「lead-frame」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a speaker apparatus maintaining positioning accuracy of spring terminals to a resin-made frame with high accuracy wherein a danger of melting the resin-made frame with the spring terminals loaded thereto is avoided by heat caused when lead wires from a voice coil are soldered to the spring terminals.例文帳に追加

ボイスコイルからのリードをバネ端子に半田付けする際の熱でバネ端子が装着されている樹脂製フレームが溶ける危険がなく、バネ端子の樹脂製フレームへの位置決め精度を高精度に維持することができるスピーカ装置を提供する。 - 特許庁

This is a manufacturing method for the two-layer wiring semiconductor device which includes a process of forming barrier metal and a conductor wiring layer by electrolytic plating, with a conductive frame as a lead for electrolytic plating, and a process of etching off the conductive frame.例文帳に追加

導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A noise lead-out pattern 4 formed in the front and rear of the signal processing substrate 1 is connected to the frame ground layer 9 through a through-hole 14 and is connected to a metal frame of a control panel 16 through a clip 15.例文帳に追加

また、信号処理基板１の表面及び裏面に形成されたノイズ導出用パターン４がフレームグランド層９とスルーホール１４を通じて接続されていると共に、クリップ１５を通じて制御盤１６の金属フレームと接続されている。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing semiconductors excellent in adhesivity to various members such as a semiconductor element and a lead frame, soldering resistance on substrate mounting, and especially adhesivity to a preplating frame of Ni, Ni-Pd, Ni-Pd-Au or the like.例文帳に追加

半導体素子、リードフレーム等の各種部材との接着性、基板実装時の耐半田性、特にＮｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームとの密着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Since the ratio of the rear end part 20 to the aperture inner diameter size of the frame fixing part 25 becomes small, an allowable error range of the relative position when setting the relative position of the lead frame 10 to the frame fixing part 25 becomes large, to thereby reduce complication of positioning of the relative position.例文帳に追加

また、フレーム固着部２５の開口内径寸法に対する後端部分２０の比率が小さくなることから、挿入作業時に、フレーム固着部２５に対するリードフレーム１０の相対位置を設定する際の相対位置の許容誤差範囲が大きくなり、相対位置の位置決めの煩雑さを軽減できる。 - 特許庁

For this lead frame 100, a frame body 12, a die pad 13 for loading an IC chip and an external connection terminal 14 are formed on one surface of a metal base material 11, and the external connection terminal 14 is held by a thinned area 21 formed between the frame body 12 and the die pad 13 on one surface.例文帳に追加

本発明のリードフレーム１００は、金属基材１１の一方の面に枠体１２と、ＩＣチップ搭載用のダイパッド１３と、外部接続端子１４が形成されており、外部接続端子１４は一方の面の枠体１２とダイパッド１３との間に形成された薄肉化領域２１で保持されている。 - 特許庁

Areas of support portions of tabs 3B and 3B of a lead frame 3 including a heat generating element 4 mounted thereon are increased, and thermal resistance of a heat dissipation path of the heat generating element 4 → tab 3B → mold resin 2 such as resin → heat sink 1 is more reduced than heat resistance released from a lead portion 3A.例文帳に追加

発熱素子４を搭載するリードフレーム３のタブ３Ｂ、および、タブ３Ｂの支持部の面積を拡大させ、発熱素子４→タブ３Ｂ→レジン等のモールド樹脂２→放熱板１への放熱経路の熱抵抗を、リード部３Ａから逃げる熱抵抗より小さくする。 - 特許庁

To provide a printed wiring board where a land at the soldering surface side of a through-hole is squared for high-density packaging and wiring, when inserting and soldering the component lead of lead frame components, and to provide a technology regarding the manufacturing method of the printed- wiring board.例文帳に追加

本発明は、リードフレーム部品の部品リードを挿入・はんだ付けする場合、高密度実装・配線を可能とするため、スルーホールのはんだ面側のランドを角形にしたプリント配線板及びその製造方法に関する技術を提供する点にある。 - 特許庁

In the punching die having a bending punch arranged with a punch to form a lead part of a lead frame and a bending punch to form a bent part, an inclination preventing punch, which cancels an eccentric load generated by the bending punch, is arranged.例文帳に追加

リードフレームのリード部を形成する打抜きパンチと、曲げ加工部を形成する曲げパンチとを具備して成る曲げパンチを有する打抜き金型において、前記曲げパンチにより発生する偏心荷重を相殺するため傾き防止パンチを設けたことにある。 - 特許庁

The speaker is characterized in that a terminal 18 of a voice coil 11 and an input terminal 33 of a frame 21 are connected by a flexible lead wire 35 between the diaphragm 19 and the damper 25 and the mid-position of the lead wire 35 is fixed to an outer circumferential part of the damper 25.例文帳に追加

振動板19とダンパー25の間で、ボイスコイル11の端子部18とフレーム21側の入力端子33とを柔軟性のあるリード線35で接続してなるスピーカーにおいて、前記リード線35の中間部をダンパー25の外周部に固定したことを特徴とするもの。 - 特許庁

A T-shaped projecting piece 350 functioning as a part to be detected is formed at a position on an opposite side to an abutting part 35b on a female screw member 35 for turning a 3rd lens holding frame 31 centering a lead screw 34 or driving it in a front-and-rear direction along the lead screw 34.例文帳に追加

第３レンズ保持枠３１をリードスクリュー３４を中心に回動させたり、リードスクリュー３４に沿って前後方向に駆動するための雌ねじ部材３５に、当接部３５ｂの反対側の位置に被検出部としてのＴ字突片３５０を形成する。 - 特許庁

On the lead frame 10, a 1st connecting insulating material 20 is arranged on a gap for dividing a die island 11, an extension 12, and a lead 13; and a 2nd connecting insulating material 30 is arranged on the whole backside of a part excluding the projected parts 11a, 12a, 13a.例文帳に追加

リードフレーム１０は、ダイアイランド部１１、延長部１２、リード部１３を区画する間隙に第１の連結絶縁材料２０が配設され、突起部１１ａ，１２ａ，１３ａを除く部分の裏面全面に第２の連結絶縁材料３０が配設されている。 - 特許庁

To provide a method for producing an Fe-Ni based alloy thin sheet which can solve the problem of heat shrinkage in particular, can realize excellent flatness even in the case of a wide width of 60 mm or more for example, and is used as a material for a lead frame and a material for a lead.例文帳に追加

特に加熱収縮の問題を解決でき、例えば６０ｍｍ以上の広い幅であっても優れた平坦性を実現できるリードフレーム用素材やリード用素材等に用いられるＦｅ−Ｎｉ系合金薄板条の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the lead frame 10, a first connecting insulating- material 20 is arranged on the gap defining a die island part 11, a hang-out part 12 and a lead part 13, and a second connecting insulating-material 30 is arranged on the entire rear surface except for the protrusions 11a, 12a and 13a.例文帳に追加

リードフレーム１０は、ダイアイランド部１１、吊出部１２、リード部１３を区画する間隙に第１の連結絶縁材料２０が配設され、突起部１１ａ，１２ａ，１３ａを除く部分の裏面全面に第２の連結絶縁材料３０が配設されている。 - 特許庁

The body of lead frame 10 is formed with a resin of epoxy, etc., and a conductive metal thin layer 13 is deposited and formed by a metal surface treatment such as plating or vapor deposition on the surface of at least leads, i.e., terminals 12 from among the lead frames 10.例文帳に追加

リードフレーム１０の本体はエポキシ等の樹脂より成形され、リードフレーム１０のうち少なくともリード部であるターミナル１２の表面には、導電性の金属薄層１３がめっきや蒸着等の金属表面処理によって固着形成されている。 - 特許庁

A lead frame and a lead wire to which the semiconductor element is jointed are fixed to a transfer mold, and the epoxy resin-sealing material is pressed, filled and cured to the transfer mold by a transfer molding machine, and thereby, the semiconductor element is resin-sealed.例文帳に追加

半導体素子が接合されるリードフレームやリード線をトランスファー成形金型に固定し、このトランスファー成形金型にエポキシ樹脂封止材料をトランスファー成形機により加圧充填して硬化させることにより、半導体素子を樹脂封止するものである。 - 特許庁

A wire bonding part 1ib having a wire bonding face 1iw connecting a bonding wire 3 of the inner lead 1i performs coining with a depth of 20-50 % of a plate thickness of a lead frame base material.例文帳に追加

本発明の請求項１のリードフレームによれば、インナーリード１ｉのボンディングワイヤ３が接続されるワイヤボンディング面１ｉｗを有するワイヤボンディング部１ｉｂは、リードフレーム母材の板厚の２０％〜５０％の深さのコイニングが施されていることを特徴としている。 - 特許庁

The lead frame 10 includes an anode lead 11 connected electrically with the anode 31 of the first capacitor element 21 via a first bonding wire 41, and cathode leads 15 and 16 connected electrically with the cathode 32 of the first capacitor element 21.例文帳に追加

リードフレーム１０は、第１のコンデンサ素子２１の陽極３１と第１のボンディングワイヤ４１を介して電気的に接続された陽極リード部１１と、第１のコンデンサ素子２１の陰極３２に電気的に接続された陰極リード１５および１６とを含む。 - 特許庁

To provide a lead frame structured enabling checking of electronic components and connection statuses of individual leads, before they are resin-molded, facilitating replacement of the electronic components and the reconnection of the lead frames, and manufacturing it more easily.例文帳に追加

樹脂モールドする以前に電子部品自体および個々のリード部の接続状態が検査でき、電子部品の交換やリード部の再接続を容易に行うことができるとともに、リードフレーム自体をより容易に製造可能な構成を有するリードフレームを提供する。 - 特許庁

A lead frame 6 is provided with side walls 15a and 15b facing each other through an interval, and a plurality of lead terminals 14 are respectively arrayed and disposed to the respective side walls 15a and 15b with almost equal array pitches in the form of piercing them from the inner side to the outer side.例文帳に追加

リードフレーム６は、互いに間隔を介して対向する側壁１５ａ，１５ｂを有し、これら各側壁１５ａ，１５ｂに、それぞれ複数のリード端子１４を、内側から外側に突き通す形態で、かつ、配列ピッチをほぼ等しくして配列配設する。 - 特許庁

To provide a method for producing an Fe-Ni based alloy thin sheet which can solve the problem particularly on heating shrinkage, can realize excellent flatness even in the case of a wide width of ≥60 mm for example, and is used as the stock for a lead frame, the stock for a lead or the like.例文帳に追加

特に加熱収縮の問題を解決でき、例えば６０ｍｍ以上の広い幅であっても優れた平坦性を実現できるリードフレーム用素材やリード用素材等に用いられるＦｅ−Ｎｉ系合金薄板材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive electrode shelf part 6 is made of a lead-tin alloy containing 1.0 wt.% or more of tin, being made of a rolled body of a lead-calcium-tin alloy containing 1.0 wt.% or more of tin as a positive electrode lattice body, and uses an expanded lattice body substantially having no longitudinal frame bone.例文帳に追加

正極棚部は錫を１．０ｗｔ％以上含有する鉛−錫合金、正極格子体としては錫を１．０ｗｔ％以上含有する鉛−カルシウム−錫合金の圧延体からなり、実質的に縦枠骨のないエキスパンド格子体を用いる。 - 特許庁

This resin-sealed electronic component is provided with a lead frame 1 including at least a die pad 11 having a semiconductor chip 2 attached thereon and a lead 12 to which the semiconductor chip 2 is electrically connected thereto; and a resin sealing layer 3 for sealing the semiconductor chip 2 with a resin.例文帳に追加

この樹脂封止型電子部品は、半導体チップ２が装着されるダイパッド１１と、半導体チップ２が電気的に接続されるリード１２とを少なくとも含むリードフレーム１と、半導体チップ２を樹脂封止する樹脂封止層３とを備えている。 - 特許庁

A lead frame 12 including a header 2 (header part) on which a semiconductor chip 3 (semiconductor element) is mounted and gate leads 4 etc. (lead parts) electrically connected to the semiconductor chip 3 is manufactured by pressing of sheet metal 13 as follows.例文帳に追加

金属薄板１３をプレス加工することにより、半導体チップ３（半導体素子）が搭載されるヘッダ２（ヘッダ部）と、半導体チップ３に対して電気的に接続されるゲートリード４等（リード部）と、を含むリードフレーム１２の製造は、以下のような方法で行われる。 - 特許庁

The semiconductor device S1 is provided with the semiconductor chip 20 mounted on one surface 11 of the heat sink 10, a lead frame 30 having a lead portion 31 which extends from around the heat sink 10 to the one surface 11 of the heat sink 10, and a wire 40 formed by wire-bonding, which electrically connects the lead portion 31 with the semiconductor chip 20.例文帳に追加

半導体装置Ｓ１は、ヒートシンク１０の一面１１上に搭載された半導体チップ２０と、ヒートシンク１０の周囲からヒートシンク１０の一面１１上に延設されたリード部３１を有するリードフレーム３０と、ワイヤボンディングにより形成されリード部３１と半導体チップ２０とを電気的に接続するワイヤ４０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a die pad 14 for placing a semiconductor chip 12 thereon, a lead frame 16 formed of an inner lead 16a electrically connected with the die pad 14 and the semiconductor chip 12 and an outer lead 16b as an external terminal of a semiconductor device 10, and a sheet metal 18 located at the terminal of the package facing the die pad 14.例文帳に追加

本発明は、半導体チップ１２を載置するダイパッド部１４と、このダイパッド部１４、半導体チップ１２と電気的に接続されるインナーリード部１６ａ、及び、半導体装置１０の外部端子であるアウターリード部１６ｂにより形成されるリードフレーム１６と、ダイパッド部１４に対向するパッケージ端部に配置された金属板１８とにより構成される。 - 特許庁

The partitioning frame 70 is mounted later by being fitted to a catch 62 disposed on a front opening of the main body 10, the lead wire 80A is led in the cold air passage 13 from an lead-in hole 60 formed on a flange 52 of the storage box 50, raised in the cold air passage 13, and led out from the lead-out hole 43.例文帳に追加

仕切枠７０は、本体１０の前面開口に設けられたキャッチ６２に嵌めることで後付けにより装着され、リード線８０Ａは、貯蔵箱５０のフランジ５２に開口された導入孔６０から冷気通路１３内に導入され、同冷気通路１３内を立ち上がったのち、上記の導出孔４３から引き出される。 - 特許庁

In this LOC lead frame where inner leads 2 are opposingly arranged toward a center section in the mounting region of the semiconductor chip, and a tape with adhesives for bonding the semiconductor chip is applied to the inner lead 2, tapes 3a and 3b with adhesives are put to tip and root sections 2a and 2b that are isolated in the longitudinal direction of the inner lead 2, respectively.例文帳に追加

半導体チップの搭載領域の中心部に向けて対向配置されたインナリード２を有し、そのインナリード２に、半導体チップを接着するための接着剤付テープを貼り付けた構造のＬＯＣリードフレームにおいて、インナリード２の長手方向に離れた部位である先端部２ａと根元部２ｂに接着剤付テープ３ａ、３ｂを貼り付ける。 - 特許庁

The cascode-connected high voltage group III nitride rectifier package consists of a group III nitride transistor 230 having an anode of a diode 220 stacked on the group III nitride transistor 230, and a punched lead frame including a first bend lead 212b coupled to a gate of the group III nitride transistor and the anode of the diode, and a second bend lead 212a coupled to a drain of the group III nitride transistor.例文帳に追加

III族窒化物トランジスタ２３０の上にスタックしたダイオード２２０のアノードと、III族窒化物トランジスタのゲートおよびダイオードのアノードに結合した第１の屈曲リード２１２ｂおよびIII族窒化物トランジスタのドレインに結合した第２の屈曲リード２１２ａを含む打抜きリードフレームとを有するIII族窒化物トランジスタからなる。 - 特許庁

When the anode lead bar 112 derived from the condenser element 110 is welded to the anode lead frame 130 via the conductive spacer 161 by the resistance welding method accompanying pressurization, a crushed groove Ga crushed from a pressurization direction upon welding is formed at least at one position from a welding position of the anode lead bar 112 to the root of the same.例文帳に追加

コンデンサ素子１１０から引き出されている陽極リード棒１１２を導電性スペーサ１６１を介して陽極リードフレーム１３０に加圧を伴う抵抗溶接法によって溶接するにあたって、陽極リード棒１１２の溶接箇所から根元に至る間の少なくとも１箇所に溶接時の加圧方向から押し潰された潰し溝Ｇａを形成する。 - 特許庁

In the lead frame for a semiconductor device, a rough plated layer 5 having a rough surface where bonding is possible and adhesiveness with the resin 9 is improved is formed at a wire bonding part being the upper surface of the lead 3, and a smooth surface plated layer 6 having a smooth surface where wettability of solder is improved is formed at an external connection terminal part being the lower surface of the lead.例文帳に追加

半導体装置用リードフレームにおいて、リード３の上面であるワイヤーボンディング部に、ボンディングが可能で樹脂９との密着性を向上させる粗さの表面を持つ粗面めっき層５を形成し、リードの下面である外部接続端子部に、半田の濡れ性が良い平滑な表面を持つ平滑面めっき層６を形成する。 - 特許庁

The heat dissipation package for containing a semiconductor chip comprises a substantially ringlike frame 18 made of resin and having a hole 16, and a first lead frame 20 made of a conductive material of good thermal conductivity and having a disklike forward end portion 20a covering the footprint 18a of the frame 18 substantially entirely and a rear end portion 20b being taken outward in the horizontal direction while penetrating the frame 18.例文帳に追加

樹脂より成り、孔16が形成された略リング状の枠体18と、枠体18の底面18ａの略全面を覆う略円板状の先端部20ａ及び枠体18を貫通して外方へ向かって水平方向に取り出される後端部20ｂを有し、熱伝導性が良好な導電材料より成る第１のリードフレーム20を有する半導体チップ収納用の放熱パッケージ。 - 特許庁

A lead wire 30a of a voice coil 30 is drawn around the surface of a diaphragm 10, and is drawn into a frame 40 by being folded back to the undersurface on a limb of the diaphragm 10.例文帳に追加

ボイスコイル３０のリード線３０ａは、振動板１０の表面に沿って引き回され、振動板１０の周縁部において裏側に折り返してフレーム４０の内部に引き込まれる。 - 特許庁

To provide a method and a device for enabling a narrow metal tie strap in a lead frame used for packaging an integrated circuit to be Z-axis offset, so as to prevent warpage or distortion.例文帳に追加

反りまたはひずみを防止するために、集積回路のパッケージングに用いられるリードフレーム内の狭い金属タイストラップのｚ軸オフセットを可能ならしめる方法および装置を提供する。 - 特許庁

By making a transport pawl at the tip of an arm (S2) descend and detecting its position (height) by a height (up/down) confirmation sensor, whether the pawl has been inserted into a lead frame transport hole is determined (S3).例文帳に追加

アーム先端の送り爪を降下し（Ｓ２）、上下確認センサで送り爪の高さ位置を検出することで送り爪がリードフレームの搬送穴に挿入されたか否かを判断する（Ｓ３）。 - 特許庁

The tape 3a with adhesives at the tip section 2a, and that 3b with adhesives at the root section 2b are arranged on a different surface out of upper and lower surfaces of the lead frame 1, or are arranged on the same side.例文帳に追加

先端部２ａの接着剤付テープ３ａと根元部２ｂの接着剤付テープ３ｂは、リードフレーム１の上下面の異なる面に配置するか、又は同じ片面上に配置する。 - 特許庁

A dispenser 22a is attached to a dispenser attaching plate 14b via a spherical joint 31 halfway, and an edge needle 9c is held at a slight interval with a lead frame 3.例文帳に追加

ディスペンサ２２ａは、その途中が球面ジョイント３１を介してディスペンサ取付け板１４ｂに取付けられ、先端のニードル９ｃはリードフレーム３と僅かな間隔を保っている。 - 特許庁

A lead frame is so designed that the outside dimensions of die pads 3 are smaller than the outside dimensions of a semiconductor chip 2 to be placed thereon, and the area of bond between the semiconductor chip 2 and resin is thereby increased.例文帳に追加

ダイパッド３の外形寸法をその上に搭載する半導体チップ２の外形寸法よりも小さくすることにより、半導体チップ２と樹脂との接着面積を大きくした。 - 特許庁

According to this method, when the radiating plate 14 is used as the connecting terminal of the ground terminal required a lot, the number of ground terminals (a lead frame and a pad for grounding in conventional examples) can be reduced.例文帳に追加

そのため、放熱板１４を、多く必要とされるグランド端子の接続端子として使用すれば、グランド端子（従来例ではリードフレームおよびグランド用パッド）を削減できる。 - 特許庁

A pair of lead wires 26 extended from a voice coil 24 are conductively fixed to a land 11B of a pair of terminal members 22 insert-molded in the frame 20 by thermocompression bonding.例文帳に追加

フレーム２０にインサート成形された１対の端子部材２２のランド部２２Ｂに、ボイスコイル２４から延出する１対のリード線２６が熱圧着により導通固定される構成とする。 - 特許庁

A lead frame 10 has a part interposed between first and second dies 36, 38 and a die pad 14 which is more greatly down-set than a depth of a recess part of the first die 36.例文帳に追加

リードフレーム１０は、第１及び第２の型３６、３８によって挟まれる部分と、第１の型３６の凹部の深さよりも大きくダウンセットされたダイパッド１４と、を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an annular groove 13 is formed in a joint surface 12 to which an IC element 20 is solder-jointed, of a lead frame 11 so as to prevent a solder 30 applied inward from outflowing outward.例文帳に追加

ＩＣ素子２０がはんだ接合されるリードフレーム１１の接合面１２には、内方に塗布されたはんだ３０の外方への流出を防止する環状溝１３が形成されている。 - 特許庁

A cam pin 40 is attached to the movable frame 32, and the cam pin 40 is inserted into the guide groove 38 of a fixed barrel 36 so as to be engaged with the cam surface 42 of the lead cam of a macro operation part 20.例文帳に追加

移動枠３２にはカムピン４０が取り付けられ、このカムピン４０は固定筒３６のガイド溝３８を挿通してマクロ操作部２０のリードカムのカム面４２に係合される。 - 特許庁

A width of a fillet 20, namely, a width of a region on the outside of an end part of a contact surface to the lead frame 3, of the solder layer 2 is twice or more as greater as a thickness h of the solder layer 2.例文帳に追加

そして、フィレット２０の幅ｘ、すなわち半田層２のリードフレーム３との接触面の端部より外側の領域の幅を、半田層２の厚さｈの２倍以上とする。 - 特許庁

The light-emitting element 1, a light-reception element 2, drive IC3, and lead frame 4 are resin sealed in a double mold structure using a transparent mold resin 5 and visible-light cut resin 6.例文帳に追加

そして、この発光素子１、受光素子２、駆動用ＩＣ３およびリードフレーム４を透明モールド樹脂５と可視光カットモールド樹脂６を用いた２重モールド構造で樹脂封止する。 - 特許庁