「flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an emergency earthquake flash report system for correcting earthquake information, based on earthquake observation information received from a large number of reception terminal devices, without generating congestion of communication networks, by limiting the number of reception terminal devices transmitting the earthquake information in response to a generation scale, a lapse time or the like of an earthquake.例文帳に追加

地震の発生規模、経過時間などに応じて地震観測情報を送信する受信端末装置数を制限し、通信ネットワークの輻輳を生じることなく、多数の受信端末装置から受信する地震観測情報により地震情報を補正する緊急地震速報システムを提供する。 - 特許庁

A re-programmable non-volatile memory system, such as a flash EEPROM (R) system, having its memory cells grouped into blocks of cells that are simultaneously erasable is operated to perform memory system housekeeping operations in the foreground during execution of a host command, wherein the housekeeping operations are unrelated to execution of the host command.例文帳に追加

メモリセルが同時に消去可能なセルのブロックをなすようにグループ分けされているフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）システムのような再プログラム可能な不揮発性メモリシステムはホストコマンドの実行中にメモリシステムのハウスキーピング操作をフォアグラウンドで行うように操作され、そのハウスキーピング操作はホストコマンドの実行とは関連しない。 - 特許庁

This data rewriting device rewrites data stored in a flash ROM 2 as a nonvolatile memory the rewriting of which is restricted which is provided to a portable information terminal main body 20 by using a program to execute update to be supplied from a plate like memory 7 as an attachable/detachable recording medium and the data to be used for update.例文帳に追加

携帯情報端末装置本体２０に備えられた書き換えの制限された不揮発性メモリであるフラッシュＲＯＭ２に記憶されたデータを、着脱可能な記録媒体である板状メモリ７から供給される更新を実行するプログラムと更新に使用されるデータとを利用して行うものである。 - 特許庁

Luminance information included in imaging data of the front-side camera and luminance information included in imaging data of the rear-side camera are used to calculate the luminance difference between the both, and light emission means such as the back light for display part lighting, light form camera photography, and electronic flash light for camera photography are controlled on the basis of the luminance difference.例文帳に追加

正面側カメラの撮像データに含まれる輝度情報と背面側カメラの撮像データに含まれる輝度情報とから両者間の輝度差を算出し、その輝度差に基づいて表示部照明用のバックライトやカメラ撮影用のライトやカメラ撮影用のフラッシュ等の発光手段を制御する。 - 特許庁

A CPU 1 reads out word data of a same offset address of entire regions R0 to RN by one word from a flash ROM 6, if the word data is same, reads the word data by next one word and, if the word data are different even one, reconstructs the word data by merging the word data in the entire regions R0 to RN.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、全ての領域Ｒ０〜ＲＮの同一オフセットアドレスのワードデータを１ワード分だけフラッシュＲＯＭ６から読み出し、ワードデータが同じならば次の１ワード分のワードデータを読み出し、ワードデータが１個でも異なるならば、全ての領域Ｒ０〜ＲＮのワードデータをマージすることでワードデータを再構築する。 - 特許庁

Upon transmitting the image file in the DPOF format and a print condition file from the facsimile machine 10 to a facsimile machine 13, the facsimile machine 13 temporarily preserves the received image file and print condition file in a compact flash memory 14, or transmits them to a printer 16 in a DPE store or the like.例文帳に追加

ファクシミリ装置１０からファクシミリ装置１３にＤＰＯＦ形式の画像ファイルおよび印刷条件ファイルを送信すると、ファクシミリ装置１３は、受信した画像ファイルおよび印刷条件ファイルを一旦コンパクトフラッシュメモリ１４に保存するか、あるいは、ＤＰＥ店等のプリンター１６に送信する。 - 特許庁

The E beam system stores the calibration data by using a flash EPROM and generates one set of super-parallel beams with a scale of 1,000 beams by receiving on/off signals directed by an address system of a memory array with each electron source mounted on the memory array as a geometrical array to trace a memory array structure.例文帳に追加

Ｅビーム・システムは、フラッシュＥＰＲＯＭを使用して較正データを記憶し、メモリ・アレイのアドレス・システムによって向けられたオン／オフ信号を受信することにより１０００本の規模の１組の超並列ビームを発生し、個々の電子源はメモリ・アレイの構造を追跡する幾何学的アレイとしてメモリ・アレイの上に取り付けられる。 - 特許庁

The flash memory control part 11 accesses a deletion area pointer storage area 13b, and sets an area in which data to be deleted by the data deletion request is stored, that is, an area of 32 pages from the O page to the 31 page of the physical block associated by the physical block address 3 as a virtual deleted area.例文帳に追加

フラッシュメモリ制御部１１は、消去領域ポインタ記憶領域１３ｂにアクセスして、データ消去要求による消去対象のデータが記憶される領域、つまり、物理ブロックアドレス“３”が対応付けられた物理ブロックの０ページ目から３１ページ目までの３２ページ分の領域を仮想消去領域として設定する。 - 特許庁

The n EEPROM cells for memory are used for writing a data wherein the data is written into one EEPROM cell for memory every time when the data of the flash type EEPROM is rewritten and the data is written into X cells within a plurality of EEPROM cells for memory when rewriting is performed X (X=1-n) times.例文帳に追加

ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルは、データの書込み用で、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換えが１回実施される毎にひとつの記憶用ＥＥＰＰＲＯＭセルにデータが書き込まれ、書き換えをＸ（Ｘ＝１〜ｎ）回実施時に複数の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルの内のＸ個のセルが書き込まれる。 - 特許庁

The video camera 1 is provided with a camera body 2; the front cabinet 3 provided on a front side of the camera body 2; a viewfinder 4 provided in an upper face 2a of the camera body 2; a grip belt 5 provided to a first side face 2b of the camera body 2; and the flash mechanism 8 provided in the camera body 2.例文帳に追加

ビデオカメラ１は、カメラ本体部２と、カメラ本体部２の前面側に設けられたフロントキャビネット３と、カメラ本体部２の上面２ａ側に設けられたビューファインダー４と、カメラ本体部２の第１の側面２ｂに設けられたグリップベルト５と、カメラ本体部２に設けられたフラッシュ機構８を備えている。 - 特許庁

To contribute to the enhancement of the connection reliability of an external connection terminal by preventing the leaching of a resin solvent component and the diffusion of flash without raising the clamp pressure of a mold and lowering the injection pressure of a resin into the cavity at the time of sealing of the semiconductor element mounted on a wiring board with the resin.例文帳に追加

配線基板に搭載された半導体素子を樹脂で封止する際に、金型クランプ圧力を上げることなく、またキャビティ内への樹脂の注入圧力を下げることなく、樹脂溶剤成分の染み出しフラッシュの拡散を防止し、外部接続端子の接続信頼性の向上に寄与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The SD memory card interface controller 3 is an LSI made into one chip for performing operation control inside the SD memory card, a CPU 6 is provided inside this controller, only the CPU 1 can access an RTC 10 and accessed and read data are stored in the secret RAM area of the FLASH ROM.例文帳に追加

ＳＤメモリカードインタフェースコントローラ３はＳＤメモリカード内部の動作制御を行う１チップ化されたＬＳＩであり、このコントローラ内部には、ＣＰＵ６が設けられ、ＣＰＵ１のみが、ＲＴＣ１０へアクセスすることができ、アクセスして読み出されたデータは、ＦＬＡＳＨ ＲＯＭの秘匿ＲＡＭ領域に格納される。 - 特許庁

In the tervalent chromate treatment method to be applied to the surface of the zinc coated or galvanized steel, the surface is previouosly subjected flash treatment by an alkali metal etc., then to first heat treatment and thereafter the surface is subjected to immersion into a tervalent chromate treating agent to form the chromate film, thence the surface is subjected rapid cooling after second heat treatment.例文帳に追加

亜鉛又は亜鉛系めっき鋼材の表面に施される３価クロメート処理方法であって、前記表面にアルカリ金属等によるフラッシュ処理を予め行った後、第１熱処理を行い、その後これに３価クロメート処理剤の浸漬をしてクロメート皮膜を形成させ、次いで第２熱処理をした後に急冷を行う。 - 特許庁

To provide a capacitive element, having little variation in capacitive value, capable of preventing short circuit between the capacitive element and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and occurrence of metal flash at an end of the second electrode section, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加

容量素子の隣接する他の部品との短絡および第一の電極と第二の電極との短絡を防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすることにある。 - 特許庁

This dust-collecting liquid for a wet electrical dust collector comprises a lube base oil containing 1-20 wt.% calcium salicylate and not containing a zinc-based additive and has a kinematic viscosity (40°C) of 90-120 mm2/s and a flash point of 230°C or higher.例文帳に追加

カルシウムサリシレート１〜２０重量％を含有し、亜鉛系添加剤を含有しない潤滑油基油よりなる湿式電気集じん機用ダスト捕集液であって、該捕集液の動粘度が９０〜１２０ｍｍ^２／ｓ（４０℃）であり、引火点が２３０℃以上であることを特徴とする湿式電気集じん機用ダスト捕集液。 - 特許庁

An evaluation element 100, which evaluates the contact resistance dispersion within a flash memory 300's cell formed on a silicon wafer W, has a hole chain 20 containing a plurality of units, having a structure similar to a contact region in the cell to evaluate a resistance value between a first and second electrode pads 2a and 2b.例文帳に追加

シリコンウエーハＷ上に形成されるフラッシュメモリ３００のセル内におけるコンタクト抵抗のばらつきを評価するための評価素子１００であって、セル内のコンタクト部位と同じような構造を持ったユニットを複数個含むホールチェーン２０を備え、第１、第２の電極パッド２ａ，２ｂ間の抵抗値を測定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS type semiconductor integrated circuit device which integrates a MISFET element, a flash memory element, a capacitance element such as a polysilicon capacitor which use silicon nitride films formed in a hot wall type batch vacuum CVD furnace which prevents the generation of a foreign substance caused by the deformation and minute movement of a wafer.例文帳に追加

ウエハが変形し微妙な移動によって異物が発生を防止したホット・ウォール型のバッチ式減圧ＣＶＤ炉で成膜される窒化シリコン膜を使用したＭＩＳＦＥＴ素子、フラッシュ・メモリ素子、およびポリシリコン・キャパシタ等の容量素子等を集積したＭＯＳ型半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tear solution and a tear spray for crime prevention, which reduce risk of fire by raising flash point of an ethanol solution, and would not cause severe coughing due to aspiration of strong irritant gas to people near an attacker unlike a tearing agent mainly composed of extract of chili peppers.例文帳に追加

エタノール溶液の引火点を上げて火災危険性を低くし得るとともに、唐辛子の抽出液を主成分とする催涙剤のように強刺激性ガスの吸込みによる激しい咳き込みを暴漢以外の近くの人にまで与えることのない催涙水溶液及び防犯用催涙スプレーを提供する。 - 特許庁

To provide a polyamide resin composition by compounding a polyamide resin with a modified vinyl copolymer having at least one kind of functional group(s) selected from the group consisting of a carboxyl group, an epoxy group, an amino group and an amide group, and/or an acid-modified polyphenylene ether resin thereby a polyamide resin composition generating extremely little flash.例文帳に追加

ポリアミド樹脂に、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基およびアミド基よりなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の官能基を有する変性ビニル系共重合樹脂、および／または酸変性したポリフェニレンエーテル樹脂を配合することにより、極めてバリの発生が少ないポリアミド樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Only when error detection signals EDS are at an H level at a certain point of time within a read cycle or the error detection signals EDS are changed to an L level in a present read cycle though they were at the H level in the prior read cycle, a microcomputer 100A with a built-in flash memory inserts 1 weight WT to sense amplifier activation signals SAA.例文帳に追加

フラッシュメモリ内蔵マイコン１００Ａは、リードサイクル内のある時点で誤り検出信号ＥＤＳがＨレベルであるか、または前リードサイクルの誤り検出信号ＥＤＳがＨレベルだったのが現リードサイクルではＬレベルに変化した時のみ、センスアンプ活性化信号ＳＡＡに１ウェイトＷＴを挿入する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a package for housing an optical semiconductor element which can well maintain the position accuracy of a translucent member with respect to the optical semiconductor element and can prevent the flash of a resin produced during molding of a substrate from adhering to the translucent member and can prevent damage, such as cracking, from arising in the translucent member.例文帳に追加

光半導体素子に対する透光性部材の位置精度を良好に維持でき、また透光性部材に基体成型時の樹脂のバリが付着するのを防止するとともに透光性部材にクラック等の損傷が発生しないようにすることができる光半導体素子収納用パッケージを提供すること。 - 特許庁

This manufacturing system includes a soldering robot 1 to solder electronic components to a printed circuit board, a circuit check unit to inspect the electrical characteristics of the printed circuit board, a ROM writer 3 to write the predetermined data on the flash ROM on the printed circuit board, and a function test unit 4 to perform a final function test.例文帳に追加

本生産システムは、はんだ付けロボット１によりプリント基板上に電子部品をはんだ付けし、サーキットチェック装置によりプリント基板の電気特性を検査した後、ＲＯＭライタ３によりプリント基板上のフラッシュＲＯＭに所定のデータを書き込み、ファンクションテスト装置４により最終的な機能検査を行う。 - 特許庁

The authentication section 100 of a camera attached mobile phone 200 includes: an original image recording apparatus 101; a face image data processing section 102 at authentication; an image collation unit 105; a collation discrimination result storage device 106; a collation discrimination result attaching / transmitting unit 107; a camera 108; and an imaging flash unit 109.例文帳に追加

カメラ付携帯電話機２００の認証部１００は、原本画像記録装置１０１、認証時の顔画像データ処理部１０２、画像照合装置１０５、照合判定結果保存装置１０６、照合判定結果添付・送出装置１０７、カメラ１０８及び撮像フラッシュ装置１０９とを備える。 - 特許庁

In the case where a registration time of an entry corresponding to the selected output port is after an FDB flash request time of an FDB flush management table 490, the FDB control unit 460 sets a field indicating presence/absence of corresponding entry reference in an FDB entry management table 480 and a switch unit 420 performs unicast transmission.例文帳に追加

ＦＤＢ制御部４６０は、選択した出力ポートに対応するエントリの登録時刻が、ＦＤＢフラッシュ管理テーブル４９０のＦＤＢフラッシュ要求時刻以降である場合、ＦＤＢエントリ管理テーブル４８０対応するエントリの参照の有無を示すフィールドをセットし、スイッチ部４２０は、ユニキャスト送信を行う。 - 特許庁

Then, when a judgment logic circuit 13 judges that the result of the judgment by the VPP voltage judging circuit 11 and that by the connection judging circuit 12 are in agreement, the judgment logic circuit performs connection of a corresponding signal line by a switching circuit 14 for permitting to apply the VPP voltage to the flash microcomputer.例文帳に追加

そして、判定ロジック回路１３が、ＶＰＰ電圧判定回路１１の判定結果と接続判定回路１２の判定結果とが一致すると判定した場合に、開閉回路１４で対応する信号線の接続を行って、フラッシュ・マイコンに対するＶＰＰ電圧の印加が行えるようにする。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus which controls an operation of a peripheral device such as a flash device or the like by using a synchronization signal from an imaging portion having an imaging element and can accurately synchronize an operation of peripheral circuit of the imaging element with the operation of the imaging element regardless of the state of the imaging element.例文帳に追加

撮像素子を有する撮像部からの同期信号を用いてフラッシュ装置等の周辺装置の動作を制御する撮像装置において、撮像素子の状態によらずに正確に撮像素子の周辺回路の動作を撮像素子の動作に同期させることができる撮像装置を提供すること。 - 特許庁

A flash memory of a memory 9, connected to a baseband chip 3, stores therein image/sound-related information at telephone mode (contrast information, screen luminance information, sound volume information during the telephone mode), and image/sound-related information during a TV viewing mode (contrast information, screen luminance information, sound volume information during TV-viewing mode).例文帳に追加

ベースバンドチップ３に接続されているメモリ９のフラッシュメモリには、電話モード時の画像／音の関連情報（電話モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）、及びＴＶ視聴モード時の画像／音の関連情報（ＴＶ視聴モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）が格納されている。 - 特許庁

The flash control means 19 of the digital camera 1 regards only the region, corresponding to each of N (N is integer) detected faces as a region corresponding to the face and performs calculation, taking into consideration the face, for determining the temporary proper value Cfi (1≤i≤N) of the light amount emitted (S201 to S209).例文帳に追加

デジタルカメラ１のフラッシュ制御手段１９は、検出されたＮ（Ｎは整数）個の顔について、それぞれ、その顔に相当する領域のみを顔に相当する領域とみなして、その顔を考慮した演算を行うことにより発光量の仮適正値Ｃｆｉ（１≦ｉ≦Ｎ）を決定する（Ｓ２０１〜Ｓ２０９）。 - 特許庁

This device is characterized, in that the device is provided with a register specifying the propriety of erasure for each divided region provided in a flash EEPROM and a erasure control circuit controlling erasion by a value of a register, and the erasion protection region can be varied, and flexible measure for the coping with the change in program size of software can be performed.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ内に設けられた分割された領域毎に消去の可否を指定するレジスタとレジスタの値により消去の制御をする消去制御回路を備えたことを特徴とし、消去保護領域を可変にでき、ソフトウェアのプログラムサイズの変更に柔軟に対応できるという作用が得られる。 - 特許庁

A CPU 51 acquires SDTT, using either of two systems of front ends 11 and 12 and transport decoders 21 and 22, and furthermore, the device programs are acquired at a download start time specified by the acquired SDTT using either system which is not used for the reception processing of programs and stored to a flash ROM 53.例文帳に追加

ＣＰＵ５１は、２系統のフロントエンド１１，１２及びトランスポートデコーダ２１，２２のうち一方を用いてＳＤＴＴを取得し、さらに、番組の受信処理に使用されていない方を用いて、取得したＳＤＴＴにより特定されるダウンロード開始時刻に機器用プログラムを取得してフラッシュＲＯＭ５３に記憶させる。 - 特許庁

A microcomputer 57 updates a storage area for the control parameter among storage areas of a flash ROM 57A independently of updating the other storage areas and inhibits updating of storage area for the control parameter in updating at least some of the other storage areas except the storage area for the control parameter.例文帳に追加

マイクロコンピュータ５７は、フラッシュＲＯＭ５７Ａの記憶領域のうち、制御パラメータの記憶領域の更新を他の記憶領域の更新と独立して行うとともに、制御パラメータの記憶領域以外の他の記憶領域の少なくとも一部の更新時には、制御パラメータの記憶領域の更新を禁止する。 - 特許庁

To provide a method of recording data which can record by generating recording data of optimal quality according to a transfer rate to which a recording medium corresponds when original data obtained by imaging by using an image recorder, such as a digital video camera, etc. is recorded as recording data on a recording medium, such as a flash memory, etc., and to provide a recording apparatus.例文帳に追加

デジタルビデオカメラ等の画像記録装置を用いて撮像して得られた原データを記録データとしてフラッシュメモリ等の記録媒体に記録する場合に、記録媒体が対応している転送速度に応じた最適な品質の記録データを生成し、記録することが可能なデータ記録用法及び記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a water-washable water-based penetrant for a liquid penetrant test not having a flash point, capable of suppressing to the utmost generation of excess cleaning when removing an excess penetrant by water washing, and having a similar flaw detection performance to that of a water-washable oil-based penetrant, and a liquid penetrant testing method using the penetrant.例文帳に追加

引火点を有さず、かつ、水洗による余剰浸透液の除去に当たって、過洗浄の発生が可及的に抑制でき、水洗性油ベース浸透液と同等の探傷性能を具備している浸透探傷試験用水洗性水ベース浸透液及び該浸透液を用いる浸透探傷試験方法を提供する。 - 特許庁

The camera system comprises: a flash means for varying the color temperature of a light emitting body, and performing pre-flashing and actual flashing in photographing; and an emission control means which controls the color temperature in the actual flashing based on predetermined information and controls the color temperature in the pre-flashing to a color temperature equal to more than the emission efficiency of the actual flashing.例文帳に追加

発光体の色温度が可変であり、撮影を行う際に予備発光と本発光とを行う閃光手段と、所定の情報に基づいて本発光の色温度を制御するとともに、予備発光の色温度を本発光の発光効率以上の色温度に制御する発光制御手段とを備える。 - 特許庁

The gas oil composition comprises 0.1-20 vol.% of a base material which is prepared by subjecting a fraction having a boiling point of 100-250°C distilled from a fluidized catalytic cracker to hydrodesulfurization treatment and has a sulfur content of not more than 10 mass ppm, a nitrogen content of not more than 10 mass ppm, and a flash point of not lower than 50°C.例文帳に追加

流動接触分解装置から留出する沸点範囲１００℃〜２５０℃の留分を水素化脱硫処理した基材を０．１体積％以上２０体積％以下含有し、硫黄分が１０質量ｐｐｍ以下、窒素分が１０質量ｐｐｍ以下、引火点が５０℃以上であることを特徴とする軽油組成物。 - 特許庁

At an end in the row direction of a cell array of NAND cells in which selection gate transistors having a stacked gate structure are connected in series to a plurality of memory cell transistors having a stacked gate structure on a semiconductor substrate 30 of an NAND type flash memory, an STI region 20 is formed in the column direction, and dummy NAND cells are formed at an end portion in the row direction.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの半導体基板30上に積層ゲート構造を有する複数のメモリセルトランジスタに直列に積層ゲート構造を有する選択ゲートトランジスタを接続したNANDセルのセルアレイの行方向端には列方向にSTI 領域20が形成され、行方向端部にダミー用NANDセルが形成されている。 - 特許庁

When an instantaneous voltage drop examining apparatus 10 detects the occurrence of an instantaneous voltage drop of electric power on the basis of monitoring information by the memory recorder function 11, the instantaneous voltage drop examining apparatus 10 generates a trigger signal, makes the light emitting device 16 emit a flash, and records and stores the monitoring information as changes in the state of an object to be examined.例文帳に追加

瞬低調査装置１０は、メモリレコーダ機能１１による監視情報に基づいて電力の瞬低の発生を検知したときにトリガー信号を生成して発光装置１６に閃光を発せさせるのと同時に、監視情報を調査対象の状態変化として記録保存する。 - 特許庁

The operation button is laid in an emitting state, when the switch contact is connected to the predetermined circuit, to flash it three-dimensionally with a predetermined color such as red, and laid in a non-emitting state, when the switch contact is not connected to the predetermined circuit, so that a color different from the predetermined color can be visually confirmed.例文帳に追加

そして、スイッチ接点が所定回路に接続されている場合に、操作ボタンを赤色等の所定色で立体的に発光させる発光状態とし、スイッチ接点が所定回路に接続されていない場合に、操作ボタンを非発光状態として所定色と異なる色が視認されるように形成される。 - 特許庁

In measuring the thermophysical property using a laser flash method in the thermophysical property measuring device, the radiation light emitted from a sample is divided into a plurality of lights by a beam splitter in response to a wavelength band, and a sensor having high sensitivity to each branch light in the wavelength band is arranged.例文帳に追加

熱物性測定装置でのレーザフラッシュ法を用いた熱物性測定において、ビームスプリッタで試料より発する放射光を、波長帯域に対応して複数に分岐し、それぞれの分岐光に対して、上記波長帯域で優れた感度を示すセンサを配設したことを特徴とするものである。 - 特許庁

A CPU 11 calculates the actual occupation size occupying a flash memory 18 in the storage of the compressed image data from a cluster size and the file size, and determines a corrected compression rate from the value of the change rate of compression file size in reference to a correspondence table in which the compression rate is preliminarily conformed to the change rate of compression file size.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、圧縮された画像データの保存時にフラッシュメモリ１８を占有する実際の占有サイズを、クラスタサイズとファイルサイズとから算出し、予め圧縮率と圧縮ファイルサイズの変化率とを対応付けた対応テーブルを参照して、圧縮ファイルサイズの変化率の値から、補正圧縮率を求める。 - 特許庁

A CPU 21 counts the number of sheets of an image photographed after detection of the start of photography break time by turn on power before detection of the end of photography break time by turn off power and stores the count in a flash memory 22, for example, and then displays the number of sheets photographed during that period on an LCD 24.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、本体の電源投入等により撮影区切り時間の開始を検出してから電源ＯＦＦ等の撮影区切り時間の終了を検出するまでの期間に撮影された画像の撮影枚数を計数して例えばフラッシュメモリ２２に記憶させておき、ＬＣＤ２４にその期間の撮影枚数を表示させる。 - 特許庁

The interrupt handler authenticates whether the access by the ROM rewriting program is authorized, and performs access for rewriting the write protect bit WP in a control register 152 to '0' and re-sets the write protect of the flash BIOS-ROM 18, and stops the rewriting when deciding that the access is not authorized.例文帳に追加

割り込みハンドラは、ＲＯＭ書き換えプログラムによるアクセスが正当なものであるか否かの認証を行い、正当なアクセスではないと判定した場合には、書き換えを阻止するために、制御レジスタ１５２内のライトプロテクトビットＷＰを“０”に書き換えるアクセスを実行し、フラッシュＢＩＯＳ−ＲＯＭ１８のライトプロテクトを再設定する。 - 特許庁

Therefore, a CPU 21 determines that rewrite processing (A) is completed if a rewrite processing flag 23a is in a cleared state according to the reset timing determination program 61a, and performs the processing according to a new in-vehicle program 60 transferred to an in-vehicle program storage area 22b of the flash memory 22.例文帳に追加

このためＣＰＵ２１は当該リセット時判断プログラム６１ａにしたがい、書き換え実行中フラグ２３ａがクリア状態になっている場合には、書き換え処理（Ａ）が完了したと判断して、フラッシュメモリ２２の車載プログラム記憶領域２２ｂに転写された新しい車載プログラム６０にしたがい処理を実行する。 - 特許庁