例文帳に追加

ブロック管理部１２は、外部インターフェイス部１０を介して受信した第１のライトコマンドに関連するユーザデータがフラッシュメモリ１８に記録される際に、当該ユーザデータに対応するパリティデータが無効であることを示すように管理情報を更新する。 - 特許庁

A printer 20 selects a drive signal that effectively excites residual vibration of a piezoelectric element in simultaneously-outputted first/second drive signals DS1, DS2 on the basis of frequency information 135 stored in a memory 130.例文帳に追加

プリンタ２０は、メモリ１３０に記憶されている周波数情報１３５に基づき、同時に出力された第１の駆動信号ＤＳ１および第２の駆動信号ＤＳ２のうち、圧電素子の残留振動を有効に励起する駆動信号を選択する。 - 特許庁

The image recognition module or the central processing unit performs image processing using the image data in the first area or the image data processed as necessary in a second area, and stores a result of the processing in a third area of the external memory.例文帳に追加

画像認識モジュール又は中央処理装置は第1領域の画像データ又はそれに対して必要なデータ加工が行われた第２領域の画像データを用いて画像処理を実行し、その処理結果を外部メモリの第３領域に格納する。 - 特許庁

The data writing circuit is provided with a buffer circuit including serially connected first and second output transistors and for outputting a write signal to write data in a memory cell, and a control circuit for controlling the buffer circuit.例文帳に追加

データ書き込み回路には、直列接続された第１出力トランジスタと第２出力トランジスタとを有し、メモリセルにデータを書き込むための書き込み信号を出力するバッファ回路と、このバッファ回路を制御する制御回路とが設けられている。 - 特許庁

The zoom control means performs the memory zoom operation from the first zoom state of the one zoom region of the optical zoom region and the electronic zoom region to the second zoom state stored in the storage means in the other zoom region.例文帳に追加

該ズーム制御手段は、光学ズーム領域および電子ズーム領域のうち一方のズーム領域にある第１のズーム状態から、他方のズーム領域にあって上記記憶手段に記憶された第２のズーム状態へのメモリズーム動作を行わせる。 - 特許庁

In a first test operation mode, a row control circuit 121 and a column control circuit 131 in synchronization with an external clock after fetching the column address output a WORD control signal and a YSW control signal and perform memory cell selection operation.例文帳に追加

第１のテスト動作モードにおいては、ロウコントロール回路１２１及びカラムコントロール回路１３１は、カラムアドレスを取り込んだ後の外部クロックに同期して、ＷＯＲＤ制御信号、ＹＳＷ制御信号を出力し、メモリセル選択動作を行う。 - 特許庁

Thus, since the data of the error correction block are first buffered for the unit of two rows and interleaved while putting four bytes together in place of interleaving for the unit of one byte, and interleaving speed can be accelerated and a memory required for interleaving can be economized.例文帳に追加

本発明によれば、エラー訂正ブロックのデータをまず二行ずつバッファリングし１バイト単位のインターリービングの代りに、４バイトを合わせてインターリービングすることによりインターリービング速度をアップさせ、インターリービングに必要なメモリを節約できる。 - 特許庁

In the ferroelectric random access memory device, a pulse generator circuit generates a pulse signal in response to the transition of an address and a chip enable buffer circuit activates a chip enable flag in response to a first transition of the pulse signal.例文帳に追加

本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置によると、パルス発生回路はアドレスの遷移に応答してパルス信号を発生し、チップイネーブルバッファ回路は前記パルス信号の第１遷移に応答してチップイネーブルフラグ信号を活性化させる。 - 特許庁

A data bus switching circuit 21 connects each signal line of the first data bus DQn corresponding to the memory segment 11 with each signal line of the second data bus DQAn electrically in preset predetermined relationship by blowing out fuse elements.例文帳に追加

データバス切替回路２１は当該メモリセグメント１１に対応する第１のデータバスＤＱｎの各信号線と第２のデータバスＤＱＡｎの各信号線とを、ヒューズ素子の切断によって予め設定された所定の関係に、電気的に接続する。 - 特許庁

A system controller 11 outputs a reset signal to the XDR DRAM 13 according to the RST signal to be input from a memory controller 12 via a levels shifter 24 to reset the XDR DRAM 13 in first power application of a system.例文帳に追加

システムコントローラ１１は、システムの初回の電源投入の際に、メモリコントローラ１２からレベルシフタ２４を介して入力されるＲＳＴ信号に応じて、ＸＤＲ ＤＲＡＭ１３に対してリセット信号を出力し、ＸＤＲ ＤＲＡＭ１３をリセットする。 - 特許庁

A first arithmetic section 16 reads out a waveform from the waveform data recorded in the memory 18 and can make high-S/N measurement (large in pulse width) and high- resolution measurement for specifying the portions corresponding to individual pulses having different widths.例文帳に追加

第１演算部１６は、波形メモリ１８に記録された波形データから波形を読み出し、幅の異なる個々のパルスに対応した部分を特定するため、Ｓ／Ｎ比が良い（パルス幅が大）計測と、分解能が良い計測（パルス幅が小）が可能である。 - 特許庁

The CPU performs control to change the valid range of the first chip selection signal to the chip selection switching circuit and performs control, to invalidate to the second chip selection signal in the case of the memory structure with one 8Mbit.例文帳に追加

ＣＰＵは、上記の結果より得た情報を基に、８Ｍｂｉｔ１個のメモリ構成の場合は、チップセレクト切り替え回路に第１のチップセレクト信号の有効な範囲を変更する制御を行い、第２のチップセレクト信号には無効となる制御を行う。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a capacitor 20, that is formed on a semiconductor substrate 11 and is provided with a capacity insulation film 18 made of ferroelectric or high dielectric, and a first hydrogen barrier film 15 formed under the capacitor 20.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１１の上に形成された強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜１８を有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０の下側に形成された第１の水素バリア膜１５とを有している。 - 特許庁

A first memory for storing a plurality of sets of driving waveform data groups for generating the driving waveform and a plurality of second memories wherein the driving waveform data groups selected out of the driving waveform data groups in a plurality of sets are written respectively, are prepared.例文帳に追加

駆動波形を生成するための複数組の駆動波形データ群を記憶しておくための第１のメモリと、複数組の駆動波形データ群の中から選択された駆動波形データ群がそれぞれ書き込まれる複数の第２のメモリを準備する。 - 特許庁

The second memory cell string includes a plurality of second word lines that cross the active region between a second ground selection line and a second string selection line and the same first arrangement interval is provided between adjoining lines in the plurality of the second word lines.例文帳に追加

第２メモリーセルストリングは、第２接地選択ライン及び第２ストリング選択ラインの間の活性領域を横切る複数の第２ワードラインを含み、同じ第１配置間隔が複数の第２ワードラインの中の隣り合うラインの間に提供される。 - 特許庁

A compound machine creates first to third data tables containing adjustment values for adjusting the deviation from a reference position to an image write position of an image data for every copy process, scanning process and print process and stores the tables into a registration adjustment memory.例文帳に追加

複合機は、コピー処理、スキャナ処理、プリント処理毎に基準位置から画データの書き込み位置までのずれ又は読み込み位置までのずれを調整する調整値を含む第１〜第３データテーブルを作成し、レジ調整用メモリに記憶した。 - 特許庁

The controller reads the correction data corresponding to rotation information the first acquisition unit acquires from the memory, and corrects at least one of drive control of a print head and drive control of the roller.例文帳に追加

シートの第１面と第２面に複数の画像を順次プリントする際に、第１取得部で取得した回転情報に対応した補正データをメモリから読み出して、プリントヘッドの駆動制御とローラの駆動制御の少なくとも一方を補正する。 - 特許庁

On the basis of the weight of the first evaluation value of a motion vector preserved in a vector memory 3 and a second evaluation value relating to a pixel of interest determined by using a shift initial vector, a covered area is decided and also one evaluation value is selected.例文帳に追加

ベクトルメモリ３に保存された動きベクトルの第１評価値と、シフト初期ベクトルを用いて求めた注目画素に係る第２評価値との大小に基づいてカバード領域の判定を行うと共に一方の評価値を選択する。 - 特許庁

When the first front pointer fp1 reaches a forward driving region Fta2, data are transferred from a recording media in the lower stage to a second stage memory M2 so that the recorded contents can be updated, and the position of a second front pointer fp2 is moved forward and updated.例文帳に追加

一方、第１フロントポインタｆｐ１が順方向駆動領域Ｆｔａ２へ達すると、下段の記録メディアからデータを第２段メモリＭ２へ転写して記録内容を更新し、第２フロントポインタｆｐ２の位置を前方に移動更新する。 - 特許庁

When NewCartridgeBit indicating a new cartridge and FirstInstallDate indicating first time use date and time of the cartridge relating to the NewCartridgeBit are recorded to the nonvolatile memory in the cartridge, if updating instructions to NewCartridgeBit are received, NewCratridgeBit is updated, and if FirstInstallDate is initial value, it is also updated.例文帳に追加

カートリッジ内の不揮発性メモリに、新品カートリッジを示すNewCartridgeBitと、これに関連するカートリッジ初回使用日時を示すFirstInstallDateが記録されている際に、NewCartridgeBitに対する更新指示があればこれを更新した後、FirstInstallDateが初期値ならこれも更新する。 - 特許庁

The memory of the clearing card is read out and rewritten by the first card reading/rewriting machine 9 provided in the premium ball clearing machine 3, a second card reading/rewriting machine 13 provided in the ball lender 4 and a third card reading/updating machine provided in the premium exchanger.例文帳に追加

精算カードの記憶の読み出し及び書き換えは、景品球精算機３に設けた第１カード読取書換機機９、球貸機４に設けた第２カード読取書換機１３、景品交換機に設けた第３カード読取更新機により行われる。 - 特許庁

When it is detected that a browsing terminal 1 is connected to a cradle 101, display information 601 stored in a memory card 6 is transferred to a first storage part 41 or a second storage part 42 based on the current location of a user.例文帳に追加

閲覧端末装置１がクレードル１０１に接続されたことが検出されたときに、メモリーカード６に記憶される表示情報６０１を、ユーザの現在位置に基づいて第１記憶部４１又は第２記憶部４２に転送を行う。 - 特許庁

The control means 4 is provided with a measuring means 41 provided with the first timer 41A and the second timer 41B, an input control means 42, a measurement control means 43, a display control means 44, an announcement control means 45, and a memory 46.例文帳に追加

制御手段４は、第一タイマ４１Ａおよび第二タイマ４１Ｂを備える計測手段４１と、入力制御手段４２と、計測制御手段４３と、表示制御手段４４と、告知制御手段４５と、メモリ４６とを備える。 - 特許庁

In this semiconductor memory, gate electrode layers 21a and 21b of the first conductive layers, drain/drain connection layers 31a and 31b of the second conductive layers, and drain/gate connection layers 41a and 41b of the third conductive layers are constituted as conductive layers for a flip flop.例文帳に追加

第１層導電層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層導電層であるドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと、第３層導電層であるドレイン−ゲート接続層４１ａ、４１ｂと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

The first space portion (210) is filled with a functional material (310) such as bead foam, ceramic, jade, ball, grain, buckwheat as the stuffing of a pillow and the second space portion (220) is filled with a cushion member (320) such as cotton, latex foam or memory foam as the stuffing of a pillow.例文帳に追加

前記第１空間部(210)には、詰め物としてビードフォーム、セラミックス、麦飯石、玉、穀物、蕎麦殻等の機能性材料(310)が充填され、前記第２空間部(220)には、詰め物として綿、ラテックスフォーム、メモリフォーム等のクッション部材(320)が充填される。 - 特許庁

A flash memory 300 is a data readable/writable nonvolatile storage area and it stores a frame image 310 as image data read by an image sensor 70, a first exposure set value 320, a second exposure set value 330, and an optimal exposure value 350.例文帳に追加

フラッシュメモリ３００は、データの読み書きが可能な不揮発性の記憶領域であり、イメージセンサ７０に読み取られた画像データであるフレーム画像３１０、第１露光設定値３２０、第２露光設定値３３０及び最適露光値３５０を記憶する。 - 特許庁

The element drive unit 10 drives a light-emitting display element for displaying image and has a first nonvolatile memory 13 which stores a luminance correction data to be used for correcting fluctuation of luminance in each pixel, in a display pixel group 11.例文帳に追加

素子駆動ユニット１０は、発光表示素子を駆動して画像を表示するためのものであり、表示素子群１１の画素毎の輝度のばらつきの補正に用いられる輝度補正値データを記憶する第一不揮発性メモリ１３を備える。 - 特許庁

To provide an image processor that detects a background gray level of an original from a first scanning so as to eliminate a background of an original even in character processing of an image developed in one Bk color without the need for preliminary scanning and addition of hardware such as a memory.例文帳に追加

プレスキャンすることなく、メモリ等のハードウェアを追加することなく、ファーストスキャンから原稿の地肌濃度を検出し、Ｂｋ一色で現像する文字処理においても原稿の地肌除去を行うことが可能な画像処理装置を提供する。 - 特許庁

The control part 7 suspends the erase operation in response to a first command during the erase operation for the memory cell MC; holds erase conditions before the suspension; and resumes the erase operation on the basis of the held erase conditions in response to a second command.例文帳に追加

制御部７は、メモリセルＭＣの消去動作中に、第１のコマンドに応じて消去動作を中断させ、前記中断前の消去条件を保持し、第２のコマンドに応じて保持された消去条件に基づき消去動作を再開させる。 - 特許庁