「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(169ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a supporting structure of a piezoelectric vibration element capable of improving shock resistance and adhesive strength while preventing short circuit between conductive adhesives, in which a single piezoelectric vibration element is electrically and mechanically joined using the conductive adhesive applied to each of the two closely arranged electrode pads, and to provide a surface mounting type piezoelectric vibrator and a surface mounting type piezoelectric oscillator.例文帳に追加

近接配置された２つの電極パッド上に夫々塗布した導電性接着剤を用いて単一の圧電振動素子を電気的機械的に接合するようにした圧電振動素子の支持構造において、導電性接着剤間の短絡を防止しつつ、耐衝撃性、接着強度を高めるようにした圧電振動素子の支持構造、表面実装型圧電振動子、及び表面実装型圧電発振器を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁

The optical filter is provided with two optical elements 1 and 2 operating to separate luminous flux and an optical element 3 which is arranged between those two optical elements and operates to eliminate polarization, wherein at least one of the three optical elements being a microscope element which has a structure finer than the wavelength of incident light and operates to separate luminous flux or eliminate polarization by optical anisotropy.例文帳に追加

光束分離作用を有する２つの光学素子１，２と、これら２つの光学素子の間に配置され、偏光解消作用を有する光学素子３とを有し、３つの光学素子のうち少なくとも１つの光学素子を、入射光の波長より細かい構造の光学的異方性による光束分離作用又は偏光解消作用を持つ微細構造素子として光学フィルタを構成する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory cell 20 corresponding to input address information has a variable resistive element 14 comprising materials having a perovskite type crystal structure, in which resistance values between electrodes change reversibly by voltage values impressed between a pair of electrodes, and the resistance values are sustained after impression of the voltage; and a MOS transistor in which the variable resistive element 14 and a drain area 13 which is a driving area are connected.例文帳に追加

入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル２０は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子１４と、その可変抵抗素子１４と駆動領域であるドレイン領域１３とが接続されたＭＯＳトランジスタとを有する。 - 特許庁

Using a gas material of hydride, fluoride or chloride of silicon atoms, an amorphous semiconductor film is formed by the plasma CVD, using intermittent discharge at a repetition frequency of 10 kHz or lower and a duty ratio of 50% or less, and an element for accelerating the crystallization of the amorphous semiconductor film is introduced into the surface of this film to obtain a semiconductor film having a crystal structure for utilizing this element.例文帳に追加

これは珪素原子の水素化物またはフッ化物または塩化物によるガスを原料として、繰り返し周波数１０ｋＨｚ以下、デューティー比５０％以下の間欠放電を用いたプラズマＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成し、その表面に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素を導入し、当該元素を利用して結晶構造を有する半導体膜を得る。 - 特許庁

In the electronic circuit device, a heat radiation structure is formed so that an opening penetrating through a circuit board and the base is provided at a lower part of a heating circuit element (bare chip) and both surfaces of the heating circuit element thermally connect with a sealing resin.例文帳に追加

自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、発熱回路素子（ベアチップ）下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする放熱構造とした。 - 特許庁

The humidification element has a structure where an interface between a carbon coagulation formed with graphite having a small particle size which enables dielectric heating and a carbon coagulation formed with graphite having a large particle size has a cone concave and convex shape for lamination, and the carbon coagulation having minute air holes is placed at a lower position, and the humidification element is covered with a thin film which is substance exhibiting hydrophilicity inside the air holes.例文帳に追加

この発明に係る加湿エレメントは、誘電加熱を可能とする小さな粒度の黒鉛から成るカーボン凝結体と、大きな粒度の黒鉛から成るカーボン凝結体の界面が錐状の凹凸を形成して積層し、下部位置に微細な気孔を備えたカーボンの凝結体を配され、前記気孔内に親水性を発現する物質である薄膜が被覆された構造体をなすものである。 - 特許庁

To provide a method of amplifying a luminescent bandwidth of a semiconductor photoelectric element for manufacturing a multiplex quantum well structure, by which preferred temperature characteristics and modulation characteristics can be obtained, when applied to a semiconductor photoelectric element, and the width to be modulated and an amplitude gain can be widened significantly more than those of the semiconductor laser elements of the same kind, when being applied to a semiconductor laser whose wavelength is adjustable.例文帳に追加

半導体光電素子に応用した場合、好ましい温度特性と変調特性を具えさせ、更に波長が調整可能な半導体レーザに応用した場合、同類の半導体レーザ素子に比して変調できる幅と振幅利得を極めて広くする多重量子井戸構造を製造するための半導体素子の発光帯域幅の増幅方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A stacked structure is composed of a first thin film, which is an amorphous film containing oxide of a metal element M1 of one or both of In and Sn, and a second thin film that is stacked on and in contact with the first thin film and contains at least ZnO.例文帳に追加

Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び、前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなる積層構造。 - 特許庁

To sensuously reduce a waiting time by displaying an image effective for imaging on a screen of a display unit an imaging element is in an imaging standby state, when an imaging instruction is inputted by switch operation in a structure in which a lens is protruded from a body in the direction of a subject.例文帳に追加

レンズが本体から被写体の方向に突出する構造において、スイッチ操作によって撮像指令が入力されたときは、撮像素子が撮像待機状態になるまでの期間に、撮像に有効な画像を表示部の画面に表示させて、感覚的に待ち時間を短くする。 - 特許庁

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an igniter of an internal combustion engine, capable of performing sure ignition, by constituting a switching circuit without a power terminal connected to a power source such as a battery, simplifying its terminal structure, and holding gate voltage in constant voltage in an ON period of a switching element.例文帳に追加

バッテリなどの電源に接続される電源端子を持たないスイッチング回路を構成し、その端子構造を簡単化するとともに、スイッチング素子のオン期間におけるゲート電圧を定電圧に保持し、確実な点火を行うことできる内燃機関点火装置を提案する。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁

A polarized light separation element comprises, in order from a light incident side, an incident-side multilayered film 3c which is configured by stacking a plurality of dielectric films, and a one-dimensional grid structure 3a which has a grid cycle smaller than a wavelength of incident light and is formed from a metal.例文帳に追加

偏光分離素子は、光入射側から順に、複数の誘電体膜が積層されて構成された入射側多層膜層３ｃと、入射光の波長よりも小さい格子周期を有し、金属により形成された一次元格子構造３ａとを有する。 - 特許庁

To obtain an optical shutter substrate and its manufacturing method which can form a flat plate type substrate having electrooptic effect in three- dimensional electrode structure free of optical distortion by an easy method and sufficiently secure light shielding at a part other than an optical shutter element.例文帳に追加

平板状の電気光学効果を有する基板を簡単な方法でかつ光学的な歪みの生じない立体電極構造とすることができ、光シャッタ素子以外の部分での遮光性をも十分に確保することのできる光シャッタ基板及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a multiple quantum well layer formed of an AlGaAs-based material and is improved in COD level using an end surface window structure to improve an output of emitted infrared light, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

多重量子井戸層がＡｌＧａＡｓ系材料によって構成され、赤外光を出射する半導体レーザ素子において、端面窓構造を用いてＣＯＤレベルを向上させることができ、出力の向上された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A vacuum heat insulating board 13 is formed by covering the vacuum heat insulating material 11 in advance with a synthetic resin foam heat insulating body 12, and an external heat insulating structure is constituted by installing this vacuum heat insulating board 13 on a stud 14 of a wooden house being a structural element of the building.例文帳に追加

予め真空断熱材１１を合成樹脂フォームの断熱体１２で覆った真空断熱ボード１３を形成し、この真空断熱ボード１３を建築物の構造要素である木造住宅の間柱１４などに取り付ける外断熱構造などを構成する。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer of a quantum well structure which has a well layer made of a nitride semiconductor containing indium, the active layer is sandwiched between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor laser element array 8 mounted on the sub-mount 6 has a structure of laminating a semiconductor layer 2 having two ridge parts 13 on a substrate 11, and an Au plating layer 14 is formed on a surface of a (p) type electrode 3 formed in an upper part of the respective ridge parts 13.例文帳に追加

サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a wide band gap semiconductor element that is hardly influenced by disturbance electric charge, and has a termination structure portion having improved breakdown voltage and having high reliability of the breakdown voltage when using a semiconductor material that is not realistic for formation of a deep well region.例文帳に追加

深いウェル領域を選択的に形成することが現実的ではない半導体材料を用いる場合に、外乱電荷の影響を受け難くするとともに、耐圧の向上と耐圧の信頼性の高い終端構造部を備えるワイドバンドギャップ半導体素子の提供。 - 特許庁

The optical isolator body is structured by arranging the two permanent magnets in a long and narrow flat plate shape opposite each other at an interval and sandwiching the optical element between them, and the holder is structure by forming a recessed groove 36 on one side of a cylindrical part 34 having a center through hole 32.例文帳に追加

光アイソレータ本体は、細長平板状をなす２枚の永久磁石が間隔をおいて対向配置され、それらの間に光学素子が挟まれる構造をなし、ホルダは、中央貫通穴３２を有する円筒状部３４の片側に凹溝３６を形成した構造をなす。 - 特許庁

An organic EL element with simple structure composed of a transparent electrode layer, an organic EL layer, a metallic electrode layer and a protecting layer, formed in this sequence on a base plate of composite film with a dampproofing layer held between two sheets of transparent films, is materialized.例文帳に追加

透明性のある２枚のフィルムの間に防湿層を挟持した複合フィルムをベース基板として、その上に透明電極層、有機ＥＬ発光層、金属電極層および保護層を順次設けた単純な構造により、有機ＥＬ発光素子のフィルム基板化を実現し、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a parallel optical transmitter-receiver that can deal with a surface emitting element and a polymer optical waveguide with a simple component structure and mounting form, that can attain miniaturization and a thin profile, and that simultaneously makes a high transmission capacity and a low cost compatible.例文帳に追加

簡易な部品構成と実装形態により面型発光素子及び高分子光導波路に対応可能とし、更には小型化と薄型化とを達成することが可能であり、それと同時に、高い伝送容量と低コスト化を両立した並列光送受信装置を提供する。 - 特許庁

In a nitride semiconductor light-emitting element, having a structure consisting of a plurality of layers 102-112 made of a nitride semiconductor on a GaN substrate 101, a transition inhibiting layer 104 consisting of a nitride semiconductor and having carbon, is included between a luminescent layer 107 and a substrate 101.例文帳に追加

ＧａＮ基板１０１上に窒化物半導体からなる複数の層１０２〜１１２が形成された構造を有する窒化物半導体発光素子は、発光層１０７と基板１０１との間に、窒化物半導体からなりかつ炭素を含む転位阻止層１０４を有する。 - 特許庁

To realize a structure which does not cause junction leak even if abnormal growth of silicide is generated in a PN junction diode element without increasing the number of processes in a semiconductor integrated circuit wherein a PN junction diode, a flash cell and a peripheral transistor are formed on the same chip.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードとフラッシュセルと周辺トランジスタとが同一のチップ上に形成された半導体集積回路において、ＰＮ接合ダイオード素子にシリサイドの異常成長が生じたとしても接合リークを起こすことがない構造を工程数を増大させることなく実現できるようにする。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

To provide a display which can improve viewing angle dependency of contrast ratio in a wide orientation without changing design of a basic structure of a display element, impairing display quality in a direction showing large contrast ratio and being limited to a state of displaying white or black.例文帳に追加

表示デバイスの基本構造を設計変更することなく、コントラスト比が大きい方向の表示品位を損なうことなく、白表示状態又は黒表示状態に限定されることなく、コントラスト比の視角依存性を広い方位で改善することができる表示装置を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element in an MQW diffraction grating structure to be used mainly for a gain coupling DFB laser, the well layer of an MQW-A is made thicker than that of the well layer of an MQW-B so that the rate of a gain coupling coefficient to a refractivity coupling coefficient can be increased.例文帳に追加

主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられるＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を大きくする。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing of the compound oxide, which has perovskite-crystal structure containing a rare earth element, and which is constituted of the composition elements dispersed uniformly, the homogeneous product that has the melting point of 1470°C or more is obtained by making it carry out water reaction with citric acid using metal carbonate, oxide, and hydrate.例文帳に追加

希土類元素を含有するペロブスカイト型結晶構造を持つ均質に構成元素が分散してなる複合酸化物の製造において、金属の炭酸塩、酸化物、水酸化物を用い、水系でクエン酸と反応させることにより、溶融点が１４７０℃以上の均質な製品を得る。 - 特許庁

In the plane magnetic element where a plane coil and an upper ferrite magnetic layer are stacked on a lower ferrite magnetic layer successively, the lower ferrite magnetic layer is set to be a double-film structure comprising a sintering body magnetic film via the complex magnetic film of ferrite magnetic powder and a resin binder at a coil side.例文帳に追加

下部フェライト磁性層の上に、平面コイルおよび上部フェライト磁性層を順次に積層した構造になる平面磁気素子において、下部フェライト磁性層を、コイル側にフェライト磁性粉と樹脂バインダとの複合体磁性膜を介して、焼結体磁性膜からなる２重膜構造とする。 - 特許庁

In short, contact with the semiconductor layer 91 employed as a separating structure between the main element unit 81 of the chip and the current sensing unit 82 is effected through the trench contact 93 whereby an effective contact area is enlarged without increasing the number of contact for preventing latch-up rupture.例文帳に追加

つまり、チップのメイン素子部８１と電流センス部８２との分離構造として用いる半導体層９１へのコンタクトをトレンチコンタクト９３とすることにより、ラッチアップ破壊防止用コンタクトの数を素子面方向に増やすことなく実効的なコンタクト面積を拡大させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having such a structure as the crystallinity of a nitride semiconductor to be grown is improved, and stripping and chipping of a substrate can be carried out very easily by employing a zinc oxide-based compound exhibiting good processability as the substrate, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

加工性のよい酸化亜鉛系化合物を基板として用いることにより、成長する窒化物半導体の結晶性をよくし、しかも基板の剥離やチップ化を非常に簡単に行うことができる構造の窒化物半導体素子およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a short circuit between gate electrodes caused by a void existing in an insulating body upon manufacturing the semiconductor device, narrow in the width of an element separating region formed by employing an STI (shallow trench isolation) method and having a groove gate structure.例文帳に追加

ＳＴＩ法を用いて形成した素子分離領域の幅が狭く、かつ溝ゲート構造を有する半導体デバイスを製造するにあたり、絶縁体中に存在するボイドによるゲート電極間のショートを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting element capable of improving lifetime characteristics and excluding an adverse influence, such as an increase in voltage and a decrease in luminous efficiency, by controlling the structure of a region for doping an electroluminescent dopant, a dope region, and the distribution of the dope region.例文帳に追加

発光ドーパントをドープする領域の構造、ドープ領域およびドープ濃度分布を制御することにより、寿命特性を改善することができ、さらに電圧上昇や発光効率低下等の悪影響を排除することができる有機発光素子を提供する。 - 特許庁

The front surface of a stem 31 on the side of the pressure chamber 36 is bonded with a spacer ring 26 disposed in a through hole 22 so as to be in a sealed state, thereby making up a structure wherein only an element containing a recessed section 33 formed on the stem 31 is exposed to the pressure chamber 36 through an aperture 27 of the spacer ring 26.例文帳に追加

ステム３１の圧力室３６側の前面と貫通穴２２に設けたスペーサリング２６とを封着接合したことにより、ステム３１に形成された素子収納凹部３３のみがスペーサリング２６の開口部２７を介して圧力室３６に露出する構造となる。 - 特許庁

To simplify the structure of a power converting device, to make it cost effective, and to miniaturize it, by making a DC smoothing capacitor have both its primary function and the function of suppressing a surge voltage that is generated when a switching element is turned off, in a power converting device that eliminates a phase capacitor system snubber and an individual system snubber.例文帳に追加

相コンデンサ方式スナバ、個別方式スナバを省略した電力変換装置において、直流平滑コンデンサの本来の機能と素子がターンオフ時に発生するサージ電圧を抑制する機能を兼用させることによって、装置構成を単純化し、低コスト化、小形化を図る。 - 特許庁

A fine slit pattern structure of a predetermined shape is executed in respective printing elements and/or dots of a line drawing and/or a dot pattern on a basic image A expressing the face image of a person by continuously changing the printing element width or the diameter of the line drawing and/or the dot pattern.例文帳に追加

線画及び／又はドットパターンにおける画線幅や直径を連続的に変化させて人物の顔画像を表現した基本画像Ａに対して、前記線画及び／又はドットパターンのそれぞれの各画線内及び／又は各ドット内に一定形状の微小スリットパターン構造を施す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical element having a fine structure whose aspect ratio is high and whose etching shape is a rectangle by making a film to be etched on a lower layer have the same cycle as that of a resist pattern even in using the resist pattern whose cross section is corrugated in the cycle finer than the wavelength of the visible region.例文帳に追加

可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In addition, this process of forming the polymer structure 32 is carried out while potentials of a signal wire 15 and a counter electrode 22 are properly adjusted to put an equipotential line EQ to be generated in the liquid crystal layer 30 between a pixel element electrode 12 on a first substrate 10 and the signal wire 15.例文帳に追加

さらに、ポリマー構造物３２を形成する工程は、液晶層３０内に生成される等電位線ＥＱが第１基板１０の画素電極１２と信号配線１５との間に落ち込むように、信号配線１５および対向電極２２の電位が調整された状態で行われる。 - 特許庁

The flip-chip GaN-based semiconductor light emitting element is enabled to be mounted on a flip-chip basis by forming a laminate 2 including a light emission layer 23 made of a GaN-based semiconductor on the top surface of a substrate 1, and has an uneven structure 3 formed on the reverse surface of the substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体からなる発光層２３を含んだ積層体２が基板１の上面に形成され、フリップチップ実装可能な構成とされた、フリップチップ型のＧａＮ系半導体発光素子であって、該基板１の下面には、凹凸構造体３が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric device is also characterized by having a structure for air-tightly sealing the recessed portion 3 with the lid member 4 after cantilever support and electrical connection using one terminal of the crystal oscillator element 1 in the lengthwise direction with the conductive adhesive 6 to a pad electrode 5 which is formed on an inner bottom face of the recessed portion 3.例文帳に追加

該凹陥部３の内底面に形成したパッド電極５に導電性接着剤６を介して前記水晶振動素子１の長手方向の一方端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で蓋部材４により該凹陥部３を気密封止する構造を有する。 - 特許庁

The sealing structure for a small-sized electronic component comprises band-like electrodes 11 to 13 extended along the short side direction of a rectangular board formed on the upper surface of the rectangular board 10, electronic component elements 30, 40 connected between the electrodes, an opening in a cap 50 covering the element and adhered to the board and sealing the cap.例文帳に追加

長方形状の基板１０の上面に、基板の短辺方向に沿って延びる帯状の電極１１〜１３を形成し、電極間に電子部品素子３０，４０を接続するとともに、電子部品素子を覆うキャップ５０の開口部を基板に接着し、キャップ内部を封止する。 - 特許庁

In the radiation structure of an electric circuit board 1, a switching element 13 and a coil 16 as electronic components generating heat are electrically connected to each other through an electric circuit pattern 31, and a metallic plate-like frame 2 as a member that radiates heat is mounted to a core 30 with the coil 16 wound therearound.例文帳に追加

発熱する電子部品としてのスイッチング素子１３とコイル１６とを電気回路パターン３１で電気的に接続し、コイル１６が巻かれたコア３０に、放熱する部材としての金属製の板状のフレーム２を取り付けた電気回路基板１の放熱構造とする。 - 特許庁

In this integrated circuit capable of reconstituting a logical function, a threshold element circuit network for realizing an arbitrary logical function is provided with a structure in which threshold elements are connected across two or more stages, and multi-level expressed data are used as data constituting the logical function.例文帳に追加

任意の論理関数を実現するしきい素子回路網であって、上記しきい素子を複数段結合する構造を有し、論理関数機能を構成するデータとして、多値表現されたデータを用いることを特徴とする論理関数機能再構成可能集積回路である。 - 特許庁