「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(301ページ目) - Weblio英語例文検索

An electrical angle detecting point P for stopping electric power supply to an exciting coil 12 of a stator, is set to an electrical angle just before the electrical angle in the vicinity of a proper electrical angle of power supply voltage to the respective exciting coils 12 in a reset-to-zero position of the pointer 14 regulated by a stopper mechanism 17.例文帳に追加

ステータの励磁コイル１２への電力供給を停止するための電気角検出ポイントＰを、ストッパ機構１７により規定される指針１４の帰零位置における各励磁コイル１２への給電電圧の適正な電気角の近傍であって該電気角の直前の電気角に設定する。 - 特許庁

A part 2 of devices equipped in the airship 1 is lifted down from the airship 1 descending in a state that its own weight is slightly larger than buoyancy by a lifting-down rope 4, and the lifted-down devices 2 are landed onto the descending point P on a land surface to use the devices 2 as an anchor perfectly or imperfectly blocking flight of the airship 1.例文帳に追加

浮力よりも自重がわずかに大きな状態で降下する飛行船１から飛行船１に設備されている機器類の一部２を吊降用ロープ４で吊降ろし、吊降ろした機器類２を陸地面からなる降下地点Ｐに着地させて飛行船１の飛行を完全にまたは不完全に阻止するアンカとする。 - 特許庁

In the printer 100, images can be printed in parallel on a plurality of recording sheets P by means of a plurality of print units 10 by increasing/decreasing the number of the print units 10 where a first sheet feed guide path 58 and a first sheet discharge guide path 90 are stacked while directing the same direction.例文帳に追加

プリンタ装置１００では、第１給紙ガイド路５８及び第１排紙ガイド路９０が同一方向に向いた状態で積み重ねられた印刷ユニット１０の台数を増減することにより、複数台の印刷ユニット１０により複数枚の記録紙Ｐに対して並列的に画像を記録できる。 - 特許庁

To avoid liquid compression during a compression stroke by a compressor 1 when a refrigerant which includes a single refrigerant and a mixed refrigerant having a characteristic that a saturated gas line and an isentrope have two or more intersection or contact points in a superheating area on a P-h diagram, is used as a refrigerant enclosed in a refrigerant circuit.例文帳に追加

冷媒回路に封入する冷媒としてＰ−ｈ線図上での過熱域において飽和ガス線と等エントロピー線が２点以上の交点もしくは接点を有する特性を持つ単一冷媒および混合冷媒を含む冷媒を用いた場合に圧縮機１の圧縮行程中の液圧縮を回避する。 - 特許庁

To provide a device and a method capable of measuring the intensity distribution in an EUV light beam being emitted from an EUV light source precisely and capable of measuring the mixing ratio of s polarization component and p polarization component included in the EUV light.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ光源から放出されるＥＵＶ光束内の強度分布を精密に測定可能であって、更に当該ＥＵＶ光に含まれるｓ偏光成分とｐ偏光成分の混合比を測定可能なＥＵＶ光強度分布測定装置及びＥＵＶ光強度分布測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The measuring probe 1 is provided with a light guide member 2 for simultaneously transmitting the optical information for measuring the distance between the plasma electrodes E1, E2 in the plasma discharge processor P and the optical information for measuring the spectral intensity of the plasma in a discharge space formed between the plasma electrodes E1, E2.例文帳に追加

測定プローブ１は、プラズマ放電処理装置Ｐにおけるプラズマ電極Ｅ１、Ｅ２間の距離を測定するための光情報と、プラズマ電極Ｅ１、Ｅ２間に形成される放電空間におけるプラズマの分光強度を測定するための光情報とを同時に伝送する光導部材２を備える。 - 特許庁

In the paper post-processing device 10 for loading the paper P ejected from the image forming apparatus 1 to stack on the paper ejection tray 11, a plurality of ascending/descending tray parts 11A to 11E ascending/descending independently of the paper ejection tray are provided along in a direction crossing a paper ejecting direction.例文帳に追加

画像形成装置１から排出される用紙Ｐを積み重ねるようにして排紙トレイ１１の上に積載させる用紙後処理装置１０において、上記の排紙トレイに対して独立して昇降する昇降トレイ部１１Ａ〜１１Ｅを、用紙の排出方向と交差する方向に沿って複数設けた。 - 特許庁

Thus, when the auxiliary side surface guide 43 is in the projecting state, as compared with a case where the auxiliary side surface guide 43 is not in the projecting state, time which is the floating action timing is increased, and more air is blown from a floating auxiliary air blowout port 52 to the tip surface of the paper P loaded on the paper placing stand 2.例文帳に追加

これにより、補助側面ガイド４３が突出状態のとき、補助側面ガイド４３が突出状態でない場合よりも、浮上動作タイミングである時間を多くして、浮上補助エア吹出口５２から用紙載置台２に積載された用紙Ｐの先端面により多くの空気を吹き付ける。 - 特許庁

In an n-type main semiconductor layer 1, in a region between a p channel layer 2 and an n^+ type field stop layer 5, an n-type low concentration base layer 14 and an n-type extremely low concentration base layer 15 of which the impurity concentration is lower than that are alternately repeatedly provided perpendicular to a first main plane of the n-type main semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎ型主半導体層１において、ｐチャネル層２とｎ^+型フィールドストップ層５の間の領域に、ｎ型低濃度ベース層１４およびそれよりも不純物濃度の低いｎ型極低濃度ベース層１５が、ｎ型主半導体層１の第一主面に垂直に交互に繰り返し設けられる。 - 特許庁

A first edge guide 23 has a non-oscillating part 231 disposed to be movable in a width direction X and an oscillating part 232 capable of being oscillated to the outside and disposed upstream of a feeding direction Y, and restricts one end position while being abutted with one end in a width direction X of a recording paper sheet P placed on a hopper 21.例文帳に追加

第１エッジガイド２３は、幅方向Ｘへ移動可能に配設される非揺動部２３１と外方へ揺動可能な給送方向Ｙの上流側の揺動部２３２とを有し、ホッパ２１に載置された記録紙Ｐの幅方向Ｘの一端に当接した状態でその一端位置を規制する。 - 特許庁

A connection layer 105 for electrically connecting the first buffer layer 107 to the p-type semiconductor crystal layer 103 is prepared in the opening 104A, to extract holes accumulated in the first buffer layer 107 through the connection layer 105.例文帳に追加

第１の緩衝層１０７をｐ伝導型半導体結晶層１０３に電気的に接続するための接続層１０５が開口部１０４Ａに配されており、第１の緩衝層１０７に滞留する正孔を接続層１０５を介してｐ伝導型半導体結晶層１０３に引き抜くことができる。 - 特許庁

In a CMOS of a dual-gate structure, a surface channel type PMOS whose gate electrode is formed with a P+ type poly-silicon film, is characterized in that arsenic or antimony is doped into the substrate under the gate electrode and nitrogen whose peak concentration is 2×1021/cm3 or more is doped into the gate oxide.例文帳に追加

デュアルゲート構造のＣＭＯＳにおいて、ゲート電極がＰ^＋型ポリシリコン膜で形成された表面チャネル型のＰＭＯＳを、そのゲート電極下の基板中にヒ素もしくはアンチモンが導入され、ゲート酸化膜に窒素がピーク濃度で２×１０^２１／ｃｍ^３以上導入されたもので構成する。 - 特許庁

The adhesion preventing plate 130 is used in the vacuum processing apparatus 100 for forming a film by adhering particles released from a material source 120 on an object P in a chamber 104 of a vacuum atmosphere, and prevents the formation of an adhered film containing particles on the inner surface of the chamber 104.例文帳に追加

真空雰囲気のチャンバー１０４内において材料源１２０から放出される粒子を対象物Ｐに付着させることで成膜を行う真空処理装置１００に用いられる、チャンバー１０４の内面に粒子を含む付着膜が形成されるのを防止する防着板１３０である。 - 特許庁

An elastic body layer 67 is formed in the outer circumferential face of the feed means 5, and the wall thickness of the boundary part 67g of the elastic body layer 67 is made larger than the wall thickness of the other parts, so that the sheet loading means 21 loading the sheet P absorbs the impact in press contacting with the feed means 5.例文帳に追加

さらに、給送手段５の外周面に弾性体層６７を形成すると共に、弾性体層６７のうち境目部分６７ｇの肉厚を他の部分の肉厚よりも厚くすることにより、シートＰを積載したシート積載手段２１が給送手段５に圧接する際の衝撃を吸収するようにする。 - 特許庁

In the alignment device aligning the sheet position in a sheet width direction orthogonal to the carrying direction of the image forming sheet P, carrying means 54, 55, 56, 57 carrying the sheet and releasing means 53, 59 releasing the holding force to the sheets by the carrying means are operated by the same driving source 50.例文帳に追加

画像形成用シート（Ｐ）の搬送方向に対して直交するシート幅方向のシート位置を整合する整合装置において、前記シートを搬送する搬送手段（５４・５５・５６・５７）と、前記搬送手段によるシートに対する挟持力を解除する解除手段（５３・５９）とが、同一の駆動源５０により動作する。 - 特許庁

A bag body P in which at least the innermost layer is formed of a thermoplastic resin and which is formed of a packaging material having a metallic foil layer in an intermediate layer, an uneven part A machined by the laser beam is provided on the innermost layer at least on one side of an inner side of an opening part to be finally sealed through the heat seal.例文帳に追加

少なくとも最内層の形成材料が熱可塑性樹脂であり、金属箔層を中間層に有する包装材料により構成された袋体Ｐであって、最終的にヒートシールにより封緘される開口部内面の少なくとも片側にて最内層にレーザー加工による凹凸Ａを設ける。 - 特許庁

The right radar 11R is arranged, to a predetermined preceding vehicle Q which exists at a position separated in the front in the cross direction from the vehicle (own vehicle P) by specific distance, so that the left end of a detection area AR of the right radar 11R matches the rear left end QL of the preceding vehicle Q.例文帳に追加

右レーダ１１Ｒは、車両（自車両Ｐ）から前後方向前方に所定距離だけ離れた位置に存在する所定の先行車両Ｑに対して、右レーダ１１Ｒの検出領域ＡＲの左端と先行車両Ｑの後部左端ＱＬとが一致するようにして配置されている。 - 特許庁

A printing device selection part (308) of the print server apparatus 30 selects according to a printing device management table (52) a printing device having a paper cassette that stores printing paper corresponding to a printing paper size in print data recorded in a print data recording part (306) and has the shortest distance to an image forming part (P).例文帳に追加

印刷サーバ装置３０の印刷装置選定部（３０８）は、印刷装置管理テーブル（５２）に基づき、印刷データ記録部（３０６）に記録されている印刷データの印刷用紙サイズに該当する印刷用紙を収納し、かつ、用紙カセットと画像形成部（Ｐ）との距離が最短の用紙カセットを具備する印刷装置を選定する。 - 特許庁

An inverter is configured to receive an input from the output voltage node and is configured to generate a cut-off signal, wherein the pull-down n-type threshold device is configured to be switched on in dependence on the control signal, and the pull-down p-type threshold device is configured to be switched off in dependence on the cut-off signal.例文帳に追加

インバータは、出力電圧ノードから入力を受け取るように構成され、カットオフ信号を生成するように構成され、プルダウンｎ型閾値デバイスは、制御信号に依存してオンに切り替えられるように構成され、プルダウンｐ型閾値デバイスは、カットオフ信号に依存してオフに切り替えられるように構成される。 - 特許庁

The nip member includes a first member 131 and a second member 132 arranged in the conveying direction of a recording sheet (paper P) and the fixing device includes an adjusting member 170 for adjusting the nip state by relatively moving the second member 132 with respect to the first member 131 in a direction where the nip member faces the backup member.例文帳に追加

ニップ部材は、記録シート（用紙Ｐ）の搬送方向に並んだ第１部材１３１と第２部材１３２を有し、第１部材１３１に対して第２部材１３２を、ニップ部材とバックアップ部材との対向方向に相対的に移動させることで、ニップ状態を調整する調整部材１７０が設けられている。 - 特許庁

The second housing 200 and the battery cover 250 compress the first packing 501 and are in opposition to each other across the second packing 502 when the battery cover 250 closes the opening 201, and compress the second packing 502 in accordance with a pressing force P applied to the second housing 200 and the battery cover 250.例文帳に追加

第２の筐体２００と電池カバー２５０とは、電池カバー２５０が開口部２０１を閉成したときに、第１のパッキン５０１を圧縮すると共に第２のパッキン５０２を挟んで対向し、第２の筐体２００と電池カバー２５０とに掛かる押圧力Ｐに応じて第２のパッキン５０２を圧縮する。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

Since a pin P of an electronic component C moves in a light L radiated in a horizontal direction by a light irradiating means 28, reflection of the light at a component body B and an external cylinder portion of the pin can be prevented and only the tip portion of the pin can clearly be imaged by vertically moving the pin, for example.例文帳に追加

光照射手段２８による水平方向に照射されている光Ｌ内で電子部品ＣのピンＰを移動させているので、例えばピンの移動を上下方向とすることにより部品本体Ｂ及びピンの外筒部での光の反射を防止でき、ピンの先端部のみを鮮明に撮像できる。 - 特許庁

In this attaching structure, a leg 2 of the grommet G including a head 1 and the leg 2 is inserted into a through hole Ma of an attachment target M, and then the leg 2 is expanded by a shaft body P pressed in from the head 1 side, so as to clamp and attach the attachment target M between the leg 2 and the head 1.例文帳に追加

頭部１と脚部２とを有するグロメットＧのこの脚部２を留め付け対象物Ｍの貫通穴Ｍａに挿通させた後に頭部１側から押し込まれる軸体Ｐにより脚部２を拡開させてこの脚部２と頭部１との間で前記留め付け対象物Ｍを挟み付けてこれに留め付く構造である。 - 特許庁

The cleaning device 1 removes the deposit T deposited in the distal end part 621 of the nozzle 62 by sucking the inert gas G3 which is blown from the outer periphery to the whole circumference of the distal end part 621 of the nozzle 62 through the blowing clearance 21 to the suction flow passage 3 in the state where the pilot arc P is generated.例文帳に追加

清掃装置１は、パイロットアークＰを発生させた状態において、吹付間隙２１からノズル６２の先端部６２１の全周へ外周側から吹き付けた不活性ガスＧ３を吸引流路３へ吸引することにより、ノズル６２の先端部６２１に堆積した堆積物Ｔを除去する。 - 特許庁

The image forming apparatus 100 includes: a body frame 200 placed on a placing surface S; an image forming means 300 disposed in an upper position inside the body frame 200; and a storage means 390 which is disposed in a lower position inside the body frame 200 and which stores a recording medium P to be supplied to the image forming means 300.例文帳に追加

画像形成装置１００は、載置面Ｓ上に載置される本体フレーム２００と、本体フレーム２００内の上方に設けられた画像形成手段３００と、本体フレーム２００内の下方に設けられ、画像形成手段３００に供給される被記録媒体Ｐを収納する収納手段３９０とを備える。 - 特許庁

In the polarization splitting plate 22, one beam of linearly polarized light (such as S polarized light) is permeated, and the other beam of linearly polarized light (such as P polarized light) is polarized into one linearly polarized light (such as S polarized light) by making the other beam move back and forth in a longitudinal direction within the second rod integrator 25.例文帳に追加

そして、偏光分離板２２では、一方の直線偏光光（例えばＳ偏光光）が透過され、他方の直線偏光光（例えばＰ偏光光）を、第２ロッドインテグレータ２５内を長手方向に往復動させることにより一方の直線偏光光（例えばＳ偏光光）に偏光される。 - 特許庁

In a structure where an n^+-type cathode region 6 is arranged in the center portion and p^+-type anode regions 7 are arranged on both sides of the n^+-type cathode region; an electrode pattern 11 is formed on a semiconductor element portion 8; and the electrode pattern 11 is connected to an electric-potential control portion 9, located on a side surface of the semiconductor element portion 8.例文帳に追加

ｎ^+型カソード領域６を中央に配置してその両側にｐ^+型アノード領域７を配置した構造において、半導体素子部８の上に電極パターン１１を形成すると共に、電極パターン１１が半導体素子部８の側面に位置する電位制御部９に接続された構造とする。 - 特許庁

An interlayer (104: adhesive layer or photo-polymer with evenly adjusted thickness ) where thickness variation is controlled to be a predetermined value or below (the thickness variation in the interlayer is 2 μmp-p or ±1 μm, or below during one rotation in any radius position) between a first recording part (L0) and a second recording part (L1).例文帳に追加

第１記録部（Ｌ０）と第２記録部（Ｌ１）との間に、厚み変動が所定値以下（任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が２μｍｐ−ｐあるいは±１μｍ以下）に管理された中間層（１０４：厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ）を設ける。 - 特許庁

A second collation section 46 collates the voice signal V with the sound model M by utilizing the phoneme model MP of the utterance strength L in the strength table TBL1 corresponding to the observation strength P which is measured by the strength measurement section 34, in the plurality of phoneme model MP which are set for each phoneme of the sound model M.例文帳に追加

第２照合部４６は、音響モデルＭの各音素に設定された複数の音素モデルＭPのうち、強度測定部３４が測定した観測強度Ｐに強度テーブルＴBL1にて対応する発声強度Ｌの音素モデルＭPを利用して、音声信号Ｖと音響モデルＭとを照合する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 10 can be connected to another element by the electrode 6 mounted at another side of the insulating supporter 1 in the thermoelectic conversion element 10, and can be connected in series at the upper and lower surfaces of the p-type and the n-type semiconductor elements 2a, 2b without using an electrode plate.例文帳に追加

熱電変換素子１０の絶縁支持体１他端側の側部に設置した電極６により、熱電変換素子１０同士を接続させることができ、ｐ型半導体素子２ａおよびｎ型半導体素子２ｂの上下面で電極板を用いることなしに熱電変換素子を直列に接続することができる。 - 特許庁

Based on a user ID stored in an ID card of the user, the user can check the printed image information stored in the paper information storage part 11 from the paper information storage part 11 to store the printed image information of the paper P and a terminal 13 accessible to the paper information storage part 11.例文帳に追加

使用者のＩＤカードＣに記憶された使用者ＩＤに基づき用紙Ｐの印刷済画像情報を記憶する用紙情報記憶部１１と、この用紙情報記憶部１１にアクセス可能な端末１３から使用者の用紙情報記憶部１１に記憶された印刷済画像情報を確認可能とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

For reducing the cost of manufacturing an active matrix type display device, a monoconductive TFT (which is either a p-channel TFT or a n-channel TFT) is used for all TFTs used in a pixel unit, and the same conductive TFTs as in the pixel unit are used to fabricate a drive circuit.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

The method includes forming a grid-like barrier wall 7 to form a plurality of sectional areas P of a substantially equal size, and then forming, by means of droplet discharge, a filling member 10 for adjusting the area in a part except openings 5e in sectional areas P2, P3.例文帳に追加

本発明に係る製造方法によれば、格子状の隔壁７を形成して略同じサイズの複数の区画領域Ｐを形成した後、当該複数の区画領域のうち、区画領域Ｐ２，Ｐ３における開口部５ｅを除いた部分に、液滴吐出法によって、面積を調整するための補填部材１０を形成する。 - 特許庁

In the cap equipped with a visor 2 projecting forward from the lower edge of a crown 1, a cloth 3 for pocket formation, which is semicircular in the plane view, is superposed on the surface of the visor 2, the front end of the visor 2 and the front end of the cloth 3 for pocket formation are mutually sewed to form a pocket P on the upper surface side of the visor 2.例文帳に追加

クラウン１の下縁から前方に突出して庇２を設けた帽子において、平面視半円状のポケット形成用生地３を庇２の上面に重ねて、庇２の先端縁とポケット形成用生地３の先端縁とを互いに縫着して、庇２の上面側にポケットＰを形成する。 - 特許庁

To provide a process condition for stacking a clad layer comprising p-type aluminum-gallium nitride on light emitting layer comprising a group III nitride semiconductor containing In without deterioration of the crystal quality of the light emitting layer to form a group III nitride semiconductor light emitting element excellent in light emitting efficiency.例文帳に追加

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In this method for distilling the styrene or the styrene derivative, a 4-arylazoresorcinol derivative is added as a polymerization inhibitor to the styrene or styrene derivative represented by following general formula (II) (e.g. p-tert-butoxystyrene) and distilling the styrene or styrene derivative in the presence of the polymerization inhibitor.例文帳に追加

４−アリールアゾレゾルシノール誘導体を重合禁止剤として、下記一般式（ＩＩ） （例えばｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）で表わされるスチレンまたはスチレン誘導体に添加し、重合禁止剤の存在下に該スチレンまたはスチレン誘導体を蒸留することを特徴とする、スチレンまたはスチレン誘導体の蒸留方法が開発された。 - 特許庁

The cocondensate is a condensate obtained by reacting a p-alkylphenol represented by general formula (1) (R is a 1-3C alkyl group) with formaldehyde in the presence of an alkali catalyst to give a resol type condensate and further reacting the resol type condensate with resorcinol in the presence of an acid while distilling away water.例文帳に追加

（式中、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基を表す）で示されるｐ−アルキルフェノールとホルムアルデヒドとを、アルカリ触媒の存在下で反応させて得られるレゾール型縮合物にさらに、レゾルシンを酸触媒の存在下、水を留去しながら反応させて得られる縮合物であることを特徴とする共縮合物。 - 特許庁

Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加

その後、図３（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極８及びＰ＋型拡散層６ａ，６ｂと接触したチタン層８が部分的にシリサイド化され、ゲート電極３上の表面にチタンシリサイド層９ａ、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂの表面にそれぞれチタンシリサイド層９ｂ，９ｃが形成される。 - 特許庁

In a fold-up type fixing device P for antenna pole composed of a fixture 9 for roof lateral side to be attached to the lateral side of the roof and a fixture 13 for wall to be attached to the wall, both the fixtures 9 and 13 are adjustable in the length and equipped with angle adjusting mechanism.例文帳に追加

屋根側面に取り付けられる屋根側面用固定具９と壁に取り付けられる壁用固定具１３とで構成され組み立て方式のアンテナ支柱用固定装置Ｐであって、前記双方の固定具９，１３が夫々長さ調節可能であると共に角度調節機構を具備した構成にする。 - 特許庁

The anti-static transparent resin plate P is formed of a transparent anti-static layer 3 containing a conductive powder at least to one side of a substrate 1 comprising a transparent amorphous polyester resin softened in a temperature range of 70 to 100°C through a transparent thermoplastic resin layer 2 to be hardly soften in the above temperature range.例文帳に追加

７０〜１００℃の温度域で軟化する透明な非晶性のポリエステル樹脂からなる基板１の少なくとも片面に、上記温度域では軟化し難い透明な熱可塑性樹脂層２を介して、導電粉末を含んだ透明な制電層３を形成した構成の制電性透明樹脂板Ｐとする。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

Development of coarse columnar crystals in a cast slab is restrained by adding Mg after realizing the chemical composition with the contents of C, N, Si, Mn, P, and Ti reduced as far as possible to obtain high workability and by dispersing MG-containing oxides to promote nucleation of solidification, and thus, the reduction of roping and ridging in the product is achieved.例文帳に追加

高加工性を得るために，Ｃ，Ｎ，Ｓｉ，Ｍｎ，ＰおよびＴｉをできるだけ低減した化学組成にした上で，Ｍｇを添加して，凝固の核生成を促進するＭｇ含有酸化物を分散させることにより，鋳片において粗大な柱状晶が発達するのを抑制して，製品のローピング，リジングの低減を図る。 - 特許庁