「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(171ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory element 10 has at least an electrode 2a and an electrode 2b arranged on a substrate 1, and has a nanowire structure 3, having a shell layer of a p-type semiconductor formed on an inorganic oxide nanowire of MgO etc., formed between the electrode 2a and electrode 2b.例文帳に追加

メモリ素子１０は、基板１上に少なくとも電極２ａおよび電極２ｂが配置されており、電極２ａおよび電極２ｂの間に、ＭｇＯなどの無機酸化物ナノワイヤにｐ型半導体であるシェル層が形成されたナノワイヤ構造体３が形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser element which has an buried structure, in which the occurrence of crystal defects resulting from the difference in plane orientations around a mesa stripe and the light absorbing property with respect to the emitted laser light is effectively suppressed, can be manufactured with high yield, and can main high reliability for a long period.例文帳に追加

メサストライプ周囲における面方位の違いに起因する結晶欠陥の発生が抑止され、出射レーザ光に対する光吸収性が効果的に抑制された埋込み構造を有し、歩留まりが良く、長期信頼性が得られる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that simplifies the structure ranging from the mount section of a semiconductor switching element to a radiating fin, has no problems of separation at the interface between metal in a wiring board and ceramics, and can reinforce heat radiation, and to provide a power module and the radiating fin.例文帳に追加

半導体スイッチング素子の実装部から放熱フィンに至る間の構造を簡単化して、配線基板における金属とセラミックスとの界面でのはがれの問題がなく、放熱を強化することができる半導体装置、パワーモジュールおよび放熱フィンを提供する。 - 特許庁

A sound propagated through a solid such as a knock sound can be detected as vibration, dynamic displacement on a position where the piezoelectric sensor element 14 in the concrete structure 12 is sealed can be also detected and the detected result can be converted into inner stress and evaluated by performing arithmetic processing by analysis means 20.例文帳に追加

又、打撃音等の固体伝搬音を振動として検出でき、コンクリート構造体１２内部の圧電センサ素子１４が封止された箇所における動的変位も検出可能であり、これを解析手段２０で演算処理することで、内部応力に変換して評価することが可能となる。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加

また、水素を吸蔵するＴｉ（９）と酸化膜（８）および（８’）の積層で強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいＢＰＳＧ（boron phosphorus silicate glass）（１２）の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

The element substrate 60 is provided with a TEG 40 including a pixel inspection circuit with the same structure as that of the pixel circuits and an external terminal 92 for the TEG electrically connected to the TEG 40 and the TEG 40 further includes a booster circuit which is a part of the driving circuit.例文帳に追加

素子基板６０には、画素回路と同一構造の画素検査回路を含むＴＥＧ４０と、このＴＥＧ４０に電気的に接続されたＴＥＧ用外部端子９２とが設けられ、ＴＥＧ４０は、駆動回路の一部である昇圧回路をさらに含んでいる。 - 特許庁

To provide an optical film for organic electroluminescence which has a structure for improving light taking efficiency of an organic electroluminescence element used as a display or the like of lighting, a mobile phone and a digital camera, and to provide an optical transfer sheet that uses the film.例文帳に追加

本発明は、照明等や携帯電話、デジタルカメラのディスプレイ等として用いられる有機ＥＬ素子の光取り出し効率を向上させる構造を有する有機ＥＬ用光学フィルムおよびそれを用いた光学用転写シートを提供することを課題とするものである。 - 特許庁

The antenna is equipped with an antenna element having a main part 1a in a shape obtained by approximating a nearly semicircular shape or a nearly semicircular arc by a polygon and an attached part 1b which is smaller than the main part 1a, and has a monopole structure feeding electricity to one end part of the diameter of the main part 1a.例文帳に追加

ほぼ半円形状あるいは、ほぼ半円の円弧を多角形で近似した形状の主部分１ａと、主部分１ａよりも小さい付帯部分１ｂとを有するアンテナエレメント１を備え、主部分１ａの直径の一端部に給電を行うモノポール構造を有する。 - 特許庁

Further, the structure is formed such that a pressure contact stress between the first main electrode post 2 and a first main electrode of the first semiconductor element 4 and the first intermediate pressure contact plate 3 is scattered, and a pressure contact stress concentration does not appear in a peripheral part of the contact surface of the first main electrode post 2.例文帳に追加

また、第１の主電極ポスト２若しくは第１の半導体素子４の第１の主電極と第１の中間圧接板３との間の圧接応力が分散され、第１の主電極ポスト２の接触面の周辺部分に圧接応力集中がないように構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of reproducing head which can form with high accuracy a reproducing head, including a magneto-resistance effect type reproduction element of a CPP structure by preventing variations in shape of a bias application layer, and thereby can stabilize reproduction output.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型再生素子を備える再生ヘッドに関して、バイアス印加層における形状のバラツキを防止して高精度に形成することを可能とし、それにより再生出力を安定させることが可能な再生ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a visible light communication dedicated modem for realizing a system immune to a multipath and suitable for multiplexing, a structure of a visible light receiving section that considerably affects communication performance and a communication system, that does not limit a communication element of a communication protocol, while making a wide band of visible light effectively available.例文帳に追加

可視光の広大な帯域を有効利用ができ、マルチパスに強く、多重化に向いた方式と、通信性能に影響の大きい可視光受光部の構造と、通信プロトコルの通信要素を限定しない通信方式とを実現する可視光通信専用モデムを提供する。 - 特許庁

(a) The photoelectric conversion element includes: an i-layer having a quantum-dot arrangement structure; an n-type semiconductor layer and an electron extraction electrode formed on an electron extraction end side of the i-layer; and a p-type semiconductor layer and a hole extraction electrode formed on a hole extraction end side of the i-layer.例文帳に追加

（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。 - 特許庁

A material excellent in thermal conductivity, containing glass is impregnated into a heater coil 1 of the catalytic combustion type gas sensor element, and a content of the glass material is made to increase from the central part of a heat conductive layer 3 toward both end parts along an axial direction of the heater coil 1, in structure thereof.例文帳に追加

接触燃焼式ガスセンサ素子のヒーターコイル１にガラスを含む熱伝導性に優れた材料を含浸させ、かつ、ヒーターコイル１の軸方向に沿って、熱伝導層３の中心部から両端部に向かいガラス材料の含有率が増加するような構造にする。 - 特許庁

A conductive film for passive elements, which are to become resistors and inductors or the like, is formed by etching the surface of oxide film to leave a plurality of flat surfaces which are identical to or larger than the width of the element on the base layer having a structure such that the flat surface and etching surface are allocated alternately.例文帳に追加

素子の幅と同等もしくはより大きい平面が複数個残るように酸化膜の表面をエッチングし、この平面とエッチング面が交互に並ぶような構造を下地にして、その上に抵抗やインダクタンス等になる受動素子用導電膜を堆積形成する。 - 特許庁

To perform read or write of information only to a radio tag circuit element of a reading or writing object with a simple structure and by a simple method even in case of using a high frequency such as UHF band, without requiring a means such as precise output or identification communication.例文帳に追加

ＵＨＦ帯等の高周波を用いる場合であっても、正確な出力や識別通信等の手法を必要とせず、簡易な構造かつ簡便な手法により読み取り又は書き込み対象の無線タグ回路素子に対してのみ情報の読み取り又は書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a novel composite structure thin-film material which contains simultaneously InSb particles or Sb particles of nano-scale and Al Oxide as mainly a matrix, as a means of manufacturing an inorganic EL element which emits excellently red, green and blue light utilizing nano-scale quantum size effect.例文帳に追加

本発明は、ナノスケール量子サイズ効果を利用した赤、緑及び青を良好に発光する無機ＥＬ素子を作製する手段として、ナノスケールのＩｎＳｂ粒子もしくはＳｂ粒子と、主にマトリクスであるＡｌ酸化物を同時に含む複合構造薄膜材料を新規に提供することにある。 - 特許庁

In the water-circulating-filter-type dust collector and the deodorizer of which features include an outercase (1) storing water and an innercase (2) with a structure efficiently to treat dust and malodor, air containing dust and malodor inside is made to pass through an element in which water used as a filter circulates.例文帳に追加

水を溜めるアウターケース（１）、粉塵・臭気を効率よく処理する構造を施したインナーケース（２）、以上の構成を特徴とする水循環フィルター式集塵・脱臭機で、フィルターとして使用する水が循環する装置に中に粉塵・悪臭を含む空気を通過させる。 - 特許庁

The storage element comprises a dual structure including a storage layer 17 having magnetization perpendicular to a film surface with a magnetization direction varying corresponding to information, insulation layers 16U, 16L provided above and below the storage layer 17, and magnetization fixed layers 15U, 15L provided above and below the insulation layers 16U, 16L, respectively, and each having magnetization perpendicular to the film face.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層１７の上下に配される絶縁層１６Ｕ、１６Ｌと、さらに膜面に垂直な磁化を有する上下の磁化固定層１５Ｕ、１５Ｌを備えたデュアル構造とする。 - 特許庁

The insulation circuit board has structure wherein one or more layers of a heat diffusion plate in which a ceramics plate is disposed are arranged between a circuit board and a radiating plate, the heat diffusion plate is made a current flowing path of the semiconductor power element, and, if necessary, a water channel for cooling is formed in the heat diffusion plate.例文帳に追加

回路板と放熱板の間に、セラミックス板を設けた熱拡散板を１層以上配置した基板で、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とし、必要に応じ熱拡散板中に冷却用の水路を設けた構造の絶縁回路基板。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.例文帳に追加

マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a structure wherein required electrical connections are established surely, even if its semiconductor element has protruding electrodes with narrow pitches between them and wherein the insulation between neighboring protruding electrodes is firmly secured, before installation on an insulated circuit board.例文帳に追加

突起電極をもつ半導体素子において、突起電極の配置ピッチが小さくても、所要の電気的接続が確実に達成され、隣接する突起電極間の絶縁性を確保して絶縁回路基板に搭載することが可能な構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An HFET 10 has a source electrode 16, a drain electrode 17, and a gate electrode 18 formed on an electron supply layer 14, an insulating film 19 to insulate between these electrodes, and a mesa structure 23 formed in the portion where element separation of the semiconductor layer 22 is carried out.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１０は、電子供給層１４上に形成されたソース電極１６、ドレイン電極１７およびゲート電極１８と、各電極間を絶縁する絶縁膜１９と、半導体層２２の素子分離される部分に形成されたメサ構造２３を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with excellent connecting reliability by having a cushioning material which absorbs the difference of the coefficient of thermal expansion between a semiconductor element and a package substrate, even when an organic material is used as a packaging substrate in the semiconductor package structure.例文帳に追加

本発明は半導体パッケージ構造において、実装基板として有機材料を用いた場合も、実装基板と半導体素子の熱膨張率差を吸収する緩衝体を有することにより優れた接続信頼性をもつ半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The package structure of the semiconductor device comprises a semiconductor chip 1 having a semiconductor element and an electrode pad 2, and a protection layer 3 having a wiring 5 structuring an electric circuit on one surface and a plurality of interlayer connection bodies 4 penetrated from the specific position to the other surface.例文帳に追加

半導体素子及び電極パッド２を有する半導体チップ１と、一方の面に電気回路を構成する配線５を有してその所定の位置から他方の面に貫通する複数の層間接続体４を有する保護層３からなる半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁

To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible.例文帳に追加

上部電極形成時のスパッタに与えられる有機ＥＬ発光層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

In the memory element wherein a recording layer containing microcapsules each includes at least a photochromic compound and an electron receptive compound is formed on a supporting substrate, the electron receptive compound is a Lewis acid compound, and the number of carbon atoms of a long chain structure part other than a Lewis acid part is 12 or more.例文帳に追加

少なくともフォトクロミック化合物及び電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する記録層を支持基板上に形成したメモリ素子であって、電子受容性化合物は、ルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上である。 - 特許庁

The semiconductor package packaging structure includes a semiconductor package 1 for housing a semiconductor element 10, a circuit substrate 100 which packages the semiconductor package 1 on the front surface, and a resin 800 which is disposed to be adhered to both the semiconductor package 1 and the circuit substrate 100.例文帳に追加

半導体パッケージ実装構造は、半導体素子１０を収納する半導体パッケージ１と、半導体パッケージ１が表面に実装された回路基板１００と、半導体パッケージ１と回路基板１００との両方に固着するように配置された樹脂部８００とを備える。 - 特許庁

When a connection structure formed by making the anisotropic conductive connection between the wiring board and electric element is manufactured, an adhesive obtained by dispersing solder particles of melting temperature Ts in the insulating acrylic thermosetting resin of minimum melting viscosity temperature Tv is used as an anisotropic conductive adhesive.例文帳に追加

配線基板と電気素子とを異方性導電接続により接続構造体の製造する際に、異方性導電接着剤として、溶融温度Ｔｓのハンダ粒子が最低溶融粘度温度Ｔｖの絶縁性のアクリル系熱硬化性樹脂中に分散したものを使用する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁

Each frame element 4 in the structure 1 is provided with projecting members 56A and 56B to stop the rotation of the inside/outside frames 9 and 10, when, among four angles generated by intersection of the inside/outside frames 9 and 10, two vertically opposite angles facing to each other in one direction become a prescribed angle.例文帳に追加

構造体１の各フレーム要素４には、内側・外側フレーム９，１０が交差することで生じる４つの角のうち、一の方向に向かい合う２つの対頂角が所定角度になったときに、内側・外側フレーム９，１０の回転を停止させる突出部材５６Ａ，５６Ｂが設けられる。 - 特許庁

The solar cell module having the wiring material joined to the principal surface of a solar cell element has a clad structure in which the wiring material includes a low thermal expansion material as a core material, and the core material is sandwiched between copper materials, and the solder is formed over the entire outer peripheral surface of the wiring material.例文帳に追加

太陽電池素子の主面に配線材が接合された太陽電池モジュールであって、前記配線材は低熱膨張材料を芯材とし、該芯材を銅で挟んだクラッド構造を有し、前記配線材の外周全面には半田が形成されていること。 - 特許庁

The magnesium alloy is essentially composed of magnesium, and in the magnesium alloy, the crystal structure thereof has high-angle grain boundaries, and the insides of the crystal grains surrounded by the high-angle grain boundaries is composed of sub-crystal grains, and one kind selected from calcium, tin and yttrium capable of being made into solid solution in magnesium is contained as an additional element.例文帳に追加

マグネシウムを主成分とし、その結晶構造が大傾角粒界を有し、この大傾角粒界に囲まれた結晶粒の内部が亜結晶粒にて構成されているマグネシウム合金であって、添加元素としてマグネシウムに固溶可能なカルシウム、スズ、イットリウムの一種を含有させる。 - 特許庁

After an element structure and a surface electrode are formed on the top-surface side of an n^+-type substrate 1, the reverse surface 1b of the semiconductor substrate having surface roughness (Ra) of ≤10 nm is processed so that (100%-reflectivity-permeability) becomes ≥80% at a wavelength of a laser beam to be irradiated.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、表面粗度（Ｒａ）が１０ｎｍ以下である前記半導体基板の裏面１ｂに、照射するレーザ光の波長において（１００％−反射率−透過率）が８０％以上に加工する。 - 特許庁

In the optical element (objective lens) having the molded part 50 molded from a resin material, the resin material has an alicyclic hydrocarbon structure, and has at least a pair of inorganic/organic laminated films 52 formed at least in the order of the inorganic layer and the organic layer on the surface of the molded part 50.例文帳に追加

樹脂材料から成形された成形部５０を有する光学素子（対物レンズ）であって、樹脂材料は、脂環式炭化水素構造を有し、成形部５０の表面に少なくとも無機層−有機層の順からなる少なくとも一対の無機／有機積層膜５２を有する。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a P-type impurity region having a higher concentration than any other region is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のＰ型の不純物領域を配置した。 - 特許庁

To provide a folding-type mobile wireless apparatus whose housing structure has rotating two axes to ensure a clearance between a first hinge which can also be used as an antenna element and a control line connecting a circuit board in a first housing and one in a third housing.例文帳に追加

筐体構造として回転２軸構造を持つ折畳み式の携帯無線機において、アンテナ素子としても用いる第１ヒンジと、第１筐体内の回路基板と第３筐体内の回路基板とを接続する制御線との間のクリアランスを確保することができる携帯無線機を提供する。 - 特許庁

This photoelectric conversion element 1 includes: a first electrode layer 20; a single power-generating laminated body 22 that is provided with an nip structure formed of a-Si (amorphous silicon); and a second electrode layer 26 of Al formed on the power-generating laminated body 22 with a nickel layer 24 interposed therebetween.例文帳に追加

光電変換部材１は、第１の電極層２０、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によって形成されたｎｉｐ構造を備えた単一の発電積層体２２、及び、当該発電積層体２２上に、ニッケル層２４を介して成膜されたＡｌの第２の電極層２６を有している。 - 特許庁

Aligned liquid crystal film is formed by using a liquid crystal aligning agent containing a polyamic acid or a derivative thereof produced by causing a diamine comprising alkaline nitrogen atoms in its molecule each present on two positions respectively, with the nitrogen atoms contained in the diphenylamine structure thereof, to react with a tetracarboxylic acid dianhydride, and is used in a liquid crystal display element.例文帳に追加

分子内２箇所にジフェニルアミンの構造に含まれる塩基性窒素原子を有するジアミンをテトラカルボン酸二無水物と反応させて得たポリアミック酸またはその誘導体を含有する液晶配向剤によって液晶配向膜を形成し、液晶表示素子に用いる。 - 特許庁

To provide piezoelectric actuators each equipped with a heat-resistant contact-bonding layer, the heat resistance of which is improved under the condition that the contactness between a piezoelectric body element and a diaphragm is ensured, as the base structure of a lower electrode layer, a liquid droplet discharging head equipped with the piezoelectric actuators and a liquid droplet discharging device.例文帳に追加

下部電極層の下地構造として、圧電体素子と振動板との間の密着性を確保しつつ耐熱性を向上させた耐熱密着層を備える圧電アクチュエータ、該圧電アクチュエータを備える液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁

To utilize the characteristics of a diatomaceous earth mesh, using natural resources as raw materials in the manufacture of a semiconductor for photovoltaic power generation system, and to provide a manufacturing method of a condensing body of a high power generation efficiency power generating element that attains stable supply and cost reduction by an integral structure.例文帳に追加

本発明は、天然資源を原料とした珪藻土メッシュの特徴を太陽光発電用半導体製造に用いることと、発電効率の高い発電素子の集光体の製造方法であり、一体構成の発明によって安定供給、安価な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive final reduction gear for a vehicle, which can promote warming-up of lubricating oil and reduce agitation resistance of the lubricating oil by a ring gear with a simple structure and prevent the lubricating performance of a lubricating element such as a bearing from being deteriorated.例文帳に追加

簡素な構成によって潤滑油の暖機の促進およびリングギヤによる潤滑油の撹拌抵抗を低減することができるとともに、軸受等の潤滑要素の潤滑性能が低下するのを防止することができる低コストな車両の終減速装置を提供すること。 - 特許庁

A method for fabricating a sensor is disclosed that in one embodiment bonds an etched semiconductor substrate wafer (130) to an etched device wafer (142), which includes a double silicon on insulator wafer to create a suspended structure, the flexure of which is sensed by an embedded piezoresistive sensor element (150).例文帳に追加

センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ（１３０）を、エッチング済みデバイスウェーハ（１４２）に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子（１５０）によって検知される。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁