「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a longitudinal electric field type polarizing rotary element which has rectangularly sectioned electrooptical crystal, and can improve uniformity of an electric field distribution in a cross section of the electrooptical crystal when a high voltage is applied with a simple structure.例文帳に追加

矩形断面の電気光学結晶を有する縦電界型の偏光回転素子において、簡素な構造で高電圧を印加した際に電気光学結晶の断面内における電界分布の均一性を向上させることができる偏光回転素子を提供する。 - 特許庁

The optical switching element has an optical switching layer which comprises a pair of charge generation layers and a charge transport layer interposed between the pair of charge generation layers, wherein the charge transport layer contains a charge transport polymer with a predetermined structure.例文帳に追加

一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 - 特許庁

To realize a display device with picture elements of an organic electroluminescent(EL) element of an upper luminous surface arranged in a matrix form and aims to realize a mounting structure with high opening ratio when the partition walls are arranged also on th surface side of the substrate to shield the light.例文帳に追加

上面光取出し型の有機エレクトロルミネッセンス素子を画素としてマトリックス状に配列し表示装置において、基板の表面側にも光を遮断する構造物として隔壁が配置される場合に、より高い開口率の実装構造を実現する。 - 特許庁

In the circuit board 100 having such a structure, the base film 121 and heat sink 150 are joined with each other by means of a solder 160 with high conductivity, so that a heat from the heat generating element 110 is efficiently transmitted to the heat sink 150 and it is radiated therefrom.例文帳に追加

このような構成の回路基板１００においては、ベースフィルム１２１と放熱板１５０とが熱伝導率の高い半田１６０により接合されることになり、発熱素子１１０からの熱が、効率よく放熱板１５０に伝搬されて放熱される。 - 特許庁

To provide a color filter structure capable of easily securing display quality of transmissive and reflective display and a balance therebetween by making a color element of the transmissive display and a color display of the reflective display differ from each other and to provide an electro-optical device having the same.例文帳に追加

透過表示と反射表示のカラー表示を実現するためのカラー要素を異ならしめることにより、両表示の表示品位及びそのバランスを容易に確保することができるカラーフィルタ構造及びこれを備えた電気光学装置を提供する。 - 特許庁

The SIALON phosphor is characterized in that it has a composition expressed by general formula (1), at least the main phase has an α-SIALON crystal structure, and has p in the range of 0.25≤p≤0.65, and the light emitting device is characterized by having such SIALON phosphor and a blue light emitting semiconductor diode element.例文帳に追加

一般式（１）で表され、少なくとも主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、０．２５≦ｐ≦０．６５であることを特徴とするサイアロン蛍光体；かかるサイアロン蛍光体と、半導体青色発光ダイオード素子と、を備えることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

The card-shaped medium has a structure wherein block-shaped or layer-shaped fluorescent glass or a member having the powder of the fluorescent glass mixed in is provided on the upper, lower or lateral side of a layer- shaped or small-piece-shaped optical change element.例文帳に追加

層状若しくは小片状の光学変化素子の上側若しくは下側又は側面にブロック形状若しくは層状の蛍光ガラス若しくは蛍光ガラスの粉体が混入された蛍光ガラス混入部材を配設した構造のカード状媒体である。 - 特許庁

This element has a configuration in which a p-type electrode 8 is formed on the p-type layer 7 and an n-type electrode 9 is formed on the surface of a second n-type layer 4 exposed by removing a part of a multilayer structure from the p-type layer 7 to the second n-type layer 4.例文帳に追加

ｐ型層７の上にはｐ型電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ型電極９が形成された構成となっている。 - 特許庁

To provide a bumper structure of a car body capable of reducing the cost by suppressing the die fabricating expense, of replacing only the part where an energy absorbing element is broken, and shortening the time required to perform the repairing work.例文帳に追加

金型作製費を低く抑えることにより、コスト低減に寄与することができ、さらには、エネルギー吸収体を破損した部分のみを交換することができ、加えて補修作業に要する時間も短縮することができる車体のバンパ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic EL element 100 has a structure that includes a hole injecting electrode 2, a hole injecting layer 3a, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron injection restricting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron injection electrode 8 laminated on a substrate 1, in this order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、基板１上にホール注入電極２、ホール注入層３ａ、ホール輸送層４、発光層５、電子注入制限層６、電子輸送層７および電子注入電極８が順に積層された構造を有する。 - 特許庁

In this load sensor 60 which has a ceramic-made sandwich structure, narrow grooves 65, 66 are provided for the formation of temperature sensing elements 62, 63 which share the common base of an insulating section 64 and are the same as a load sensing element 61 in terms of temperature characteristics.例文帳に追加

セラミックスで形成されたサンドイッチ構造の荷重センサー６０の素材に、幅狭の溝６５、６６を形成することにより、絶縁部６４からなる基台を共通として、荷重検出素子６１と同じ温度特性を持つ温度検出素子６２、６３を形成する。 - 特許庁

The surface-emitting laser element includes a substrate 101 with a normal direction of a mirror finished plane inclining 15 degrees toward a crystallographic orientation [1 1 1] with respect to a crystallographic orientation [1 0 0], and a mesa structure in which a cross section parallel to the substrate 101 has a long axis and a short axis.例文帳に追加

鏡面研磨面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］方向に向かって１５度傾斜した基板１０１を用い、基板１０１に平行な断面が長軸と短軸を有するメサ構造体を有している。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element maintaining or increasing Mr×t while keeping high coercive force even if thickness of a hard bias layer is reduced in order to improve structure of the both side lamination parts and to make the both side lamination parts thinner than before.例文帳に追加

特に、両側積層部の構造を改良して、前記両側積層部の膜厚を従来より薄くするためにハードバイアス層の膜厚を薄くしても、高保磁力を維持しつつＭｒ×ｔを従来と同等以上に出来る磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

The structure is for attaching a reaction frame element 151b, the frame-shaped spring, to an lower frame part 13 and an upper frame part 14 in such a way that pressure is always applied in the movable range and that the pressure to be applied is the weakest at a prescribed position in a normal posture P.例文帳に追加

下フレーム部１３に対して上フレーム部１４に対してフレーム状のバネである反力フレーム要素１５１ｂを、可動範囲において常に与圧が掛かり且つ通常姿勢（Ｐ）をなす所定位置で最も与圧が弱くなるように取り付ける構造である。 - 特許庁

The negative electrode material for the lithium secondary battery has crystal structure of composition of Mg_1-xR_xAl_2C_2 (x representing composition ratio is in a range of 0≤x≤0.1; element M is one or more elements selected from Ca, Sr, and Ba having larger ionic radius than that of Mg).例文帳に追加

リチウム二次電池用負極材料において、組成がＭｇ_1-xＲ_xＡl_2Ｃ_2（組成比を示すｘは０≦ｘ≦０．１の範囲であり、元素Ｍは、Ｍｇよりイオン半径の大きいＣａ、Ｓｒ、Ｂａの一種以上の元素である）の結晶構造であることを特徴とする。 - 特許庁

In a constituent optical system of a projection type display device, an optical component holding structure part, provided in a luminaire body near a light flux synthesizing element, includes an optical component holding part protective member for protection from light of a lamp unit.例文帳に追加

投写型表示装置の構成光学系において、光束合成素子近傍にある照明装置筐体に設けられた光学部品保持構造部にランプユニットの光から保護する為の光学部品保持部保護部材を有することを特徴とする構成とした。 - 特許庁

The structure has a couple of locks 5, 5, a couple of tapered parts 7, 7 that are gradually made thin from the locks 5, 5, and a couple of plane parts 6, 6 and an antenna holder 4 to which a rod antenna element 2 is inserted to hold it is inserted to a hole 11 of a radio unit body 10.例文帳に追加

一対の抜け止め部５，５と、その抜け止め部５，５側を太くし徐々に細くなる一対の傾斜部７，７、および一対の平面部６，６を有し、棒状アンテナ素子２を挿通して保持するアンテナホルダー４を、無線機本体１０の孔１１に挿入する。 - 特許庁

To provide an inorganic EL light-emitting element, a resin molded article, a transfer sheet, and manufacturing methods of those capable of being used under circumstances of application of heat and/or pressure, capable of being used as a light-emitting portion of part of a warped material, and capable of displaying an image in a simple structure and low cost.例文帳に追加

熱や圧力が印加される環境や、曲がった部材の一部の発光部として用いることが可能で、且つ構造が簡単で安価に画像が表示できる無機ＥＬ発光素子、樹脂成形品、転写シート、及びこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel structure is formed by a precooling part and heating part 4 and a temperature test part 5, a Peltier element 8 is arranged on the reverse surface, and the temperature of the tunnel bottom surface that a carrier 1 comes into contact with and the temperature in the space in the tunnel that the work 3 contacts are measured by 1st and 2nd temperature sensors 6 and 7.例文帳に追加

予備冷却部／加熱部４と温度試験部５でトンネル構造を形成し、下面にペルチェ素子８を備えるとともに、キャリア１が接するトンネル底面温度とワーク２が接するトンネル内空間温度を第１，第２の温度センサ６，７で測定する。 - 特許庁

In the reflective display element, viewing angle characteristics of reflectance is controlled by laminating a light diffuse reflection layer and a transmissive thin film layer equipped with a structure having a phase or an average period different from that of a light diffusion layer on the incident side of the light diffuse reflection layer.例文帳に追加

反射型表示素子において、光拡散反射層と、光拡散反射層の光入射側に、光拡散層とは異なる位相または異なる平均周期の構造を備えた透光性薄膜層が積層され、反射率の視野角特性を制御する。 - 特許庁

To provide a wafer positioning device which can highly precisely position various finishing machines with respect to a fine and flat inclination face by a simple structure, and to provide various manufacturing devices applied to the manufacture of a semiconductor element incorporating the positioning device.例文帳に追加

微小で且つ平坦な傾斜面に対する各種加工機の位置決めを、高精度に且つ簡単な機構をもって実現できるウェハの位置決め装置と、同位置決め装置を組み込んだ半導体素子製造に適用される各種の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve both surface planarization and film thickness uniformity of an upper insulation film by uniformly planarizing the surface of the upper insulation film, which covers a structure having a level difference on a surface thereof, across the whole substrate in order to stably and reliably form a desired semiconductor element.例文帳に追加

表面に段差部分を有する構造物を覆う上部絶縁膜を基板全面に亘って均一に表面平坦化し、上部絶縁膜の表面平坦化及び膜厚均一化を共に実現して、所期の半導体素子を安定且つ確実に形成する。 - 特許庁

To provide a III-V nitride semiconductor laser structure which can improve the yield and reliability of elements by suppressing crystal defects and cracks, can emit laser light well shaped in a fundamental lateral mode, and has a low element resistance and threshold current.例文帳に追加

結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

To provide an optical power generating element which constitutes a thin-film solar cell, is made of a thin film of a compound semiconductor material having a chalcopyrite structure, and has high energy conversion efficiency and superior productivity and safety; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜系太陽電池を構成する光発電素子であって、カルコパイライト構造を有する化合物半導体材料の薄膜からなり、エネルギー変換効率が高く、生産性と安全性に優れた光発電素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultra-thin board piezoelectric vibration element which is easy to mass-produce since wire bonding is possible, generates no variation in characteristics, can suppress unnecessary spurious, and having electrode structure which is easy in electrode film thickness control and can prevent a CI value from deterioration.例文帳に追加

ワイヤボンディングが可能である為に量産が容易であり、特性のばらつきが発生せず、不要なスプリアスを抑圧でき、しかも電極膜厚制御が容易で、且つ、ＣＩ値の劣化を防止できる電極構造を有する超薄板圧電振動素子を提供する。 - 特許庁

To provide a polycrystalized silicon film 4 which is used as a storage node (lower electrode) for improving storage capacity in the storage capacitance element of a capacitor for charge storage or the like, in a structure having no defect and a sufficient strength regardless of growth conditions thereof.例文帳に追加

電荷蓄積用キャパシタ等の記憶容量素子における蓄積容量向上のために、ストレージノード（下部電極）として用いられる多結晶化シリコン膜４は、その成長条件によらず，欠損のない、かつ十分な強度を有する構造のものが求められる。 - 特許庁

To provide an arranging method for particulates in a micro-holes formed in a film efficiently, easily, and stably in a proper amount, provide a conductive thin layer element used in three-dimensional mounting, etc., conducted by the method, and a conductive laminate structure.例文帳に追加

効率よく、容易に、過不足なく安定的に微粒子をフィルムの微細穴に配置することができる微細穴への微粒子の配置方法、その方法を用いてなる３次元実装等に用いる導電薄層素子、及び、導電積層構造体を提供する。 - 特許庁

There is provided the piezoelectric thin film element 1 which has on a substrate 2 at least a diaphragm 3, a lower electrode 4, a piezoelectric thin film 5 having a perovskite type crystal structure, and a chemical composition of xPb(AαNbβ)O_3+yPbZrO_3+zPbTiO_3.例文帳に追加

基板２上に少なくとも振動板３と、下部電極４と、結晶構造がペロブスカイト型からなり化学組成がｘＰｂ（ＡαＮｂβ）Ｏ_3＋ｙＰｂＺｒＯ_3＋ｚＰｂＴｉＯ_3である圧電薄膜５と、上部電極６を有する圧電薄膜素子１。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device capable of ensuring stable element operation which can eliminate a failure by the non-continuation of a band based on a hetero structure, can quickly escape a majority carrier to a body contact electrode, and can improve the controllability of body potential by the suppression of a substrate floating effect.例文帳に追加

ヘテロ構造によるバンド不連続による不具合を解消することができ、多数キャリアをボディコンタクト電極に速やかに逃がすことができ、基板浮遊効果を抑制しボディ電位の制御性を改善した素子動作の安定した半導体装置を実現する。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

To prevent occurrence of a photoelectric current in a channel region due to illumination light from a back light source when TFT is turned off, which becomes a cause of an increase of a leaking current in an element and deterioration of picture quality, in a thin film transistor (TFT) plane display panel structure.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）平面ディスプレイパネル構造において、素子の漏電電流の増加や画質の劣化の原因となる、ＴＦＴがオフのときのバックライト光源からの照明光に起因するチャンネル領域中の光電流の発生を防止する。 - 特許庁

The method includes a creation of a finite element analysis model that includes structure, surrounding fluid, a blast source of the explosion and a single layer of boundary elements each having a segment representing a boundary of the fluid facing the blast source.例文帳に追加

方法は、構造体と、周囲流体と、爆発の爆発源と、それぞれが爆発源に面する流体の境界を表わすセグメントを含んでいる複数の境界要素により構成された単一層と、を有する有限要素解析法モデルの生成を備える。 - 特許庁

Consequently, the transformer can maintain a high element efficiency and a small quantity of heat and, in addition, can reduce distortion, because the transformer can maintain the high effective coupling coefficient resulting from the electrode structure and mode of oscillation even when the value of the electrostatic capacitance is changed arbitrarily.例文帳に追加

これにより、上記容量値を任意に変化させたとしても、電極構造および振動モードに起因した実効結合係数を高く維持することができるので、高い素子効率および少ない発熱量を維持でき、また歪みも小さくできる。 - 特許庁

In the optical device in which an optical element is fixed through a holder 7, the structure is characterized by fixedly holding two or more optical elements 6, 12 on both open faces of a tubular holder and by installing air vents 6a, 7b in either the optical elements or the holder.例文帳に追加

光学素子をホルダー７を介して固定してなる光デバイスにおいて、２個以上の光学素子６、１２を筒状ホルダーの両開口面に保持固定し、かつ上記光学素子もしくはホルダーのいずれかに空気孔６ａ、７ｂを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 is provided with: a substrate 2; a semiconductor multilayer structure 3 in which a main surface 12a of an active layer 12 and main surfaces of layers 11, 13, 14 are each formed of an m-surface as a non-polarity surface; a cathode electrode 4; and an anode electrode 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２と、活性層１２の主面１２ａ及び各層１１、１３、１４の主面が無極性面であるｍ面により構成された半導体積層構造３と、カソード電極４と、アノード電極５とを備えている。 - 特許庁

As the front reflecting mirror, whose reflectivity can be comparatively low, is provided between the substrate and the semiconductor layer, the time to grow a thick film is shortened, a distortion and a defect, generated in a crystal, is suppressed and the characteristics of an optical resonator structure element can be improved.例文帳に追加

比較的反射率の小さくても良い前部反射鏡を基板と半導体層の間に設けたため、成長に必要な時間を短縮し、結晶中に発生する歪や欠陥を抑制して素子特性を良好なものとすることができる。 - 特許庁

An electron device or a light-emitting element 30 is included between a pair of substrates 11, 13, and the above problems are solved by the sealing structure in which the outer periphery of the pair of substrates 11, 13 is sealed by a sealing member 15 whose section is nearly in a T shape or nearly in an E shape.例文帳に追加

一対の基板間１１，１３に電子素子又は発光素子３０を含み、一対の基板１１，１３の外周が断面略Ｔ字状又は略Ｅ字状の封止部材１５により封止されている封止構造体により上記課題を解決する。 - 特許庁

A melted material is introduced into the manifold and moved to an injection molding nozzle for charging into a die cavity through the bore at the direction of a radius and a bore at the direction of an axis in the junction structure element and also through at least one piping connected to those elements.例文帳に追加

メルトは、マニホールドに導入され、ジャンクション構成要素の半径方向ボア及び軸線方向ボアを通って、及びこれに連結された少なくとも一つの配管を通って、金型キャビティに注入するための射出成形ノズルまで移動する。 - 特許庁

The inductance element includes a magnetic material part 2 provided on a board 1 and coil conductors 3, 4 connected such that the magnetic material part 2 is surrounded helically, and the magnetic material part 2 has a structure in which a magnetic material layer 2a and a nonconductive layer 2b are periodically repeated.例文帳に追加

基板１に設けられた磁性体部２と、この磁性体部２をコイル状に取り囲むように接続されているコイル導体３，４とを備え、磁性体部２は、磁性体層２ａと非導体層２ｂとが周期的に繰り返されている構造を有している。 - 特許庁

The upper part of the lamination structure is formed at the same intervals as stripe-shaped ridges 31a to 31f, channel width is successively set to 2.0 to 3.5 μm in 0.3 μm steps, the equivalent refractive index of the active layer is changed, and the oscillation wavelength of each element is changed.例文帳に追加

積層構造の上部は、同じ間隔で、ストライプ状リッジ３１ａから３１ｆとして形成され、チャンネル幅は、順次、０．３μｍ刻みに、２．０μｍから３．５μｍとし、活性層の等価的な屈折率を変化させ、各素子の発振波長を変える。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁