「line-width」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To measure a line width, while detecting only a pit, by discriminating the pit generated on the surface of a pattern from a projection, in an inspection device and a method of the wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの検査装置および方法において、パターンの表面に生じているピットと突起を区別し、ピットのみを検出しながら線幅の測定をできるようにすること。 - 特許庁

Caps 41a and 41b constituting a cap unit 41 have the same width as those of the recording heads 11a and 11b and are arranged in a line in the conveying direction under a condition that both end parts are arranged in order.例文帳に追加

キャップユニット４１を構成するキャップ４１ａ、４１ｂは、記録ヘッド１１ａ、１１ｂと幅が同一であり、両端部が揃った状態で搬送方向に一列に配置される。 - 特許庁

As a result, the overlap parts of all the adjacent four shot regions are prevented from changing suddenly in a cumulative light exposure, that is, a pattern can be prevented from suddenly changing in line width.例文帳に追加

この結果、隣接４ショット領域の全域で重ね合せ部分の積算露光量の急激な変化、すなわちパターン線幅の急激な変化の発生を防止することができる。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

To adjust an exposure luminous energy in each area precisely set within a substrate plane, to improve uniformity in a resist residual film after a developing process and to suppress variations in the line width and pitches of a wiring pattern.例文帳に追加

基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を調整し、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁

In the absorbent article 1, a length of a transverse line intersecting the absorbent article 1 through a center C in its plane view is longer than a width of the crotch part.例文帳に追加

吸収性物品１は、好ましくは、該吸収性物品１の平面視における中心Ｃを通って該吸収性物品１を横断する横断線の長さが、クロッチ部の幅よりも長い。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a method of manufacturing the same which are capable of narrowing a word-line width for increasing the integration degree or the like while securing a withstand voltage between bit lines.例文帳に追加

高集積化等のために、ビット線間の耐圧を確保しながら、ワード線の幅を狭めることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a line width which is practically needed can be secured by using this simple exposing method, so that it becomes easy to design and manufacture the mask 8, and the cost of the microwave circuit board can be reduced.例文帳に追加

この簡便な露光方法を用いて実用上必要な線幅を確保できるのでマスク８の設計と製作が簡単になり、立体回路基板のコストダウンにつながる。 - 特許庁

A rate of a groove area ratio Sin at a second side in the tire width direction with a tire center line as a center to a groove area ratio Sout at a first side is not smaller than 1.10 and smaller than 1.25.例文帳に追加

タイヤセンターラインを中心としてタイヤ幅方向の第２の側の溝面積比率Ｓinの、第１の側の溝面積比率Ｓoutに対する比は、１．１０以上１．２５未満である。 - 特許庁

The projection part 50 is positioned on an extension line L1 along the extension direction of a lug groove 30M, and extends toward the outside in the tread width direction TW from a sidewall 21 of the central land part row 20C.例文帳に追加

突起部５０は、ラグ溝３０Ｍの延在方向に沿った延長線Ｌ１上に位置し、中央陸部列２０Ｃの側壁２１からトレッド幅方向ＴＷ外側に向かって延びる。 - 特許庁

The computer readable code for applying the shrink correction comprises providing corner cutouts, and adjusting line width and length, shape modifications, etc. for forming features in a patterned layer.例文帳に追加

シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 - 特許庁

In a semiconductor device layout method, a minimum space specified by a design rule is equal to or smaller than the via concerning the width and space of the via and a metal interconnecting line.例文帳に追加

デザインルールにおいて規定される最小スペースが、ビア及びメタル配線の巾と間隔に関して、同等、又は、ビアの方が大きい半導体装置レイアウト方法に係る発明である。 - 特許庁

A display piece 8 having an appropriate width is formed in the other side crossing the one side of the opening 10 in the bag body 1 by a cutting line 6, leaving a coupling part 7.例文帳に追加

この袋体１の上記開口部１０の１辺部に交差する他辺部側には、連結部７を残し切線６によって適宜の幅を有する表示片８を形成している。 - 特許庁

A chamfering is applied at the top-most vertex of a crowning part 19 with a prescribed width, and a cross-section shape of the crowing part 19 has a straight line portion parallel to the contact face of a polymer membrane 20.例文帳に追加

頂部１９の頂点部分に所定の幅で面取りを施し、頂部１９の断面形状は、高分子膜２０の接触面に平行な直線部分を設ける。 - 特許庁

From an intra-surface tendency Z of the measured line width of the wafer, an improvable intra-surface tendency Za and a non-improvable intra-surface tendency Ze by the temperature correction of the thermal plate are calculated by using Zernike polynomials.例文帳に追加

その測定線幅の面内傾向Ｚから、ゼルニケ多項式を用いて、温度補正により改善可能な面内傾向Ｚａと改善不能な面内傾向Ｚｅが算出される。 - 特許庁

In the packaging material 1 including a laminated body having a plurality of laminated films 2, 3, a tearing guide line M constituted of a groove having a width of 1-10 μm is formed on the surface of the packaging material.例文帳に追加

複数のフィルム２、３を積層した積層体からなる包装材１において、包装材の表面に幅１μｍ〜１０μｍの溝からなる引き裂き誘導線Ｍを施す。 - 特許庁

An interval L of the upper-layer routing lines 7 is set to (2W+D) obtained by adding an interval D of the lower-layer routing lines 6 to the double of a line width W of the lower-layer routing lines 6.例文帳に追加

上層引き回し線７の間隔Ｌは、下層引き回し線６の線幅Ｗの２倍に該下層引き回し線６の間隔Ｄを加えた値（２Ｗ＋Ｄ）となっている。 - 特許庁

To provide a printed board buffer stocker capable of stocking each printed board of a different width for a process adjustment in a carrying line of the printed board for carrying printed boards of different widths.例文帳に追加

幅の異なるプリント基板が搬送されるプリント基板の搬送ラインにおいて、工程調整のために異なる幅のプリント基板ごとにストックを可能とするプリント基板バッファストッカの提供。 - 特許庁

In this heat exchanger, the fin 1 is arranged between tubes, and the line connecting middle points in the width direction of the louver forms an angle with respect to the wind direction.例文帳に追加

熱交換器は、チューブ間に上記構成のフィン１を配置し、かつルーバーの幅方向の中点を結ぶ直線が、風の流れ方向に対して角度を有するように配置した構成とする。 - 特許庁

To provide a means for eliminating, at a low cost, mutual dislocation in the paper width direction of a male type ruling roll and a female type ruling roll in ruling work in a corrugated cardboard sheet manufacturing line.例文帳に追加

段ボールシート製造ラインの罫入加工において、雄型罫線ロールと雌型罫線ロールの相互の紙幅方向の位置ずれを低コストで解消できる手段を実現する。 - 特許庁

Recessed parts 46 are formed at both end parts in the width direction of the resin film 40 corresponding to a parting line 26 in molding a mold part 22 on an inner peripheral part of an insertion hole 24.例文帳に追加

樹脂フィルム４０の幅方向両端部には、挿通孔２４の内周部分におけるモールド部２２成形時の片割れ線（パーティングライン）２６に対応して凹部４６が形成されている。 - 特許庁

To provide an exposure data generating method and an exposure method such that variations in line width among patterns are reduced in spite of various process variations including unknown variations.例文帳に追加

本発明は、露光データ作成方法及び露光方法に関し、未知のばらつきを含む様々なプロセスばらつきに対してパターン間の線幅のばらつきを低減することを目的とする。 - 特許庁

The radiation antenna elements 24a-24j has a width smaller than a half of a length W of a short side of the rectangular radiation antenna elements at one apex angle and are connected to a side of the feeder strip line 23.例文帳に追加

放射アンテナ素子24a〜24jは、その１つの頂角において、矩形の放射アンテナ素子の短辺の長さＷの１／２以下の幅で、給電ストリップ線路２３の側辺に接続されている。 - 特許庁

To attain an inexperienced high degree of cleanliness of 0.1 μm particle class 1 required for a transfer device with miniaturization of a line width on a highly integrated semiconductor wafer.例文帳に追加

高集積度半導体ウエハ上の線幅の微細化に伴い、移載装置にも従来にない高クリーン度０．１μｍ粒子クラス１が要求されるため、これに対応することにある。 - 特許庁

If the display label 12 corresponding to each of the chromatograms 11 is subjected to click operation, only the selected chromatogram 14 is subjected to highlight display (line width becomes thick) to become conspicuous.例文帳に追加

各クロマトグラム１１に対応付けられている表示ラベル１２をクリック操作すると、選択されたクロマトグラム１４のみがハイライト表示（線幅が太くなる）されて目立つようになる。 - 特許庁

The monument consists of the body, capping stone and stone pedestal, and the body is a prismatic column 125 cm in height and 60 cm in width, on which 80 kanji (Chinese characters) of 6 lines are engraved in yagen-bori style (a carving method in which each line is cut or carved so that its section is V-shaped). 例文帳に追加

碑身、笠石、台石からなり、材質は安山岩、碑身は高さ125センチメートル、幅60センチメートルの角柱で6行80文字の漢字が薬研彫りで刻まれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a binary chromium mask blank and a halftone phase shift mask blank each having a minimum line width of ≤100 nm, and to provide a method of manufacturing the mask blank.例文帳に追加

最小線幅１００ｎｍ以下のバイナリークロムマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、並びに該マスクブランクスを用いたマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation system and a film formation method that can set a target film thickness of film formation per substrate and can thus form a film thickness corresponding to an electrode line width.例文帳に追加

基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer wiring board by protecting an interconnection having a narrow line width out of the interconnection patterns from a moisture penetration to improve the moisture resistance.例文帳に追加

配線パターンのうちの線幅の小さい配線を外部からの水分の浸入から保護し、湿度に対する耐性を改良することにより、より信頼性の高い多層配線板を提供する。 - 特許庁

The contour shape of each of the actuator units 21 is formed to be in a rough parallelogram, and the long side thereof is extended in a paper width direction inclined to the contour line 4a of the fluid channel unit 4.例文帳に追加

各アクチュエータユニット２１の外形は略平行四辺形状になっており、その長辺は流路ユニット４の外形線４ａに対して傾斜した用紙幅方向に延在している。 - 特許庁

Two cursor engagement projections 24 of the lift plate 20 are provided respectively at the right and left sides of the center line in the width direction of the paper sheet of the lift plate 20.例文帳に追加

リフト板２０のカーソル係合突起２４は、リフト板２０の用紙幅方向中央線の左右に１箇所ずつ計２個設けられ、各々が幅方向カーソル３０に向かって突出する。 - 特許庁

To provide a method for producing a novolak resin for a positive-type photoresist, capable of sufficiently controlling its dissolving speed in alkali, and consequently forming such an extremely fine pattern that the line width is 0.30 μm.例文帳に追加

アルカリ溶解速度が充分に制御され、その結果線幅が０.３０μmと言う極めて微細なパターン形成を可能とする、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂を提供する。 - 特許庁

To accurately control a width distribution of ultraviolet rays radiated in a line to an irradiation object, in a structure in which a diffraction grating pattern is formed on each side of a diffractive optical element.例文帳に追加

回折光学素子の両面に回折格子パターンが形成された構造で、照射対象にライン状に照射される紫外線の幅方向の配光を精度よく制御する。 - 特許庁

To reduce the line width of a fluorine laser almost to 0.2 to 0.3 pm without using a band narrowing element such as an etalon.例文帳に追加

フッ素レーザにおけるライン幅を、エタロン等の狭帯域化素子を用いること無く、０．２〜０．３ｐｍ程度まで狭帯域化することのできる超狭帯域化フッ素レーザ装置を提供する。 - 特許庁

In a microstrip array antenna, the width of a feeding strip line 13 is set to match the impedance on the input side and the output side from a level difference 17.例文帳に追加

本発明のマイクロストリップアレーアンテナでは、給電ストリップ線路１３の幅は、段差１７の位置から入力側と出力側とでインピーダンスが整合するように設定されている。 - 特許庁

To make it possible to avert the widening and narrowing of the line width of patterns at field boundaries in a pattern data forming method for forming the pattern data of a photomask for semiconductor device production.例文帳に追加

半導体デバイス製造用のフォトマスクのパターンデータを作成するパターンデータ作成方法において、フィールド境界でのパターンの線幅の太り、細りを回避できるようにする。 - 特許庁

To provide a stable wiring structure having small contact areas for wiring formed in a self-aligning way with a very narrow line width and a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

自己整合技術を用いて形成された微細な線幅を有する配線に対して、安定でコンタクト領域の面積が小さい配線構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a photomask capable of suppressing the reduction of the line width of an isolated pattern even when the photomask has a dense pattern and an isolated pattern and to obtain an exposure device with the photomask.例文帳に追加

孤立パターンと密集パターンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターンの線幅が細くなるのを抑制できるフォトマスク及びそれを備えた露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition giving a resist pattern with a suppressed change in line width when observed with a scanning electron microscope(SEM) in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときに、線幅の変動が軽減したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

This module adjusts the line-height automatically, when reference conditions change by using font characteristics and by applying the exponential function to the average width of the cluster having the font characteristics.例文帳に追加

このモジュールは，フォント特性を使用して，そのフォント特性を有するクラスタの平均幅に指数関数を適用することで，閲覧条件が変化すると動的に行高を調整する。 - 特許庁

To provide an exposure system which is capable of forming resist patterns each having an identical line width with each of a plurality of photomasks used to manufacture semiconductor devices that are classified into the same product group and conform to the same design rule.例文帳に追加

同一デザインルールかつ同一製品群の半導体装置の製造に用いる複数のフォトマスクのそれぞれで、同一線幅のレジストパターンを形成可能な露光システムを提供する。 - 特許庁

To solve the problems wherein, in an NMR device, when an output from a room-temperature shim coil is enlarged, a temperature gradient is generated in a sample domain, and an NMR spectrum line width is widened, to thereby lower sensitivity.例文帳に追加

ＮＭＲ装置では、室温シムコイルの出力が大きくなった場合に、試料領域に温度勾配が発生し、ＮＭＲスペクトル線幅が広がり感度低下を招く。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolution performance, small in LWR (Line Width Roughness), favorable in PEB (Post Exposure Bake) temperature dependency and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A control unit 161 extracts the aging trend of the line width of the pattern formed by the coating development treatment system 1 on the basis of measuring information accumulated in the accumulating unit 160.例文帳に追加

制御装置１６１では，蓄積装置１６０に蓄積された測定情報に基づいて，塗布現像処理システム１で形成されるパターンの線幅の経時的な傾向を導出する。 - 特許庁

A linear component is calculated from a distribution of the second line width within the wafer surface (step S7), and light exposure quantity is corrected for every exposure region based on the linear component (steps S8 and S9).例文帳に追加

第２の線幅のウェハ面内分布から線形成分を算出し（ステップＳ７）、当該線形成分に基づいて露光量が各露光領域毎に補正される（ステップＳ８、Ｓ９）。 - 特許庁