「lead-frame」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

Using a high-frequency board 4 for bridge connection on which a high-frequency line, e.g. a coplanar line, is formed, a board 5, mounting a semiconductor laser and having a high-frequency line formed on the surface, is connected electrically with a package lead frame 3 thus obtaining a module for optical communication having superior high-frequency characteristics.例文帳に追加

コプレーナ線路等の高周波線路が形成されたブリッジ型接続用高周波線路基板４を用いて、半導体レーザが搭載され表面に高周波線路が形成された基板５とパッケージリードフレーム３との間を電気的に接続を行うことにより、優れた高周波特性を有する光通信用光モジュールを得ることができる。 - 特許庁

A current sensor (10) for an integrated circuit includes a lead frame (12) having at least two leads coupled to form a conductor portion (14), and a substrate (16) having a first surface on which one or more magnetic field transducers (18) are disposed, wherein the first surface is proximate to the conductor portion and a second surface is distant from the conductor portion.例文帳に追加

集積回路の電流センサ（１０）は、導体部分（１４）を形成するように結合された少なくとも２つのリードを有するリードフレーム（１２）と、１又は複数の磁界変換器（１８）が配置された第１の面を有する基板（１６）とを含み、第１の面が導体部分に近接し、第２の面が導体部分から遠位にある。 - 特許庁

In the case of connecting bonding pads 2 formed on an IC chip 1 to inner-leads 3 of a lead frame through respective bonding wires (w), the array pitch of the bonding pads 2 in the vicinity of the corner of the IC chip 1 is set to have pitch intervals corresponding to the amount of a wire flow of bonding wires (w) which is generated at the time of resin molding.例文帳に追加

ＩＣチップ１に形成されたボンディングパッド２とリードフレームのインナリード３との間がボンディングワイヤｗで結線される場合に、ＩＣチップ１のコーナー部近傍におけるボンディングパッド２の配列ピッチが、樹脂モールド時に生じるボンディングワイヤｗのワイヤ流れ量の大小に応じたピッチ間隔となるように設定されている。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive having excellent adhesive force between a semiconductor chip and a lead frame, a package board or the like, and capturing ionic impurities in an adhesive layer, to provide a tape for processing a wafer, the tape produced by using the sheet type adhesive, and to provide a semiconductor device manufactured by using the sheet type adhesive.例文帳に追加

半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first lead frame includes a base unit, where one portion of a lower surface and an upper surface and an end face are covered with the resin body, and the remainder of the lower surface is exposed on the resin body; and a plurality of suspension pins that extend from the base unit, where lower and upper surfaces are covered with the resin body and a tip surface is exposed on a side face of the resin body.例文帳に追加

前記第１のリードフレームは、下面の一部、上面及び端面が前記樹脂体によって覆われ、前記下面の残部が前記樹脂体の下面に露出したベース部と、前記ベース部から延出し、下面及び上面が前記樹脂体によって覆われ、先端面が前記樹脂体の側面に露出した複数本の吊ピンを有する。 - 特許庁

In a copper or copper alloy lead frame, a copper base layer of 0.2 μm or more is formed on the surface of the copper alloy, and after a copper spot plating or copper ring plating has been performed, the leaked silver on the copper surface is electrochemically exfoliated.例文帳に追加

銅または銅合金系リードフレームにおいて、銅合金表面に銅下地メッキを０．２μｍ以上形成し、銀スポット又はリングメッキ後、銅表面の漏れ銀を電気化学的に剥離後、銀イオンを含む浸漬液に浸漬し、銅メッキ層表面に１〜３０ａｔ％又は／かつ０．０１〜０．００１μｍの銀を残存させ、表面の硫黄の残存が２ａｔ％以下にする。 - 特許庁

To provide a lead frame 6, which has a wiring means capable of connecting electrically a plurality of semiconductor components 7 and 7 with each other and makes it possible to mount the components on one semiconductor device without increasing the manhour of assembly while the thickness of the device is made thin and moreover, without reducing the reliability of the elements or the yield of the manufacture of the components.例文帳に追加

複数の半導体素子７・７間を電気的に接続できる配線手段を持ち、１個の半導体装置に複数の半導体素子を半導体装置厚を薄くしつつ、組立工数を増やすことなく、更には信頼性や歩留まりを低下させることなく搭載することを可能にするリードフレーム６を提供する。 - 特許庁

In the lead frame, the recess 12 is defined by a flat bottom 12a located lower than the upper surface 3a of the die pad 3 and extending in parallel therewith, and an inclined plane 12b extending from the circumference of the bottom 12a toward the upper surface 3a of the die pad 3 to recede gradually from the arranging region.例文帳に追加

また、前記凹部１２が、前記ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、当該底面１２ａの周縁から前記ダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面１２ｂとによって構成されているリードフレームを提供する。 - 特許庁

To remedy defects of a conventional self-adhesive tape for an electronic part that, when an adherend having a lead frame, a metal electrode substrate or the like is diced, the support softens by frictional heat between the adherend and a dicing blade and becomes unable to stably fix the adherend resulting in occurrence of burrs at a cut end part of the adherend or breakage of the adherend itself.例文帳に追加

従来の電子部材用粘着テープは、リードフレームや金属電極基板などを有する被着体をダイシングすると、被着体とダイシングブレードとの摩擦熱によって支持体が軟化して被着体を安定的に固定できなくなるため、被着体の切断端部にバリが発生したり被着体自体が破損してしまう。 - 特許庁

A semiconductor pellet 10 is securely fixed on an island 12, a post electrode 15 is bonded on an electrode pad 11 of the semiconductor pellet 10, a lead frame which is bent almost as high as the post electrode 15 is prepared as an extended part 12a of the island 12, and a head portion of the electrode is exposed using a releasing sheet in molding with a die.例文帳に追加

アイランド１２上に半導体ペレット１０が固着され、半導体ペレット１０の電極パッド１１にポスト電極１５が接着され、アイランド１２の延在部１２ａをポスト電極１５と同程度の高さまで折り曲げたリードフレームを用意し、金型でモールドする際は、離型シートを採用して、電極の頭部が露出するようにする。 - 特許庁

To provide a lead frame laminate wherein outer-side terminal portions can be protruded during a plastic molding process and three-dimensional sealing effect is achieved on so small terminals that infiltration of resin cannot prevented only by adhesive force, to provide a heat-resistant sheet for use therefor, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device using them.例文帳に追加

樹脂封止時にアウター側の端子部を突出させることができ、しかも、粘着力だけでは樹脂の廻りこみを抑制できなかったような小さな端子に対しても、立体的なシール効果が得られるリードフレーム積層物およびそれに用いる耐熱性シート、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing of the leadframe having a heatsink, a plurality of connecting means 10, 20, 30 for the unit leads 1A of lines L1, L2, L3 on a leadframe 1 connect each of the heatsinks 2A on heatsink frames 2 to each of the unit leads 1A of the lines L1, L2, L3 of the lead frame 1.例文帳に追加

放熱板付きリードフレームの製造方法は、リードフレーム１における各列Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の単位リード１Ａを作業対象とする複数の接合手段１０、２０、３０により、前記リードフレーム１における各列Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の単位リード１Ａに対して、前記放熱板フレーム２における放熱板２Ａを１つずつ接合するよう構成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a semiconductor elements such as a power semiconductor element, or a control semiconductor element, are connected by means of a lead frame, improvement of electric characteristics and miniaturization of a device can be realized without breakdown of an electrode connection part caused by stress concentration during resin sealing and high producibility can be attained, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

パワー半導体素子や制御半導体素子等の半導体素子をリードフレームで接続する半導体装置で、電極接続部が樹脂封止の際の応力集中により破壊することなく、電気特性の向上や装置の小型化が図れ、かつ、高い生産性を達成できる半導体装置及び半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface-mounted type light-emitting diode, in which generation of crack of thermosetting resin and generation of open failure to a lead frame of an LED chip are prevented, by improving a thermal curing process of the thermosetting resin when at least the LED chip is sealed with the thermosetting resin, having light transmission property, and to provide a method for manufacturing the light-emitting diode.例文帳に追加

透光性のある熱硬化性樹脂による少なくともＬＥＤチップの封止にあたり、当該熱硬化性樹脂の熱硬化過程に工夫を凝らし、当該熱硬化性樹脂のクラックやＬＥＤチップのリードフレームとの間のオープン不良の発生を未然に防止するようにした表面実装型発光ダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the copper foil 36 is arranged also between a backside of the circuit board 12 in which the bonding pad 32 is formed and the lead frame 16 so as to raise the rigidity of a part established by forming the bonding pad 32 and so as to improve the connection strength of the bonding pad 32 and the bonding wire 30, by preventing the escape of supersonic vibration due to ultrasonic fusion joining.例文帳に追加

また、ボンディングパッド３２が設けられる回路基板１２の裏面とリードフレーム１６の間にも銅箔３６を配置することで、ボンディングパッド３２が設けられる部位の剛性を上げ、超音波融着による超音波振動の逃げを防止してボンディングパッド３２とボンディングワイヤ３０の接続強度を向上させることができる。 - 特許庁

When the semiconductor device 2 is mounted on the island 10 of a lead frame 9, a detector 11 which detects the amount of the second deviation of the semiconductor device 2 mounted on the island 10 from a target mounting position on the island 10, and a correction circuit 12 which statistically processes the amount of the second deviation and feeds back a processing result for the calculation of position correction on the semiconductor device 2.例文帳に追加

半導体素子２をリードフレーム９のアイランド１０に搭載するにあたり、アイランド１０に搭載した半導体素子２とアイランド１０上の搭載目標位置との第２のずれ量を検出するずれ検出部１１と、この第２のずれ量の値を統計処理し、半導体素子２の位置補正計算にフィードバックする補正回路１２とを有する。 - 特許庁

In a stack structure wherein a plurality of semiconductor chips are stacked on a lead frame die pad 4, when the secondary bonding of a wire 5a is performed for a bump 6 which is formed in advance on an electrode pad of a chip 2 of an upper layer, a bending point 8 is provided near the bump 6 and a wire is laid toward the bump 6 having an angle obliquely downward therefrom.例文帳に追加

リードフレームダイパッド４上に半導体チップが複数積層されたスタック構造において、上層のチップ２の電極パッド上に予め形成されたバンプ６に対し、ワイヤー５ａの二次ボンディングをおこなう際、バンプ６付近で屈曲点８を持たせ、そこから斜め下方に角度をもってバンプ６に向かってなるワイヤー形状とする。 - 特許庁

To provide a deflash technique for removing flash from a portion to be plated before a plating process and after a sealing process by resin molding in a process of manufacturing a semiconductor package, and to provide a technique for removing side flash formed on a side of a lead frame where the deflash processing is difficult to be performed.例文帳に追加

半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行う前にメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージのデフラッシュ(deflash)技術を提供し、特に、デフラッシュ処理が困難な部位であるリードフレームの側方に形成されたサイドフラッシュ(side flash)を除去する技術を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric oscillator 10 is configured to include an electronic component 14 electrically connected to one side of a plurality of leads formed from a lead frame, a mold member for exposing the other side face of a plurality of the leads to seal the electronic component 14, and a piezoelectric vibration chip 18 joined with the other side face via a conduction member 34.例文帳に追加

圧電発振器１０は、リードフレームから形成した複数のリードの一側面に電気的に接続した電子部品１４と、前記複数のリードの他側面を露出させて前記電子部品１４を封止したモールド材と、前記複数のリードの他側面に、導電材３４を介して接合した圧電振動片１８と、を有する構成である。 - 特許庁

By forming the transparent conductive film 6 whose refractive index increases toward the top face of an optical semiconductor device 3 so as to cover from the top face of the optical semiconductor element over a lead frame 2b extracted outside from near the optical semiconductor device 3, there is not a large difference in refractive index between a semiconductor layer of the optical semiconductor device 3 and the transparent conductive film layer.例文帳に追加

光半導体素子３の上面に向かって高い屈折率を有した透明導電膜６を、光半導体素子３上および光半導体素子３近傍から外側に導出するリードフレーム２ｂにかけて被覆させることにより、光半導体素子３の半導体層と透明導電膜層間での屈折率に大きな差が生じなくなる。 - 特許庁

To provide a resin sealing method and a resin sealing apparatus of electronic components for efficiently preventing a resin burr from occurring on a chip non-fitting surface when injecting resin into a die cavity where a chip is fitted while covering the semiconductor chip non-fitting surface of a lead frame in which the semiconductor chip is fitted with a mold release film.例文帳に追加

半導体チップを装着したリードフレームの半導体チップ非装着面に離型フィルムを被覆した状態で、該チップを嵌装した金型キャビティ内に樹脂を注入する場合に、該チップ非装着面に樹脂ばりが発生することを効率良く防止することができる、電子部品の樹脂封止方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Since a GaAs Hall element chip 3 is mounted on the surface of an insulating substrate 14 having a surface sealed with plastic resin 6 and a bare rear surface, plastic resin 6 being employed in a prior art Hall element 1 for covering the back side of lead frame 2 is eliminated resulting in a smaller and thinner Hall element.例文帳に追加

絶縁性基板１４の表面にＧａＡｓホール素子チップ３を実装し、絶縁性基板１４の表面側のみプラスチック樹脂６で封止して絶縁性基板１４の裏面をベアーとすることにより、従来のホール素子１に用いられていたリードフレーム２の裏面側を覆うプラスチック樹脂６が不要となり、その分だけ小型で薄型のホール素子１０が得られる。 - 特許庁

The manufacturing method of the bar for the lead frame includes the stages of forming the bar having the irregular-shaped cross section, having at least two kinds of thicknesses in a width direction of the bar; forming a groove on one surface of the thick portion of the bar; and forming the flow passage for fluid in the inside of the thick portion by covering the groove.例文帳に追加

リードフレーム用条材の製造方法は、条材の幅方向において少なくとも２種類の肉厚を有する異型断面条材を成形する工程と、前記条材の厚肉部の一方の面に溝を形成する工程と、前記溝に蓋をすることによって前記厚肉部の内部に流体用の流路を形成する。 - 特許庁

The die pad 16 of the lead frame includes recessed portions 18 which are regularly arrayed, or a through hole is bored in the die pad 16 from the top surface to the reverse surface to stably supply solder to a chip of very small size by an amount suitable for joining, thereby suppressing creeping of solder onto a chip surface from the chip flank during the joining of the chip.例文帳に追加

リードフレームのダイパッド１６に規則的に配列された凹部１８を設け、あるいはダイパッド１６の表面から裏面への貫通孔を設けることにより、微小なサイズのチップに対して接合に適した量のはんだを安定して供給でき、チップの接合時のチップ側面からチップ表面へのはんだの這い上がりを抑制することが可能となる。 - 特許庁

The heat-resistant adhesive contains a heat-resistant thermoplastic resin as the main component and is used for bonding a semiconductor chip to a lead frame in the step of assembling a semiconductor package, provided the linear thermal expansion coefficient of the adhesive component of the adhesive at its glass transition temperature or higher is 3,000ppm (1/°C) or lower.例文帳に追加

半導体パッケージの組立工程において半導体チップとリードフレームを接着する為に用いられる耐熱性熱可塑性樹脂を主成分とする耐熱性接着剤であって、接着成分の線熱膨張係数がガラス転移点以上の温度で３０００ｐｐｍ（１／℃）以下であることを特徴とする耐熱性接着剤。 - 特許庁

A semiconductor device includes a visible light emitting semiconductor, at least one transparent spacer having a radius and disposed such as to encapsulate the light emitting semiconductor, a layer including a fluorescent material disposed on top of the transparent spacer, and a lead frame connected to the light emitting semiconductor that supplies power to the light emitting semiconductor and enables the light emitting semiconductor to emit light.例文帳に追加

半導体装置であって、可視光発光半導体と、発光半導体をカプセル封止するよう配置された少なくとも１つの半径を有する透明スペーサと、透明スペーサの上に配置された、蛍光材料を含む層と、発光半導体に接続されて、発光半導体に電力を供給し、発光させるリード・フレームとを有する。 - 特許庁

A feed roller 6 is driven to feed a lead frame 1 and to retract above through a single actuator by turning a cam 73b coupled with a pulse motor 60 for turning the feed roller 6 through a unidirectional clutch 73a when the pulse motor 60 is turned reversely thereby obtaining up/down motion of the feed roller 6.例文帳に追加

送りローラ６がリードフレーム１を送りおえて上方に待避する動きを送りローラ６を回転させるパルスモータ６０に１方向クラッチ７３ａを介して結合したカム７３ｂをパルスモータ６０を逆回転させた時に回るようにして送りローラ６の上下動作を得るようにして１個のアクチュエータで送りローラ６を駆動する。 - 特許庁

The closing motion assisting device 100 is provided with a casing 11 disposed at the door; an electric actuator 15 provided in the casing 11 and driven by signal input from the outside of the casing; and a lead-in latch 45 drawing a strike of a door frame by projecting in an arcuate moving locus from the casing 11 by operating force obtained by the drive of the electric actuator 15.例文帳に追加

閉動助勢装置１００において、扉に配設される筺体１１と、筺体１１に内設され筺体外部からの信号入力によって駆動される電動アクチュエータ１５と、この電動アクチュエータ１５の駆動による作動力によって筺体１１から弧状の移動軌跡で突出して扉枠のストライクを引き寄せる引込みラッチ４５とを設けた。 - 特許庁

In a light source device 1, including a semiconductor light- emitting element 3 made of an InGaAlP-, InGaAlN- or InGaN-based material, the element 3 is mounted on a pattern 2a of a lead frame for the element 3 and at its cathode side die-bonded thereto, and a bonding wire 5b extending from an anode of a rectifying element 4 is also wire-bonded thereto.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子３からなる光源装置１において、リードフレームで成形した半導体発光素子３のパターン２ａには、半導体発光素子３のカソード側が載置されてダイボンドされるとともに、整流素子４のアノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされる。 - 特許庁

In the speaker 1, the lead wire 11A of the voice coil 11 is fixed on the diaphragm 10 and pulled out along the diaphragm 10, the bottom surface 13A of a frame 13 for supporting the diaphragm 10 is arranged opposite to the back surface of the diaphragm 10, and protrusions 13B protruding toward the back surface of the diaphragm 10 are formed on the bottom surface 13A.例文帳に追加

スピーカ１は、ボイスコイル１１のリード線１１Ａを振動板１０に固着して振動板１０に沿って引き出し、振動板１０を支持するフレーム１３の底面１３Ａを振動板１０の背面に対面して配備し、底面１３Ａ上に振動板１０の背面に向けて突出する突起部１３Ｂを形成している。 - 特許庁

The lead frame 200 includes a plurality of leads 210, a branch piece 220, and a coupling bar 230, wherein the leads 210 is formed on a first plane 201 and the branch piece 220 is formed on a second plane 202, so that the branch piece 220 is lower, and a coupling bar 230 is formed between the first plane 201 and second plane 202.例文帳に追加

複数のリード２１０、分岐片２２０及び連結バー２３０を備えるリードフレーム２００において、リード２１０は第一平面２０１に形成され、分岐片２２０は第二平面２０２に形成されることにより、分岐片２２０は下がり、連結バー２３０は第一平面２０１と第二平面２０２との間に形成されている。 - 特許庁

The lead frame 1 includes a reflection film 13 having a thickness of 50 nm or more composed of aluminum or an aluminum alloy and formed on a substrate 11 composed of copper or a copper alloy, and a noble metal film 14 having a thickness of 5-50 nm consisting of one kind or more selected from Pd, Au, Pt and formed on the reflection film 13.例文帳に追加

リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜１３を備え、さらに反射膜１３上にＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜１４を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The back face of the semiconductor element 2a and a part of the lead frame are exposed.例文帳に追加

半導体装置は、積層された半導体素子２ａ、２ｂと、インナーリード５を有するリードフレームと、半導体素子２ａ、２ｂ同士およびそれらとリードフレームのインナーリード５を接続した第１および第２のワイヤ６と、リードフレームのインナーリード５、半導体素子２ａ、２ｂ、第１のワイヤ６、第２のワイヤ６を封止する封止樹脂体１とを備え、半導体素子２ａの裏面、およびリードフレームの一部は露出している。 - 特許庁

To evade a case wherein stress generated when thermosetting synthetic resin sets extends to an optodevice, such as an LED semiconductor chip 4 mounted on a lead frame, a circuit board 1, etc., without causing any decrease in transmissivity to light when the optodevice is sealed with a package body of a thermosetting resin such as a transparent epoxy-based synthetic resin.例文帳に追加

リードフレーム又は回路基板１等に搭載したＬＥＤ半導体チップ４等のオプトデバイスを、透明なエポシキ系合成樹脂等の熱硬化性合成樹脂によるパッケージ体にて密封する場合に、オプトデバイスに前記熱硬化性合成樹脂が硬化するときのストレスが及ぶことを、光の透過率の低下を招来することなく、回避する。 - 特許庁

Since a low stress inside sealing resin 15 is injected into a molding space A at a low pressure and a low velocity, and the inside sealing resin 15 seals a semiconductor element 11, part of a lead frame 12, and the wire 13, it is possible to prevent the defect such as the deformation and breaking of the wire 13, or short circuit between the wires 13.例文帳に追加

低応力の内側封止樹脂１５を成形空間Ａに低圧及び低速度で注入して、内側封止樹脂１５により半導体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１３を封止しているので、ワイヤー１３の変形や断線、あるいは各ワイヤー１３同士の短絡等の不良を良好に防止することができる。 - 特許庁

This image sensor is provided with a light source 17 having a reed frame section 4 having a plurality of light emitting elements and a sensor board 18 having a sensor chip with a plurality of light receiving elements 12 that receive a light from the light source 17, and also with a conductive member 10 that keeps a plurality of lead terminals of the light emitting elements to have a same potential.例文帳に追加

複数の発光素子を有するリードフレーム部４を具備する光源１７と、前記光源からの光を受光する複数の受光素子１２を有するセンサチップを具備するセンサ基板１８とを備えるイメージセンサにおいて、複数の前記発光素子のそれぞれの複数のリード端子を同電位とする導電性部材１０を設けることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is formed in such a structure that a film 10 including an oxide of Zn and Al is formed on the front surface of a semiconductor assembly placed in contact with a polymer resin 12 by bonding a Si chip 5 and a metal lead frame 1 through metal coupling via a bonding layer 4A of a highly conductive porous metal using Ag having a three-dimensional mesh structure as a binding material.例文帳に追加

Ｓｉチップ５と金属リードフレーム１を、３次元の網状構造をもつＡｇを結合材としたポーラスな高導電性金属の接着層４Ａを介して金属結合により接合し、高分子樹脂１２と接する半導体組立体の表面にＺｎやＡｌの酸化物を含む皮膜１０を形成した半導体装置構造とする。 - 特許庁

The laminated insulating film 2 includes a first insulating resin layer 2-1 comprising epoxy resin containing 80 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the heat sink 1 side, and a second insulating resin layer 2-2 comprising epoxy resin containing 70 wt.% of heat dissipating filler 7 formed on the lead frame 3 side.例文帳に追加

そして、積層絶縁膜２は、ヒートシンク１側に形成され、放熱性フィラー７を８０重量％の割合で含有したエポキシ樹脂を含む第１層絶縁性樹脂層２-1と、リードフレーム３側に形成され、放熱性フィラー７を７０重量％で含有したエポキシ樹脂を含む第２層絶縁性樹脂層２-2を含むことを特徴としている。 - 特許庁

Semiconductor integrated circuit, comprising 4-cornered tab (14), multiple leads (18) of which the semiconductor chip is affixed to this tab and which extends from the said semiconductor chip to which bonding wires are connected, tab leads (16A ? 16D) by which the said lead frame (14) holds 2 sides at an obtuse angle, and the resin sealer that covers the whole of said semiconductor chip, tabs (14, bonding wire, tab-holding leads 16A ? 16D), and part of said lead (18). (See Figure 2) 例文帳に追加

半導体チップを固定した４角形のタブ(14)と、このタブ(14)にその一端が近接して設けられ、かつその一端部において前記半導体チップから延在せられたボンディングワイヤが接続された複数のリード(18)と、前記４角形タブ(14)の角部から連続してその角部を挟むタブ(14)の２辺に対して鈍角をなす方向に延在する前記タブ(14)支持用のタブ吊りリード(16A～16D)と、前記半導体チップ、タブ(14)、ボンディングワイヤ、タブ吊りリード(16A～16D)の全体及び前記複数のリード(18)の一部を被覆するレジン封止体とからなることを特徴とする半導体集積回路。 - 特許庁

Lead frame for semiconductor integrated circuit comprising, 4-cornered tab (14) for supporting semiconductor chip; multiple number of leads (18) for bonding wires at one end of the tab, a frame (12A, 12B) at the opposite end of the tab, and the tab support leads (16A ? 16D) extending from the 4 corners of said 4-cornered tab (14), characterized in that the tab support leads extend at an obtuse angle from the two sides of said 4-cornered tab (14). (See Figure 1) 例文帳に追加

半導体チップ支持用の４角形のタブ(14)と、このタブ(14)に一端が近接して設けられたボンディングワイヤ接続用の複数のリード(18)と、これらリード(18)の他端でこれらを支持する枠部(12A、12B)と、前記４角形のタブ(14)の角部から前記枠部(12A.12B)に延在する前記タブ(14)支持用のタブ吊りリード(16A～16D)とを有し、前記タブ吊りリード(16A～16D)は前記４角形のタブ(14)の角部からその角部を挟むタブ(14)の２辺に対して鈍角をなすような方向に延在してなることを特徴とする半導体集積回路用リードフレーム。 - 特許庁

In a lead frame 1 for light emitting diode being sealed partially in a resin for sealing a light emitting diode chip, the light emitting diode chip has a truncated conical reflection plane 2 for radiating the light emitted from the light emitting diode chip to the outside of the resin and the truncated conical reflection plane 2 has open bottom face and upper face.例文帳に追加

発光ダイオードチップを封入する樹脂中に、その一部を封じて使用される発光ダイオード用リードフレーム１において、前記発光ダイオードチップが発する光を樹脂外部に放射するように反射する、円錐台状の反射面２を備え、かつ、前記円錐台状の反射面２は、底面および上面が塞がれていない構造にすることで解決している。 - 特許庁

A power semiconductor chip and a control semiconductor chip controlling the power semiconductor chip are mounted on a lead frame, the semiconductor chips are electrically connected to their peripheral terminals with aluminum wires, and the power semiconductor chip and the control semiconductor chip are separately sealed up in different resin packages when the semiconductor chips are sealed up in a resin package.例文帳に追加

電力用半導体チップと該電力用半導体チップを制御する制御用半導体チップとをリードフレーム上に載置し、各半導体チップとその周辺端子とをアルミワイヤを介して電気的に接続した上で、各半導体チップを樹脂パッケージ内に封止するに際し、電力用半導体チップと制御用半導体チップとを互いに別体の樹脂パッケージ内に封止する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing capable of improving releasability after molding without deteriorating the adhesiveness to a lead frame and improving filling properties during the molding even without depending on a plasticizer or a silicone compound in the epoxy resin composition for sealing in which an inorganic filler is highly filled and to provide a semiconductor device using the composition.例文帳に追加

無機充填材を高充填化した封止用エポキシ樹脂組成物において、リードフレームとの密着性を低下させることなく成形後の離型性を向上させることができ、しかも、可塑剤やシリコーン化合物に依存せずとも成形時の充填性を向上させることが可能な封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lead frame 4 has a fitting engagement portion 44a in an unsealed area and the resin 3 has a fitting engagement auxiliary portion in an area corresponding to the fitting engagement portion 44a across the optical axis of the sleeve member 6 coinciding with the optical axis of an optical fiber.例文帳に追加

リードフレーム４は、嵌合係合部４４ａを未封止領域に有し、樹脂３は、光ファイバの光軸と一致するスリーブ部材６の光軸を挟んで嵌合係合部４４ａに対応する領域に、嵌合係合補助部を有し、スリーブ部材６は、嵌合係合部４４ａ及び嵌合係合補助部にそれぞれ対応する被係合部６２ａと被係合補助部６２ｄを有する。 - 特許庁

As a result, a lead frame is realized where the leads are made a fine pattern and deformation of the leads is prevented.例文帳に追加

第１の主面４１および第２の主面４２を有する第１の導電箔６０の第１の主面４１を覆う熱硬化性樹脂層５０Ａ上に第２の導電箔６２をエッチングして形成した導電パターン５１をリードＬとして用い、導電パターン５１の第２の主面４２の側で第１の導電箔６０によりリードＬを一体に支持することにより、リードを微細パターンにし、リードの変形を防止するリードフレームを実現する。 - 特許庁